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81. 发明授权

KR100957733B1 산화갈륨-산화아연계 스퍼터링 타겟, 투명 도전막의 형성방법 및 투명 도전막 有权
标题翻译：氧化锌氧化锌溅射靶，形成透明导电膜和透明导电膜的方法
公开(公告)号：KR100957733B1
公开(公告)日：2010-05-12
申请号：KR1020077030866
申请日：2006-05-30
申请人： 닛코 킨조쿠 가부시키가이샤
发明人： 오사다고조
IPC分类号： C23C14/34 , G02F1/1343 , C04B35/453 , H01B5/14
CPC分类号： C23C14/3414 , C04B35/453 , C04B2235/3217 , C04B2235/3286 , C04B2235/5445 , C04B2235/656 , C04B2235/77 , C04B2235/96 , C23C14/086 , G02F1/13439
摘要： 산화알루미늄을 20∼500massppm 함유하는 것을 특징으로 하는 고밀도 산화갈륨-산화아연계 소결체 스퍼터링 타겟. 산화갈륨 (Ga
2 O
3 )-산화아연 (ZnO) 계 스퍼터링 타겟 (GZO 계 타겟) 은 특정 원소를 미량 첨가하여 도전성과 타겟의 벌크 밀도를 개선하는 즉 성분 조성을 개선하여, 소결 밀도를 상승시키고 노듈 형성을 억제하여, 이상 방전 및 파티클 발생을 방지할 수 있는 타겟를 얻음과 함께, 동 타겟을 이용하여 투명 도전막을 형성하는 방법 및 그것에 따라 형성된 투명 도전막을 제공한다.
스퍼터링 타겟, 투명 도전막

82. 发明授权

KR100876574B1 판상 재료의 가공면 결정 방법, 가공 방법 및 이들 장치 有权
标题翻译： 판상재료의가공면결정방법，가공방법및이들장치
公开(公告)号：KR100876574B1
公开(公告)日：2008-12-31
申请号：KR1020077007566
申请日：2005-06-27
申请人： 닛코 킨조쿠 가부시키가이샤
发明人： 나카시마고이치 , 고마치노부요시
IPC分类号： G05B19/404
CPC分类号： G05B19/401 , B23Q15/14 , G01B11/30 , G05B19/404 , G05B2219/37049 , G05B2219/37402 , G05B2219/37596 , G05B2219/50046 , G05B2219/50063 , Y02P80/40
摘要： Provided is a surface treatment method for performing machining such as cutting work, grinding, and electrical discharging to a plate-like material with two- or three-dimensional deformation to realize a uniform thickness. This method includes the steps of mounting the plate-like material on a surface plate, setting a coordinate axis in a plane direction of the plate-like material to be X, Y and setting a coordinate axis in a height direction of the plate-like material to be Z, virtualizing a surface containing an origin of the measured Z direction, measuring a height Z 1-n from the origin in an arbitrary plane position, and inclining and cutting the plate-like material so that an absolute value of a difference between a maximum value Z max and a minimum value Z min of the obtained height data will be minimum. Although a ceramic sintered plate such as a sputtering target or a metal plate prepared by metal rolling or forging, in most instances, is subject to two- or three-dimensional deformation as a result of thermal stress or machining stress during the manufacturing process, this invention is able to obtain a flat plate-like material having a uniform thickness and minimal machining costs from a plate-like material with two-or three-dimensional deformation.
摘要翻译：本发明提供一种对二维或三维变形的板状材料进行切削加工，研磨加工，放电加工等的加工以实现均匀的厚度的表面处理方法。该方法包括以下步骤：将板状材料安装在平台上，将板状材料的平面方向上的坐标轴设为X，Y，并将该坐标轴设定为板状的高度方向材料为Z，将包含测量的Z方向的原点的表面虚拟化，在任意平面位置测量从原点开始的高度Z 1-n，并且倾斜并切割板状材料，使得差值的绝对值在所获得的高度数据的最大值Z max和最小值Z min之间将是最小的。虽然通过金属轧制或锻造制备的诸如溅射靶或金属板的陶瓷烧结板在大多数情况下由于在制造过程期间的热应力或加工应力而受到二维或三维变形，但是这本发明能够从具有二维或三维变形的板状材料获得具有均匀厚度和最小加工成本的平板状材料。

83. 发明公开

KR1020070121025A 스퍼터링 타겟 有权
标题翻译：飞溅目标
公开(公告)号：KR1020070121025A
公开(公告)日：2007-12-26
申请号：KR1020077024857
申请日：2006-03-28
申请人： 닛코 킨조쿠 가부시키가이샤
发明人： 미야시타히로히토
IPC分类号： C23C14/34
CPC分类号： C23C14/3414
摘要： A sputtering target comprising Ta or a Ta alloy, characterized in that the {110} plane X-ray diffraction intensity ratio is not more than 0.4, even not more than 0.2. A sputtering target comprising Ta or a Ta alloy, characterized in that the {110} plane X-ray diffraction intensity ratio in the target surface is not more than 0.8 and the {110} plane X-ray diffraction intensity ratio in a depth of 100 V or more is not more than 0.4. These Ta or Ta alloy targets can minimize a variation in film formation rate for each target during the life of sputtering targets, and thus can improve and stabilize the production efficiency of semiconductors in the sputtering process and can contribute to a reduction in production cost.
摘要翻译：一种包含Ta或Ta合金的溅射靶，其特征在于{110}平面X射线衍射强度比不大于0.4，甚至不大于0.2。一种包含Ta或Ta合金的溅射靶，其特征在于，目标表面中的{110}面X射线衍射强度比不大于0.8，深度为{110}平面X射线衍射强度比为100 V以上不超过0.4。这些Ta或Ta合金靶可以使溅射靶的寿命期间每个靶的成膜速度变化最小化，从而可以提高和稳定溅射工艺中半导体的生产效率，并且可以有助于降低生产成本。

84. 发明授权

KR100774226B1 주석 도금의 내열 박리성이 우수한Ｃｕ-Ｎｉ-Ｓｉ-Ｚｎ-Ｓｎ 계 합금조 및 그 주석 도금조 有权
标题翻译： Cu-Ni-Si-Zn-Sn基镀层，其耐腐蚀性优于TIN镀层和TIN镀锌浴
公开(公告)号：KR100774226B1
公开(公告)日：2007-11-07
申请号：KR1020060028172
申请日：2006-03-29
申请人： 닛코 킨조쿠 가부시키가이샤
发明人： 하타노다카아키
IPC分类号： C25D3/38 , C25D5/00
摘要： 과제
주석 도금의 내열 박리 특성을 개선한 Cu-Ni-Si-Zn-Sn계 합금조 및 그 주석 도금조를 제공한다.
해결수단
1.0∼4.5 질량%의 Ni, Ni의 질량%에 대하여 1/6∼1/4의 Si, 0.1∼2.0 질량%의 Zn 및 0.05∼2.0 질량%의 Sn을 함유하고, 필요에 따라 Ag, Cr, Co, Mn 및 Mo 중 1 종 이상을 합계로 0.01∼0.5 질량% 함유하는 구리 합금조에 있어서, P, As, Sb 및 Bi 농도의 합계를 100 질량ppm 이하, Ca 및 Mg 농도의 합계를 100 질량ppm 이하, O 및 S 농도가 각각 15 질량ppm 이하로 규제하고, 또한 도전율 EC (% IACS) 를 다음식의 범위로 조정한다.
50

85. 发明公开

KR1020070085355A 수소 분리막 및 수소 분리막 형성용 스퍼터링 타겟 및 그제조 방법 有权
标题翻译：氢分离膜，形成氢分离膜的溅射靶及其制造方法
公开(公告)号：KR1020070085355A
公开(公告)日：2007-08-27
申请号：KR1020077010901
申请日：2005-11-04
申请人： 닛코 킨조쿠 가부시키가이샤 , 고쿠리츠다이가쿠호진 도호쿠다이가쿠
发明人： 나카무라아츠시 , 야하기마사타카 , 이노우에아키히사 , 기무라히사미치 , 야마우라신이치
IPC分类号： C01B3/08 , B01D53/22 , C01G53/00 , C23C14/34
CPC分类号： C23C14/3414 , B01D53/228 , B01D67/0072 , B01D71/022 , B01D2257/108 , B01D2325/04 , B01D2325/20 , C01B3/503 , C01G53/006 , C01P2002/60 , C01P2002/72 , C01P2006/11 , C22C45/10 , Y02E60/36 , Y10S55/05
摘要： A hydrogen separation membrane characterized by having a structure obtained by sintering of an atomized powder of
摘要翻译：一种氢分离膜，其特征在于具有通过烧结平均粒径<= 50Vm的雾化粉末获得的结构，其组成由式Nix MyZr100-xy（其中M = Nb和/或Ta，25 <= x < = 40，25 <= y <= 40）。获得的氢分离膜不需要使用昂贵的Pd金属，并且作为通过熔融金属淬火制备的常规高成本散装金属玻璃的替代物，没有氢分离膜缺陷和组成异质性的问题。氢分离膜具有均匀的结构，能够以低成本有效地分离氢。此外，提供了用于形成氢分离膜的溅射靶及其制造方法。

86. 发明公开

KR1020070063600A 스퍼터링 타겟 - 백킹 플레이트 조립체 및 막 형성 장치 有权
标题翻译：喷射目标，飞溅目标背板组件和薄膜沉积系统
公开(公告)号：KR1020070063600A
公开(公告)日：2007-06-19
申请号：KR1020077011166
申请日：2005-10-14
申请人： 닛코 킨조쿠 가부시키가이샤
发明人： 미야시타히로히토
IPC分类号： C23C14/34
CPC分类号： H01J37/3423 , C23C14/3407 , H01J37/3435
摘要： A sputtering target, i.e. a planar target on which an erosion portion and a non-erosion portion are formed, characterized in that the surface area thereof is between 100% and 125% of a surface area when the target is assumed to be planar. A sputtering target, i.e. a planar target on which an erosion portion and a non-erosion portion are formed, characterized in that one or a plurality of recesses are provided in the target surface region, and the surface area thereof is between 100% and 125% of a surface area when the target is assumed to be planar. An inexpensive, small-capacity power supply can be used by minimizing electrical variation in a sputter circuit as much as possible throughout the lifetime of the target by self sputtering or high power sputtering.
摘要翻译：溅射靶，即其上形成有侵蚀部分和非侵蚀部分的平面靶，其特征在于当所述靶被假定为平面时，其表面积在表面积的100％至125％之间。溅射靶，即其上形成有侵蚀部分和非侵蚀部分的平面靶，其特征在于，在目标表面区域中设置一个或多个凹部，其表面积为100〜125 假定目标为平面时的表面积的％。通过自溅射或高功率溅射，尽可能地在靶的整个寿命期间最小化溅射电路中的电变化，可以使用廉价的小容量电源。

87. 发明公开

KR1020060100947A 프레스 가공성이 우수한 티탄 구리 有权
标题翻译：钛合金具有出色的压力
公开(公告)号：KR1020060100947A
公开(公告)日：2006-09-21
申请号：KR1020060023330
申请日：2006-03-14
申请人： 닛코 킨조쿠 가부시키가이샤
发明人： 스가와라야스타카 , 후카마치가즈히코
IPC分类号： C22C9/00
CPC分类号： C22C9/00 , C22C1/06
摘要： 과제
본 발명의 목적은, 제 3 원소를 첨가하여 고강도화된 티탄 구리에 있어서, 프레스 펀칭성을 개량하는 것으로서, 더욱 우수한 굽힘 가공성을 실현함으로써, 프레스 가공성이 우수한 티탄 구리를 제공하는 것이다.
해결수단
Ti 를 2.0∼4.0 중량% 함유하고 Fe 를 0.05∼0.50 중량% 함유하는 구리기 합금에서, 다른 불순물 원소가 합계로 0.01 중량% 이하이고, X 선 회절 강도비 : I (311)/I (111)≥0.5 를 만족하는 것을 특징으로 하는 구리 합금.

88. 发明授权

KR100460642B1 길이방향의 판두께 정밀도가 우수한 쉐도우마스크용강판의 제조방법 失效
标题翻译：一种纵向厚度精度良好的荫罩用钢板的制造方法
公开(公告)号：KR100460642B1
公开(公告)日：2004-12-08
申请号：KR1020017001302
申请日：2000-05-31
申请人： 니홍 고오강 가부시끼가이샤 , 닛코 킨조쿠 가부시키가이샤
发明人： 코다마사토시 , 이노우에타다시 , 모리타마사야 , 타하라켄지 , 미츠즈카켄이치 , 타키카즈히로 , 카와하라테츠오 , 모리마사즈미
IPC分类号： C21D9/46
摘要： 본 발명은 0.1중량%이하의 탄소(C), 0.05중량% 이하의 실리콘(Si), 0.1~0.5중량%의 망간(Mn), 0.03중량% 이하의 인(P), 0.001~0.05중량%의 황(S), 0.002~0.15중량%의 알루미늄(Sol.Al), 0.008중량% 이하의 질소(N)를 포함하고, 잔부가 실질적으로 철(Fe)로 구성되는 강을 열간압연하는 단계, 상기 열간압연 강판을 탈탄화 어닐링 처리하는 단계, 및 상기 어닐링 강판을 소망하는 판두께로 냉간압연하는 단계를 포함하는 길이방향의 판두께 정밀도가 우수한 쉐도우 마스크용 강판의 제조방법에 관한 것이다.

89. 发明公开

KR1020040038677A 가공이 용이한 고력 고도전성 구리합금 有权
标题翻译：易于操作的导电铜合金，具有高强度和高电导率
公开(公告)号：KR1020040038677A
公开(公告)日：2004-05-08
申请号：KR1020030074083
申请日：2003-10-23
申请人： 닛코 킨조쿠 가부시키가이샤
发明人： 간무리가쯔끼 , 후까마찌가즈히꼬
IPC分类号： C22C9/00
摘要： PURPOSE: To provide easily-workable conductive copper alloy with high strength and high electric conductivity which does not impair the action of so-called third element. CONSTITUTION: The copper alloy has a composition comprising 0.05 to 1.0 wt.% of Cr and 0.05 to 0.25 wt.% of Zr, and further comprising 0.01 to 1.0 wt.%, in total, of one or two or more selected from Zn, Sn, Mn, P, In, Mg, Fe, Ni, Be, Al, B, Co and Si, and the balance of Cu and inevitable impurities, wherein a total amount of Zn, Sn, Mn, P, In, Mg, Fe, Ni, Be, Al, B, Co and Si contained in an inclusion having a particle diameter of 2 μm or more is 5 wt.% or less.
摘要翻译：目的：提供高强度，高导电性的易于使用的导电铜合金，不会损害所谓的第三元素的作用。构成：铜合金具有0.05〜1.0重量％的Cr和0.05〜0.25重量％的Zr的组成，进一步含有0.01〜1.0重量％的选自Zn， Sn，Mn，P，In，Mg，Fe，Ni，Be，Al，B，Co和Si，其余为Cu和不可避免的杂质，其中Zn，Sn，Mn，P，In，Mg，包含在粒径为2μm以上的夹杂物中的Fe，Ni，Be，Al，B，Co和Si为5重量％以下。

90. 发明授权

KR100423350B1 구리 전해전물의 처리방법 有权
标题翻译： 구리전해전물의처리방법
公开(公告)号：KR100423350B1
公开(公告)日：2004-03-18
申请号：KR1020010034765
申请日：2001-06-19
申请人： 닛코 킨조쿠 가부시키가이샤
发明人： 아베요시후미 , 다께바야시가즈아끼
IPC分类号： C22B11/00
摘要： PURPOSE: A method for treating anode slime of copper electrolysis is provided to develop anode slime wet type treating process capable of efficiently separating platinum group·gold and selenium·tellurium and efficiently separating and recovering the selenium and tellurium. CONSTITUTION: The method comprises the processes of performing pretreatment by passing the anode slime through decopper process, chloridation process and gold extraction process; and performing a treatment comprising the steps of obtaining platinum group·gold contained tailings by blowing sulfur dioxide diluted to a concentration of 8 to 12% using air to the obtained gold extracted solution at a temperature of 60 to 90 deg.C in the amount of 8 to 15 times of mole concentration of the platinum group·gold with chlorine ion concentration in the gold extracted solution being maintained to 1.5 mol/L or less, thereby separating the platinum group·gold and selenium·tellurium remained in the gold extracted solution, obtaining selenium contained tailings by blowing sulfur dioxide to the platinum group·gold separated solution in the amount of 2 times or less of mole concentration of selenium at a temperature of 60 to 90 deg.C as maintaining chlorine ion concentration in the platinum group·gold separated solution to 2.0 mol/L or less and maintaining concentration of selenium in the solution to 3 g/L or more, and obtaining tellurium contained tailings by blowing sulfur dioxide to the selenium separated solution at a temperature of 60 to 90 deg.C.
摘要翻译：目的：提供一种处理铜电解阳极泥的方法，以开发能够有效分离铂族和金和硒碲并有效分离和回收硒和碲的阳极泥湿法处理工艺。构成：该方法包括将阳极泥通过脱铜过程，氯化过程和金萃取过程进行预处理的过程; 并且进行处理，该处理包括以下步骤：通过将空气稀释至浓度为8至12％的二氧化硫，在60至90℃的温度下，使用空气将金属萃取的所得溶液吹入含有铂族和含金的尾矿用量为金属萃取溶液中氯离子浓度保持在1.5mol / L或更低的铂族和金的摩尔浓度的8到15倍，从而分离出铂族金和硒的中间体。碲保留在金提取溶液中，通过将二氧化硫吹入温度为60至90℃的铂族和金分离溶液的量为2倍或更少硒摩尔浓度，得到含硒尾矿，将铂族和金分离溶液中的氯离子浓度保持在2.0mol / L以下，并将该溶液中的硒浓度保持在3g / L以上通过在60〜90℃的温度下向二氧化硒分离液中吹入二氧化硫而得到含碲尾矿。

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