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81. 发明公开

KR1020090061293A 광 도파로 구조체 및 그 제조 방법 失效
标题翻译：光波导结构及其制作方法
公开(公告)号：KR1020090061293A
公开(公告)日：2009-06-16
申请号：KR1020070128259
申请日：2007-12-11
申请人： 한국전자통신연구원
发明人： 김덕준 , 이종무 , 표정형 , 송정호 , 권오균 , 김경옥
IPC分类号： G02B6/10
摘要： An optical guide structure and a manufacturing method thereof are provided, which forms a wave guide having the end of very small radius of curvature while having the tapered shape. An optical guide structure comprises the substrate(110), the high refractivity core(135), and the low-refractive-index pattern(140). The substrate comprises the first waveguide domain, and the second waveguide domain, and transition areas. The high refractivity core is extended to the transition domain from the first waveguide domain. The high refractivity core is covered by the low refractivity core pattern. The other side wall of the high refractivity core forms acute angle with one side wall of the low refractivity core pattern.
摘要翻译：提供了一种导光结构及其制造方法，其形成具有非常小的曲率半径的端部的波导，同时具有锥形形状。光导结构包括基板（110），高折射率芯（135）和低折射率图案（140）。衬底包括第一波导域和第二波导域，以及过渡区域。高折射率核心从第一波导域延伸到过渡域。高折射率芯由低折射率芯图案覆盖。高折射率芯的另一侧壁与低折射率芯图案的一个侧壁形成锐角。

82. 发明公开

KR1020070061191A 광검출기를 구비한 수직 공진 표면방출레이저 및 그제조방법 有权
标题翻译：具有监测光电子的垂直孔表面发射激光及其制造方法
公开(公告)号：KR1020070061191A
公开(公告)日：2007-06-13
申请号：KR1020060060501
申请日：2006-06-30
申请人： 한국전자통신연구원
发明人： 박미란 , 권오균
IPC分类号： H01S5/183
CPC分类号： H01S5/02296 , H01S5/0264 , H01S5/0421 , H01S5/0425 , H01S5/18341 , H01S5/18369 , H01S5/3095
摘要： A VCSEL(Vertical Cavity Surface Emitting Laser) having an optical detector and a fabricating method thereof are provided to simplify a fabricating process through a general VCSEL fabricating process without separately integrating the VCSEL and the optical detector. A vertical cavity surface emitting laser having an optical detector includes a substrate, a first mirror layer(12), a second electrode layer(14), an active layer, a tunnel joining layer, a second electrode layer, and an optical detector. The substrate includes a first area and a second area separated from each other by a predetermined distance. The first mirror layer(12), the second electrode layer(14), the active layer, the tunnel joining layer, and the second electrode layer are sequentially stacked on the substrate of the first area. The optical detector is arranged at some area of the second electrode layer(14) of the first area. The VCSEL has layers having the same shapes with the first mirror layer(12), the second electrode layer(14), the active layer, the tunnel joining layer, and the second electrode layer of the first area. The predetermined distance is set so as to detect light emitted from the laser in the optical detector.
摘要翻译：提供了具有光学检测器及其制造方法的VCSEL（垂直腔表面发射激光器），以通过一般的VCSEL制造工艺简化制造工艺，而不单独集成VCSEL和光学检测器。具有光检测器的垂直腔表面发射激光器包括基底，第一镜层（12），第二电极层（14），有源层，隧道接合层，第二电极层和光学检测器。衬底包括彼此隔开预定距离的第一区域和第二区域。第一镜层（12），第二电极层（14），有源层，隧道接合层和第二电极层依次层叠在第一区域的基板上。光学检测器布置在第一区域的第二电极层（14）的某个区域。 VCSEL具有与第一区域的第一镜面层（12），第二电极层（14），有源层，隧道接合层和第二电极层相同形状的层。设定预定距离以便检测在光学检测器中从激光发射的光。

83. 发明公开

KR1020060067190A 하이브리드 금속접합 표면방출 레이저 및 그 제작 방법 失效
标题翻译：混合金属粘结垂直孔表面发射激光及其制造方法
公开(公告)号：KR1020060067190A
公开(公告)日：2006-06-19
申请号：KR1020040105704
申请日：2004-12-14
申请人： 한국전자통신연구원
发明人： 권오균 , 박미란 , 한원석 , 김종희 , 송현우
IPC分类号： H01S5/30
CPC分类号： H01S5/18316 , H01S5/0215 , H01S5/0217 , H01S5/18369 , H01S5/18375 , H01S5/18377
摘要： 본 발명은 반도체 광소자 중 표면방출 레이저 제작방법에 관한 것으로 화합물 반도체 기판 위에 거울층과 활성층으로 구성된 에피 구조를 유전체 거울층과 결합하고, 이를 다시 새로운 기판 위에 금속접합 방법으로 결합한 후 기존 기판을 제거한 후 새로운 기판 위에서 표면방출 레이저를 제작하는 방법에 관한 기술을 개시한다. 이러한 기술은 표면방출 레이저를 구성하는 상부 거울 및 하부 거울과 활성층에 전기적, 광학적 영향없이 표면방출 레이저 구조를 외부적인 금속접합 방법으로 새로운 기판에 옮겨 붙여 제작하는 방법으로, 기존의 표면방출 레이저의 제작방법을 이용하면서 열적 특성이 우수한 새로운 기판으로 옮겨 제작함으로써 우수한 열 방출 특성을 얻게 하여, 궁극적으로 제작이 용이하면서 신뢰성이 높으며, 우수한 특성의 표면방출 레이저 제작을 가능하게 한다.
표면방출 레이저(Vertical Cavity Surface Emitting Lasers, VCSELs), 금속접합(metallic bonding), 화합물 반도체(compound semiconductor), 유전체 거울층(dielectric mirror), 반도체 거울층(semiconductor Distributed Brag reflector, DBR), 습식선택 식각, 건식선택 식각

84. 发明授权

KR100523484B1 전류 제한 구조를 갖는 반도체 광소자의 제조방법 失效
标题翻译：制造具有限流结构的半导体光学器件的方法
公开(公告)号：KR100523484B1
公开(公告)日：2005-10-24
申请号：KR1020020069586
申请日：2002-11-11
申请人： 한국전자통신연구원
发明人： 송현우 , 권오균 , 한원석 , 박상희 , 김종희 , 신재헌 , 주영구
IPC分类号： H01S5/30
CPC分类号： H01L33/145 , H01S5/18308 , H01S5/18316 , H01S5/18347 , H01S5/3095 , H01S2301/176
摘要： 전류 제한 구조(current-confined structure)를 갖는 반도체 광소자의 제조방법를 제공한다. 본 발명은 반도체 기판 상에 제1 반도체층, 제2 반도체층 및 제3 반도층이 순차적으로 적층되는 메사 구조를 형성한 후, 상기 제1 반도체층, 제2 반도체층 및 제3 반도체층을 구성하는 물질층중 적어도 어느 하나의 물질층을 선택적으로 습식에칭하여 측면부에 리세스를 형성한다. 상기 리세스의 일부 혹은 전체를 채우면서 상기 제1 반도체층 내지 제3 반도체층의 측벽면에 산화막 혹은 질화막을 형성하여 상기 리세스된 물질층으로 전류 주입 경로를 갖게 한다. 이상과 같이 제조된 본 발명의 반도체 광소자는 광통신 파장 영역에서 사용 가능하고 역학적으로 안정하고 열전도도가 우수하며 상업성을 갖춘 전류 제한 구조를 갖는다.

85. 发明公开

KR1020050051743A 반도체 광소자의 제작 방법 有权
标题翻译：制造半导体光学器件的方法
公开(公告)号：KR1020050051743A
公开(公告)日：2005-06-02
申请号：KR1020030085359
申请日：2003-11-28
申请人： 한국전자통신연구원
发明人： 송현우 , 한원석 , 김종희 , 주영구 , 권오균 , 박상희
IPC分类号： H01S5/18
CPC分类号： H01S5/18341 , H01S5/02461 , H01S5/18305 , H01S5/18308 , H01S5/18363
摘要： 본 발명은 반도체 반사경 또는 광학 필터로 이용될 수 있는 반도체 광소자의 제작 방법에 대해 개시한다. 에칭비가 서로 다른 두가지 이상의 반도체층들을 교대로 적층한 후 적어도 한 종류의 반도체층들을 선택적으로 에칭하여 에어갭(air gap)을 형성하고, 에어갭이 매립되도록 열전달 특성이 양호한 산화물 혹은 질화물을 증착한다. 에어갭에 매립된 산화물 혹은 질화물과 반도체층의 큰 굴절률 차이로 인하여 적은 주기로도 효과적으로 높은 반사율을 갖는 반도체 반사경 또는 광학 필터를 구현할 수 있다.

86. 发明授权

KR100482914B1 공기층 구경을 갖는 수직공진 표면방출레이저 구조 및 그제조방법 失效
标题翻译：气隙垂直腔表面发射激光器的结构和制造方法
公开(公告)号：KR100482914B1
公开(公告)日：2005-04-14
申请号：KR1020020071277
申请日：2002-11-15
申请人： 한국전자통신연구원
发明人： 신재헌 , 송현우 , 주영구 , 김종희 , 한원석 , 권오균
IPC分类号： H01S5/183
摘要： 본 발명은 공기층 구경을 갖는 수직공진 표면방출레이저 구조 및 그 제조방법에 관한 것으로, 기판 상부에 굴절율이 다른 두 박막이 교대로 성장된 하부거울층, 하부거울층 상부에 위치하여 전류 및 열방출의 경로가 되는 열방출층, 열방출층 상부에 위치하여 공진하는 레이저빔이 광이득을 얻는 활성층, 활성층 상부에 위치하며 양 측면에 공기층 구경을 갖는 구경형성층, 구경형성층 상부에 굴절율이 다른 두 박막이 교대로 성장된 상부거울층, 상부거울층, 구경형성층 및 활성층의 측면과 상기 열방출층의 상부에 위치하는 절연층 및 상부거울층의 상부에 위치하는 전극을 포함한다. 따라서 기계적으로 안정적이고 효과적인 전류유도를 할 수 있으며, 단일 횡모드 발진이 가능하고 구동전력이 적고 동작속도가 빠른 통신용 장파장 광원의 공급이 가능해지는 효과가 있다.

87. 发明公开

KR1020040042694A 공기층 구경을 갖는 수직공진 표면방출레이저 구조 및 그제조방법 失效
标题翻译：具有空气隙孔径的垂直孔表面排放激光结构及其制造方法
公开(公告)号：KR1020040042694A
公开(公告)日：2004-05-20
申请号：KR1020020071277
申请日：2002-11-15
申请人： 한국전자통신연구원
发明人： 신재헌 , 송현우 , 주영구 , 김종희 , 한원석 , 권오균
IPC分类号： H01S5/183
摘要： PURPOSE: A vertical cavity surface emission layer structure provided with an air gap aperture and a method for manufacturing the same are provided to effectively induce the current by making the etching depth of the air gap aperture shallow. CONSTITUTION: A vertical cavity surface emission layer structure provided with an air gap aperture includes an air gap aperture provided with a substrate(100), a bottom mirror layer(102), a heat emission layer(104), an active layer(106), an aperture formation layer(108), a top mirror layer(110), an insulation layer(112) and an electrode(114). The heat emission layer(104) is positioned at the top of the bottom mirror layer(102) and is a role of the path of the current and the heat dissipation. The active layer(106) is positioned at the top of the heat emission layer(104) to obtain the optical gain of the laser. The aperture formation layer(108) is positioned on the top of the active layer and the top mirror layer(110) is formed on the top of the aperture formation layer(108), wherein the top mirror layer is formed by alternatively growing two layers. The insulation layer(112) is formed on the sides of the top mirror layer(110), the aperture formation layer(108) and the active layer(106) and the top of the heat emission layer(104). And, the electrode is formed on the top of the top mirror layer(110).
摘要翻译：目的：提供具有气隙孔的垂直腔表面发射层结构及其制造方法，以通过使气隙孔的蚀刻深度变浅而有效地引起电流。构造：设置有气隙孔的垂直腔表面发射层结构包括设置有衬底（100）的气隙孔，底镜层（102），发热层（104），有源层（106），孔形成层（108），顶镜层（110），绝缘层（112）和电极（114）。发热层（104）位于底部镜层（102）的顶部，并且是电流和散热的路径的作用。活性层（106）位于发热层（104）的顶部，以获得激光的光学增益。孔径形成层（108）位于有源层的顶部上，顶部镜层（110）形成在孔形成层（108）的顶部上，其中顶部镜层是通过交替生长两层形成的。绝缘层（112）形成在顶镜层（110），孔形成层（108）和有源层（106）和发热层（104）的顶部的侧面上。并且，电极形成在顶镜层（110）的顶部。

88. 发明公开

KR1020030094711A 안티가이드형 표면방출 레이저 및 제조 방법 失效
标题翻译：防引导型表面发射激光器及其制造方法
公开(公告)号：KR1020030094711A
公开(公告)日：2003-12-18
申请号：KR1020020031972
申请日：2002-06-07
申请人： 한국전자통신연구원
发明人： 한원석 , 유병수 , 권오균 , 노정래 , 신재헌 , 주영구
IPC分类号： H01S5/18
摘要： PURPOSE: An anti-guide type surface emitting laser and a method for manufacturing the same are provided to realize a high power with a low current at a single mode since the output light is small in size and it scarcely diverges, thereby reducing the manufacturing cost thereof. CONSTITUTION: An anti-guide type surface emitting laser includes a lower Bragg mirror layer(102), a resonance layer(103), a beam width control layer(113) and an upper Bragg mirror layer(109). The beam width control layer(113) formed on top of the resonance layer(103) includes a first thin film(104) defining the central portion as a current injection region, a second thin film layer(105) for generating an effective refraction index difference between the peripheral portion and the central portion and a third thin film(107) formed between the first thin film(104) and the second thin film(105). The lower Bragg mirror layer(102) is formed on a semiconductor substrate and the resonance layer(103) is formed on top of the lower Bragg mirror layer(102). The upper Bragg mirror layer(109) formed on top of the beam width control layer(113) has a step at a boundary between the edge portion and the central portion by the second thin film(105).
摘要翻译：目的：提供反导型表面发射激光器及其制造方法，由于输出光的尺寸小，几乎不发散，因此以单模的低电流实现高功率，从而降低制造成本它们。反导型表面发射激光器包括下布拉格镜层（102），谐振层（103），光束宽度控制层（113）和上布拉格镜层（109）。形成在谐振层（103）的顶部的光束宽度控制层（113）包括限定中心部分作为电流注入区域的第一薄膜（104），用于产生有效折射率的第二薄膜层（105）周边部分和中心部分之间的差异以及形成在第一薄膜（104）和第二薄膜（105）之间的第三薄膜（107）。下半布拉格镜层（102）形成在半导体衬底上，共振层（103）形成在下布拉格镜层（102）的顶部。形成在光束宽度控制层113的顶部的上部布拉格镜层109通过第二薄膜105在边缘部和中央部之间的边界处具有台阶。

89. 发明授权

KR100304369B1 화합물 반도체의 활성이온식각법 失效
标题翻译：包括InP InAlAs InGaAs及其合金的半导体化合物的反应离子蚀刻
公开(公告)号：KR100304369B1
公开(公告)日：2001-11-05
申请号：KR1019990052687
申请日：1999-11-25
申请人： 한국전자통신연구원
发明人： 신재헌 , 유병수 , 권오균 , 백종협
IPC分类号： H01L21/3065
摘要： 본발명은 InP 반도체기판위에 InAlAs, InGaAs, InP 등의에피층이길러진구조물을매우안정적이고도부드럽게식각할수 있는새로운활성이온식각법(RIE: Reactive Ion Etching)에관한것이다. 본발명에서제시하는 RIE 식각법은적절한비율의 BCl, Cl, CH, H혼합플라즈마를발생시킨후 적절한진공도에서식각을진행하는것이다. 본발명의특징적작용효과는 100℃이하의낮은온도에서도깨끗한식각이가능하며그렇기때문에용융점이낮은기존의포토리지스트도마스크물질로사용할수 있다는사실이다. 또한마스크물질로서일반적으로많이사용되는실리콘질화물(SiNx)의경우에도 InAlAs 식각속도의약 1/9에불과하다. 본발명의또 다른장점은 InAlAs, InGaAs, InP 세가지물질시스템에있어서거의비슷한식각속도를준다는점과식각면이매우부드럽다는점이다. 이러한장점을가진본 발명은앞으로수요가확대되고있는광통신용광소자의제작에있어서필수적인공정으로사용되어질 것이다.

90. 发明授权

KR100301109B1 광활성장치 失效
标题翻译：光敏器件
公开(公告)号：KR100301109B1
公开(公告)日：2001-09-22
申请号：KR1019980050204
申请日：1998-11-23
申请人： 한국전자통신연구원
发明人： 이규석 , 권오균
IPC分类号： G01N21/00
摘要： 본 발명은 광활성 장치에 관한 것이다.
본 발명은 관통구를 갖으며, 그 내주면에는 제 1 및 제 2 나선부가 형성되어 있는 상부부재; 그 길이 방향을 따라 관통구가 형성되며, 상기 상부부재의 제 2 나선부에 체결되도록 나선부가 형성되며 2개의 돌출부를 가져 그 사이에 온도조절기 전선이 배열되고, 상기 돌출부중 하부의 돌출부는 삽입구가 형성되어 있는 온도조절부재; 광섬유가 인입되는 광섬유 수용부를 갖으며 상기 온도조절부재의 관통구에 수용되어 상기 상부부재의 제 1 나선부에 체결되는 광섬유 수용부재; 상기 온도조절부재의 하부 돌출부의 삽입구에 수용되는 스프링핀 부재; 내주면에 나선부가 형성되는 제 1 중앙 관통구가 형성되고, 상기 제 1 중앙 관통구의 원주 외측에 형성되는 다수개의 제 2 관통구를 가지는 연결부재; 및 외주면에 나선부가 형성되어 상기 연결부재의 제 1 중앙 관통부에 체결되며, 돌림대를 갖는 시료받침부재를 포함하여 이루어져 광섬유와 고체시료가 직접 접합할 수 있으며, 반도체, 초전도체, 고분자 및 생체구조의 다양한 고체시료의 광활성을 효과적으로 성취할 수 있는 광활성 장치를 제시하고자 한다.

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