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71. 发明公开

KR1020030023558A 자기 콘덴서 无效
标题翻译：磁性冷凝器
公开(公告)号：KR1020030023558A
公开(公告)日：2003-03-19
申请号：KR1020020055555
申请日：2002-09-13
申请人： 파나소닉 주식회사
发明人： 기모토미츠아키 , 후지무라마사노리 , 니시노도쿠지 , 야마모토미츠히로
IPC分类号： H01G4/12
CPC分类号： H01G4/008 , B32B2311/08 , B32B2311/09 , B32B2311/12 , B32B2311/22 , B32B2311/24 , C04B35/462 , C04B35/465 , C04B35/4682 , C04B35/47 , C04B35/475 , C04B35/6303 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3217 , C04B2235/3224 , C04B2235/3227 , C04B2235/3229 , C04B2235/3234 , C04B2235/3236 , C04B2235/3244 , C04B2235/3251 , C04B2235/3267 , C04B2235/3281 , C04B2235/3284 , C04B2235/3293 , C04B2235/3296 , C04B2235/3298 , C04B2235/3418 , C04B2237/402 , C04B2237/405 , C04B2237/407 , C04B2237/408 , H01G4/1218 , Y10T428/12618
摘要： PURPOSE: A magnetic condenser is provided to suppress a self heat-generation and allow for a low loss even in the high voltage operating conditions. CONSTITUTION: A magnetic condenser(100) comprises a dielectric magnetic having, as a main component, any one of dielectric composition of CaTiO3-La2O3-TiO2 system, dielectric composition of CaTiO3-La2O3-TiO2-SrTiO3 system, dielectric composition of SrTiO3-CaTiO3 system, dielectric composition of SrTiO3-CaTiO3-Bi2O3-TiO2 system, dielectric composition of SrTiO3-PbTiO3-Bi2/3TiO3 system, and dielectric composition of SrTiO3-PbTiO3-Bi2/3TiO3-CaTiO3 system; and a first layer electrode(2) made of Zn formed on the opposed surfaces of the dielectric magnetic.
摘要翻译：目的：提供磁性冷凝器，以抑制自身发热，即使在高压工作条件下也能实现低损耗。构成：磁性冷凝器（100）包括以CaTiO3-La2O3-TiO2系介电组合物，CaTiO3-La2O3-TiO2-SrTiO3系的电介质组成，SrTiO3-CaTiO3的电介质组成为主成分的介电磁体系统，SrTiO3-CaTiO3-Bi2O3-TiO2体系的电介质组成，SrTiO3-PbTiO3-Bi2 / 3TiO3体系的电介质组成以及SrTiO3-PbTiO3-Bi2 / 3TiO3-CaTiO3体系的介电组成。以及形成在介电磁体的相对表面上的由Zn制成的第一层电极（2）。

72. 发明公开

KR1020010109957A 엘비티 용액, 엘비티 용액의 제조방법 및 이를 이용한엘비티 박막과 전자 소자의 제조방법 无效
标题翻译： LBT解决方案及其制造方法及其制造方法以及使用该薄膜的薄膜和电子器件
公开(公告)号：KR1020010109957A
公开(公告)日：2001-12-12
申请号：KR1020000030796
申请日：2000-06-05
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김창정
IPC分类号： H01L27/105
CPC分类号： H01L21/02282 , C04B35/475 , C04B35/50 , H01L21/02197 , H01L21/28291 , H01L21/31691 , H01L29/516
摘要： Bismuth lanthanum titanate (BLT) having a formula Bi4-xLaxTi3O12, a method for preparing the BLT, a BLT thin film formed of the BLT, a method for forming the BLT thin film, and an electronic device including the BLT thin film, where 0

73. 发明公开

KR1020010100265A 고유전율 고주파 유전체 조성물 失效
标题翻译：高介电常数和高频电介质陶瓷组合物
公开(公告)号：KR1020010100265A
公开(公告)日：2001-11-14
申请号：KR1020000017555
申请日：2000-04-04
申请人： 삼성전기주식회사
发明人： 김우섭 , 김준희 , 허강헌
IPC分类号： C04B35/46 , H01G4/12
CPC分类号： H01B3/12 , C04B35/475
摘要： 본 발명은 듀플랙서 등의 부품에 사용되는 고주파 유전체 조성물에 관한 것으로, 그 목적은 유전율을 84이상의 수준에서 높은 품질계수(Qf)와 공진주파수의 온도계수를 안정적으로 조절할 수 있는 고주파 유전체 조성물을 제공함에 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 고유전율 고주파 유전체 조성물은,
xBaO-yNd
2 O
3 -zBi
2 O
3 -tTiO
2 [mol%로, 12≤x≤20, 5≤y≤20, 0.1≤z≤5, x+y+z+t=100]의 기본조성에;
SrO와 CaO의 단독 또는 복합:10중량%이하, Sm
2 O
3 와 Gd
2 O
3 의 단독 또는 복합:20중량%이하, Y
2 O
3 와 MnO
2 의 단독 또는 복합:2중량%이하의 첨가제 그룹에서 선택된 1종 이상으로 조성되는 고유전율 고주파 유전체 조성물에 관한 것을 그 기술적요지로 한다.

74. 发明公开

KR1020010039907A 압전 소자 有权
标题翻译：压电元件
公开(公告)号：KR1020010039907A
公开(公告)日：2001-05-15
申请号：KR1020000055464
申请日：2000-09-21
申请人： 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼
发明人： 안도아키라 , 기무라마사히코 , 사와다다쿠야
IPC分类号： H01L41/08 , H03H9/15
CPC分类号： H03H9/177 , C04B35/475 , C04B35/495 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3262 , C04B2235/3298 , C04B2235/76 , H01L41/187 , H03H9/02015 , H03H9/0207 , H03H9/02102
摘要： PURPOSE: Provided is a piezoelectric element capable of realizing a high performance oscillator with excellent thermal stability in the piezoelectric element for exciting third thickness vertical higher harmonic vibration. CONSTITUTION: This piezoelectric element(10) is provided with a piezoelectric body substrate(12) and the piezoelectric body substrate(12) is formed of a piezoelectric material containing Sr, Bi, Nb and O as main components. On both surfaces of the piezoelectric body substrate(12), vibration electrodes(14,16) are formed. In an area where the vibration electrodes(14,16) are overlapped between the electrodes, an energy confining area is formed. At the time of defining a maximum length at the time of cutting a straight line inside the energy confining area parallel to the vibration electrodes(14,16) at two points crossing with the outer periphery of the energy confining area as L and a distance between the vibration electrodes as t, the value of L/t is set so as to be smaller than 9.
摘要翻译：目的：提供一种压电元件，其能够实现用于激发第三厚度垂直高次谐波振动的压电元件中具有优异热稳定性的高性能振荡器。构成：该压电元件（10）设置有压电体基板（12），压电体基板（12）由以Sr，Bi，Nb，O为主要成分的压电材料形成。在压电体基板（12）的两面形成有振动电极（14,16）。在振动电极（14,16）重叠在电极之间的区域中，形成能量限制区域。在将与能量限制区域的外周交叉的两个点处的与振动电极（14,16）平行的能量限制区域内的直线切断时的最大长度定义为L，振动电极为t，L / t的值被设定为小于9。

75. 发明公开

KR1020010039619A 압전 세라믹 조성물 및 이를 사용하는 압전 세라믹 소자 失效
标题翻译：压电陶瓷组合物和元素
公开(公告)号：KR1020010039619A
公开(公告)日：2001-05-15
申请号：KR1020000028045
申请日：2000-05-24
申请人： 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼
发明人： 사와다다쿠야 , 기무라마사히코 , 안도아키라 , 하야시고이치
IPC分类号： H01B3/12
CPC分类号： H03H9/178 , C04B35/475 , H01L41/187
摘要： PURPOSE: A piezoelectric ceramic composition is provided to yield a piezoelectric ceramic being able to fire at a temperature as low as 1100 deg.C or below and exhibiting an electromechanical coupling coefficient sufficient for providing the piezoelectric ceramic element for practical uses. CONSTITUTION: A piezoelectric ceramic composition comprises a principal component represented by a general formula of Cabi4(Ti(1-y)Si(y))4O16 with y within the range of 0
摘要翻译：目的：提供压电陶瓷组合物以产生能够在低至1100摄氏度或更低的温度下发射的压电陶瓷，并且具有足以提供用于实际应用的压电陶瓷元件的机电耦合系数。构成：压电陶瓷组合物包含由通式Cabi4（Ti（1-y）Si（y））4O16表示的主成分，y在0

76. 发明授权

KR101866717B1 BiFeO3-BaTiO3-BiGaO3 무연 세라믹스 조성물 및 그의 제조방법 有权
公开(公告)号：KR101866717B1
公开(公告)日：2018-06-11
申请号：KR1020180041216
申请日：2018-04-09
申请人： 창원대학교 산학협력단
发明人： 김명호 , 이순일 , 파즈리아카람 , 백승봉 , 박철민 , 송태권
IPC分类号： H01L41/187 , H01L41/43 , C04B35/26 , C04B35/475 , C04B35/64
CPC分类号： H01L41/1878 , C04B35/26 , C04B35/475 , C04B35/64 , C04B2235/3286 , H01L41/1871 , H01L41/43
摘要： 본발명은조성식 (1-x)(0.65BiFeO-0.35BaTiO)-xBiGaO(이때, 0

77. 发明公开

KR20180030155A 유전체 조성물, 유전체 소자, 전자 부품 및 다층 전자 부품 审中-公开
标题翻译：介电组合物，介电元件，电子元件和多层电子元件
公开(公告)号：KR20180030155A
公开(公告)日：2018-03-21
申请号：KR20187004450
申请日：2016-06-16
申请人： EPCOS AG
发明人： HIROSE MASAKAZU , TAUCHI GOUSHI , IMURA TOMOYA , TERADA TOMOHIRO
IPC分类号： H01G4/12 , C04B35/462 , C04B35/475 , H01G4/30
CPC分类号： H01G4/30 , C04B35/462 , C04B35/47 , C04B35/475 , C04B2235/3201 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3224 , C04B2235/3227 , C04B2235/3229 , C04B2235/3236 , C04B2235/3284 , C04B2235/3298 , C04B2235/5445 , C04B2235/768 , C04B2235/77 , C04B2235/80 , H01G4/1218 , H01G4/1227
摘要： [문제점] 처리되는문제점은고 전압이인가되는위치에서유리하게사용되고, DC 바이어스가인가될때의뛰어난유전율, 뛰어난 DC 바이어스특성들을갖고, 또한뛰어난기계적강도를갖는유전체조성물을제공하고; 또한상기유전체조성물을이용하는유전체소자, 전자부품및 적층전자부품을제공하는데 있다. [해결책] 적어도 Bi, Na, Sr 및 Ti를함유하는페로브스카이트결정구조를갖는유전체조성물. 유전체조성물은 La, Ce, Pr, Nd, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Yb, Ba, Ca, Mg 및 Zn 중에서선택되는적어도하나를포함한다. 유전체조성물은 SrTiO를포함하는적어도하나의코어부분을갖는코어-쉘구조를갖는특정입자들을포함한다. 0.20 ≤α ≤ 0.70이며, 여기서α는유전체조성물에함유되는입자들의총 수에대한특정입자들의수의비율이다.
摘要翻译：本发明要解决的课题在于，提供适用于高电压施加部位，施加直流偏压时的介电常数优异，直流偏压特性优异，机械强度优异的电介质组合物。并且，使用该电介质组合物的电介质元件，电子部件以及层叠电子部件。一种具有至少包含Bi，Na，Sr和Ti的钙钛矿晶体结构的介电组合物。电介质组合物包含选自La，Ce，Pr，Nd，Sm，Eu，Gd，Tb，Dy，Ho，Yb，Ba，Ca，Mg和Zn中的至少一种。介电组合物包含具有核壳结构的特定颗粒，所述核壳结构具有至少一个包含SrTiO的核心部分。 0.20 ... 0.70，其中α是特定颗粒数量与电介质组合物中所含颗粒总数量之比。

78. 发明公开

KR20180030154A 유전체 조성물, 유전체 소자, 전자 부품 및 적층 전자 부품 审中-公开
标题翻译：介电组合物，介电元件，电子元件和层压电子元件
公开(公告)号：KR20180030154A
公开(公告)日：2018-03-21
申请号：KR20187004443
申请日：2016-06-16
申请人： EPCOS AG
发明人： TAUCHI GOUSHI , HIROSE MASAKAZU , IMURA TOMOYA , TERADA TOMOHIRO
IPC分类号： H01G4/12 , C04B35/462 , C04B35/475 , H01G4/30
CPC分类号： H01G4/30 , C04B35/462 , C04B35/47 , C04B35/475 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3224 , C04B2235/3227 , C04B2235/3229 , C04B2235/3236 , C04B2235/3284 , C04B2235/3298 , C04B2235/5445 , C04B2235/768 , C04B2235/77 , C04B2235/80 , C04B2235/85 , H01G4/1218 , H01G4/1227
摘要： [문제점] 처리되는문제점은높은정격전압을갖는전원공급회로에서유리하게사용되고, DC 바이어스가인가될때의뛰어난유전율, 뛰어난 DC 바이어스특성들및 뛰어난 DC 바이어스저항률을갖는유전체조성물을제공하고, 또한상기유전체조성물을이용하는유전체소자, 전자부품및 적층전자부품을제공하는데 있다. [해결책] 적어도 Bi, Na, Sr 및 Ti를함유하는페로브스카이트결정구조를갖는유전체조성물이사용된다. 유전체조성물은 La, Ce, Pr, Nd, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Yb, Ba, Ca, Mg 및 Zn 중에서선택되는적어도하나를포함한다. 유전체조성물은 SrTiO를포함하는적어도하나의코어부분을갖는코어-쉘구조를갖는특정입자들을포함한다. α
摘要翻译： [问题]要处理的问题是在具有较高额定电压的电源电路有利地使用，并提供了具有优异的介电常数，以优良的直流叠加特性和施加直流偏压时的优良的直流偏压电阻，和电介质的电介质组合物提供一种电介质装置，电子组件和多层电子元件用组合物。 [解决方法]该电介质组合物至少含有具有含有Bi，钠，锶的钙钛矿型晶体结构，并且使用的Ti。电介质组合物包含选自La，Ce，Pr，Nd，Sm，Eu，Gd，Tb，Dy，Ho，Yb，Ba，Ca，Mg和Zn中的至少一种。介电组合物包含具有核壳结构的特定颗粒，所述核壳结构具有至少一个包含SrTiO的核心部分。 α<0.20，其中，α是特定颗粒粒子的总数的数量的比率，以被包含在电介质组合物。

79. 发明公开

KR20180030152A 유전체 조성물, 유전체 소자, 전자 부품 및 다층 전자 부품 审中-公开
标题翻译：介电组合物，介电元件，电子元件和多层电子元件
公开(公告)号：KR20180030152A
公开(公告)日：2018-03-21
申请号：KR20187004438
申请日：2016-06-16
申请人： EPCOS AG
发明人： TAUCHI GOUSHI , HIROSE MASAKAZU , IMURA TOMOYA , TERADA TOMOHIRO
IPC分类号： H01G4/12 , C04B35/462 , C04B35/475 , H01G4/30
CPC分类号： H01G4/1218 , C04B35/462 , C04B35/47 , C04B35/475 , C04B2235/3201 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3224 , C04B2235/3227 , C04B2235/3229 , C04B2235/3284 , C04B2235/3298 , C04B2235/5445 , C04B2235/768 , C04B2235/77 , C04B2235/80 , H01G4/1227 , H01G4/30
摘要： [문제점] 처리되는문제는높은정격전압을갖는전원공급회로에서유리하게사용되고, DC 바이어스가인가될때 높은 DC 바이어스저항률및 높은유전율을갖고, 또한양호한고온부하수명을갖는유전체조성물을제공하고; 또한상기유전체조성물을이용하는유전체소자, 전자부품및 적층전자부품을제공하는데 있다. [해결책] 적어도 Bi, Na, Sr 및 Ti를포함하는페로브스카이트결정구조를갖는입자들을포함하는유전체조성물. 입자들중 적어도일부는코어부분및 쉘부분을포함하는코어-쉘구조를갖고, 코어부분에존재하는 Bi의함유량은쉘 부분에존재하는 Bi의함유량의적어도 1.2배이다.
摘要翻译： [问题]要处理的问题是用来在电源电路有利地具有较高的额定电压，施加到当具有DC偏置高电阻率和高的介电常数，并且还提供了具有优异的高温负荷寿命和电介质组合物中的DC偏置; 并且，使用该电介质组合物的电介质元件，电子部件以及层叠电子部件。一种介电组合物，其包含具有至少包含Bi，Na，Sr和Ti的钙钛矿晶体结构的颗粒。至少一些颗粒具有包含核部分和壳部分的核 - 壳结构，并且存在于核部分中的Bi的含量为存在于壳部分中的Bi的含量的至少1.2倍。

80. 发明公开

KR20180029067A 유전체 조성물, 유전체 소자, 전자 부품 및 적층 전자 부품 审中-公开
标题翻译：介电组合物，介电元件，电子元件和层压电子元件
公开(公告)号：KR20180029067A
公开(公告)日：2018-03-19
申请号：KR20187004427
申请日：2016-06-16
IPC分类号： H01G4/12 , C01G29/00 , C04B35/475 , C04B35/638 , H01B3/10 , H01B3/12 , H01G4/30
CPC分类号： H01G4/1227 , C01G29/006 , C04B35/47 , C04B35/475 , C04B35/638 , C04B2235/3201 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3224 , C04B2235/3227 , C04B2235/3229 , C04B2235/3284 , C04B2235/3298 , C04B2235/6582 , C04B2235/768 , C04B2235/78 , C04B2235/85 , H01B3/10 , H01B3/12 , H01G4/30
摘要： [문제점] 처리되는문제는높은정격전압을갖는전원공급회로에서유리하게사용되고, DC 바이어스가인가될때 높은 DC 바이어스저항률및 높은유전율을갖고, 또한양호한고온부하수명을갖는유전체조성물을제공하고; 또한상기유전체조성물을이용하는유전체소자, 전자부품및 적층전자부품을제공하는데 있다. [해결책] 적어도 Bi, Na, Sr 및 Ti를포함하는페로브스카이트결정구조를갖는입자들을포함하는유전체조성물. 입자들중 적어도일부는코어부분및 쉘부분을포함하는코어-쉘구조를갖는다. 코어부분에존재하는 Bi의함유량은쉘 부분에존재하는 Bi의함유량의 0.83배보다더 크지않다.
摘要翻译： [问题]要处理的问题是用来在电源电路有利地具有较高的额定电压，施加到当具有DC偏置高电阻率和高的介电常数，并且还提供了具有优异的高温负荷寿命和电介质组合物中的DC偏置; 并且，使用该电介质组合物的电介质元件，电子部件以及层叠电子部件。一种介电组合物，其包含具有至少包含Bi，Na，Sr和Ti的钙钛矿晶体结构的颗粒。至少一些颗粒具有包含核心部分和壳部分的核 - 壳结构。存在于芯部分中的Bi的含量不大于壳部分中存在的Bi的含量的0.83倍。

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