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71. 外观设计

KR3000207830000S 失效
公开(公告)号：KR3000207830000S
公开(公告)日：1977-09-08
申请号：KR3019760001006
申请日：1976-03-05
申请人： 한국과학기술연구원
设计人： 민석기

72. 发明授权

KR100242789B1 광전소자의전류차단구조형성방법 失效
标题翻译：光器件电流阻塞结构的制作方法
公开(公告)号：KR100242789B1
公开(公告)日：2000-02-01
申请号：KR1019970005291
申请日：1997-02-21
申请人： 한국과학기술연구원
发明人： 김성일 , 박영균 , 김용 , 김은규 , 민석기
IPC分类号： H01L33/00 , H01S3/18
摘要： 본 발명은 활성층과 전류차단구조를 형성하는 광전소자의 전류차단구조 형성방법에 관한 것으로, 종래 광전소자의 전류차단구조 형성방법은 활성층을 형성한 후, 이온 주입법 또는 확산법을 사용하여 전류차단구조를 형성함으로써 공정단계가 복잡하고, 미세한 구조를 형성하는 것이 용이하지 않아 그 수율이 감소하는 문제점이 있었다. 이와같은 문제점을 감안한 본 발명은 V자형의 홈이 형성된 갈륨비소기판의 방향에 따라 성장된 P형 갈륨비소에피층의 정공농도의 차를 이용하여, 동시에 그 V자형 홈의 사면에는 전류차단구조를 형성하고 갈륨비소기판의 평탄한 면에는 활성층을 형성함으로써 공정단계를 간략화하는 효과와, 미세한 패턴의 공정이 가능해짐으로써 그 수율을 증가시키는 효과가 있다.

73. 发明授权

KR100219835B1 고효율 광전소자용 반구형 구조의 제조방법 失效
公开(公告)号：KR100219835B1
公开(公告)日：1999-09-01
申请号：KR1019960069421
申请日：1996-12-21
申请人： 한국과학기술연구원
发明人： 김성일 , 박영균 , 김용 , 김은규 , 민석기
IPC分类号： H01S3/0941
摘要： 본 발명은 고효율 광전소자용 반구형 구조의 제조방법에 관한 것으로, 종래에는 화합물 반도체를 이용하여 반구형 구조를 가긴 발광 및 수광소자의 제작시 기판위에 두꺼운(약 300μm) 에피층을 성장시킨 후 이를 반구형으로 만들기 위하여 기계적으로 랩핑(lapping)하는 방법을 이용하였는데, 이러한 랩핑(lapping) 공정은 대단히 복잡하고 힘들며 기계적인 가공으로 계면이 손상되기 쉬울 뿐 아니라 수율도 떨어지게 되는 문제가 있었다.
이에 본 발명은 유기금속 화학기상증착법(MOCVD)으로 에피층을 성장시킬 때, 기판 위에 특별한 모양의 실리콘산화박막(SiO
2 )이나 실리콘질화박막(Si
3 N
4 )의 박막 마스크 패턴을 만들어 준 다음 반구형 에피층을 형성하는 방법을 제공하는데, 상기 박막 마스크 주변에서 선택적으로 에피층의 높이와 넓이를 조절할 수 잇는 특성을 이용하여 반구형 구조, 반구형 어레이 구조의 제조를 가능하게 한다.
곁국, 본 발명은 고효율의 발광 및 수광 소자를 제조 공정을 단순화시키고 광건소자의 광전변판 효율을 높이며 반구형(도움형) 고출력 발광 소자 제조를 가능하게 하며 기계적인 가공에 의한 표면손상 등을 방진할 수 있는 효과가 있다.

74. 发明授权

KR100178303B1 CBr4 개스를 이용한 반도체 패턴 측면의 에피성장율 조절방법 失效
标题翻译：利用CBr4气体调整半导体图案外延侧生长速率的方法
公开(公告)号：KR100178303B1
公开(公告)日：1999-04-15
申请号：KR1019950037594
申请日：1995-10-27
申请人： 한국과학기술연구원
发明人： 민석기 , 김무성 , 김성일
IPC分类号： H01L21/20
CPC分类号： C30B25/02 , C30B29/42 , H01L21/02395 , H01L21/0243 , H01L21/02546 , H01L21/02579 , H01L21/0262 , H01L21/02636 , Y10S117/913
摘要： A semiconductor device epitaxial layer lateral growth rate control method using CBr4 gas involves regulating an epitaxial layer lateral growth rate in accordance with the CBr4 amount doped into the epitaxial layer during the epitaxial layer growth occurring on a patterned GaAs substrate by means of a metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) process. The lateral growth rate may be regulated by varying the growth temperature and the V/III doping ratio.

75. 发明授权

KR100185498B1 고출력 양자세선 어레이 레이저 다이오드 구조 제작방법 失效
标题翻译：高功率量子线阵列激光二极管结构
公开(公告)号：KR100185498B1
公开(公告)日：1999-03-20
申请号：KR1019960017439
申请日：1996-05-22
申请人： 한국과학기술연구원
发明人： 민석기 , 김은규 , 김태근
IPC分类号： H01L31/00
CPC分类号： B82Y20/00 , H01S5/341 , H01S5/4043
摘要： 본 발명은 고출력 양자세선 어레이 레이저 다이오드 구조 제작방법에 관한 것으로, 레이저 홀로그래피법과 습식식각에 의해 단주기 V홈 어레이가 형성된 갈륨비소 기판위에 유기금속화학증착법으로 AlGaAs/GaAs의 양자세선 어레이 구조를 형성하고 불필요한 양자우물층을 제거하며 레이저 발진시 전류를 양자세선으로만 흐르게 하기 위한 전류방지층을 미세패턴된 구조위에 감광막을 이용한 리소그래피 기술을 이용하여 형성함으로써, 낮은 문턱전류와 고출력을 갖는 고출력 양자세선 어레이 레이저 다이오드를 구현할 수 있다.

76. 发明授权

KR100176328B1 축방향 자기장을 인가할 수 있는 수직온도 구배냉각 및 수직브릿지만 화합물 반도체 단결정 성장장치 失效
标题翻译：垂直温度梯度冷却和垂直桥只能施加轴向磁场化合物半导体单晶生长装置
公开(公告)号：KR100176328B1
公开(公告)日：1999-03-20
申请号：KR1019950051993
申请日：1995-12-19
申请人： 한국과학기술연구원
发明人： 박용주 , 민석기
IPC分类号： H01L29/49
CPC分类号： C30B11/007 , Y10T117/10 , Y10T117/1016 , Y10T117/102 , Y10T117/1092
摘要： 본 발명은 고온부 전기로 주위에 링형 전자석을 설치하여 결정성장축 방향으로 약 1600 가우스의 자기장을 인가할 수 있는 수직온도 구배냉각 및 수직브릿지만법의 단결정 성장장치로서, 결정성장시 민감한 온도구배의 변화를 기할 수 있을 뿐만 아니라 고온부 전기로를 내부로 냉각수가 순환되는 이중관으로 형성하여 그 내주면에 금박막을 코팅하고, 안쪽으로 열선으로부터 방출되는 적외선을 일차적으로 흡수하도록 열선과 이중관 사이에 원통형의 단열담요 또는 보호석영관을 설치하여 상기 전자석의 자기장이 효과적으로 인가되도록 함으로써 저결함, 대직경의 갈륨비소 단결정을 성장시킬 수 있도록 한 것이다.

77. 发明公开

KR1019990017045A 가시광 범위의 발광 특성을 가지는 미세 실리콘 결정립의 제조방법 失效
标题翻译：具有可见光范围内的发光特性的细硅晶粒的制造方法
公开(公告)号：KR1019990017045A
公开(公告)日：1999-03-15
申请号：KR1019970039811
申请日：1997-08-21
申请人： 한국과학기술연구원
发明人： 김은규 , 민석기 , 최원철
IPC分类号： H01L33/00 , H01L21/20 , B82Y20/00
摘要： 본 발명은, 열적으로 안정된 나노 결정립의 실리콘 결정상을 비정질 실리콘내에서 급속 열처리와 같은 후속 공정없이 직접 형성시키기 위하여, 실리콘 웨이퍼 기판 또는 상기 실리콘 웨이퍼 기판 위에 실리콘 산화막이 형성된 기판을 제조하는 단계; ECR-CVD 법으로, 상기 기판을 상온 내지 200℃의 온도 범위로 유지하고, 원료 가스로 고순도 실란을 사용하고 운반 가스로 불활성 가스를 사용하여 반응 챔버내의 압력을 7 - 9×10
-4 Torr로 유지하면서, 상기 기판 위에, 비정질 실리콘 박막내의 실리콘 결정립의 직경이 나노미터 크기인 비정질 실리콘 박막을 증착하는 단계;로 이루어지는 가시광 범위의 발광 특성을 가지는 미세 실리콘 결정립 제조 방법을 제공한다.

78. 发明授权

KR100162863B1 갈륨비소반도체와 산화루테늄 접촉베리어의 열적안정화방법 失效
标题翻译：砷化镓半导体和氧化钌接触势垒的热稳定方法
公开(公告)号：KR100162863B1
公开(公告)日：1999-02-01
申请号：KR1019940033313
申请日：1994-12-08
申请人： 한국과학기술연구원
发明人： 민석기 , 김은규 , 박용주
IPC分类号： H01L21/203
摘要： 본 발명은 열적으로 안정된 반도체소자용 게이트금속(gate metal) 및 금속배선 제작을 위해 반도체와 금속 사이의 접촉베리어(contact barrier)에 대한 열적안정성을 향상시키는 방법에 관한 것으로, 특히 갈륨비소반도체 위에 쇼트키장벽을 형성하고 열처리 수행시 300 ℃정도의 낮은 온도에서도 금속과 반도체 사이의 반응에 의한 접합장벽의 열화현상을 지연시켜줌으로써 열적안정성을 실현하려는 데 그 목적이 있다.
따라서, 본 발명 갈륨비소반도체와 산화루테늄 접촉베리어의 열적안정화방법은 갈륨비소반도체의 쇼트키접촉용 금속으로 비저항이 작고 안정된 산화물인 산화루테늄의 접촉안정성을 높이기 위하여 갈륨비소반도체의 표면에 수소화를 실시함으로써, 반도체 표면에 존재할 수 있는 결함 및 불순물들의 전기적 이온상태를 중성화시켜 접촉베리어에 영향을 미치는 계면고정효과(interface pinning effect)를 방지할 수 있고, 접촉계면의 산화반응을 억제하게 되어 열적안정성을 유지하게 되는 효과가 있다.

79. 发明公开

KR1019980068607A 광전소자의전류차단구조형성방법 失效
标题翻译：形成光电器件电流阻断结构的方法
公开(公告)号：KR1019980068607A
公开(公告)日：1998-10-26
申请号：KR1019970005291
申请日：1997-02-21
申请人： 한국과학기술연구원
发明人： 김성일 , 박영균 , 김용 , 김은규 , 민석기
IPC分类号： H01L33/00 , H01S3/18
摘要： 본 발명은 활성층과 전류차단구조를 형성하는 광전소자의 전류차단구조 형성방법에 관한 것으로, 종래 광전소자의 전류차단구조 형성방법은 활성층을 형성한 후, 이온 주입법 또는 확산법을 사용하여 전류차단구조를 형성함으로써 공정단계가 복잡하고, 미세한 구조를 형성하는 것이 용이하지 않아 그 수율이 감소하는 문제점이 있었다. 이와 같은 문제점을 감안한 본 발명은 V자형의 홈이 형성된 갈륨비소기판의 방향에 따라 성장되는 P형 갈륨비소에피층의 정공농도의 차를 이용하여, 동시에 그 V자형 홈의 사면에는 전류차단구조를 형성하고 갈륨비소기판의 평탄한 면에는 활성층을 형성함으로써 공정단계를 간략화하는 효과와, 미세한 패턴의 공정이 가능해짐으로써 그 수율을 증가시키는 효과가 있다.

80. 发明公开

KR1019980050584A 격자 부정합을 이용한 광전소자용 광 및 전류차단구조 및 그 제 조방법 失效
标题翻译：用于使用晶格失配的光电器件的光学和电流阻挡结构及其制造方法
公开(公告)号：KR1019980050584A
公开(公告)日：1998-09-15
申请号：KR1019960069419
申请日：1996-12-21
申请人： 한국과학기술연구원
发明人： 김성일 , 박영균 , 김용 , 김은규 , 민석기
IPC分类号： H01S5/10
摘要： 본 발명은 격자 부정합을 이용한 광전소자용 광 및 전류차단구조 및 그 제조방법에 관한 것으로, 종래의 양자소자의 제조는 직접 GaAs 기판에 V홈을 파거나 GaAs/AlGaAs 기판위에 V홈을 파고 그 위에 양자세선 모는 양자점을 형성하는 방법이 사용되었는데, 이러한 방법은 발광소자의 경우 V홈 뿐만 아니라 V홈 이외의 포면에서 형성된 소자에서도 빛이 발광되어 V홈에서 나오는 광의 우수한 양자점 특성을 상대적으로 약화시키게 되며, 여러 가지 구조와 공존하게 되면 양자선이나 양자점 등의 신호가 약해지거나 벌크(bulk) 신호에 묻혀 그 우수한 특성을 얻을 수 있게 되는 문제가 있었다.
이에 본 발명은 갈륨비소(GaAs) 기판 위에 에피층을 형성하는 제1공정과, 포토레지스트를 이용한 사진식각(Photolithography) 방법으로 상기 에피층의 식각될 부분을 정의하는 제2공정과, 상기 에피층 및 갈륨비소(GaAs) 기판에 V홈을 형성하는 제3공정과, 상기 포토레지스트를 제거하는 제4공정과, 상기 V홈이 형성된 시편 위에 활성 영역 및 비활성 영역을 형성하는 제5공정으로 이루어지는 긱자 부정합을 이용한 광전소자용 광 및 전류차단구조 및 그 제조방법을 제공하는데, 이러한 본 발명은 기판과 에피층 간의 격자 부정합을 이용하여 V홈에 성장된 활성 영역으로만 광과 전류를 효과적으로 제어함으로써, V홈 이외의 표면에서는 빛이 나오지 않게 하고 V홈 내에서 발생되는 신호가 상대적으로 더 강하게 밖으로 나올 수 있도륵 하는 효과가 있다.
또한, 고효율의 광전소자, 광전소자 어레이, 양자우물, 양자세선 및 양자점 등의 구조를 갖는 양자소자에 적용할 수 있다.

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