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1. 发明授权

KR100264159B1 Ⅲ족 금속원소 질화물의 미세결정 제조방법 및 장치 失效
标题翻译： III-NITRIDE微晶的制备方法及其使用的装置
公开(公告)号：KR100264159B1
公开(公告)日：2000-08-16
申请号：KR1019980023945
申请日：1998-06-24
申请人： 한국과학기술연구원
发明人： 박용주 , 김은규 , 민석기
IPC分类号： C30B25/00
摘要： 질화갈륨 (GaN), 질화인듐 (InN) 및 질화알루미늄 (AlN)과 같은 III족 금속원소의 질화물의 미세 결정을 제조하는 방법 및 장치에 관한 것으로, 도 1에 도시된 바와 같이, 정방향 또는 역방향으로 회전가능한 회전날개가 부착된 가스도입관을 통해 암모니아 가스를 III족 금속원소 용융물 내부로 주입하여 암모니아 가스와 III족 금속원소를 직접 화학반응 시킴으로써 간편한 방법으로 수∼ 수십 μm 크기의 미세한 III족 금속원소의 미세결정을 제조할 수 있다.

2. 发明授权

KR100219837B1 선택성장법에 의한 고밀도 양자점 어레이 형성방법 失效
标题翻译：使用选择性生长形成高密度量子阵列的方法
公开(公告)号：KR100219837B1
公开(公告)日：1999-10-01
申请号：KR1019970005290
申请日：1997-02-21
申请人： 한국과학기술연구원
发明人： 김성일 , 박영균 , 김용 , 김은규 , 김춘근 , 민석기
IPC分类号： H01L21/00
摘要： 본 발명은 선택성장법에 의한 고밀도 양자점 어레이 형성방법에 관한 것으로, 종래에는 갈륨비소기판에 전자선 또는 엑스선을 주사하여 V자형의 홈을 형성함으로써 그 갈륨비소기판에 손상을 주며, 그 V자형 홈의 가장 깊은 부분에 형성한 양자점을 사용하는 광전소자의 출력이 약해 사용효율이 감소하는 문제점이 있었다. 이와 같은 문제점을 감안한 본 발명은 습식식각으로 V자형 홈을 형성하고, 2차원적인 반복구조를 갖는 양자점을 유기금속 화학증착법을 사용하여 용이하게 형성함으로써, 그 양자점을 사용하는 광전소자의 출력을 증대시켜 광전소자의 광변환효율을 증대시키는 효과가 있다.

3. 发明授权

KR100162865B1 반도체 패턴 측면의 에피성장율 조절방법 失效
标题翻译：调整半导体图案侧的epi生长速率的方法
公开(公告)号：KR100162865B1
公开(公告)日：1999-02-01
申请号：KR1019950004793
申请日：1995-03-09
申请人： 한국과학기술연구원
发明人： 민석기 , 김무성 , 김용
IPC分类号： H01L21/205
CPC分类号： B82Y30/00 , B82Y10/00 , B82Y20/00 , C30B25/02 , C30B29/42
摘要： An improved epitaxial growth rate varying method for a side surface of a semiconductor pattern capable of controlling a growth rate of a side surface of a semiconductor pattern by controlling the amount of CCl4 gas supplied when forming an epitaxial layer on a patterned GaAs substrate in a metalorganic chemical deposition method, thus fabricating a desired quantum wire, and which is characterized by controlling a side-surface growth rate of an epitaxial layer in accordance with the CCl4 doping gas flow rate while an epitaxial layer is formed on a patterned GaAs substrate in a metalorganic chemical deposition method and in achieving a desired substantial flatness.

4. 发明公开

KR1019980068604A 산화알루미늄갈륨비소를 이용한 광전소자의 전류차단구조 형성방법 失效
标题翻译：用砷化铝镓形成光电器件电流阻断结构的方法
公开(公告)号：KR1019980068604A
公开(公告)日：1998-10-26
申请号：KR1019970005288
申请日：1997-02-21
申请人： 한국과학기술연구원
发明人： 김성일 , 박영균 , 김용 , 김은규 , 민석기
IPC分类号： H01S3/00
摘要： 본 발명은 전류차단구조와 활성층을 동시에 형성하는 광전소자의 전류차단구조 형성방법에 관한 것으로, 종래 광전소자의 전류차단구조 형성방법은 먼저, 갈륨비소기판에 전자선 또는 엑스선을 사용하여 V자형 또는 U자형의 홈을 형성하고, 상기 형성된 V자형 또는 U자형홈의 가장 깊은 곳에 양자점 또는 양자세선을 형성하며 그 다음, 상기 양자점 또는 양자세선이 형성된 갈륨비소기판상에 갈륨비소에피층을 성장시키고 그 갈륨비소에피층에 이온을 주입하거나 확산법을 사용하여 전류차단구조를 형성하여, 그 공정단계가 복잡하고, 미세구조를 형성하는 것이 용이하지 않은 문제점이 있었다. 이와 같은 문제점을 감안한 본 발명은 갈륨비소와 산화알루미늄상에 갈륨비소에피층을 성장시켜 그 격자결함의 차를 이용하여 활성층과 전류차단구조를 동시에 형성함으로써 공정단계를 단순화하고, 용이하게 미세구조를 형성하며, 또한 그 수율을 증가시키는 효과가 있다.

5. 发明授权

KR100130610B1 GaAs/AlGaAs기판을 이용한 양자세선 제작방법 失效
标题翻译：使用GaAs / AIGAAs衬底制造量子阱的方法
公开(公告)号：KR100130610B1
公开(公告)日：1998-04-06
申请号：KR1019940017508
申请日：1994-07-20
申请人： 한국과학기술연구원
发明人： 민석기 , 김무성 , 김용 , 이민석
IPC分类号： H01L21/302
摘要： The quantum fine line manufacturing method is comprised of the step of (a) growing AlGaAs layer(20) on a GaAs substrate(10), then forming a photoresist mask(30) for digging a V-groove in [011 direction on the AlGaAs layer(20) by means of the photolithography, the step of (b) etching with etching solution which has volume ratio of H2SO4:H2O2:H2O=1:2:40 to form the V-groove, the step of (c) growing a plurality of GaAs(50) and AlGaAa(40) layers by means of the epitaxial growth method on the substrate where the V-groove is formed to form the quantum fine line(QWRs) in the center of the V-groove. Here, a side quantum well(side-MQWL) is formed in both sides of the quantum fine line simultaneously and a top quantum well(top-MQWL) is formed in the outside of the V-groove simultaneously.
摘要翻译：量子细线制造方法包括以下步骤：（a）在GaAs衬底（10）上生长AlGaAs层（20），然后在AlGaAs的[011方向上形成用于挖掘V形槽的光致抗蚀剂掩模（30）（20），步骤（b）用H 2 SO 4 :H 2 O 2 :H 2 O = 1:2:40的体积比的蚀刻溶液蚀刻以形成V形槽，（c）生长步骤通过外延生长法在多个GaAs（50）和AlGaAa（40）层上形成量子微细线（QWR）的衬底上形成V形槽，其中V型槽的中心。这里，同时在量子微细线的两侧形成侧面量子阱（侧面MQWL），同时在V形槽的外侧形成顶部量子阱（顶部MQWL）。

6. 发明授权

KR1019970008839B1 화학증착장치용 히터 失效
标题翻译：化学沉积加热器
公开(公告)号：KR1019970008839B1
公开(公告)日：1997-05-29
申请号：KR1019940009004
申请日：1994-04-27
申请人： 한국과학기술연구원
发明人： 민석기 , 김무성 , 김성일 , 김용
IPC分类号： H05B3/20
CPC分类号： C23C16/46 , H05B3/16
摘要： Heater for chemical vapor deposition device, whereby the heating line that makes with the molybdenum and has a meandering shape, is located on the heating plate, and the heat-proof plate is located in the bottom and side of the heating plate in order to prevent the producting heat of the heat line from emitting.
摘要翻译：用于化学气相沉积装置的加热器，由此与钼形成并具有曲折形状的加热线位于加热板上，并且防热板位于加热板的底部和侧面，以防止发热线的产热。

7. 发明授权

KR100086154B1 플라즈마화학증착법을이용한갈륨비소반도체소자의쇼트키접합및금속배선용텅스텐박막형성방법 失效
公开(公告)号：KR100086154B1
公开(公告)日：1995-06-28
申请号：KR1019920005596
申请日：1992-04-03
申请人： 한국과학기술연구원
发明人： 민석기 , 김용태
IPC分类号： H01L21/28

8. 发明授权

KR1019950002178B1 실리콘기판상에 성장된 GaAs에피택셜층의 유기금속화학증착법에 의한 델타-도핑형성방법 失效
标题翻译：通过GAAS外延层的MOCVD进行DELTA DOPING方法
公开(公告)号：KR1019950002178B1
公开(公告)日：1995-03-14
申请号：KR1019910011523
申请日：1991-07-08
申请人： 한국과학기술연구원
发明人： 민석기 , 김용 , 김무성
IPC分类号： H01L21/205
摘要： The method includes growing a GaAs epitaxial layer, i.e., a buffer layer to the thickness of more than 3 micron on a silicon layer, interrupting the GaAs epitaxial layer growth to grow a delta doping layer thereon at 700-750 degree C. by a metalorganic chemical vapor deposition, and growing a GaAs epitaxial layer, i.e., a covering layer thereon at 700-790 degree C., thereby preventing a dopant diffusion from accelerating.
摘要翻译：该方法包括在硅层上生长厚度大于3微米的GaAs外延层，其中GaAs衬底生长在700-750摄氏度时通过金属有机物生长其上的δ掺杂层化学气相沉积，并且在700-790℃下生长GaAs外延层，即其上的覆盖层，从而防止掺杂剂扩散加速。

9. 发明授权

KR1019930006305B1 텅스텐 박막 제조용 플라즈마 화학증착 온도 측정장치 失效
标题翻译：温度检测装置
公开(公告)号：KR1019930006305B1
公开(公告)日：1993-07-12
申请号：KR1019910011617
申请日：1991-07-09
申请人： 한국과학기술연구원
发明人： 민석기 , 김용태
IPC分类号： G01K13/00 , G01K7/02
CPC分类号： C23C16/5096 , C23C16/46
摘要： The apparatus for forming tungsten films at low temperature, comprises 2 temp. measuring silicone wafers (5)(5') placed on a heating plate (4) together with a tungsten film-forming silicone wafer, themocouples (7)(7') contacted with grooves (5a')(5a") of the measuring wafers, and microwave field protecting tubes (6)(6') elogated to the outside and contacted with the earth.
摘要翻译：在低温下形成钨膜的装置包括2温度。将测量硅片（5）（5'）与成膜硅胶晶片一起放置在加热板（4）上，与测量的沟槽（5a'）（5a“）接触的电偶（7）（7'）晶片和微波场保护管（6）（6'）（6'）延伸到外部并与地球接触。

10. 发明公开

KR1019920012533A 디렉트 모니터링 전기로를 이용한 수평대역용융 단결정 성장장치 失效
标题翻译：采用直接监测电炉的水平带熔化单晶生长装置
公开(公告)号：KR1019920012533A
公开(公告)日：1992-07-27
申请号：KR1019900020134
申请日：1990-12-07
申请人： 한국과학기술연구원
发明人： 민석기 , 박용주 , 박승철 , 한철원
IPC分类号： C30B13/16 , C30B11/00 , C30B29/42
摘要： 내용 없음

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