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71. 发明公开

KR1020050030431A 고선택비를 나타내는 금속 배선 연마용 슬러리 조성물 失效
标题翻译：用于具有高选择性的抛光金属的浆料组合物
公开(公告)号：KR1020050030431A
公开(公告)日：2005-03-30
申请号：KR1020030066879
申请日：2003-09-26
申请人： 제일모직주식회사
发明人： 이재석 , 김원래 , 강동헌 , 라정인 , 이인경 , 이길성
IPC分类号： C09K3/14
CPC分类号： C09G1/02 , B24B37/24 , C09K3/1463 , H01L21/31053 , H01L21/3212
摘要： Provided is a slurry composition for polishing a metal wire which is improved in the selectivity of polishing velocity to an insulating layer. The slurry composition comprises 1-25 wt% of a metal oxide fine powder; 0.1-10 wt% of a peroxide; 0.001-0.05 wt% of an inorganic acid; 0.01-10 wt% of a carboxylic acid; 0.01-1.0 wt% of a metal complex; 0.001-2.0 wt% of methyltrichlorosilane and/or trichloronitromethane; and the balance of deionized water. Preferably the metal oxide fine powder is silica, alumina, ceria, titania or their mixture; the peroxide is at least one selected from the group consisting of hydrogen peroxide, benzoyl peroxide, calcium peroxide, barium peroxide and sodium peroxide; the inorganic acid is at least one selected from the group consisting of nitric acid, sulfuric acid, hydrochloric acid and phosphoric acid; the carboxylic acid is at least one selected from the group consisting of acetic acid, citric acid, glutaric acid, glycolic acid, formic acid, lactic acid, malic acid, oxalic acid, phthalic acid, succinic acid and tartaric acid; and the metal complex is PDTA-Fe, EDTA-Fe, PDTA-Fe or EDTA-Mn.
摘要翻译：提供一种用于抛光金属丝的浆料组合物，其提高了抛光速度对绝缘层的选择性。浆料组合物包含1-25重量％的金属氧化物细粉末; 0.1-10重量％的过氧化物; 0.001-0.05重量％的无机酸; 0.01-10重量％的羧酸; 0.01-1.0重量％的金属络合物; 0.001-2.0重量％的甲基三氯硅烷和/或三氯硝基甲烷; 和去离子水的平衡。优选地，金属氧化物细粉是二氧化硅，氧化铝，二氧化铈，二氧化钛或它们的混合物; 过氧化物是选自过氧化氢，过氧化苯甲酰，过氧化钙，过氧化钡和过氧化钠中的至少一种; 无机酸是选自硝酸，硫酸，盐酸和磷酸中的至少一种; 羧酸是选自乙酸，柠檬酸，戊二酸，乙醇酸，甲酸，乳酸，苹果酸，草酸，邻苯二甲酸，琥珀酸和酒石酸中的至少一种; 金属络合物为PDTA-Fe，EDTA-Fe，PDTA-Fe或EDTA-Mn。

72. 发明公开

KR1020050019626A 구리배선용 ＣＭＰ 슬러리 조성물 有权
标题翻译：用于铜线材料的化学机械抛光的浆料，以提高选择性比例，而不会有抛光缺陷，如抛光和腐蚀
公开(公告)号：KR1020050019626A
公开(公告)日：2005-03-03
申请号：KR1020030057521
申请日：2003-08-20
申请人： 제일모직주식회사
发明人： 정재훈 , 이길성 , 이인경
IPC分类号： C09K3/14
CPC分类号： C09G1/02 , C01P2004/60 , C01P2004/64 , C09K3/1463 , H01L21/3212 , Y10S977/888
摘要： PURPOSE: A slurry for chemical mechanical polishing(CMP) of a copper wiring material is provided to improve the selectivity ratio between an oxide layer and a metal layer, thus to reduce defects of a CMP process including dishing, erosion, corrosion, line recess, pitting, dishing and scratch, and to improve the polishing rate. CONSTITUTION: The slurry for CMP of a copper wiring material comprises: 0.1-50wt% of a metal oxide; 0.1-5wt% of a peroxide compound; 0.1-5wt% of carboxylic acids having 1 or more of carboxylic group; 0.01-0.1wt% of polyethylene glycol; 0.01-0.5wt% of an organic amine compound; and deionized water, wherein the metal oxide is selected from silica, alumina, ceria, zirconia, titania and mixtures thereof and has 10-70nm of a primary particle size, 10-300m2/g of the specific surface area, 100-200nm of a secondary particle size, and 0.5-4ea/nm2 of hydroxyl groups on the surface.
摘要翻译：目的：提供铜布线材料的化学机械抛光（CMP）浆料，以提高氧化物层与金属层之间的选择比，从而减少CMP工艺中的缺陷，包括凹陷，腐蚀，腐蚀，管道凹陷，点蚀，凹陷和划痕，并提高抛光速率。构成：铜布线材料的CMP用浆料包含：0.1-50wt％的金属氧化物; 0.1-5重量％的过氧化物; 0.1-5重量％的具有1个以上羧基的羧酸; 0.01-0.1wt％的聚乙二醇; 0.01-0.5重量％的有机胺化合物; 和去离子水，其中金属氧化物选自二氧化硅，氧化铝，二氧化铈，氧化锆，二氧化钛及其混合物，并具有10-70nm的一次粒径，10-300m 2 / g的比表面积，100-200nm的二次粒径和0.5-4ea / nm2的羟基表面。

73. 发明授权

KR100442549B1 연마성능이 우수하고 안정성이 향상된, 금속 연마를 위한ＣＭＰ용 슬러리 조성물 및 그 제조방법 失效
标题翻译：具有增强抛光能力的金属化学机械抛光浆料组合物和改进的稳定性及其制备方法
公开(公告)号：KR100442549B1
公开(公告)日：2004-07-30
申请号：KR1020020063159
申请日：2002-10-16
申请人： 제일모직주식회사
发明人： 이재석 , 김원래 , 도원중 , 정재훈 , 노현수 , 박태원 , 이인경 , 이길성
IPC分类号： H01L21/302
摘要： 본 발명은 연마성능이 우수하고 안정성이 향상된, 금속 연마를 위한 CMP(Chemical Mechanical Polishing)용 슬러리 조성물 및 그 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 금속산화물, 과산화수소, 철화합물, 이미다졸계 화합물, 및 탈이온수를 포함하고 pH가 2 내지 4인, 금속 연마를 위한 CMP용 슬러리 조성물로서, 연마성능이 우수하고, 화학적 및 분산 안정성이 우수한 슬러리 조성물 및 그 제조방법에 관한 것이다.
본 발명에 따르면, 비교적 소량의 산화제를 사용하면서도 우수한 연마성능을 유지할 수 있을 뿐만 아니라, 화학적 및 분산 안정성이 현저히 향상되어 조성물의 저장 안정성이 매우 우수한, 금속연마를 위한 CMP용 조성물을 제조할 수 있다.

74. 发明授权

KR101279969B1 금속 배선 연마용 ＣＭＰ 슬러리 조성물 및 이를 이용한 연마 방법 有权
标题翻译：用于金属丝抛光的CMP浆料组合物及使用其的抛光方法
公开(公告)号：KR101279969B1
公开(公告)日：2013-07-05
申请号：KR1020080138695
申请日：2008-12-31
申请人： 제일모직주식회사
发明人： 임건자 , 이인경 , 강동헌 , 최원영 , 김태완
IPC分类号： C09K3/14
摘要： 본 발명은 연마제와 산화제를 포함하는 금속 배선 연마용 CMP 슬러리 조성물에 관한 것으로, 보다 상세하게는 금속막과 절연막간의 선택적인 연마특성을 조절하기 위한 슬러리 조성 및 사용방법에 관한 것이다. 본 발명에 의하여 배선층으로 사용되는 금속막과 절연막간의 선택적 연마특성을 조절함으로써 다양한 종류의 디바이스에 적용할 수 있는 슬러리의 제조가 가능하다.
금속, CMP, 슬러리, 선택적 연마특성
摘要翻译：本发明涉及用于研磨包含研磨剂和氧化剂的金属布线的CMP浆料组合物，更具体地涉及用于控制金属膜和绝缘膜之间的选择性抛光特性的浆料组合物和方法。本发明可用于通过控制用作布线层的金属膜和绝缘膜之间的选择性抛光特性来制造可应用于各种装置的浆料。

75. 发明授权

KR101279965B1 구리 배선 연마용 ＣＭＰ 슬러리 조성물 및 이를 이용한 연마 방법 有权
标题翻译：用于铜线抛光的CMP浆料组合物及使用其的抛光方法
公开(公告)号：KR101279965B1
公开(公告)日：2013-07-05
申请号：KR1020080135849
申请日：2008-12-29
申请人： 제일모직주식회사
发明人： 노종일 , 츄호머 , 김원래 , 이인경 , 박용순
IPC分类号： C09K3/14
摘要： 본 발명은 구리 배선 연마용 CMP 슬러리 조성물에 관한 것으로, 보다 상세하게는 초순수, 연마제, 산화제, 부식 억제제, 유기산, 및 첨가제를 포함하는 CMP 슬러리 조성물에 있어서, 상기 첨가제로 아크릴산-아크릴아미드 공중합체를 전체 CMP 슬러리 조성물에 대하여 0.001 ~ 0.04 중량%로 사용하는 것을 특징으로 하는 구리 배선 연마용 CMP 슬러리 조성물에 관한 것이다.
본 발명의 CMP 슬러리 조성물은 연마 압력에 따른 구리 배선에 대한 연마 속도비가 크고, 배리어막에 대한 연마 속도가 높으므로 구리 배선 연마 공정에 유용하다.
구리, 연마, CMP, 슬러리, 아크릴산-아크릴아미드 공중합체, 연마 속도비, 배리어막, 연마 속도
摘要翻译：更具体地，本发明涉及包含超纯水，研磨剂，氧化剂，腐蚀抑制剂，有机酸和添加剂的CMP浆料组合物，其中所述添加剂是丙烯酸 - 丙烯酰胺共聚物其中CMP浆料组合物的用量为总CMP浆料组合物的0.001-0.04重量％。

76. 发明授权

KR101266537B1 금속 배선 연마용 ＣＭＰ 슬러리 조성물 有权
公开(公告)号：KR101266537B1
公开(公告)日：2013-05-27
申请号：KR1020080130089
申请日：2008-12-19
申请人： 제일모직주식회사
发明人： 김원래 , 김태완 , 강동헌 , 임건자 , 최원영 , 이인경
IPC分类号： C09K3/14
摘要： 본발명의 CMP 슬러리조성물은금속배선및 질화규소(silicon nitride)에대한연마속도가우수하므로금속배선연마공정에유용하다.

77. 发明授权

KR101266538B1 구리 배선 연마용 ＣＭＰ 슬러리 조성물 및 이를 이용한 연마 방법 有权
标题翻译：用于抛光铜布线的CMP浆料组合物及其使用的抛光方法
公开(公告)号：KR101266538B1
公开(公告)日：2013-05-23
申请号：KR1020080131333
申请日：2008-12-22
申请人： 제일모직주식회사
发明人： 김원래 , 노종일 , 이태영 , 츄호머 , 이인경
IPC分类号： C09K3/14
摘要： 본발명의 CMP 슬러리조성물은구리배선에대하여높은연마속도를나타낼뿐만아니라, 낮은에칭속도에의하여피연마물표면에서의디싱(dishing) 현상이감소되므로, 구리배선연마공정에유용하다.

78. 发明公开

KR1020100077776A 구리 배선 연마용 ＣＭＰ 슬러리 조성물 및 이를 이용한 연마 방법 有权
标题翻译：用于抛光铜线的CMP浆料组合物和使用其的抛光方法
公开(公告)号：KR1020100077776A
公开(公告)日：2010-07-08
申请号：KR1020080135814
申请日：2008-12-29
申请人： 제일모직주식회사
发明人： 김원래 , 노종일 , 츄호머 , 이태영 , 최병호 , 이인경
IPC分类号： C09K3/14
摘要： PURPOSE: A chemical mechanical polishing slurry composition is provided to have high polishing speed of a copper wiring and to be used for a polishing process of the copper wiring by reducing a dishing phenomenon on the surface of a polished material due to low etching rate. CONSTITUTION: A chemical mechanical polishing slurry composition includes ultrapure water, an abrasive, an oxidizing agent, a corrosion inhibitor, and an organic acid. The corrosion inhibitor uses a heterogeneous compound which is selected from ammonia, alkyl amines, amino acids, imines, and azoles. The corrosion inhibitor includes a compound which is selected from benzotriazole or metyl benzotriazole and a compound which is selected from 1,2,4-triazole, a triazole derivative, a benzotriazole derivative, and a methyl benzotriazole derivative.
摘要翻译：目的：提供化学机械抛光浆料组合物以具有高的铜布线抛光速度，并且由于低蚀刻速率而减少抛光材料表面上的凹陷现象，并用于铜布线的抛光工艺。构成：化学机械抛光浆料组合物包括超纯水，磨料，氧化剂，腐蚀抑制剂和有机酸。腐蚀抑制剂使用选自氨，烷基胺，氨基酸，亚胺和吡唑的多相化合物。腐蚀抑制剂包括选自苯并三唑或甲基苯并三唑的化合物和选自1,2,4-三唑，三唑衍生物，苯并三唑衍生物和甲基苯并三唑衍生物的化合物。

79. 发明公开

KR1020100077646A 실리콘 웨이퍼 연마용 ＣＭＰ 슬러리 조성물 및 이를 이용한 연마 방법 无效
标题翻译：用于抛光硅胶辊的CMP浆料组合物和使用其的抛光方法
公开(公告)号：KR1020100077646A
公开(公告)日：2010-07-08
申请号：KR1020080135657
申请日：2008-12-29
申请人： 제일모직주식회사
发明人： 노현수 , 이인경
IPC分类号： C09K3/14 , H01L21/306
摘要： PURPOSE: A chemical mechanical polishing slurry composition is provided to remarkably reduce a defect of localized light scatter more than 50nm and to be used for a polishing process of the silicon wafer. CONSTITUTION: A chemical mechanical polishing slurry composition includes ultrapure water, an abrasive, a water-soluble polymer, and a surfactant. An aliphatic polyhydric alcohol-based compound is used as the surfactant with an amount of 0.0005-1 weight% based on the total slurry composition. The surfactant additionally uses an acetylene-based surfactant. The abrasive is selected from a group comprising silica(SiO_2), alumina(Al_2O-3), ceria(CeO_2), zirconia(ZrO_2), and titania(TiO_2).
摘要翻译：目的：提供化学机械抛光浆料组合物，以显着减少50nm以上局部光散射的缺陷，并用于硅晶片的抛光工艺。构成：化学机械抛光浆料组合物包括超纯水，研磨剂，水溶性聚合物和表面活性剂。使用脂肪族多元醇类化合物作为表面活性剂，其用量为总淤浆组成的0.0005-1重量％。表面活性剂另外使用乙炔类表面活性剂。研磨剂选自二氧化硅（SiO_2），氧化铝（Al_2O-3），二氧化铈（CeO_2），氧化锆（ZrO_2）和二氧化钛（TiO_2）的组。

80. 发明公开

KR1020100070598A 금속 배선 연마용 ＣＭＰ 슬러리 조성물 有权
标题翻译：用于抛光金属线的化学机械抛光浆料组合物
公开(公告)号：KR1020100070598A
公开(公告)日：2010-06-28
申请号：KR1020080129219
申请日：2008-12-18
申请人： 제일모직주식회사
发明人： 강동헌 , 이인경 , 임건자 , 김태완 , 최원영 , 이태영
IPC分类号： C09K3/14
摘要： PURPOSE: A chemical mechanical polishing(CMP) slurry composition is provided to reduce the etching speed to a metal wiring while maintaining the polishing speed of the composition, and to reduce the erosion and the dishing while maintaining the tungsten removal time. CONSTITUTION: A chemical mechanical polishing(CMP) slurry composition contains ultrapure water, an abrasive, an oxidizer, and a corrosion inhibitor. The corrosion inhibitor is either phosphoric acid or phosphoric acid salt. The abrasive contains 0.01~15wt% of metal oxide selected from the group consisting of silica, alumina, ceria, zirconia, and titania. The phosphoric acid salt is selected from the group consisting of potassium monohydregen phosphate, dibasic potassium phosphate, monoammonium phosphate, and others.
摘要翻译：目的：提供化学机械抛光（CMP）浆料组合物以降低对金属布线的蚀刻速度，同时保持组合物的抛光速度，并且在保持除钨时间的同时减少侵蚀和凹陷。构成：化学机械抛光（CMP）浆料组合物含有超纯水，磨料，氧化剂和腐蚀抑制剂。腐蚀抑制剂是磷酸或磷酸盐。研磨剂含有选自二氧化硅，氧化铝，二氧化铈，氧化锆和二氧化钛中的0.01〜15wt％的金属氧化物。磷酸盐选自磷酸二氢钾，磷酸氢二钾，磷酸二氢铵等。

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