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71. 发明公开

KR1020080094603A 빔처리장치 有权
标题翻译：光束加工设备
公开(公告)号：KR1020080094603A
公开(公告)日：2008-10-23
申请号：KR1020080036012
申请日：2008-04-18
申请人： 스미도모쥬기가이 이온 테크놀로지 가부시키가이샤
发明人： 츠키하라미츠쿠니 , 가바사와미츠아키 , 마츠시타히로시 , 야기타다카노리 , 아마노요시타카 , 후지이요시토
IPC分类号： H01J37/147 , H01J37/317
CPC分类号： H01J37/3171 , H01J37/1477 , H01J2237/0042 , H01J2237/028
摘要： A beam processing apparatus is provided to enhance accuracy of parallel beam after ion beam scanning by maintaining constantly a diameter of ion beams irrespective of positions in a scanning area. A beam processing apparatus includes beam scanners(36A,36B) which perform deflection scanning that periodically varies orbits of charged particle beams using two polar type deflection scanning electrodes. The beam scanners include shield preventing electrode assemblies. The shield preventing electrode assemblies having a square shape aperture for penetrating the charged particle beams are disposed around upper and lower portions of the two polar type deflection scanning electrodes. Each of the shield preventing electrode assemblies includes one suppress electrode and two shield ground electrodes, which are formed at both sides of the suppress electrode. Forward and backward portions of the two polar type deflection scanning electrodes are shielded by the two shield ground electrodes.
摘要翻译：提供了一种束处理装置，用于通过恒定地维持离子束的直径而与扫描区域中的位置无关地增强离子束扫描之后的平行光束的精度。光束处理装置包括光束扫描器（36A，36B），其执行使用两个极性型偏转扫描电极周期性地改变带电粒子束的轨道的偏转扫描。光束扫描器包括屏蔽防止电极组件。具有用于穿透带电粒子束的方形孔的防屏电极组件设置在两极极型偏转扫描电极的上部和下部。每个屏蔽防止电极组件包括形成在抑制电极两侧的一个抑制电极和两个屏蔽接地电极。两个极性型偏转扫描电极的正向和反向部分被两个屏蔽接地电极屏蔽。

72. 发明公开

KR1020060060531A 빔 편향주사방법, 빔 편향주사장치, 이온주입방법, 및 이온주입 시스템 有权
标题翻译：光束偏移方法，用于扫描的光束偏移器，离子植入方法和离子植入系统
公开(公告)号：KR1020060060531A
公开(公告)日：2006-06-05
申请号：KR1020050048856
申请日：2005-06-08
申请人： 스미도모쥬기가이 이온 테크놀로지 가부시키가이샤
发明人： 마츠시타히로시 , 가바사와미츠아키 , 아마노요시타카 , 기무라야스히코 , 츠키하라미츠쿠니 , 무라카미쥰이치
IPC分类号： H01J37/08 , H01J37/147
CPC分类号： H01J37/1477 , H01J37/3171
摘要： 빔 편향주사 장치는, 진공공간 내에서 일정 궤도를 가지는 하전입자 빔의 편향을 행하여, 이로써 하전입자 빔의 궤도를 주기적으로 변경시킨다. 빔 편향주사 장치는, 빔 궤도의 방향으로 뻗는 대칭적 오목부를 가지는 각 내측 전극면을 대향시키도록 배치된 한쌍의 편향 전극으로 구성된다.
빔, 편향, 주사, 이온주입, 오목부, 전극

73. 发明公开

KR1020030074242A 이온 빔의 질량 분리 필터와 그 질량 분리 방법 및 이를사용하는 이온 소스 失效
标题翻译：离子束质量分离过滤器，质量分离方法和使用它的离子源
公开(公告)号：KR1020030074242A
公开(公告)日：2003-09-19
申请号：KR1020030013800
申请日：2003-03-05
申请人： 스미도모쥬기가이 이온 테크놀로지 가부시키가이샤
发明人： 아담브레이러브 , 무라타히로히코
IPC分类号： H01L21/265
CPC分类号： H01J49/284
摘要： 본 발명의 목적은 이온 소스의 전극 구조를 간단하게 한편 소형화할 수 있어 불필요한 이온종을 선택적으로 제거하는 질량 분리 필터와 그 질량 분리 방법 및 이온 소스를 제공하는 것이다.
질량 분리 필터(20)는 이온 빔의 빔축(21)에 대해서 직교하는 방향으로 제1 자계를 형성하는 제1 자석(22)과 빔 축을 따라 제1 자석에 직렬 배치되어 빔 축으로 직교하고 제 1 자계와 평행으로 역방향의 제2 자계를 형성하는 제2 자석(23)과 제1, 제2 자계내에 형성되어 제1 자계에 의해 편향된 제1 만곡 경로(22a)로부터, 제2 자계에 의해 제1 자계와는 역방향으로 편향된 제2 만곡 경로(23a)를 따르는 이동 경로(25)를 형성하기 위한 콜리메이터벽(26)을 갖는다. 질량 분리 필터에 의해, 입사 하는 이온을 제1, 제2 자석의 자계에 의해 역방향에 만곡한 경로를 통해서 원하는 질량의 이온을 빔축과 동방향으로 이끌 수가 있다.

74. 发明授权

KR102226099B1 안테나커버 및 이를 이용한 플라즈마 발생장치 有权
公开(公告)号：KR102226099B1
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：KR1020140174770
申请日：2014-12-08
申请人： 스미도모쥬기가이 이온 테크놀로지 가부시키가이샤
发明人： 니노미야시로오 , 사토오마사테루
IPC分类号： H05H1/46 , H01L21/265
摘要： 플라즈마의생성효율을유지하면서, 플라즈마에의한소모의영향을저감시킨안테나커버및 이를이용한플라즈마발생장치를제공한다. 플라즈마실(12)의내부에마련되어, 당해플라즈마실(12) 내에고주파를방사하는안테나(20)의표면을보호하는안테나커버(30)가제공된다. 안테나커버(30)는, 당해안테나커버(30)의외표면에있어서의전위의공간의존성이저감되도록, 안테나(20)의표면에직교하는방향중 적어도일방향에있어서의안테나커버(30)의두께가, 당해표면상의위치에따라다르다. 안테나커버(30)는, 적어도일방향의두께가, 안테나(20)가뻗는방향을따라변화하여도된다.

75. 发明授权

KR102226097B1 이온주입 방법 및 이온주입 장치 有权
公开(公告)号：KR102226097B1
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：KR1020200078189
申请日：2020-06-26
申请人： 스미도모쥬기가이 이온 테크놀로지 가부시키가이샤
发明人： 니노미야시로오 , 가가와다다노부 , 유미야마도시오 , 후나이아키라 , 구로다다카시
IPC分类号： H01L21/265 , C23C14/48 , H01J37/304 , H01J37/317
摘要： 이온을주입하는과정에있어서의방전사상을적절히검출하는기술을제공한다. 이온주입방법은, 이온원에서발생한이온을웨이퍼까지수송하고, 웨이퍼를이온빔으로조사하여이온을주입하는이온주입방법에있어서, 웨이퍼에이온을주입하는과정에서, 방전의가능성이있는사상을검출가능한검출부를복수이용하여, 검출한방전의가능성이있는사상의유무및 그사상이이온빔에미치는영향의정도에근거하여이온빔의상태를판단하는상태판단공정을포함한다.

76. 发明授权

KR102085382B1 이온주입장치 및 이온주입방법 有权
公开(公告)号：KR102085382B1
公开(公告)日：2020-03-05
申请号：KR1020130127668
申请日：2013-10-25
申请人： 스미도모쥬기가이 이온 테크놀로지 가부시키가이샤
发明人： 츠키하라미츠쿠니 , 가바사와미츠아키
IPC分类号： H01J37/317

77. 发明授权

KR102020683B1 이온주입장치를 위한 고전압전극의 절연구조 有权
公开(公告)号：KR102020683B1
公开(公告)日：2019-09-10
申请号：KR1020130159400
申请日：2013-12-19
申请人： 스미도모쥬기가이 이온 테크놀로지 가부시키가이샤
发明人： 사토마사테루 , 마츠시타히로시
IPC分类号： H01J37/317 , H01J37/248

78. 发明授权

KR101984731B1 이온주입장치 및 그 제어방법 有权
公开(公告)号：KR101984731B1
公开(公告)日：2019-05-31
申请号：KR1020130034881
申请日：2013-03-29
申请人： 스미도모쥬기가이 이온 테크놀로지 가부시키가이샤
发明人： 가리야히로유키 , 이시카와마사키 , 인다요시아키 , 구로세다케시 , 야기타다카노리 , 유미야마도시오
IPC分类号： H01J37/317 , H01J37/153

79. 发明公开

KR1020170069137A 이온주입방법 및 이온주입장치 审中-实审
标题翻译：离子注入法和离子注入装置
公开(公告)号：KR1020170069137A
公开(公告)日：2017-06-20
申请号：KR1020160131101
申请日：2016-10-11
申请人： 스미도모쥬기가이 이온 테크놀로지 가부시키가이샤
发明人： 가와사키요지 , 사노마코토 , 즈카하라가즈타카
IPC分类号： H01J37/317 , H01J37/304 , G21K5/10
CPC分类号： H01L21/26586 , H01J37/3171 , H01L22/14 , H01L22/20
摘要： 이온주입처리의주입정밀도를높이기위한기술을제공한다. 이온빔을 x방향으로왕복주사시키고, 웨이퍼를 y방향으로왕복운동시켜웨이퍼에이온주입하는이온주입방법을제공한다. 이방법은, 소정의면채널링조건을충족시키도록배치된제1 웨이퍼에이온빔을조사하고, 빔조사후의제1 웨이퍼의저항을측정하는단계와, 소정의축채널링조건을충족시키도록배치된제2 웨이퍼에이온빔을조사하고, 빔조사후의제2 웨이퍼의저항을측정하는단계와, 제1 웨이퍼및 제2 웨이퍼의저항측정결과를이용하여, 이온빔의 x방향및 y방향의주입각도분포를조정하는단계를구비한다.
摘要翻译：它提供了用于增加注入的离子注入过程的精确度的技术。和在x方向上往复扫描，通过在y方向上的晶片的往复运动的离子束，以提供离子注入到晶片的离子注入法。此方法是照射设置在第一晶片上的离子束，以便满足所述规定的面沟道条件下的，该方法包括：测量所述第一晶片的电阻光束照射后，配置成以满足预定的轴向窜条件在第二晶片上照射的离子束，且束照射后测量所述第二晶片的电阻，所述第一至所述晶片和所述第二晶片的电阻测量结果，以及调整所述x方向和在离子束的y方向上的喷射角度分布和的步骤。

80. 发明授权

KR101704041B1 반도체장치의 제조방법 有权
标题翻译：半导体器件制造方法
公开(公告)号：KR101704041B1
公开(公告)日：2017-02-07
申请号：KR1020100123942
申请日：2010-12-07
申请人： 스미도모쥬기가이 이온 테크놀로지 가부시키가이샤
发明人： 스기타니미치로 , 후세겐슈
IPC分类号： H01L21/265 , H01L29/66
CPC分类号： H01L21/26586 , H01L21/26513 , H01L21/26526 , H01L29/66803
摘要： 반도체기판으로서의실리콘기판의표면상에, 가공에의하여돌출부를형성한실리콘기판의내부에있어서, 도너혹은억셉터로이루어지는불순물원자를포함하는불순물박막을, 퇴적막으로서상기실리콘기판의표면상에퇴적하는공정과, 돌출부에있어서의퇴적막의비스듬히상방으로부터이온주입을행하는공정과, 상기이온주입에의하여, 상기불순물원자를퇴적막내부로부터상기실리콘기판의돌출부의표면내부에리코일시키는공정을포함한다.
摘要翻译：本发明提供一种半导体器件的制造方法，其包括制备作为半导体器件的基底的半导体衬底，并且在半导体衬底的表面上形成有凹凸部。该方法还包括在半导体衬底的表面上沉积杂质薄膜（13），该杂质薄膜（13）包含在半导体衬底中成为施主或受体的杂质原子，并从对角线上方向离子注入（14）至杂质沉积在半导体衬底的凹凸部分上的薄膜。该方法还包括通过进行离子注入将杂质原子从杂质薄膜的内部重新吸收到凹凸部的内部。

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