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61. 发明公开

KR1020060020339A 반도체 칩의 풀업 및 풀다운 저항 제어 회로 无效
标题翻译：用于半导体芯片中的上拉和下拉电阻的控制电路
公开(公告)号：KR1020060020339A
公开(公告)日：2006-03-06
申请号：KR1020040069161
申请日：2004-08-31
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김동윤 , 박혁찬 , 김태진 , 임준혁
IPC分类号： G11C7/02 , G11C7/10
摘要： 본 발명은 풀업(pull-up) 저항 및 풀다운(pull-down) 저항을 구비한 패드에 있어서 상기 풀업 저항 및 풀다운 저항으로 인한 누설 전류를 방지하기 위한 것으로 본 발명에 따른 누설 전류 방지 패드는 출력제어신호(ENB)를 이용하여 상기 패드의 동작모드에 따라 패드 출력신호를 제어하는 3상태 버퍼(tri-state buffer)를 포함하는 출력신호 제어부와 CMOS로 구현된 상기 풀업 저항 및 풀다운 저항을 포함하는 풀업다운(pull-up/down) 저항부와 상기 출력제어신호(ENB)를 이용하여 상기 풀업/다운 저항을 제어하는 풀업/다운 저항 제어부를 포함하여 구성된다. 본 발명은 별도의 소프트웨어의 제어없이 자동으로 패드에서 풀업/다운(pull-up/down) 저항을 차단시키거나 연결해 줌으로써 반도체 칩의 소비전류를 감소시키는 효과를 갖는다.

패드, 풀업 저항(pull-up resistor), 풀다운 저항(pull-down resistor)

62. 发明公开

KR1020060019110A 고주파 노이즈 제거기능을 가지는 메모리 无效
标题翻译：消除高频噪声的记忆
公开(公告)号：KR1020060019110A
公开(公告)日：2006-03-03
申请号：KR1020040067593
申请日：2004-08-26
申请人： 주식회사 팬택자산관리
发明人： 박정식
IPC分类号： G11C7/00 , G11C7/02
摘要： 1. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야
본 발명은 고주파 노이즈 제거기능을 가지는 메모리에 관한 것임.
2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제
본 발명은 메모리 내부에 저역 통과 필터 기능을 하는 노이즈 제거 회로(예 : CRC 회로 또는 LC 회로)를 삽입함으로써, 메모리로부터 출력되는 신호의 고주파 노이즈 성분을 원천적으로 제거하기 위한, 고주파 노이즈 제거기능을 가지는 메모리를 제공하는데 그 목적이 있음.
3. 발명의 해결방법의 요지
본 발명은, 고주파 노이즈 제거기능을 가지는 메모리에 있어서, 전자 기기를 구동시키기 위한 데이터 신호, 어드레스 신호 및 컨트롤 신호를 저장하고 있는 신호 저장수단; 및 상기 신호 저장수단으로부터 출력되는 신호의 고주파 노이즈 성분을 제거하기 위한 노이즈 제거수단을 포함함.
4. 발명의 중요한 용도
본 발명은 전자 기기 등에 구비되는 메모리에 이용됨.

메모리, 노이즈 제거부, CRC 회로, LC 회로, 고주파 노이즈 제거

63. 发明授权

KR100544015B1 잡음 제거 회로 失效
标题翻译：噪声消除电路
公开(公告)号：KR100544015B1
公开(公告)日：2006-01-20
申请号：KR1020030011097
申请日：2003-02-21
申请人： 매그나칩 반도체 유한회사
发明人： 김용운
IPC分类号： G11C7/02
摘要： 본 발명은 샘플링 시점에 따라 잡음 제거가 이루어지지 않는 현상과 신호의 지연이 달라지는 현상을 방지할 수 있는 잡음 제거 회로 및 잡음 제거 방법을 제공하기 위한 것으로, 이를 위해 본 발명은, 입력 신호의 상승/하강 시에 소정의 펄스를 발생시키는 검출부; 상기 펄스를 카운트하여 상기 입력 신호의 변화 사이의 폭을 결정하는 카운팅부; 기설정된 잡음의 최대폭을 정의하는 잡음 폭 정의부; 상기 카운팅부에서 제공되는 상기 입력 신호의 변화 사이의 폭과 상기 잡음 폭 정의부에서 제공되는 기설정된 잡음 폭을 비교하는 비교부; 및 상기 비교부의 비교결과에 따라 상기 입력신호의 샘플링을 수행하여 잡음이 제거된 신호를 출력하는 샘플링부를 포함하는 잡음 제거 회로를 제공한다.
또한 본 발명은, 입력 신호의 상승/하강시 상기 입력 신호의 변화 사이의 폭을 검출하는 단계; 상기 입력 신호의 변화 사이의 폭과 기설정된 잡음의 최대폭을 비교하는 단계; 및 상기 비교 결과에 따라 상기 입력신호에 따른 샘플링을 실시하여 잡음이 제거된 신호를 출력하는 단계를 포함하는 잡음 제거 방법을 제공한다.

잡음 제거 회로, 잡음 폭 정의부, 잡음, 샘플링.

64. 发明公开

KR1020050061389A 반도체 판독회로 失效
标题翻译：半导体读出电路
公开(公告)号：KR1020050061389A
公开(公告)日：2005-06-22
申请号：KR1020040107950
申请日：2004-12-17
申请人： 샤프 가부시키가이샤
发明人： 이토노부히코 , 야마모토카오루 , 야마우치요시미쯔
IPC分类号： G11C7/02 , G11C7/10 , G11C7/08
CPC分类号： G11C7/1069 , G11C7/062 , G11C7/1051 , G11C7/12 , G11C7/1063
摘要： A semiconductor readout circuit reads out a potential of each of plural data lines (D1 to Dm) by comparing the potential with a potential of a common reference data line (Dref), using a sense amplifier (12) provided for each of the data lines. This semiconductor readout circuit has a current control circuit (13, 14) provided for each of the data lines. The current control circuit (13, 14) controls the potential of the corresponding one of the data lines so that a potential difference between the potential of the corresponding data line and the potential of the reference data line can be reduced based on an output (OUT1 to OUTm) as to the potential difference detected by the sense amplifier (12).

65. 发明公开

KR1020040075552A 잡음 제거 회로 失效
标题翻译：噪声去除电路及其方法
公开(公告)号：KR1020040075552A
公开(公告)日：2004-08-30
申请号：KR1020030011097
申请日：2003-02-21
申请人： 매그나칩 반도체 유한회사
发明人： 김용운
IPC分类号： G11C7/02
摘要： PURPOSE: A noise removal circuit and a method thereof are provided to prevent a phenomenon that noise is not removed according to a sampling time and prevents a delay of a signal varies. CONSTITUTION: A detection unit(40) generates a pulse when an input signal rises and falls. A counting unit(41) determines a width between the variation of the input signal by counting the pulse. A noise width definition unit(42) defines a maximum width of a preset noise. A comparator unit(43) compares the width between the variation of the input signal provided from the counting unit with the preset noise width provided from the noise width definition unit. And a sampling unit(44) outputs a signal without noise by performing a sampling of the input signal according to the comparison result of the comparator unit.
摘要翻译：目的：提供一种噪声消除电路及其方法，以防止根据采样时间而不去除噪声的现象，并防止信号的延迟变化。构成：检测单元（40）在输入信号上升时产生脉冲。计数单元（41）通过对脉冲进行计数来确定输入信号的变化之间的宽度。噪声宽度定义单元（42）限定预设噪声的最大宽度。比较器单元（43）将从计数单元提供的输入信号的变化与从噪声宽度定义单元提供的预设噪声宽度之间的宽度进行比较。并且，采样单元（44）根据比较器单元的比较结果对输入信号进行采样，输出无噪声的信号。

66. 发明公开

KR1019980083946A 입출력라인의기생정전용량침입방지회로 失效
标题翻译：输入/输出线路寄生电容入侵防护电路
公开(公告)号：KR1019980083946A
公开(公告)日：1998-12-05
申请号：KR1019970019450
申请日：1997-05-20
申请人： 현대반도체 주식회사
发明人： 박산하
IPC分类号： G11C7/02
摘要： 본 발명은 입출력라인의 기생정전용량 침입 방지회로에 관한 것으로, 종래의 기술은 선택신호에 의해 스위치부의 엔-모스 트랜지스터가 온될 경우 상기 엔-모스 트랜지스터에서 소모된 전원전압(Vcc-V
T )으로 프리차지(Precharge)되어 있는 입출력라인의 기생정전용량(parasitic capacitance)이 비트라인에 비해 크기 때문에, 상기 비트라인쪽으로 역전류가 흐르게 되어 상기 비트라인의 데이터가 바뀔 수 있는 문제점이 있었다.
따라서, 본 발명은 상기와 같은 종래의 문제점을 해결하기 위하여 창안한 것으로, 기생정전용량의 침입(역전류)을 방지하기 위해 양 비트라인의 레벨을 유지시키는 회로를 제공함으로써, 선택신호에 의한 비트라인으로 입출력라인의 기생정전용량의 침입(역전류)을 방지하고, 선택신호의 활성화(enable)를 앞당겨도 기생정전용량의 침입(역전류)을 방지할 수 있어 메모리소자를 고속화할 수 있는 효과가 있다.

67. 发明公开

KR1019980019719A 노이즈를 방지하기 위한 데이타 출력 드라이버회로를 가지는 반도체 메모리 장치 无效
标题翻译：一种具有用于防止噪声的数据输出驱动电路的半导体存储器件
公开(公告)号：KR1019980019719A
公开(公告)日：1998-06-25
申请号：KR1019960037927
申请日：1996-09-02
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 신호근
IPC分类号： G11C7/02
摘要： 본 발명은 턴온시 발생하는 노이즈를 방지하기 위한 데이타 출력 드라이버회로를 가지는 반도체 메모리 장치에 관한 것으로, 데이타 출력 드라이버회로의 트랜지스터들을 턴온시킬때 그 트랜지스터들의 문턱전압을 턴온시켜 초기에 문턱전압 만큼 풀다운시키고 일정시간 후 이를 풀업회로 100에 의해 풀 VCC까지 풀업시킴으로서 상기 내부 노이즈를 방지할 수 있는 효과가 있다.

68. 发明公开

KR1019970059911A 리프레쉬 기능이 없는 DRAM 구성의 캐쉬 메모리 장치 失效
标题翻译： DRAM配置中的高速缓存设备不带刷新功能
公开(公告)号：KR1019970059911A
公开(公告)日：1997-08-12
申请号：KR1019970001273
申请日：1997-01-17
申请人： 닛본 덴끼 가부시끼가이샤
发明人： 이에나가다까시
IPC分类号： G06F12/08 , G11C11/401 , G11C7/02 , G11C7/00
摘要： DRAM 셀 어레이(1,1')를 구비한 캐쉬 메모리 장치에서, DRAM 셀 열(21,21')은 워드 라인(WL
0 ,WL
1 ,...)에 접속된다. 감지 증폭기(22)와 기록 증폭기(23)가 선택된 워드 라인에 접속된 메모리 셀중 하나의 셀에 임의의 데이타 신호를 기록하기 위해 DRAM 셀 열에 제공된다. 감지 증폭기는 물론 판독 증폭기(24)가 DRAM 셀 어레이의 데이타가 유효 또는 무효인지를 나타내기 위한 유효성 신호(V")를 발생하기 위해 메모리 셀중 하나의 메모리 셀로부터 데이타를 판독하도록 제공된다.

69. 发明授权

KR100018986B1 디코우더(decoder)회로 失效
公开(公告)号：KR100018986B1
公开(公告)日：1985-03-11
申请号：KR1019810000388
申请日：1981-02-07
申请人： 후지쯔 가부시끼가이샤
发明人： 이소가이히데아끼
IPC分类号： G11C7/02

70. 发明公开

KR840003146A 다이나믹(Dynamic) RAM 집적회로 장치 失效
公开(公告)号：KR840003146A
公开(公告)日：1984-08-13
申请号：KR820005428
申请日：1982-12-03
IPC分类号： G11C11/401 , G11C7/02 , G11C11/404 , G11C11/4097 , G11C11/4099 , H01L21/8242 , H01L27/10 , H01L27/108
摘要： 내용없음

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