专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

61. 发明授权

KR102362782B1 초고순도 텅스텐 클로라이드 有权
公开(公告)号：KR102362782B1
公开(公告)日：2022-02-11
申请号：KR1020190168215
申请日：2019-12-16
IPC分类号： C01G41/04 , C23C16/14
摘要： 텅스텐헥사클로라이드및 텅스텐펜타클로라이드와같은응축가능한금속할라이드물질이화학기상증착(CVD) 또는원자층증착공정에서금속또는금속함유막을증착하는데 사용될수 있다. 본원에는고순도텅스텐헥사클로라이드및 텅스텐펜타클로라이드시스템및 텅스텐헥사클로라이드및 텅스텐펜타클로라이드원료를정제하는방법이기술된다. 10 ppm 미만, 바람직하게는 5 ppm 미만, 더욱바람직하게는 1 ppm 미만, 및가장바람직하게는 0.5 ppm 미만의철 및/또는몰리브덴; 및 10 ppm 미만, 바람직하게는 5 ppm 미만의알루미늄, 칼륨및 나트륨을포함하나이로제한되는것은아닌조합된다른모든미량금속을함유하는정제된텅스텐헥사클로라이드및 텅스텐펜타클로라이드가제공된다.

62. 发明公开

KR1020170138950A 금속성 막들의 선택적 퇴적 审中-实审
标题翻译：金属膜的选择性沉积
公开(公告)号：KR1020170138950A
公开(公告)日：2017-12-18
申请号：KR1020170070775
申请日：2017-06-07
申请人： 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.
发明人： 천상 , 와타라이토시하루 , 오누마타카히로 , 이시카와다이 , 남바쿠니토시
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/44 , C23C16/04 , C23C16/14 , H01L21/768 , H01L21/285
CPC分类号： H01L21/7685 , C23C16/04 , C23C16/08 , C23C16/4404 , C23C16/45523 , H01L21/28562 , H01L21/32051 , H01L21/32055 , H01L21/76823 , H01L21/76826 , H01L21/76849 , H01L21/76883 , H01L23/53228 , H01L23/53266
摘要： 금속성층들은기판의제2 표면에대하여상기기판의일 표면상에선택적으로퇴적될수 있다. 일부실시예들에서, 상기금속성층들은실리콘을포함하는제2 표면에대하여제1 금속성표면상에선택적으로퇴적된다. 일부실시예들에서, 상기선택적퇴적공정을수행하는단계이전에상기선택적퇴적이일어나는상기반응챔버는임의적으로패시베이션될수 있다. 일부실시예들에서, 약 50% 이상의, 또는약 90%의선택비가달성된다.
摘要翻译：金属层可以选择性地沉积在基板的一个表面上，相对于基板的第二表面。在一些实施例中，金属层相对于包括硅的第二表面选择性地沉积在第一金属表面上。在一些实施例中，其中在执行选择性沉积工艺的步骤之前发生选择性沉积的反应室可以被任意钝化。在一些实施例中，实现了约50％或更多，或约90％的选择比率。

63. 发明公开

KR1020170123752A 가압식 금속 단원자층 제조 방법, 금속 단원자층 구조체 및 가압식 금속 단원자층 제조 장치 审中-实审
公开(公告)号：KR1020170123752A
公开(公告)日：2017-11-09
申请号：KR1020160052633
申请日：2016-04-29
申请人： 한양대학교 산학협력단
发明人： 한규석 , 김홍범 , 성명모
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/44 , C23C16/52 , C23C16/14
CPC分类号： C23C16/14 , C23C16/44 , C23C16/455 , C23C16/52 , C23C16/4408 , C23C16/45534 , C23C16/45553 , C23C16/45559 , C23C16/45585 , C23C2222/20
摘要： 가압식금속단원층제조방법이제공된다. 본발명의일 실시예에따른가압식금속단원자층제조방법은, 기판이마련된챔버내를밀폐시킨상태에서, 금속전구체로이루어진금속전구체가스를제공함으로써, 상기챔버내의압력을증가시켜, 상기금속전구체를상기기판에흡착시키는금속전구체가스가압도징(dosing) 단계, 상기금속전구체가압도징단계이후, 퍼지시키는메인퍼징(main purging) 단계, 상기메인퍼징단계후에, 반응가스를제공하여, 상기기판에흡착된금속전구체를금속단원자층으로환원하는반응가스도징단계및 상기반응가스도징단계이후, 퍼지시키는메인퍼징단계를포함하여이루어질수 있다.

64. 发明授权

KR101290957B1 성막 방법 및 성막 장치 有权
标题翻译：电影形成方法和电影制作装置
公开(公告)号：KR101290957B1
公开(公告)日：2013-07-30
申请号：KR1020110098074
申请日：2011-09-28
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 누노시게유우 , 야마사끼히데아끼
IPC分类号： H01L21/283 , C23C16/14 , C23C16/44
摘要： 본 발명의 과제는 반응 율속 영역에서 성막 반응을 일으키게 함으로써, 어스펙트비가 큰 콘택트 홀이라도, 보다 얇고 커버리지가 양호한 티탄막을 성막하여, 콘택트 홀의 저항을 저감시키는 것이다.
기판(W)을 적재하는 서셉터(112)와, 처리 가스를 처리실(111) 내에 공급하는 샤워 헤드(120)와, 플라즈마를 생성하기 위한 고주파를 소정의 파워로 샤워 헤드에 공급하는 고주파 전원(143)과, 처리실 내를 배기하여 소정의 압력으로 감압하는 배기 장치(152)와, 티탄막의 성막 처리에 적용하려고 하는 성막 가스의 유량이, 성막 처리의 반응 율속 영역에 들어가도록, 환원 가스의 유량, 처리실 내의 압력, 고주파 파워 중 어느 하나를 바꿈으로써, 상기 반응 율속 영역을 제어하는 제어부(190)를 설치하였다.

65. 发明公开

KR1020120120709A 절삭공구용 코팅층 有权
标题翻译：用于切割工具的涂层
公开(公告)号：KR1020120120709A
公开(公告)日：2012-11-02
申请号：KR1020110038445
申请日：2011-04-25
申请人： 한국야금 주식회사
发明人： 조성우 , 김한성 , 이동열 , 한대석 , 서영호 , 안선용 , 박동복
IPC分类号： C23C16/12 , C23C16/14 , B23B27/14
摘要： PURPOSE: A coating layer for a cutting tool is provided to extend the service life of a cutting tool because of an alumina layer including both columnar and equiaxed crystal. CONSTITUTION: A coating layer for a cutting tool comprises a first layer which is formed of AlxTiySizCrwN on a base material, where x+y+z+w=1, x≥0.75, y≥0.05, 0
摘要翻译：目的：提供用于切削工具的涂层，以延长切削工具的使用寿命，因为包括柱状和等轴晶体的氧化铝层。构成：用于切削工具的涂层包括在基体材料上由Al x Ti y S z Cr w N形成的第一层，其中x + y + z + w = 1，x＆ge; 0.75，y＆ge; 0.05,0

66. 发明公开

KR1020120092097A 게르마늄 함유 막 침착을 위한 디할라이드 게르마늄(Ⅱ) 전구체 有权
标题翻译：二卤化锗（II）含锗含量沉积物的前驱体
公开(公告)号：KR1020120092097A
公开(公告)日：2012-08-20
申请号：KR1020127005428
申请日：2010-09-02
申请人： 레르 리키드 쏘시에떼 아노님 뿌르 레뜌드 에렉스뿔라따시옹 데 프로세데 조르즈 클로드
发明人： 가티노줄리앙 , 자우너안드레아스 , 이시이하나
IPC分类号： C07F9/50 , C07F9/70 , C07D211/12 , C23C16/14
CPC分类号： C07D211/12 , C07D213/16 , C07F7/003 , C07F9/5045 , C07F9/703 , C23C16/305 , C23C16/45531 , C23C16/45553 , C23C16/14
摘要： GeX
2 -L
n 분자가 개시되고, 여기서 X는 할라이드이고, L은 C
4 H
8 O
2 이외의 부가물이고, 0.5≤n≤2이다. 이들 분자는 GeCl
2 -디옥산에 비해 낮은 융점 및/또는 증가된 휘발성을 가진다. 박막, 예를 들어 칼코게나이드, SiGe 및 GeO
2 막의 침착을 위한 그러한 분자의 용도가 또한 개시된다.

67. 发明公开

KR1020120033264A 성막 방법 및 성막 장치 有权
标题翻译：电影形成方法和电影制作装置
公开(公告)号：KR1020120033264A
公开(公告)日：2012-04-06
申请号：KR1020110098074
申请日：2011-09-28
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 누노시게유우 , 야마사끼히데아끼
IPC分类号： H01L21/283 , C23C16/14 , C23C16/44
CPC分类号： H01L21/28556 , C23C16/45565 , C23C16/505 , H01L21/76843
摘要： PURPOSE: A film formation method and a film formation apparatus using the same are provided to directly arrange a film for a contact plug on a Ti film, thereby reducing manufacturing costs by increasing throughput. CONSTITUTION: A susceptor(112) for horizontally supporting a substrate(W) is installed within a process chamber(111). A guide ring(114) for guiding the substrate is installed on the outer boundary part of the susceptor. A heater(115) and a heater power source(140) arranges a temperature control device. A shower head(120) is installed on a ceiling wall(111A) of the process chamber through an insulating member(119). The shower head is comprised of a base member(121) and a shower plate(122) installed in the lower side of the base member.
摘要翻译：目的：提供一种成膜方法和使用该成膜方法的成膜装置，用于在Ti膜上直接布置用于接触塞的膜，从而通过提高生产量来降低制造成本。构成：用于水平支撑衬底（W）的感受器（112）安装在处理室（111）内。用于引导基板的引导环（114）安装在基座的外边界部分上。加热器（115）和加热器电源（140）布置温度控制装置。淋浴头（120）通过绝缘构件（119）安装在处理室的顶壁（111A）上。淋浴头包括安装在基部构件的下侧的基部构件（121）和淋浴板（122）。

68. 发明授权

KR101130897B1 성막 방법 및 성막 장치 失效
公开(公告)号：KR101130897B1
公开(公告)日：2012-03-28
申请号：KR1020087027767
申请日：2007-05-16
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 다치바나미츠히로 , 니시모리다카시
IPC分类号： C23C16/14 , C23C16/34 , H01L21/28 , H01L21/285
CPC分类号： C23C16/45525 , C23C16/14 , C23C16/45544 , H01L21/28556
摘要： 본 발명은, 진공 배기가 가능하게 이루어진 처리 용기 내에 피처리체를 탑재하는 공정, 및 상기 처리 용기 내로 텅스텐 함유 가스와 환원 가스를 공급함과 아울러, 상기 환원 가스를 가열된 촉매체에 의해서 활성화시켜, 상기 피처리체의 표면에 텅스텐막을 형성하는 성막 공정을 구비한 것을 특징으로 하는 성막 방법이다.

69. 发明公开

KR20120007949A HIGH-K DIELECTRIC FILMS AND METHODS OF PRODUCING USING CERIUM-BASED β-DIKETONATE PRECURSORS 审中-公开
标题翻译：高K电介质膜和使用基于CERIUM的β-二酮前体的生产方法
公开(公告)号：KR20120007949A
公开(公告)日：2012-01-25
申请号：KR20107028956
申请日：2009-05-22
申请人： SIGMA ALDRICH CO
发明人： CHALKER PAUL RAYMOND , HEYS PETER NICHOLAS
IPC分类号： C23C16/14
CPC分类号： C23C16/405 , C23C16/45553 , C23C16/14 , C23C16/40
摘要： 본 발명은 금속-소스 전구체 및 식 I에 따른 세륨계 β-디케토네이트 전구체를 이용하는 화학적 상 증착 공정에 의해 높은 κ값의 유전성 막을 형성하고 안정화시키는 방법을 제공한다: Ce(L)
x (식 I), 식에서, L은 β-디케토네이트이고; x는 3 또는 4임. 본 발명은 또한, 식 I에 따른 세륨 전구체를 사용함으로써, 반도체 장치의 높은 κ값의 게이트 성질을 향상시키는 방법을 제공한다. 또한, 산화하프늄, 산화티타늄 또는 이것들의 혼합물을 포함하고, 유전율을 유지 또는 증가시키는 양의 세륨 원자를 추가로 함유하는, 높은 κ값의 유전성 막이 제공된다.

70. 发明授权

KR101037058B1 반도체 디바이스 제조 방법 失效
标题翻译：制造半导体器件的方法
公开(公告)号：KR101037058B1
公开(公告)日：2011-05-26
申请号：KR1020090004577
申请日：2009-01-20
申请人： 르네사스 일렉트로닉스 가부시키가이샤
发明人： 가리야아츠시
IPC分类号： C23C16/14 , H01L21/3205
CPC分类号： H01L21/76876 , H01L21/28556 , H01L21/76843 , H01L21/76877 , H01L21/76895 , H01L23/485
摘要： 절연층에 홀을 형성한다. 반도체 기판은 330 ℃ 내지 400 ℃ 의 온도에서 가열된다. 텅스텐-함유 가스, 및 B
2 H
6 가스와 SiH
4 가스 중 적어도 하나의 가스가 반응 챔버 내로 도입되어, 제 1 텅스텐층을 형성한다. 그 다음에, H
2 가스 및 비활성 가스가 반응 챔버 내로 도입되고, 반도체 기판의 온도가 30 초 이상의 시간으로 370 ℃ 내지 410 ℃ 까지 상승되며, 텅스텐-함유 가스가 반응 챔버로 도입되어, 그에 의해, 제 1 텅스텐층 상에 제 2 텅스텐층을 형성한다.
텅스텐층, 텅스텐 함유 가스, 콘택트 플러그, 채움 정도
摘要翻译：在绝缘层中形成孔。将半导体衬底在等于或高于330℃并等于或小于400℃的温度下加热。将含钨气体和至少一种B2H6气体和SiH4气体引入反应室，从而形成第一钨层。随后，将H2气体和惰性气体中的至少一种引入反应室，半导体衬底的温度升高至等于或大于370℃并且等于或小于410℃，具有30或更多秒，含钨气体被引入到反应室中，从而在第一钨层上形成第二钨层。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式