基本信息:
- 专利标题： 반도체 디바이스 제조 방법
- 专利标题（英）：Method for manufacturing semiconductor device
- 专利标题（中）：制造半导体器件的方法
- 申请号：KR1020090004577 申请日：2009-01-20
- 公开(公告)号：KR101037058B1 公开(公告)日：2011-05-26
- 发明人： 가리야아츠시
- 申请人： 르네사스 일렉트로닉스 가부시키가이샤
- 申请人地址： *-**, Toyosu *-chome, Koutou-ku, Tokyo, Japan
- 专利权人： 르네사스 일렉트로닉스 가부시키가이샤
- 当前专利权人： 르네사스 일렉트로닉스 가부시키가이샤
- 当前专利权人地址： *-**, Toyosu *-chome, Koutou-ku, Tokyo, Japan
- 代理人： 특허법인코리아나
- 优先权： JPJP-P-2008-118516 2008-04-30
- 主分类号： C23C16/14
- IPC分类号： C23C16/14 ; H01L21/3205
摘要：
절연층에 홀을 형성한다. 반도체 기판은 330 ℃ 내지 400 ℃ 의 온도에서 가열된다. 텅스텐-함유 가스, 및 B
2 H
6 가스와 SiH
4 가스 중 적어도 하나의 가스가 반응 챔버 내로 도입되어, 제 1 텅스텐층을 형성한다. 그 다음에, H
2 가스 및 비활성 가스가 반응 챔버 내로 도입되고, 반도체 기판의 온도가 30 초 이상의 시간으로 370 ℃ 내지 410 ℃ 까지 상승되며, 텅스텐-함유 가스가 반응 챔버로 도입되어, 그에 의해, 제 1 텅스텐층 상에 제 2 텅스텐층을 형성한다.
텅스텐층, 텅스텐 함유 가스, 콘택트 플러그, 채움 정도
摘要（中）：
2 H
6 가스와 SiH
4 가스 중 적어도 하나의 가스가 반응 챔버 내로 도입되어, 제 1 텅스텐층을 형성한다. 그 다음에, H
2 가스 및 비활성 가스가 반응 챔버 내로 도입되고, 반도체 기판의 온도가 30 초 이상의 시간으로 370 ℃ 내지 410 ℃ 까지 상승되며, 텅스텐-함유 가스가 반응 챔버로 도입되어, 그에 의해, 제 1 텅스텐층 상에 제 2 텅스텐층을 형성한다.
텅스텐층, 텅스텐 함유 가스, 콘택트 플러그, 채움 정도
在绝缘层中形成孔。 将半导体衬底在等于或高于330℃并等于或小于400℃的温度下加热。将含钨气体和至少一种B2H6气体和SiH4气体引入反应室，从而 形成第一钨层。 随后，将H2气体和惰性气体中的至少一种引入反应室，半导体衬底的温度升高至等于或大于370℃并且等于或小于410℃，具有30或更多 秒，含钨气体被引入到反应室中，从而在第一钨层上形成第二钨层。
摘要（英）：
To form a hole in the insulating layer. The semiconductor substrate is heated at a temperature of 330 ℃ to 400 ℃. Tungsten-containing gas is introduced into, and B 2 H 6 gas and SiH 4 gas of at least one of the gas reaction chamber, to form the first tungsten layer. Next, is introduced into the H 2 gas and an inert gas, the reaction chamber, and the temperature of the semiconductor substrate increases to 370 ℃ to 410 ℃ to 30 seconds or more time, the tungsten-contained gas is introduced into the reaction chamber, whereby, to form a second tungsten layer on the first tungsten layer. A tungsten layer, a tungsten-containing gas, a contact plug, the fill degree
公开/授权文献:
- KR1020090115042A 반도체 디바이스 제조 방법 公开/授权日：2009-11-04