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61. 发明公开

KR1020090070551A 잉곳 직경 조절장치 및 잉곳 성장방법 有权
标题翻译：使用单晶硅和单晶生长方法的直径控制装置
公开(公告)号：KR1020090070551A
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：KR1020070138592
申请日：2007-12-27
申请人： 에스케이실트론 주식회사
发明人： 신승호 , 조현정 , 문지훈
IPC分类号： C30B33/00 , C30B15/20 , B28D5/00
摘要： An ingot diameter controlling apparatus and an ingot growing method are provided to produce the diameter of the ingot accurately by compensating the diameter or changing the sensing region of a sensor according to a melt gap. A sensor unit(610) senses the property of the meniscus which is the contact surface of a growing ingot(670) and a silicon solution(660) of a quartz furnace(650). A compensation unit produces a diameter compensation value to compensate the diameter of the ingot according to the change of the melt gap. A diameter producing unit(620) produces the diameter of the ingot through the compensation value of the diameter by the compensation unit and the property of the meniscus sensed by the sensor unit. A controller(640) controls the diameter of the ingot based on the diameter of the ingot produced through the diameter producing unit.
摘要翻译：提供锭直径控制装置和锭生长方法，以通过根据熔体间隙补偿传感器的直径或改变感测区域来精确地产生锭的直径。传感器单元（610）感测作为生长锭（670）和石英炉（650）的硅溶液（660）的接触表面的弯液面的性质。补偿单元产生直径补偿值，以根据熔体间隙的变化来补偿锭的直径。直径产生单元（620）通过补偿单元的直径的补偿值和由传感器单元感测的弯液面的性质来产生锭的直径。控制器（640）基于通过直径产生单元产生的锭的直径来控制锭的直径。

62. 发明公开

KR1020090034534A 극저결함 반도체 단결정의 제조방법 및 그 제조 장치 无效
标题翻译：制造超低缺陷半导体单晶及其相同装置的方法
公开(公告)号：KR1020090034534A
公开(公告)日：2009-04-08
申请号：KR1020070099804
申请日：2007-10-04
申请人： 에스케이실트론 주식회사
发明人： 홍영호 , 조현정 , 이성영 , 신승호 , 이홍우
IPC分类号： C30B15/20 , H01L21/20
CPC分类号： C30B15/14 , C30B15/203 , C30B15/206 , C30B29/06
摘要： A method and device of manufacturing the ultra low deformity semiconductor crystal are provided to control the cooling efficiency of single crystal per length and to increase defectless margin. The semiconductor melt is put in the quartz crucible. The seed is held in the semiconductor melt. The seed are rotated and is gradually pull up. Therefore, the semiconductor crystal is grown up through the solid/liquid interface. The defectless margin is controlled corresponding to the length change of single crystal, the upper heat space of the semiconductor melt's surface is reduced or increased.
摘要翻译：提供制造超低畸变半导体晶体的方法和装置，以控制每个长度单晶的冷却效率并增加无缺陷余量。将半导体熔体放入石英坩埚中。种子保持在半导体熔体中。种子旋转并逐渐拉起。因此，半导体晶体通过固/液界面长大。对应于单晶长度变化控制无缺陷边缘，半导体熔体表面的上部加热空间减小或增加。

63. 发明授权

KR100840751B1 고품질 실리콘 단결정 잉곳 제조 방법, 성장 장치 및그로부터 제조된 잉곳 , 웨이퍼 有权
标题翻译：高品质硅单晶锭生产方法，用于生长的装置，锭和晶片
公开(公告)号：KR100840751B1
公开(公告)日：2008-06-24
申请号：KR1020050068097
申请日：2005-07-26
申请人： 에스케이실트론 주식회사
发明人： 조현정 , 홍영호
IPC分类号： C30B15/00
CPC分类号： C30B15/30 , C30B29/06 , C30B30/04 , Y10T117/1052 , Y10T117/1068 , Y10T117/1072 , Y10T117/1088
摘要： 본 발명은 고품질의 실리콘 단결정 잉곳을 고생산성으로 제조하는 기술에 관한 것으로, 쵸크랄스키 법으로 실리콘 단결정 잉곳을 성장시키는 방법에 있어서, 산소 용출 부위와 고액계면 부위의 자장 세기를 다르게 제어함으로써 산소 농도를 원하는 값으로 제어하는 실리콘 단결정 잉곳 성장 방법을 제공한다.
산소 농도, 점결함, 융액, 온도, 자기장

64. 发明授权

KR100793950B1 실리콘 단결정 잉곳 및 그 성장방법 有权
标题翻译：硅晶单晶及其制造方法
公开(公告)号：KR100793950B1
公开(公告)日：2008-01-16
申请号：KR1020050068482
申请日：2005-07-27
申请人： 에스케이실트론 주식회사
发明人： 홍영호 , 곽만석 , 최일수 , 조현정 , 이홍우
IPC分类号： C30B15/20
摘要： 실리콘 단결정 잉곳 및 그 성장방법이 개시된다. 개시된 실리콘 단결정 잉곳 성장방법은, 쵸크랄스키(CZ) 법에 의하여 실리콘 융액으로부터 단결정을 인상(引上)하는 실리콘 단결정 성장장치 외부측에 배치된 코일에 의하여 인가되는 자기장을 이용하는 실리콘 단결정을 제조하는 방법에 있어서, 상기 코일에 의하여 인가되는 자기장의 비율 및 세기를 조절하여 ZGP(Zero Gauss Plane)이 상기 실리콘 융액 표면 상부에 위치되도록 한 것을 그 특징으로 한다.
본 발명에 따르면, 중소구경뿐만 아니라 200mm이상의 대구경 단결정을 제조하는 쵸크랄스키 법에서 비대칭 자기장 제어를 통해 다양하게 요구되는 산소농도 수준을 추가적인 핫존(H/Z) 및 파라미터 교체 등과 같은 손실 없이 결정 길이 방향으로 균일한 분포의 산소농도를 제어할 수 있는 이점이 있다.
ZGP(Zero Gauss Plane), 단결정, 웨이퍼

65. 发明公开

KR1020070070698A 실리콘 단결정 성장 방법 有权
标题翻译：通过控制拉拔速率对单晶硅的单晶的方法
公开(公告)号：KR1020070070698A
公开(公告)日：2007-07-04
申请号：KR1020050133518
申请日：2005-12-29
申请人： 에스케이실트론 주식회사
发明人： 조현정
IPC分类号： H01L21/208
CPC分类号： C30B15/203
摘要： A method for growing a silicon single crystal of uniform quality is provided to increase the productivity of a silicon single crystal with a high quality by effectively controlling an average pull-up speed of a silicon single crystal. When a silicon single crystal is pulled up, the diffusion of vertical point defect in a predetermined cooling section wherein the pull-up speed of the silicon single crystal can be controlled averagely in the predetermined cooling section. The cooling section can be an arbitrary section in which a pulled-up silicon single crystal is grown and the pulled-up silicon single crystal is to be grown.
摘要翻译：通过有效地控制硅单晶的平均上拉速度，提供了用于生长均匀质量的硅单晶的方法，以通过高质量提高硅单晶的生产率。当单晶硅被拉起时，在预定的冷却部分中可以平均地控制硅单晶的上拉速度的预定冷却部分中的垂直点缺陷的扩散。冷却部可以是生长上拉硅单晶并且上拉硅单晶生长的任意部分。

66. 发明公开

KR1020070063150A 연마용 정반, 이를 사용한 연마장치 및 연마방법 有权
标题翻译：抛光板和抛光装置，使用它的抛光方法
公开(公告)号：KR1020070063150A
公开(公告)日：2007-06-19
申请号：KR1020050123103
申请日：2005-12-14
申请人： 에스케이실트론 주식회사
发明人： 편도선 , 이재복 , 엄일수 , 조현정
IPC分类号： B24B37/11 , B24B37/015 , B24B37/04
CPC分类号： B24B37/04 , B24B37/015 , B24B37/11 , B24B55/02
摘要： A polishing plate, and polishing apparatus and a polishing method using the polishing plate are provided to keep flatness of the polishing plate and considerably improve work yield by processing a work with high efficiency and accuracy. A polishing plate includes materials having different coefficients of thermal expansion. One of the material has a 0.6~3.6 X 10-6/degree of a coefficient of thermal expansion. An other of the material has an 8.2~12.2 X10-6/degree of a coefficient of thermal expansion. One of the material is an alloy of Fe-Ni or Fe(Ni+Co). A temperature control unit is included in the polishing plate. A polishing pad is adhered on the polishing plate.
摘要翻译：提供抛光板，抛光装置和使用该抛光板的抛光方法以保持抛光板的平整度，并通过以高效率和精确度的方式处理工件，显着地提高了成品率。抛光板包括具有不同热膨胀系数的材料。其中一种材料具有0.6〜3.6 X 10-6 /度的热膨胀系数。另一种材料具有8.2〜12.2 X10-6 /度的热膨胀系数。其中一种材料是Fe-Ni或Fe（Ni + Co）的合金。抛光板中包括温度控制单元。抛光垫粘附在抛光板上。

67. 发明授权

KR100606997B1 실리콘 웨이퍼 및 실리콘 단결정 잉곳의 제조 방법 有权
标题翻译：硅晶片和硅单晶的制造方法
公开(公告)号：KR100606997B1
公开(公告)日：2006-07-31
申请号：KR1020030080998
申请日：2003-11-17
申请人： 에스케이실트론 주식회사
发明人： 조현정 , 이홍우 , 정진수 , 김선미
IPC分类号： C30B15/20
摘要： 본 발명은 쵸크랄스키 법에 따라 실리콘 단결정 잉곳을 성장시키는 방법에 관한 것으로, 이로부터 제조된 실리콘 웨이퍼는 매우 균일한 면내 품질을 가질 수 있으며, 따라서 반도체 디바이스 수율을 향상시킬 수 있다.
본 발명에 따른 실리콘 단결정 잉곳 제조방법은, 쵸크랄스키 법에 의해 실리콘 단결정 잉곳을 제조함에 있어서, 실리콘 융액의 대류를 중심 셀과 외주 셀로 구분할 때, 중심 셀의 최대 수평 방향 폭이 실리콘 융액의 표면 반지름에 대해 30 내지 60% 인 상태에서 실리콘 단결정 잉곳을 성장시킨다. 또한, 중심 셀의 최대 수직 방향 깊이가 실리콘 융액의 최대 깊이에 대해 50% 보다 크거나 같은 상태에서 실리콘 단결정 잉곳을 성장시키는 것이 바람직하다.
실리콘 단결정 잉곳, 실리콘 융액, 대류

68. 发明公开

KR1020060059435A 실리콘 단결정 잉곳 및 그로부터 제조된 실리콘 웨이퍼 有权
标题翻译：硅单晶的生长方法，其生长装置和硅波
公开(公告)号：KR1020060059435A
公开(公告)日：2006-06-02
申请号：KR1020040098530
申请日：2004-11-29
申请人： 에스케이실트론 주식회사
发明人： 조현정
IPC分类号： C30B15/20 , H01L21/208
摘要： 고품질의 실리콘 단결정을 높은 성장속도로 제조하는 기술에 관한 것으로, 본 발명에서는 쵸크랄스키 법에 의해 실리콘 단결정을 성장시키는 방법에 있어서, 실리콘 융액의 온도기울기를 단결정의 반경 방향과 평행한 축을 따라 측정할 때, 측정된 최대 온도기울기를 ΔTmax 라 하고 최소 온도기울기를 ΔTmin 라 하면 {(ΔTmax-ΔTmin)/ΔTmin}×100 ≤ 10을 만족시키는 조건으로 실리콘 단결정을 성장시키는 실리콘 단결정 성장 방법을 제공한다.
실리콘, 점결함, 융액, 온도

69. 发明授权

KR100400645B1 단결정 실리콘 웨이퍼, 잉곳 및 그 제조방법 有权
标题翻译： 단결정실리콘웨이퍼，잉곳및그제조방법
公开(公告)号：KR100400645B1
公开(公告)日：2003-10-08
申请号：KR1020000053188
申请日：2000-09-07
申请人： 에스케이실트론 주식회사
发明人： 이홍우 , 최준영 , 조현정 , 유학도
IPC分类号： C30B29/06 , H01L21/02
CPC分类号： C30B29/06 , C30B15/203 , C30B15/206 , Y10T428/24992
摘要： The present invention relates to a single crystalline silicon ingot by Czochralski method and, more particularly, to a single crystalline silicon ingot, a wafer and a method of producing a single crystalline silicon ingot in which an oxidation-induced stacking fault ring is distributed widely and which has an agglomerated vacancy point defect area of low density wherein DSOD exists only, without FPD. Accordingly, an oxidation-induced stacking fault area having a micro-vacancy defect area of low density is distributed widely from the ingot edge to the ingot center in a single crystalline silicon ingot and a wafer fabricated by the present invention. As the micro-vacancy defect area has no FPD but may have DSOD, a coarsely agglomerated vacancy point defect area in which FPD and DSOD cohabit is shrunken or even eliminated. Therefore, the present invention improves the product quality as well as device yield.
摘要翻译：本发明涉及采用切克劳斯基法的单晶硅锭，并且更具体地涉及单晶硅锭，晶片和生产单晶硅锭的方法，其中氧化诱导的堆垛层错环被广泛分布并且其具有低密度的聚集的空缺点缺陷区域，其中仅DSOD存在而没有FPD。因此，在本发明制造的单晶硅锭和晶片中，具有低密度的微空缺缺陷区域的氧化诱导堆垛层错区域从锭块边缘向锭块中心广泛分布。由于微空缺缺陷区域没有FPD，但可能有DSOD，这是一个粗大聚集的空缺点缺陷区域，其中FPD和DSOD同心收缩甚至消失。因此，本发明提高了产品质量以及装置产量。

70. 发明公开

KR1020030033424A 실리콘 단결정 잉곳 제조시 질소 도핑방법과 실리콘 단결정 잉곳 성장장치 및 질소도핑용 첨가제 有权
标题翻译：硅晶单晶生长期氮掺杂法，硅晶单晶生长装置，氮掺杂添加剂
公开(公告)号：KR1020030033424A
公开(公告)日：2003-05-01
申请号：KR1020010065186
申请日：2001-10-22
申请人： 에스케이실트론 주식회사
发明人： 조현정 , 박봉모 , 최일수
IPC分类号： C30B15/04
摘要： PURPOSE: A method for effectively doping nitrogen into silicon melt during growing of silicon single crystalline ingot, a silicon single crystalline ingot growing apparatus for growing nitrogen doped silicon single crystalline ingot, and an additive for nitrogen doping are provided. CONSTITUTION: In a nitrogen doping method for manufacturing a nitrogen doped silicon single crystalline ingot, the nitrogen doping method during growing of silicon single crystalline ingot comprises the steps of forming a nitride film on the inner wall of a quartz crucible of the outer housing of a silicon single crystalline ingot growing apparatus; and heating the quartz crucible so that nitrogen is doped by mixing nitrogen of the nitride film with silicon melt, thereby melting nitrogen into the silicon melt. In a silicon single crystalline ingot growing apparatus for growing a silicon single crystalline ingot with silicon melt contained in a quartz crucible(12) inside an outer housing(10), the silicon single crystalline ingot growing apparatus is characterized in that a nitrogen doping nitride film(22) for doping nitrogen into a silicon melt during growing of silicon single crystalline ingot is attached to the inner wall of the quartz crucible, wherein the nitrogen doping nitride film is formed on the inner wall of the quartz crucible having the highest temperature, wherein the nitrogen doping nitride film is formed of a mixed solution of ammonia water and silicon nitride powder. In an additive for doping nitrogen into a silicon melt during a silicon single crystalline ingot, the additive for nitrogen doping is characterized in that an amorphous nitride film is formed on polycrystalline silicon or silicon substrate.
摘要翻译：目的：提供在硅单晶锭生长期间有效地将氮掺杂到硅熔体中的方法，用于生长氮掺杂硅单晶锭的硅单晶锭生长装置和用于氮掺杂的添加剂。构成：在用于制造氮掺杂硅单晶锭的氮掺杂方法中，在硅单晶锭生长期间的氮掺杂方法包括以下步骤：在外壳的石英坩埚的内壁上形成氮化物膜硅单晶锭生长装置; 并加热石英坩埚，以便通过将氮化物膜的氮与硅熔体混合来掺杂氮，由此将氮熔化成硅熔体。在硅单晶锭生长装置中，硅单晶锭生长装置的特征在于氮掺杂氮化物膜，其中硅单晶锭包含在外壳体（10）内的石英坩埚（12）中，在硅单晶锭的生长期间将氮掺杂到硅熔体中的（22）被附着到石英坩埚的内壁，其中氮掺杂氮化物膜形成在具有最高温度的石英坩埚的内壁上，其中氮掺杂氮化物膜由氨水和氮化硅粉末的混合溶液形成。在用于在硅单晶锭期间将氮掺杂到硅熔体中的添加剂中，用于氮掺杂的添加剂的特征在于在多晶硅或硅衬底上形成非晶态氮化物膜。

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