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61. 发明公开

KR1020100132975A 상 변화 메모리 적응형 프로그래밍 有权
标题翻译：相变记忆自适应编程
公开(公告)号：KR1020100132975A
公开(公告)日：2010-12-20
申请号：KR1020107022856
申请日：2009-03-13
申请人： 마이크론 테크놀로지, 인크.
发明人： 리우,준
IPC分类号： G11C13/02 , G11C16/34 , G11C16/10
CPC分类号： G11C13/0004 , G11C11/56 , G11C11/5678 , G11C13/0064 , G11C13/0069 , G11C2013/0076 , G11C2013/0083 , G11C2013/0092 , G11C2213/72 , G11C2213/79
摘要： Some embodiments include methods and apparatus having a module configured to program a memory cell using a signal to cause the memory cell to have a programmed resistance value, to adjust a programming parameter value of the signal if the programmed resistance value is outside a target resistance value range, and to repeat at least one of the programming and the adjusting if the programmed resistance value is outside the target resistance value range, the signal including a different programming parameter value each time the programming is repeated.

62. 发明公开

KR1020100127825A 수축 구조를 갖는 상 변화 메모리 셀 有权
标题翻译：相位变化记忆体与调制结构
公开(公告)号：KR1020100127825A
公开(公告)日：2010-12-06
申请号：KR1020107022867
申请日：2009-03-13
申请人： 마이크론 테크놀로지, 인크.
发明人： 리우,준 , 바이올렛,마이클,피.
IPC分类号： H01L27/115 , H01L21/8247
CPC分类号： H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/1246 , H01L45/1253 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/148 , H01L45/1608 , H01L45/1675 , H01L45/1683 , H01L45/141
摘要： 일부 실시예들은 제 1 전극 및 제 2 전극, 그리고 상기 제 1 및 제 2 전극들과 직접적으로 접촉하는 메모리 소자를 갖는 메모리 셀을 가지는 장치들 및 방법들을 포함한다. 상기 메모리 소자는 다수의 상들 사이에서 변화하도록 구성되는 물질을 갖는 프로그래밍 가능한 부분을 포함할 수 있다. 상기 프로그래밍 가능한 부분은 상기 메모리 소자의 제 1 부분에 의해 상기 제 1 전극으로부터 격리될 수 있고, 상기 메모리 소자의 제 2 부분에 의해 상기 제 2 전극으로부터 격리될 수 있다.

63. 发明公开

KR1020100127773A 다중 메모리 셀들 및 방법 有权
标题翻译：多个记忆细胞和方法
公开(公告)号：KR1020100127773A
公开(公告)日：2010-12-06
申请号：KR1020107019843
申请日：2009-02-05
申请人： 마이크론 테크놀로지, 인크.
发明人： 리우,준
IPC分类号： H01L27/115 , H01L21/8247
CPC分类号： G11C13/0004 , C07D213/81 , C07D401/06 , C07D401/12 , C07D401/14 , G11C5/025 , G11C5/063 , G11C13/0023 , G11C13/003 , G11C2213/72 , G11C2213/74 , G11C2213/78 , G11C2213/79 , H01L27/1021 , H01L45/06
摘要： 판독 및 기록과 같은 동작들에 대한 개선된 셀 절연을 포함하는 개선점들을 제공하는 메모리 소자들 및 방법들이 설명되고 도시되어 있다. 또한, 각각의 액세스 트랜지스터와 관련된 다중 셀들을 갖는 소자들을 관리하기 위한 간단하고 효율적인 방식을 제공하는, 셀들을 어드레싱하고 액세스하는 방법들 및 소자들이 도시되어 있다. 다중 셀 소자들의 예들은 각각의 액세스 트랜지스터와 관련된 다중 셀들을 갖는 상 변화 메모리 소자들을 포함한다.

64. 发明公开

KR1020100084562A 플로팅 바디 전계효과 트랜지스터들 및 플로팅 바디 전계효과 트랜지스터들의 형성 방법들 有权
标题翻译：浮动体现场效应晶体管及其形成浮体现场效应晶体管的方法
公开(公告)号：KR1020100084562A
公开(公告)日：2010-07-26
申请号：KR1020107011379
申请日：2008-09-19
申请人： 마이크론 테크놀로지, 인크.
发明人： 리우,준 , 리,디 , 바이올렛,마이클피. , 몰리,찬드라 , 키쉬,하워드
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/335 , H01L27/115 , H01L21/8247
CPC分类号： H01L27/1203 , H01L27/10802 , H01L29/66477 , H01L29/7841 , H01L2924/0002 , H01L27/115 , H01L2924/00
摘要： In one embodiment, a floating body field-effect transistor includes a pair of source/drain regions having a floating body channel region received therebetween. The source/drain regions and the floating body channel region are received over an insulator. A gate electrode is proximate the floating body channel region. A gate dielectric is received between the gate electrode and the floating body channel region. The floating body channel region has a semiconductor SixGe(1_X)-comprising region. The floating body channel region has a semiconductor silicon-comprising region received between the semiconductor SixGe(1_X)-comprising region and the gate dielectric. The semiconductor SixGe(1_X)-comprising region has greater quantity of Ge than any quantity of Ge within the semiconductor silicon-comprising region. Other embodiments are contemplated, including methods of forming floating body field-effect transistors.
摘要翻译：在一个实施例中，浮体场效应晶体管包括一对在其间容纳浮体通道区的源/漏区。源极/漏极区域和浮体沟道区域被接纳在绝缘体上。栅电极靠近浮体通道区域。门电介质被接收在栅电极和浮体沟道区之间。浮体通道区域具有半导体SixGe（1_X）区域。浮体通道区域具有容纳在半导体SixGe（1_X）混合区域和栅极电介质之间的半导体硅包覆区域。半导体六锗（1_X）的半导体区域具有比任何数量的Ge更大量的Ge。考虑了其他实施例，包括形成浮体场效应晶体管的方法。

65. 发明公开

KR1020100061558A 낸드-구조 직렬 가변-저항 물질 메모리, 이를 형성하는 프로세스 및 이를 이용하는 방법 有权
标题翻译： NAND结构化系列可变电阻材料，其形成方法及其使用方法
公开(公告)号：KR1020100061558A
公开(公告)日：2010-06-07
申请号：KR1020107008510
申请日：2008-09-19
申请人： 마이크론 테크놀로지, 인크.
发明人： 리우,준
IPC分类号： H01L27/115 , H01L21/8247
CPC分类号： H01L21/8239 , G11C13/0004 , G11C13/0007 , G11C13/003 , G11C2213/31 , G11C2213/32 , G11C2213/75 , H01L27/101 , H01L27/1052 , H01L27/24 , H01L27/2463
摘要： A variable-resistance material memory array includes a series of variable-resistance material memory cells. The series of variable-resistance material memory cells is in parallel with a corresponding series of control gates. A select gate is also in series with the variable-resistance material memory cells. Writing/reading/erasing to a given variable-resistance material memory cell includes turning off the corresponding control gate, while turning on all other control gates. Devices include the variable-resistance material memory array.
摘要翻译：可变电阻材料存储器阵列包括一系列可变电阻材料存储单元。一系列可变电阻材料存储单元与对应的一系列控制栅极并联。选择栅极也与可变电阻材料存储单元串联。对给定的可变电阻材料存储单元的写入/读取/擦除包括在打开所有其他控制栅极的同时关闭相应的控制栅极。器件包括可变电阻材料存储器阵列。

66. 发明公开

KR1020100003289A 각 메모리 소자 주위를 에워싸는 트랜지스터를 사용한 격자 어레이를 갖는 가변 저항 메모리 有权
标题翻译：使用在每个存储器元件上的封装晶体管的具有纵向阵列的可变电阻存储器
公开(公告)号：KR1020100003289A
公开(公告)日：2010-01-07
申请号：KR1020097022674
申请日：2008-04-01
申请人： 마이크론 테크놀로지, 인크
发明人： 리우,준
IPC分类号： G11C16/02 , H01L27/14
CPC分类号： G11C13/0069 , G11C5/06 , G11C5/063 , G11C11/4097 , G11C13/0004 , G11C2213/79 , H01L27/2436 , H01L27/2463 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/16
摘要： A variable resistance memory array, programming a variable resistance memory element and methods of forming the array. A variable resistance memory array is formed with a plurality of word line transistors surrounding each phase change memory element. To program a selected variable resistance memory element, all of the bitlines are grounded or biased at the same voltage. A top electrode select line that is in contact with the selected variable resistance memory element is selected. The word line having the word line transistors surrounding the selected variable resistance memory element are turned on to supply programming current to the element. Current flows from the selected top electrode select line through the variable resistance memory element into the common source/drain region of the surrounding word line transistors, across the transistors to the nearest bitline contacts. The word lines are patterned in various lattice configurations.
摘要翻译：可变电阻存储器阵列，编程可变电阻存储元件和形成阵列的方法。可变电阻存储器阵列形成有围绕每个相变存储元件的多个字线晶体管。为了对所选择的可变电阻存储元件进行编程，所有位线都以相同的电压接地或偏置。选择与所选择的可变电阻存储元件接触的顶部电极选择线。具有围绕所选择的可变电阻存储元件的字线晶体管的字线被接通以向该元件提供编程电流。电流从所选择的顶部电极选择线通过可变电阻存储元件流入周围字线晶体管的公共源极/漏极区域，跨越晶体管到最近的位线触点。字线被图案化成各种格子构型。

67. 发明授权

KR101876695B1 좁은 수직 필라들을 형성하는 방법들 및 이를 갖는 집적 회로 디바이스들 有权
公开(公告)号：KR101876695B1
公开(公告)日：2018-07-09
申请号：KR1020177024512
申请日：2013-11-07
申请人： 마이크론 테크놀로지, 인크.
发明人： 리우,준 , 파렉,쿠날
IPC分类号： H01L45/00 , H01L27/24
CPC分类号： H01L45/06 , H01L27/2427 , H01L27/2463 , H01L45/1233 , H01L45/126 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/148 , H01L45/1683 , H01L45/1691
摘要： 일부실시예들에서, 집적회로는집적회로에형성된개구부들을채우는좁은수직연장필라들을포함한다. 일부실시예들에서, 개구부들은상 변경메모리셀을형성하기위해상 변경물질을포함할수 있다. 필라들에의해점유되는개구부들은상이한수직레벨들상에형성되는희생물질의교차라인들, 예를들어스페이서들을사용하여정의될수 있다. 물질의라인들은매우얇은라인들의형성을허용하는증착공정들에의해형성될수 있다. 라인들의교차점에서의노출된물질은개구부들을형성하기위해선택적으로제거되며, 이는라인들의폭들에의해결정되는치수들을갖는다. 개구부들은예를들어상 변경물질로채워질수 있다.

68. 发明授权

KR101779274B1 메모리 셀들의 어레이들 및 메모리 셀들의 어레이를 형성하는 방법들 有权
标题翻译：形成存储器单元阵列和存储器单元阵列的方法
公开(公告)号：KR101779274B1
公开(公告)日：2017-09-26
申请号：KR1020157023018
申请日：2014-01-13
申请人： 마이크론 테크놀로지, 인크
发明人： 리우,준 , 파레크,커널,알.
IPC分类号： H01L45/00 , H01L27/24
CPC分类号： H01L27/2463 , H01L27/2409 , H01L45/06 , H01L45/065 , H01L45/1233 , H01L45/126 , H01L45/144 , H01L45/16 , H01L45/1683
摘要： 메모리셀들의어레이는도전성으로도핑된반도체재료를가진매립액세스라인들을포함한다. 필러들은상기매립액세스라인들의입면으로바깥쪽으로연장되며그것을따라이격된다. 상기필러들은개별적으로메모리셀을포함한다. 외부액세스라인들은상기필러들및 상기매립액세스라인들의입면으로바깥쪽에있다. 상기외부액세스라인들은상기매립액세스라인들보다전기적도전성이더 높다. 복수의도전성비아는상기매립및 외부액세스라인들의개개의쌍들을따라이격되며그것을전기적으로결합한다. 복수의필러는상기쌍들을따라바로인접한상기비아들사이에있다. 전기적으로도전성금속재료는상기매립액세스라인들의최상부들에바로붙어있으며개개의매립액세스라인들을따라필러들사이에서연장된다. 방법을포함하는다른실시예들이개시된다.
摘要翻译：存储器单元阵列包括具有导电掺杂半导体材料的埋入式存取线。柱子远离并沿埋入的接入线的高度向外延伸。填充器单独包含存储单元。外部接入线路位于填充物和掩埋接入线路的各个方面之外。外部接入线比埋入式接入线更具导电性。多个导电通孔沿着所述一对所述埋入和外部接入线路间隔开并电耦合到所述一对所述埋入和外部接入线路。多个填充物位于与这些对紧邻的通孔之间。导电金属材料直接连接到埋入式接入线的顶部并且沿着各埋入式接入线在填充物之间延伸。公开了包括方法的其他实施例。

69. 发明授权

KR101503188B1 위상 변화 메모리 구조 및 방법 有权
标题翻译：相变记忆结构与方法
公开(公告)号：KR101503188B1
公开(公告)日：2015-03-16
申请号：KR1020137006625
申请日：2011-08-17
申请人： 마이크론 테크놀로지, 인크.
发明人： 리우,준
IPC分类号： H01L21/8247 , H01L27/115
CPC分类号： H01L45/126 , G11C13/0004 , H01L45/06 , H01L45/144 , H01L45/16
摘要： 위상 변화 메모리 구조와 연관된 방법, 디바이스 및 시스템이 본 명세서에 기술된다. 위상 변화 메모리 구조를 형성하는 하나의 방법은 위상 변화 메모리 셀의 제1전도성 요소 위에 그리고 유전 물질 위에 절연체 물질을 형성하는 단계, 상기 제1전도성 요소와 자가 정렬된 히터를 형성하는 단계, 상기 유전 물질 위에 형성된 절연체 물질의 적어도 일부와 상기 히터 위에 위상 변화 물질을 형성하는 단계 및 상기 위상 변화 물질 위에 상기 위상 변화 메모리 셀의 제2전도성 요소를 형성하는 단계를 포함한다.

70. 发明公开

KR1020150016282A 국한된 필라멘트 형성을 구비하는 저항성 메모리 有权
标题翻译：具有确定的光纤形成的电阻记忆
公开(公告)号：KR1020150016282A
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：KR1020147033426
申请日：2013-05-07
申请人： 마이크론 테크놀로지, 인크
发明人： 마쉬,유진,피. , 리우,준
IPC分类号： H01L27/115
CPC分类号： H01L45/085 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/124 , H01L45/1246 , H01L45/1253 , H01L45/1266 , H01L45/14 , H01L45/143 , H01L45/146 , H01L45/147 , H01L45/16 , H01L45/1683 , H01L27/11507
摘要： 국한된 필라멘트 형성을 구비하는 저항성 메모리가 여기에서 설명된다. 하나 이상의 방법 실시예는 실리콘 재료 및 실리콘 재료 상의 산화물 재료를 갖는 적층체에 개구부를 형성하는 단계, 및 실리콘 재료에 인접하여 개구부에 산화물 재료를 형성하는 단계를 포함하되, 개구부에 형성된 산화물 재료는 저항성 메모리 셀에서의 필라멘트 형성을 개구부에 형성된 산화물 재료에 의해 에워싸인 구역으로 국한한다.
摘要翻译：本文描述了具有限制的灯丝形成的电阻记忆。一个或多个方法实施例包括在硅材料上形成具有硅材料和氧化物材料的堆叠中的开口，以及在邻近硅材料的开口中形成氧化物材料，其中形成在开口中的氧化物材料限制在电阻性存储单元到形成在开口中的氧化物材料包围的区域。

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