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61. 发明公开

KR1020160109236A 구리계 금속막 식각액 조성물 및 이를 이용한 식각방법 审中-实审
标题翻译：用于铜箔金属层的蚀刻溶液组合物和使用其的蚀刻方法
公开(公告)号：KR1020160109236A
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：KR1020150033285
申请日：2015-03-10
申请人： 동우 화인켐 주식회사
发明人： 유인호 , 국인설 , 이종문
IPC分类号： C09K13/06 , C09K13/08 , C23F1/18 , H01L21/306
CPC分类号： C09K13/06 , C09K13/08 , C23F1/18 , H01L21/306
摘要： 본발명은조성물총 중량에대하여, (a) 과황산염 0.5 내지 20 중량%, (b) 불소화합물 0.01 내지 2 중량%, (c) 무기산 1 내지 10 중량%, (d) 고리형아민화합물 0.5 내지 3 중량%, (e) 황화카르복실산화합물 0.05 내지 5 중량%, (f) 구리화합물 0.01 내지 3 중량%, (g) 유기산또는유기산염 0.1 내지 10 중량%, 및 (h) 잔량의물을포함하는구리계금속막식각액조성물및 이를이용한식각방법에관한것이다.
摘要翻译：本发明涉及一种铜基金属膜用蚀刻液组合物及其蚀刻方法。根据本发明，蚀刻液组合物包含：（a）0.5-20重量％的过硫酸盐; （b）0.01-2重量％的氟化合物; （c）1-10重量％的无机酸; （d）0.5-3重量％的环胺化合物; （e）0.05-5重量％的硫化羧酸化合物; （f）0.01-3重量％的铜化合物; （g）0.1-10重量％的有机酸或有机酸盐; 和（h）相对于组合物的总重量的残留水。根据本发明，蚀刻液组合物可防止形成不可溶的铜离子沉淀。

62. 发明公开

KR1020160099524A 구리와 티타늄을 포함하는 금속막용 식각액 조성물 无效
标题翻译：用于包含铜和钛的金属层的蚀刻溶液组合物
公开(公告)号：KR1020160099524A
公开(公告)日：2016-08-22
申请号：KR1020160101903
申请日：2016-08-10
申请人： 동우 화인켐 주식회사
发明人： 임민기 , 권오병 , 유인호 , 이유진
IPC分类号： C23F1/18 , C23F1/30 , H01L21/205 , C23F1/10 , C23F1/14 , C23F1/16 , H01L21/306
CPC分类号： C23F1/18 , C23F1/10 , C23F1/14 , C23F1/16 , C23F1/30 , H01L21/205 , H01L21/306
摘要： 본발명은조성물총 중량에대하여, 과황산염 5~20중량%; 함불소화합물 0.01~2중량%; 무기산, 무기산염및 이들의혼합물중에서선택되는 1종이상 1~10중량%; 고리형아민화합물 0.3~5중량%; 함염소화합물 0.1~5중량%; p-톨루엔술폰산(p-toluene sulfonic acid) 0.1~5중량%; 및물 잔량을포함하는것을특징으로하는구리와티타늄을포함하는금속막용식각액조성물에관한것이다.
摘要翻译：本发明提供了一种包含铜和钛的金属层的蚀刻溶液组合物，其包含基于以下组成的总量：5-20重量％的过硫酸盐; 0.01〜2重量％的氟化合物; 1-10重量％的选自无机酸，无机酸盐及其混合物中的一种或多种; 0.3-5重量％的环胺化合物; 0.1-5重量％的氯化合物; 0.1-5重量％的对甲苯磺酸; 剩下的是水。

63. 发明公开

KR1020110120422A 구리와 티타늄을 포함하는 금속막용 식각액 조성물 无效
标题翻译：用于包含铜和钛的金属层的蚀刻溶液组合物
公开(公告)号：KR1020110120422A
公开(公告)日：2011-11-04
申请号：KR1020100039824
申请日：2010-04-29
申请人： 동우 화인켐 주식회사
发明人： 임민기 , 권오병 , 이유진 , 유인호
IPC分类号： C23F1/18 , C23F1/30 , H01L21/306
CPC分类号： C23F1/18 , C23F1/10 , C23F1/14 , C23F1/16 , C23F1/30 , H01L21/205 , H01L21/306
摘要： PURPOSE: An etching solution composition for a metal layer comprising copper and titanium is provided to simplify an etching process and prevent damage to equipment. CONSTITUTION: An etching solution composition for a metal layer comprising copper and titanium comprises persulfate 5~20 weight%, fluorine compound 0.01~2 weight%, one selected among inorganic acid, inorganic acid salt, and their mixture 1~10 weight%, ring-type amino-compound 0.3~5 weight%, one or more selected among organic acid, organic acid salt, and their mixture 1~10 weight%, and water of the remaining amount. The persulfate is selected from the group consisting of ammonium persulfate, sodium persulfate, and potassium persulphate. The fluorine compound is selected from the group consisting of ammonium fluoride, sodium fluoride, potassium fluoride, ammonium bifluoride, sodium bifluoride, and potassium.
摘要翻译：目的：提供用于包含铜和钛的金属层的蚀刻溶液组合物，以简化蚀刻工艺并防止对设备的损坏。构成：用于包含铜和钛的金属层的蚀刻溶液组合物包含5〜20重量％的过硫酸盐，0.01〜2重量％的氟化合物，1个选自无机酸，无机酸盐及其混合物1〜10重量％的环型氨基化合物0.3〜5重量％，选自有机酸，有机酸盐及其混合物1〜10重量％中的一种以上，剩余量的水。过硫酸盐选自过硫酸铵，过硫酸钠和过硫酸钾。氟化合物选自氟化铵，氟化钠，氟化钾，氟化氢铵，氟化氢钠和钾。

64. 发明公开

KR1020110120420A 구리와 티타늄을 포함하는 금속막용 식각액 조성물 无效
标题翻译：用于包含铜和钛的金属层的蚀刻溶液组合物
公开(公告)号：KR1020110120420A
公开(公告)日：2011-11-04
申请号：KR1020100039822
申请日：2010-04-29
申请人： 동우 화인켐 주식회사
发明人： 임민기 , 권오병 , 이유진 , 유인호
IPC分类号： C23F1/18 , C23F1/30 , H01L21/306
CPC分类号： C23F1/18 , C23F1/10 , C23F1/14 , C23F1/16 , C23F1/30 , H01L21/205 , H01L21/306
摘要： PURPOSE: An etching solution composition for a metal layer comprising copper and titanium is provided to implement rapid etching of copper without including hydrogen peroxide and/or oxone. CONSTITUTION: An etching solution composition for a metal layer comprising copper and titanium comprises persulfate 5~20 weight%, fluorine compound 0.01~2 weight%, one or more selected among inorganic acid, inorganic acid salt, and their mixture 1~10 weight%, ring-type amino-compound 0.3~5 weight%, chlorine-containing compound 0.1~5 weight%, and water of the remaining amount.
摘要翻译：目的：提供一种用于包含铜和钛的金属层的蚀刻溶液组合物，以实现铜的快速蚀刻而不包括过氧化氢和/或氧化物。构成：包含铜和钛的金属层的蚀刻溶液组合物包括5〜20重量％的过硫酸盐，0.01〜2重量％的氟化合物，1种以上选自无机酸，无机酸盐及其混合物1〜10重量％，环型氨基化合物0.3〜5重量％，含氯化合物0.1〜5重量％，余量为水。

65. 发明公开

KR1020110053562A 몰리브덴용 식각액 조성물 有权
标题翻译：用于钼的蚀刻溶液组合物
公开(公告)号：KR1020110053562A
公开(公告)日：2011-05-24
申请号：KR1020090110138
申请日：2009-11-16
申请人： 동우 화인켐 주식회사
发明人： 임민기 , 장상훈 , 신혜라 , 유인호
IPC分类号： C09K13/04
CPC分类号： C23F1/38
摘要： PURPOSE: An etching solution composition for molybdenum is provide to wet-etch a semiconductor device, especially, a molybdenum film for a gate of TFT and source/drain array line, and to simplify an etching process. CONSTITUTION: An etching solution composition for molybdenum includes, based on the total weight of the composition, 5-25 weight% of H2O2, 0.5-3 weight% of cyclic amine compound, 0.5-5 weight% of additive including a pH adjusting agent, and the remaining amount of water. The cyclic amine compound is single or two kind or more selected from the group consisting of aminotetrazole, benzotriazole, imidazole, indole, furin, pyrazole, pyridine, pyrimidine, pyrrole, pyrrolidine, and pyrroline.
摘要翻译：目的：提供用于钼的蚀刻溶液组合物，用于湿式蚀刻半导体器件，特别是用于TFT和源极/漏极阵列线的栅极的钼膜，并简化蚀刻工艺。构成：用于钼的蚀刻溶液组合物基于组合物的总重量，包括5-25重量％的H 2 O 2，0.5-3重量％的环胺化合物，0.5-5重量％的添加剂，包括pH调节剂，和剩余的水量。环胺化合物是选自氨基四唑，苯并三唑，咪唑，吲哚，呋喃林，吡唑，吡啶，嘧啶，吡咯，吡咯烷和吡咯啉中的一种或两种以上。

66. 发明公开

KR1020110026981A 구리 배선의 형성을 위한 식각액 조성물 有权
标题翻译：用于形成CU线的蚀刻溶液组合物
公开(公告)号：KR1020110026981A
公开(公告)日：2011-03-16
申请号：KR1020090084866
申请日：2009-09-09
申请人： 동우 화인켐 주식회사
发明人： 이유진 , 유인호 , 박영철
IPC分类号： C09K13/08
摘要： PURPOSE: An etching solution composition is provided to stably perform subsequent processes by minimizing the damage and residue generation of a substrate and a lower insulating layer. CONSTITUTION: An etching solution composition of a multi-layered film including a copper-based metal film and a titanium-based metal film includes, based on the total weight of the composition, 0.1~5 weight% of inorganic salt oxidants, 0.1~5 weight% of chlorine-containing compounds, 0.01~2 weight% of fluorine-containing compounds, 0.1~10 weight% of organic acids, and the balance of water.
摘要翻译：目的：提供蚀刻溶液组合物，以通过最小化衬底和下绝缘层的损伤和残留物产生来稳定地执行后续工艺。构成：包含铜基金属膜和钛基金属膜的多层膜的蚀刻溶液组合物基于组合物的总重量，包含0.1〜5重量％的无机盐氧化剂，0.1〜5 含氯化合物的重量％，含氟化合物0.01〜2重量％，有机酸0.1〜10重量％，余量为水。

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