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51. 发明授权

KR102198639B1 정전기 방전 보호 소자 및 이를 포함하는 전자 디바이스 有权
公开(公告)号：KR102198639B1
公开(公告)日：2021-01-06
申请号：KR1020160167031
申请日：2016-12-08
申请人： 한국전자통신연구원 , 단국대학교 산학협력단
发明人： 김상기 , 구용서 , 박건식 , 박종문
IPC分类号： H01L27/02
摘要： 본발명은정전기방전보호소자및 이를포함하는전자디바이스에관한것이다. 본발명의실시예에따른정전기방전보호소자및 이를포함하는전자디바이스는제1 P웰, 제2 P웰, N웰, N+ 브릿지영역, P+ 브릿지영역, 제1 N+ 영역, 제1 P+ 영역, 제2 N+ 영역, 제2 P+ 영역및 게이트를포함한다. N웰은제1 P웰및 제2 P웰사이에배치된다. N+ 브릿지영역은제2 P웰및 N웰의접합영역에형성된다. P+ 브릿지영역은제1 P웰및 N웰의접합영역에형성된다. 제1 N+ 영역및 제1 P+ 영역은제1 P웰에형성되고, 애노드단자에연결된다. 제2 N+ 영역및 제2 P+ 영역은제2 P웰에형성되고, 캐소드단자에연결된다. 게이트는 N+ 브릿지영역및 제2 N+ 영역사이의제2 P웰상에배치된다. 본발명의실시예에따른정전기방전보호소자는트리거전압을낮추고, 전류구동능력을향상시킨다.

52. 发明公开

KR1020150116002A 베이스 몰드 및 몰드의 제조방법 有权
标题翻译：一种模具和一种模具的制作方法
公开(公告)号：KR1020150116002A
公开(公告)日：2015-10-15
申请号：KR1020140039956
申请日：2014-04-03
申请人： 한국전자통신연구원
发明人： 박종문 , 박건식 , 전동석 , 유성욱 , 김상기 , 이진호
IPC分类号： B29C33/42 , H01L21/027
CPC分类号： B29C33/3842 , B29C45/17 , B29C59/002 , B29C2033/385 , B29L2031/757
摘要： 본발명은베이스몰드및 몰드의제조방법에관한것으로, 보다구체적으로는기판상에서로이격되어차례로적층된제1막및 제2막을형성하는것; 상기제1막을패터닝하여제1패턴을형성하는것; 상기제1패턴의양 측벽들상에제1스페이서를형성하는것; 상기제1스페이서를식각마스크로상기제2막을식각하여, 제2패턴을형성하는것; 상기제1스페이서를제거하여, 상기기판상에상기제1패턴및 상기제2패턴을포함하는적층구조체를형성하는것; 및상기적층구조체를덮는몰드막을형성하는것을포함하는몰드의제조방법에관한것이다.
摘要翻译：本发明涉及一种基础模具及其制造方法，更具体地，涉及一种模具的制造方法，其特征在于，包括：形成第一膜和第二膜，所述第一膜和第二膜通过分离而依次层压在基板上对彼此; 通过图案化第一膜形成第一图案; 在所述第一图案的两个侧壁上形成第一间隔件; 通过蚀刻掩模蚀刻第一间隔物和第二膜来形成第二图案; 通过去除所述第一间隔件在所述基板上形成包括所述第一图案和所述第二图案的层压结构体; 以及形成覆盖层叠结构体的模膜。

53. 发明公开

KR1020140035787A 전력 정류 소자 审中-实审
标题翻译：电力恢复装置
公开(公告)号：KR1020140035787A
公开(公告)日：2014-03-24
申请号：KR1020130002510
申请日：2013-01-09
申请人： 한국전자통신연구원
发明人： 박건식 , 나경일 , 이진호 , 구진근
IPC分类号： H01L29/86 , H01L29/8605 , H01L29/872
摘要： According to a power rectifying device in the embodiments of the present invention, a gate electrode, a source region and a body region are commonly connected to a first terminal. A substrate beside the body region is connected to a second terminal. Thereby, a power rectifying device having two terminals is realized. The gate electrode may have a spacer shape. Thereby, the channel depth of the channel region of the trench structure of the power rectifying device can be accurately controlled by controlling the width of the gate electrode.
摘要翻译：根据本发明的实施方式的功率整流装置，栅电极，源极区域和主体区域共同地连接到第一端子。身体区域旁边的基板连接到第二端子。由此，实现具有两个端子的电力整流装置。栅电极可以具有间隔件形状。由此，可以通过控制栅电极的宽度来精确地控制功率整流装置的沟槽结构的沟道区域的沟道深度。

54. 发明公开

KR1020130134003A 고-인식용 디스플레이 태그 장치 및 방법 无效
标题翻译：显示标签装置和用于高识别的方法
公开(公告)号：KR1020130134003A
公开(公告)日：2013-12-10
申请号：KR1020120057197
申请日：2012-05-30
申请人： 한국전자통신연구원
发明人： 박지만 , 백규하 , 도이미 , 박건식 , 김동표
IPC分类号： G06K19/077
CPC分类号： G06K19/07707 , G06K19/0712 , G06K19/07715
摘要： Disclosed are a display tag apparatus and a method for high-recognition capable of removing the reduction in tag recognition due to various physical phenomena, capable of preventing damage to a product in which a tag is attached due to a result of the non-recognition of the tag, and capable of reducing time consumption for recognition and confirmation by rapidly classifying the tags by confirming the recognition condition of an RFID tag with a binocular method by attaching the manual RFID tag to a power save type display. According to an embodiment of the present invention, a user is able to rapidly identify the information of the tag with the binocular method by attaching the RFID tag to the display, is able to identify the tag located within the recognition range, and is able to identify the color, symbol, text of the tag with the binocular method.
摘要翻译：公开了一种用于高识别的显示标签装置和方法，其能够消除由于各种物理现象引起的标签识别的减少，能够防止由于不识别标签而导致标签附着的产品的损坏标签，并且通过将手动RFID标签附加到省电型显示器，通过用双目镜方法确认RFID标签的识别条件，通过快速分类标签来减少用于识别和确认的时间消耗。根据本发明的实施例，用户能够通过将RFID标签附加到显示器来以双目方式快速识别标签的信息，能够识别位于识别范围内的标签，并且能够用双目方法识别标签的颜色，符号，文字。

55. 发明公开

KR1020120043462A 직렬 통신 프로토콜을 이용한 ＲＦＩＤ 리더, ＲＦＩＤ 태그, ＲＦＩＤ 통신 방법 및 시스템 有权
标题翻译：无线电频率识别读取器，RIFD标签，使用串行通信协议的RFID通信方法和系统
公开(公告)号：KR1020120043462A
公开(公告)日：2012-05-04
申请号：KR1020100104778
申请日：2010-10-26
申请人： 한국전자통신연구원
发明人： 박지만 , 도이미 , 백규하 , 박건식 , 김동표 , 김진식 , 김주연 , 우종창
IPC分类号： H04B5/02 , G06K17/00 , G06K19/07
CPC分类号： H04B5/0062 , G06K19/0723
摘要： PURPOSE: An RFID(Radio Frequency Identification) reader, RFID tag, RFID communication method, and system thereof are provided to execute wireless communication through a serial communication protocol without using specific wireless communication protocols. CONSTITUTION: An RFID tag(220) includes tag information. The RFID tag provides interfaces by using a serial communication protocol. An RFID reader(210) reads the tag information by using the serial communication protocol from the RFID tag. The RFID tag includes a tag control module. The tag control module provides the RFID reader and the interfaces by using an I2C(Inter-Integrated Circuit) or an UART(Universal Asynchronous Receiver Transmitter).
摘要翻译：目的：提供RFID（射频识别）阅读器，RFID标签，RFID通信方法及其系统，以通过串行通信协议执行无线通信，而不使用特定的无线通信协议。构成：RFID标签（220）包括标签信息。 RFID标签通过使用串行通信协议提供接口。 RFID读取器（210）通过使用来自RFID标签的串行通信协议来读取标签信息。 RFID标签包括标签控制模块。标签控制模块通过使用I2C（内部集成电路）或UART（通用异步收发器）提供RFID阅读器和接口。

56. 发明公开

KR1020100063867A 반도체 제조용 횡형 확산로 失效
标题翻译：用于制造半导体的水平扩散炉
公开(公告)号：KR1020100063867A
公开(公告)日：2010-06-14
申请号：KR1020080122215
申请日：2008-12-04
申请人： 한국전자통신연구원
发明人： 유성욱 , 박건식 , 박종문 , 윤용선 , 김상기 , 구진근 , 김보우 , 강진영
IPC分类号： H01L21/324
CPC分类号： H01L21/67098 , H01L21/67017 , H01L21/67778
摘要： PURPOSE: A horizontally shaped diffusion furnace is provided to form a gate insulating layer with a superior thin film by uniformly injecting reaction gas in top, down, left and right direction of silicon wafer substrate. CONSTITUTION: A reaction chamber(21) comprises a reacting gas inlet. In the reaction chamber, the thermal diffusion process about the silicon wafer substrate is executed. A heating part heats the inside of the reaction chamber. A loading part(23) loads a plurality of silicon wafer substrates. A carrying part(24) transfers the loading part to the inside of the reaction chamber. A nitrogen gas injecting part(25) injects the nitrogen gas into the inside of the loading part.
摘要翻译：目的：提供一种水平形状的扩散炉，通过在硅晶片衬底的上，下，左，右方向上均匀注入反应气体，形成具有优良薄膜的栅极绝缘层。构成：反应室（21）包括反应气体入口。在反应室中，执行关于硅晶片衬底的热扩散过程。加热部件加热反应室的内部。装载部件（23）装载多个硅晶片基板。承载部件（24）将装载部件转移到反应室的内部。氮气注入部（25）将氮气注入到装载部的内部。

57. 发明公开

KR1020100063576A 고전압 ＬＤＭＯＳ 트랜지스터 및 그 제조 방법 无效
标题翻译：高电压LDMOS晶体管及其制造方法
公开(公告)号：KR1020100063576A
公开(公告)日：2010-06-11
申请号：KR1020080122150
申请日：2008-12-03
申请人： 한국전자통신연구원
发明人： 박건식 , 박종문 , 유성욱 , 윤용선 , 김상기 , 김보우 , 강진영
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/7816 , H01L29/0653 , H01L29/1095 , H01L29/66681
摘要： PURPOSE: A high voltage LDMOS transistor and a manufacturing method thereof are provided to improve a breakdown voltage without an increase of an on-resistance by including a trench of a multi-wall filled with an oxide film in a drift area. CONSTITUTION: A gate(209) is formed on a substrate. A source(211) and a drain(210) are separately placed on the substrate to the either side with placing the gate in the interval. A drift area is formed between the gate and the drain. A plurality of trenches(213) is arranged to the lateral direction in the drift area. A plurality of trenches is filled with an oxide film. A field oxide film(207) is formed between the gate and the drain on the substrate.
摘要翻译：目的：提供一种高电压LDMOS晶体管及其制造方法，以通过在漂移区域中包括填充有氧化物膜的多壁的沟槽来提高击穿电压而不增加导通电阻。构成：在基板上形成栅极（209）。源极（211）和漏极（210）分别放置在衬底上的任一侧，同时将栅极放置在间隔中。在栅极和漏极之间形成漂移区域。多个沟槽（213）沿漂移区域的横向方向布置。多个沟槽填充有氧化物膜。在衬底上的栅极和漏极之间形成场氧化膜（207）。

58. 发明公开

KR1020100063479A 실리콘 포토멀티플라이어 및 그 제조 방법 有权
标题翻译：硅光电子器件及其制造方法
公开(公告)号：KR1020100063479A
公开(公告)日：2010-06-11
申请号：KR1020080122019
申请日：2008-12-03
申请人： 한국전자통신연구원
发明人： 윤용선 , 박건식 , 박종문 , 김보우 , 강진영
IPC分类号： H01L31/00
CPC分类号： H01L31/102 , H01L31/0224 , H01L31/18
摘要： PURPOSE: A silicon photomultiplier and a manufacturing method thereof are provided to enhance accuracy about location information with suppressing a cross talk by separating an interval of a micro pixel through trench isolation. CONSTITUTION: An active layer(22) is formed on upper part of a substrate(21). A production and an amplification of current by an input light are included on the active layer. A trench controls a cross talk between contiguous micro pixels by filling in inside with a material including an electrical insulation and a light-reflection function. An anode electrode(28) and a cathode electrode(29) are respectively formed on an upper side of the active layer. An insulating layer(27) is formed on the rest upper side of the active layer in which the anode electrode and cathode electrode are not formed.
摘要翻译：目的：提供硅光电倍增管及其制造方法，通过沟槽隔离分离微像素的间隔，抑制串扰，提高位置信息的精度。构成：在衬底（21）的上部形成有源层（22）。通过输入光产生和放大电流被包括在有源层上。沟槽通过用包括电绝缘和光反射功能的材料填充内部来控制连续微像素之间的串扰。阳极电极（28）和阴极电极（29）分别形成在有源层的上侧。绝缘层（27）形成在不形成阳极电极和阴极的有源层的其余上侧。

59. 发明授权

KR100723289B1 박막 트랜지스터 및 그 제조방법 失效
公开(公告)号：KR100723289B1
公开(公告)日：2007-05-30
申请号：KR1020050118998
申请日：2005-12-07
申请人： 한국전자통신연구원
发明人： 박종문 , 박건식 , 유성욱 , 윤용선 , 김상기 , 구진근 , 김보우
IPC分类号： H01L29/786

60. 发明授权

KR100606288B1 자기정렬 공정을 이용한 고집적 ＶＤＭＯＳ 트랜지스터제조 방법 失效
标题翻译：用于制造高密度VDMOS晶体管的自对准工艺
公开(公告)号：KR100606288B1
公开(公告)日：2006-07-31
申请号：KR1020040099118
申请日：2004-11-30
申请人： 한국전자통신연구원
发明人： 박건식 , 유성욱 , 박종문 , 윤용선 , 배윤규 , 임병원 , 김상기 , 구진근 , 김보우
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336 , H01L21/28
摘要： 본 발명은 고집적도의 VDMOS(Vertical Diffused Metal Oxide Semiconductor) 트랜지스터를 2번의 포토 마스크 작업으로 제작할 수 있는 단순화된 제조방법에 관한 것이다. 본 발명은 더욱 개량된 자기 정렬 공정을 이용하고, 금속 증착시 발생하는 스텝 커버리지를 이용하여 컨택홀 및 메탈의 마스킹 작업을 생략함으로써 2번의 마스킹 작업만으로 고집적도의 VDMOS를 제작하는 방법을 제공한다.
트랜지스터, 제조 방법, VDMOS, 자기 정렬, 스텝 커버리지

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