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51. 发明公开

KR1020050080603A 신너 조성물 및 이를 이용한 포토레지스트의 제거 방법 有权
标题翻译：薄膜组合物及其使用方法剥离光刻胶
公开(公告)号：KR1020050080603A
公开(公告)日：2005-08-17
申请号：KR1020040008678
申请日：2004-02-10
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 안승현 , 배은미 , 최백순 , 전상문 , 김대중 , 윤광섭 , 박상규 , 김재호 , 이시용 , 김경미 , 윤여영
IPC分类号： G03F7/42
CPC分类号： C11D7/266 , C11D11/0047
摘要： ArF용 포토레지스트를 비롯한 다양한 포토레지스트 및 하부 반사방지막(BARC)에 대하여 우수한 포토레지스트 등의 용해능 및 EBR 특성을 가지는 신너 조성물 및 이를 이용한 포토레지스트 등의 제거방법이 개시되어 있다. 신너 조성물은 프로필렌 글리콜 에터 아세테이트와 에틸 락테이트, 에틸 3-에톡시 프로피오네이트, 또는 이들의 혼합물인 에스터 화합물, 그리고 메틸 2-하이드록시-2-메틸 프로피오네이트를 가진다. 이러한 신너 조성물을 기판 상에 형성된 포토레지스트막 또는 패턴에 적용하여 포토레지스트를 제거한다. 본 발명에 따른 신너 조성물은 다양한 포토레지스트막 및 하부 반사방지막에 대하여 우수한 용해도를 가지며, EBR 특성 및 리워크(rework) 특성이 모두 우수하여 포토레지스트의 잔류 문제를 해결할 수 있다.

52. 发明授权

KR100508753B1 포토레지스트의 스트립핑 방법 失效
标题翻译：使用该方法剥离光致抗蚀剂的方法
公开(公告)号：KR100508753B1
公开(公告)日：2005-08-17
申请号：KR1020040117881
申请日：2004-12-31
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 안승현 , 전상문 , 정회식 , 전미숙 , 배은미 , 최백순 , 장옥석
IPC分类号： G03F7/42
摘要： 신너 조성물을 사용하여 기판 상에 도포되어 있는 포토레지스트를 스트리핑하는 방법이 개시되어 있다. 상기 신너 조성물은 노말 부틸 아세테이트 8 내지 95중량%, 감마-부티로 락톤 0.1 내지 13중량% 및 비아세트산 에스테르 화합물 3 내지 80중량%로 이루어진다. 또한, 상기 신너 조성물은 노말 부틸 아세테이트 42 내지 90중량%, 감마-부티로 락톤 1 내지 13중량% 및 다가 알코올 유도체 5 내지 45중량%로 이루어질 수도 있다. 그리고, 상기 신너 조성물을 사용하여 기판 에지와 이면 부위에 도포되어 있는 포토레지스트를 선택적으로 스트립핑할 수 있다. 또한, 상기 신너 조성물을 사용하여 기판 전면에 도포되어 있는 포토레지스트를 스트립핑할 수도 있다. 저렴한 비용의 신너 조성물을 사용하여 다양한 종류의 포토레지스트를 스트립핑할 수 있다.

53. 发明授权

KR100483846B1 신너 조성물 및 이를 사용한 포토레지스트의 스트립핑 방법 有权
标题翻译：使用它的光刻胶的稀释剂组成和剥离方法
公开(公告)号：KR100483846B1
公开(公告)日：2005-04-19
申请号：KR1020020062652
申请日：2002-10-15
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 안승현 , 전상문 , 정회식 , 최백순 , 임영철 , 배은미 , 장옥석
IPC分类号： H01L21/027
摘要： 신규한 신너 조성물 및 이 신너 조성물을 사용하여 기판 상에 도포되어 있는 포토레지스트를 스트리핑하는 방법이 개시되어 있다. 상기 신너 조성물은 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트, 에틸 3-에톡시 프로피오네이트 및 감마-부티로 락톤(gamma-butyro lactone)으로 이루어진다. 또한, 상기 신너 조성물은 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트, 에틸 3-에톡시 프로피오네이트 및 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르로 이루어질 수도 있다. 그리고, 상기 신너 조성물을 사용하여 기판 에지와 이면 부위에 도포되어 있는 포토레지스트를 선택적으로 스트립핑 할 수 있다. 또한, 상기 신너 조성물을 사용하여 기판 전면에 도포되어 있는 포토레지스트를 스트립핑할 수도 있다. 저렴한 비용의 신너 조성물을 사용하여 다양한 종류의 포토레지스트를 스트립핑할 수 있다.

54. 发明授权

KR100481858B1 공비혼합 효과를 이용하여 반도체기판을 건조시키는 장비및 상기 장비를 사용하는 건조방법 失效
标题翻译：使用该装置使用共沸效应和干燥方法干燥半导体衬底的装置
公开(公告)号：KR100481858B1
公开(公告)日：2005-04-11
申请号：KR1020020042851
申请日：2002-07-22
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 고용균 , 이헌정 , 전필권 , 박상오 , 전상문 , 김진성 , 임광신
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： H01L21/02052 , H01L21/02057 , H01L21/67028 , H01L21/67034
摘要： 공비혼합 효과를 이용하여 반도체기판을 건조시키는 장비 및 상기 장비를 사용하는 건조방법을 제공한다. 이 건조장비는 액체를 저장하는 액조, 상기 액조의 상부에 설치된 챔버, 및 상기 액체의 표면에 유기용매를 공급하는 분배기를 구비한다. 상기 분배기를 통하여 유기용매가 공급되면, 상기 액체의 표면에 공비 혼합물층이 형성되고 상기 공비 혼합물층 상에 유기용매층이 형성된다. 상기 유기용매층 및 상기 유기용매층 상의 대기는 히터에 의해 가열된다. 또한, 상기 챔버의 내부는 건조가스관에 의해 공급되는 건조가스로 채워진다. 상기 건조방법은 액조 내에 저장된 액체 내에 반도체기판을 담구는 것과 상기 액체의 표면에 유기용매를 공급하는 것을 구비한다. 이에 따라, 상기 액체의 표면에 공비 혼합물층이 형성되고 상기 공비 혼합물층 상에 상기 공비 혼합물층보다 높은 농도를 갖는 유기용매층이 형성된다. 이어서, 상기 반도체기판을 상승시킴과 동시에 상기 유기용매층을 지나는 반도체기판의 표면을 가열시킨다. 그 결과, 상기 반도체기판의 표면 상에 잔존하는 유기용매 용액(organic solvent solution) 내의 수분이 완전히 증발된다. 다음에, 상기 반도체기판에 잔존하는 유기용매를 건조가스를 사용하여 제거한다.

55. 发明授权

KR100475457B1 슬러리용 첨가제 조성물, 이를 포함하는 슬러리 조성물 및연마 방법 有权
标题翻译：添加剂组合物，包含该添加剂组合物的浆料组合物和使用该浆料组合物抛光物体的方法
公开(公告)号：KR100475457B1
公开(公告)日：2005-03-08
申请号：KR1020020023087
申请日：2002-04-26
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 전상문 , 이동준 , 임영삼 , 강경문 , 이세철 , 소재현 , 김남수
IPC分类号： C09K3/14
摘要： 제1 중량 평균 분자량을 갖는 제1 중합체산과 제1 염기성 물질을 포함하는 제1 중합체산의 염; 및 상기 제1 중량 평균 분자량보다 큰 제2 중량 평균 분자량을 갖는 제2 중합체산과 제2 염기성 물질을 포함하는 제2 중합체산의 염을 포함하는 첨가제 조성물이 개시되어 있다. 상기 첨가제 조성물, 연마 입자를 포함하는 연마 입자 조성물 및 물을 혼합하여 슬러리 조성물을 제조한다. 따라서, 상기 슬러리 조성물을 사용하여 화학 기계적 연마 공정을 실시하면, 특정한 막에 대한 연마 선택도를 향상시킬 수 있다.

56. 发明公开

KR1020050017610A 신너 조성물 및 이를 사용한 포토레지스트의 스트립핑 방법 失效
标题翻译：使用相同的基板剥离不同类型的光电子的薄膜组合物和方法
公开(公告)号：KR1020050017610A
公开(公告)日：2005-02-22
申请号：KR1020040117880
申请日：2004-12-31
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 안승현 , 전상문 , 정회식 , 전미숙 , 배은미 , 최백순 , 장옥석
IPC分类号： G03F7/42
摘要： PURPOSE: Provided are thinner composition and method for stripping photoresist on substrate, for selectively stripping photoresist on edge and rear side of substrate, and for stripping photoresist over entire portion of substrate using the same with economical expense. CONSTITUTION: The thinner composition comprises 42-90 wt.% of acetic ester compound, 1-13 wt.% of gamma-butyrolactone and 5-45 wt.% of polyhydric alcohol derivative. The stripping method comprises steps of preparing the thinner composition(S10); injecting and contacting(S14) the thinner composition on substrate and/or edge or rear side of the substrate coated with photoresist(S12) to strip the photoresist; and drying the contacted thinner composition(S16).
摘要翻译：目的：提供用于剥离基底上的光致抗蚀剂的较薄的组合物和方法，用于选择性地剥离基底的边缘和背面上的光致抗蚀剂，并且以经济的费用以相同方式剥离光致抗蚀剂的整个部分。构成：较薄的组合物包含42-90重量％的乙酸酯化合物，1-13重量％的γ-丁内酯和5-45重量％的多元醇衍生物。剥离方法包括制备较薄组合物的步骤（S10）; 在涂覆有光致抗蚀剂的基板（S12）的基板和/或边缘或后侧上注入和接触（S14）更薄的组合物以剥离光致抗蚀剂; 并干燥所接触的稀释剂组合物（S16）。

57. 发明公开

KR1020040077312A 기판 검사 방법 및 장치 有权
标题翻译：使用激光束检测基板的方法和装置
公开(公告)号：KR1020040077312A
公开(公告)日：2004-09-04
申请号：KR1020030012824
申请日：2003-02-28
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 양유신 , 전상문 , 최선용 , 전충삼
IPC分类号： H01L21/66
CPC分类号： G01N21/4738 , G01N21/94 , G01N21/9501 , G01N21/956
摘要： PURPOSE: A method and an apparatus for inspecting a substrate are provided to improve efficiency and reliability of an inspection process by performing a defect detection process using the beams scattered from the substrate. CONSTITUTION: The first laser beam having different wavelengths is irradiated on a substrate(S110). The first scattering beam and the second scattering beam are detected from the substrate(S120). A difference value is detected by comparing the intensity of the first scattering beam and the intensity of the second scattering beam(S130). The second laser beam having the wavelength corresponding to the largest difference value is irradiated on the substrate(S210). A defect of the substrate is detected by using the third scattering beam and the fourth scattering beam(S220-S240).
摘要翻译：目的：提供一种用于检查基板的方法和装置，以通过使用从基板散射的光束进行缺陷检测处理来提高检查过程的效率和可靠性。构成：将具有不同波长的第一激光束照射在基板上（S110）。从基板检测第一散射光束和第二散射光束（S120）。通过比较第一散射光束的强度和第二散射光束的强度来检测差值（S130）。将具有对应于最大差值的波长的第二激光束照射在基板上（S210）。通过使用第三散射光束和第四散射光束来检测衬底的缺陷（S220-S240）。

58. 发明授权

KR100438787B1 박막 두께 측정 방법 有权
标题翻译： 박막두께측정방법
公开(公告)号：KR100438787B1
公开(公告)日：2004-07-05
申请号：KR1020020026227
申请日：2002-05-13
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 전충삼 , 전상문 , 현필식 , 조형석 , 최상봉
IPC分类号： H01L21/66
CPC分类号： G01B11/0616
摘要： The thickness of a thin layer is measured in which a patterned lower layer is formed on a substrate, and an upper layer covering the lower layer is formed. The lower layer is modeled, and then the thickness of the upper layer is measured. When modeling the lower layer, the lower layer is set as a predetermined material layer, and then the material layer is fit into the lower layer using a harmonic oscillator model using an asorptivity, a refractive index, and a thickness of the material layer as parameters. Accordingly, the thickness of a thin layer formed in a cell area can be directly measured in real-time. Also, the thickness uniformity of the thin layer can be measured in each shot area or each chip area. Furthermore, the thickness of a portion of the thin layer formed in a chip at the edge of wafer can be measured. As a result, the method can be applied to improve processes and analyze problems of the processes.
摘要翻译：测量薄层的厚度，其中在衬底上形成图案化的下层，并形成覆盖下层的上层。建模下层，然后测量上层的厚度。在对下层进行建模时，将下层设置为预定材料层，然后使用以材料层的玻璃化度，折射率和厚度作为参数的谐振模型将材料层装配到下层中。因此，可以实时直接测量在单元区域中形成的薄层的厚度。而且，可以在每个拍摄区域或每个芯片区域中测量薄层的厚度均匀性。此外，可以测量在晶片边缘处形成在芯片中的薄层的一部分的厚度。因此，该方法可以应用于改进过程并分析过程的问题。

59. 发明公开

KR1020030088568A 박막 두께 측정 방법 有权
标题翻译：测量薄膜厚度的方法
公开(公告)号：KR1020030088568A
公开(公告)日：2003-11-20
申请号：KR1020020026227
申请日：2002-05-13
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 전충삼 , 전상문 , 현필식 , 조형석 , 최상봉
IPC分类号： H01L21/66
CPC分类号： G01B11/0616
摘要： PURPOSE: A method for measuring the thickness of a thin film is provided to be capable of measuring the thickness of the thin film in real time without the damage of the thin film. CONSTITUTION: After sequentially forming a lower layer patterned to a predetermined shape and an upper layer for enclosing the lower layer at the upper portion of a semiconductor substrate, a modeling process is carried out at the lower layer(500). Then, a thickness measuring process is carried out at the upper layer(510). Preferably, a predetermined material layer setting process is carried out at the lower layer and then, a fitting process is carried out at the predetermined material layer as the lower layer by using a harmonic oscillator model.
摘要翻译：目的：提供用于测量薄膜厚度的方法，以便能够实时测量薄膜的厚度而不损坏薄膜。构成：在顺序地形成图案化为预定形状的下层和用于在半导体衬底的上部包围下层的上层之后，在下层（500）处进行建模处理。然后，在上层（510）进行厚度测量处理。优选地，在下层进行预定的材料层设定处理，然后，通过使用谐波振荡器模型，在作为下层的预定材料层进行拟合处理。

60. 发明授权

KR100397174B1 스핀온글래스 조성물 失效
标题翻译： 스핀온글래스조성물
公开(公告)号：KR100397174B1
公开(公告)日：2003-09-06
申请号：KR1020020037359
申请日：2002-06-29
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이정호 , 최정식 , 김홍기 , 이동준 , 강대원 , 전상문
IPC分类号： C09D183/00
CPC分类号： H01L21/76229 , C08G77/62 , C09D183/16 , C23C18/1212 , C23C18/122 , C23C18/1279 , C23C18/1283 , H01L21/02164 , H01L21/02222 , H01L21/02282 , H01L21/02337 , H01L21/31051 , H01L21/3125 , H01L21/316 , H01L21/31612 , H01L21/823481 , Y10T428/31663
摘要： A spin-on glass (SOG) composition and a method of forming a silicon oxide layer utilizing the SOG composition are disclosed. The method includes coating on a semiconductor substrate having a surface discontinuity, an SOG composition containing perhydropolysilazane having a compound of the formula -(SiH 2 NH) n - wherein n represents a positive integer, a weight average molecular weight within the range of about 4,000 to 8,000, and a molecular weight dispersion within the range of about 3.0 to 4.0, to form a planar SOG layer. The SOG layer is converted to a silicon oxide layer with a planar surface by curing the SOG layer. Also disclosed is a semiconductor device made by the method.
摘要翻译：公开了旋涂玻璃（SOG）组合物和使用该SOG组合物形成氧化硅层的方法。所述方法包括在具有表面不连续性的半导体衬底上涂覆SOG组合物，所述SOG组合物包含具有式 - （SiH 2 SUB NH）n SUB n - 的化合物的全氢聚硅氮烷，其中n代表正整数，重均分子量在约4,000-8,000的范围内，分子量分散在约3.0-4.0的范围内，以形成平面SOG层。通过固化SOG层将SOG层转化为具有平面表面的氧化硅层。还公开了通过该方法制造的半导体器件。

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