专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

41. 发明授权

KR100259063B1 CCD 영상소자 失效
标题翻译： CCD图像装置
公开(公告)号：KR100259063B1
公开(公告)日：2000-06-15
申请号：KR1019920010236
申请日：1992-06-12
申请人： 현대반도체 주식회사
发明人： 이서규 , 우야신지
IPC分类号： H01L27/148
CPC分类号： H01L27/14887
摘要： PURPOSE: A CCD(Charge-Coupled Device) image sensor is provided to improve a characteristic of a long wavelength by simplifying a manufacturing process. CONSTITUTION: A VCCD(Vertical CCD) region(13) and a photo diode region(12) are formed on the first conductive type substrate(11). The first conductive type barrier layer(14) of a low density is formed within the photo diode region(12). The second conductive type layer(15) of high density on the first conductive type barrier layer(14). An insulating layer(17,19) is isolated on a whole surface. The first and the second gates(18,20) are formed on the VCCD region(13). A contact is formed on the second conductive type layer(15). An optical shielding metal(21) is formed on the contact, the first gate(18), and the second gate(20). An OFD(Over Flow Drain) is controlled by applying bias to the optical shielding metal(21).
摘要翻译：目的：提供CCD（电荷耦合器件）图像传感器，通过简化制造过程来提高长波长的特性。构成：在第一导电型基板（11）上形成VCCD（垂直CCD）区域（13）和光电二极管区域（12）。在光电二极管区域（12）内形成低密度的第一导电型势垒层（14）。在第一导电型阻挡层（14）上的高密度的第二导电类型层（15）。绝缘层（17,19）在整个表面上被隔离。第一和第二栅极（18,20）形成在VCCD区域（13）上。在第二导电类型层（15）上形成接触。在该触点，第一栅极（18）和第二栅极（20）上形成光屏蔽金属（21）。通过向光学屏蔽金属（21）施加偏压来控制OFD（过流漏极）。

42. 发明公开

KR1019990075026A 고체촬상소자 失效
公开(公告)号：KR1019990075026A
公开(公告)日：1999-10-05
申请号：KR1019980008993
申请日：1998-03-17
申请人： 현대반도체 주식회사
发明人： 이서규 , 심진섭
IPC分类号： H01L27/148
摘要： 본 발명은 고체촬상소자에 관한 것으로, FD 영역의 BCCD 및 N+ 영역과 P웰 사이에 공핍층을 극대화되도록 하기 위하여, FD 영역의 P웰을 다른 부분의 P웰에 비하여 그 깊이를 작게 하거나, 그 농도를 작게 하도록 형성하려 하는 것으로, 제1 도전형 반도체기판과, 상기 반도체기판에 형성되는 제2 도전형 제1 웰과, 상기 반도체기판에 상기 제1 웰이 아닌 부분에 형성되는 제2 도전형 제 2웰과, 상기 반도체기판의 상기 제1 웰 및 제2 웰 상에 형성되는 제1 도전형 BCCD 영역과, 상기 제2 웰 상부의 BCCD에 형성되는 제1 도전형 고농도불순물영역과, 상기 BCCD 상에 형성되는 절연막과, 상기 절연막 상에 상기 BCCD 영역의 신호전하를 능동적으로 전송시키도록 형성된 HCCD 전송게이트와, 상기 절연막 상에 위치하되, 상기 HCCD의 끝단의 전송게이트와 상기 고농도불순물영역 � �이에 형성되는 출력게이트와, 상기 고농도불순물영역의 신호전하는 감지하고 출력시키도록 형성된 다수의 게이트를 포함하는 고체촬상소자에 있어서, 상기 제2 도전형 제2 웰은 상기 제2 웰 상부에 위치하는 상기 제1 도전형 BCCD 영역 및 고농도불순물영역과의 공핍형성이 극대화하도록 형성되는 것이 특징으로 하고 있으며, FD 영역의 졍션 캐패시턴스를 작게 하여 출력전압의 감도 개선을 향상시킬 수 있다.

43. 发明授权

KR1019970003038B1 캠코더의 손떨림 보정장치 失效
标题翻译：手提式手摇矫正装置
公开(公告)号：KR1019970003038B1
公开(公告)日：1997-03-13
申请号：KR1019930004336
申请日：1993-03-20
申请人： 현대반도체 주식회사
发明人： 이성민 , 손영수 , 이서규 , 박용 , 정헌준
IPC分类号： H04N5/232
摘要： A swing compensation apparatus for the camcorder where the cost is saved and the effect of the charge sending is high, because the apparatus has two CCD(charge coupled device) and the change of coordinate can be compensated. The said apparatus consists of a coordinate compensation CCD(3), a delay means(4), the first register(5), the second register(6), the several buffer97), a subtraction means(8), and a integral buffer(9).
摘要翻译：由于该装置具有两个CCD（电荷耦合器件）并且可以补偿坐标变化，因此用于摄像机的摆动补偿装置节省了成本并且发送电荷的效果较高。所述装置包括坐标补偿CCD（3），延迟装置（4），第一寄存器（5），第二寄存器（6），多个缓冲器97），减法装置（8）和积分缓冲器（9）。

44. 发明授权

KR1019950002194B1 프레임 트랜스퍼방식의 CCD 영상센서 失效
标题翻译：框架传送方式CCD图像传感器
公开(公告)号：KR1019950002194B1
公开(公告)日：1995-03-14
申请号：KR1019910023853
申请日：1991-12-23
申请人： 현대반도체 주식회사
发明人： 이서규
IPC分类号： H01L27/148
摘要： The charge coupled device (CCD) image sensor of the frame-transfer-type with a shutter function, and an over-flow drain (OFD) function, increases photoelectric conversion effect with decreased thickness of a surface layer and a simple structure. The sensor is made by the steps of forming P--type substrate of a low concentration (11), n-type channel area (12) for generation and transfer of the image signal electric charge, P-type barrier layer (13) for controlling the over flow drain (OFD) and shutter voltage on P++-type substrate (10) of a high concentration, forming channel preventing area (14) and n-type contact electrode (15) repeatedly in turns, forming the oxide layer (16) on the surface, forming contact (17) between n-type contact electrode (15) and the oxide layer (16). The sensor can prevent blooming from the overproduction of the image signal electric charge.
摘要翻译：具有快门功能的帧传送型电荷耦合器件（CCD）图像传感器和过流漏极（OFD）功能，通过降低表面层厚度和简单结构增加了光电转换效果。该传感器是通过以下步骤制成的：形成低浓度（11），n型通道区域（12）的P型衬底，用于产生和传送图像信号电荷，P型势垒层（13），用于控制高浓度的P ++型基板（10）上的过流量（OFD）和快门电压，依次反复形成通道防止区域（14）和n型接触电极（15），形成氧化物层（16）），在n型接触电极（15）和氧化物层（16）之间形成接触（17）。该传感器可以防止图像信号电荷过度生成。

45. 发明公开

KR1019940027205A 고체 촬상 소자 제조 방법 无效
标题翻译：固态成像器件制造方法
公开(公告)号：KR1019940027205A
公开(公告)日：1994-12-10
申请号：KR1019930008697
申请日：1993-05-20
申请人： 현대반도체 주식회사
发明人： 박용 , 손영수 , 이서규
IPC分类号： H01L27/146
摘要： 본 발명은 고체촬상소자 제조방법에 관한 것으로 공정을 단순화하고 빛에 대한 손실을 줄일 수 있는 고체촬상소자 제조방법을 제공하여 그 목적이 있다.
본 발명은 상기 목적을 달성하기 위해 제 1 도전형 반도체 기판(1)상에 제 2도전형 반도체 웰(2)을 형성하는 제 1 공정, 상기 제 2도전형 반도체 웰(2) 에 VCCD(3)를 형성하고 VCCD(3)상에 절연층(4)과 게이트층(5)을 형성하는 제 2 공정, 상기 절연층(4)과 게이트층(5)을 식각한후 흡수될 빛의 고유파장에 따라 PD제 1도전형 반도체층(6a,6b,6c)의 접합깊이를 다르게 형성하는 제 3 공정, PD제 2도전형 반도체층(7)을 형성하는 제 4 공정으로 이루어짐을 특징으로 한다.

46. 发明公开

KR1019940018996A 이중 포토 다이오드를 이용한 전하 결합 장치의 구조 失效
标题翻译：双光电二极管电荷耦合器件的结构
公开(公告)号：KR1019940018996A
公开(公告)日：1994-08-19
申请号：KR1019930000392
申请日：1993-01-13
申请人： 현대반도체 주식회사
发明人： 손영수 , 박용 , 이성민 , 이서규 , 정헌준
IPC分类号： H01L27/148
摘要： 본 발명은 기판의 전압을 적당하게 설정하므로써 장파장을 갖는 빛에 의해 피사체를 형성하는 신호전하를 받아들이기에 적당하도록 한 이중포토다이오드를 이용한 전하 결합장치의 구조에 관한것으로, 종래는 n영역이 하나만 형성되어 있으므로서 장파장을 갖는 빛에 의한 스펙트럼의 응답이 매우 불량하고, 수직전송채널쪽으로 잡음전하가 유입되므로써 구조적으로 스미어 특성이 저하되었으나, 본발명에서는 n층(20, 21)을 두개 형성하여 두가지 모드로 동작하도록 하므로써 피사체를 형성하는 빛의 파장에 상관없이 피사체 신호를 감지할수 있으며 제2n층(21) 쪽으로 유입되는 빛 신호를 억제할수 있도록 하여 상기 결점을 개선시킬수 있는 것이다.

47. 发明授权

KR100076450B1 이상 수직 CCD 구조 失效
公开(公告)号：KR100076450B1
公开(公告)日：1994-08-19
申请号：KR1019910002373
申请日：1991-02-12
申请人： 현대반도체 주식회사
发明人： 이서규
IPC分类号： H01L27/146

48. 实用新型

KR200080738Y1 CCD의 리셋트 게이트 구조 失效
公开(公告)号：KR200080738Y1
公开(公告)日：1994-06-15
申请号：KR2019910005112
申请日：1991-04-13
申请人： 현대반도체 주식회사
发明人： 이서규
IPC分类号： H01L21/20

49. 发明公开

KR1019940001432A CCD 영상소자 失效
公开(公告)号：KR1019940001432A
公开(公告)日：1994-01-11
申请号：KR1019920010236
申请日：1992-06-12
申请人： 현대반도체 주식회사
发明人： 이서규 , 우야신지
IPC分类号： H01L27/148
摘要： 본 발명은 CCD의 OFD구조에 관한 것으로 종래의 OFD구조에 있어서는 기판쪽에 바이어스를 인가하여 OFD를 실현하였다.
이에 따라 P형 웰 공정이 필수적이므로 공정시간이 길고 복잡하고 장파장 특성이 좋지 않으며, 스미어현상이 발생할 가능성이 있어, 이를 개선하기 위해 기판표면쪽으로 여분의 신호전하를 빼주는 OFD 구조이다.
즉, 본 발명은 P형 기판에 VCCD영역과 포토다이오드 영역을 형성하고, 포토다이오드 영역내에 저농도 P형 베리어층을 두고 표면쪽에 부루밍 억제를 위한 고농도 n형층을 형성하고, VCCD영역 상측에 전하전송을 위한 제 1, 제 2 게이트가 형성되고, 고농도 n형층을 형성하여 옵티컬 월딩 메탈을 연결하여 바이어스를 인가하는 방법으로 OFD를 실현하였다.
따라서 감도가 향상되고 스미어현상이 억제되는 효과가 있다.

50. 发明公开

KR1019930009133A CCD 채널의 구조 失效
标题翻译： CCD通道结构
公开(公告)号：KR1019930009133A
公开(公告)日：1993-05-22
申请号：KR1019910018120
申请日：1991-10-15
申请人： 현대반도체 주식회사
发明人： 이서규
IPC分类号： H01L27/146
摘要： 본 발명은 제조공정이 간편하며 컬러 필터 공정에서 토포로지가 평탄하게 되도록 하는 CCD 채널의 구조에 관한 것으로, p-형 기판(8)상에 n
+- 전극(9A~9D), 절연층(10A~10C), 피웰(11), n-웰 BCCD(12), p
++ 영역(13), 산화막(14)을 형성하여 이루어진다.

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式