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41. 发明公开

KR1019980068853A 불소계수지 함유 지지체를 이용한 인쇄회로 기판의 제조방법 失效
标题翻译：使用含氟树脂的基材制造印刷电路板的方法
公开(公告)号：KR1019980068853A
公开(公告)日：1998-10-26
申请号：KR1019970005645
申请日：1997-02-24
申请人： 주식회사 삼양홀딩스 , 한국과학기술연구원
发明人： 김성룡 , 송준섭 , 최영준 , 박성철 , 고석근
IPC分类号： H05K3/00
摘要： 본 발명은 불소계수지 함유 지지체를 이용한 인쇄회로 기판의 제조방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 불소계 수지로서 특히 폴리테트라플루오로에틸렌을 이용하여 만든 기판지지체의 표면을 개질시킨 후 그 위에 회로패턴마스크를 씌우고 스퍼터링 또는 열증착으로 구리를 접착시켜 회로를 구성하므로써, 종래에 비해 간단한 공정으로 정밀하게 회로를 형성시키면서 에칭용액에 의한 환경오염을 방지할 수 있는 개선된 인쇄회로기판을 제조하는 방법에 관한 것이다.

42. 发明公开

KR1019980009512A 박막 증착 장치 失效
公开(公告)号：KR1019980009512A
公开(公告)日：1998-04-30
申请号：KR1019960028938
申请日：1996-07-18
申请人： 한국과학기술연구원
发明人： 장홍규 , 고석근 , 정형진 , 최원국
IPC分类号： C23C16/54

43. 发明公开

KR1019960039135A 질화물 표면의 개질방법 및 이에 의해 표면개질된질화물 失效
公开(公告)号：KR1019960039135A
公开(公告)日：1996-11-21
申请号：KR1019960011996
申请日：1996-04-19
申请人： 한국과학기술연구원
发明人： 고석근 , 정형진 , 최원국 , 손용배
IPC分类号： H01L21/265
摘要： 본 발명은 진공 상태하에, 반응성 가스를 고분자 또는 질화물 표면에 직접 불어 넣어주면서, 에너지를 가진 이온 입자를 고분자 또는 질화물 표면에 조사하여 그 표면의 접촉각을 감소시켜 고분자 또는 질화물 표면을 개질하는 방법 및 상기 방법에 의해 얻어진 질화물에 구리 박막을 성막시켜 얻어지는 구리 직접결합 질화알루미늄 재료에 관한 것이다.

44. 发明授权

KR100451415B1 반도체 기판과 백금 전극간의 접착력 향상 방법 및반도체용 백금 전극 구조 有权
标题翻译： 반도체기판과백금전극간접착력접착력향향및반도체용백금전극구조
公开(公告)号：KR100451415B1
公开(公告)日：2004-10-07
申请号：KR1020027001202
申请日：2000-06-01
申请人： 한국과학기술연구원
发明人： 고석근 , 조정
IPC分类号： H01L21/28
CPC分类号： H01L21/76856 , H01L21/28568 , H01L21/76838 , H01L21/76859 , H01L21/76862 , H01L21/76864 , H01L2221/1078
摘要： The present invention relates to a platinum electrode structure for a semiconductor, having: a semiconductor substrate; a TiN/Ti gradient layer formed at an upper portion of the substrate; and a Pt thin film formed at an upper portion of the gradient layer. In addition, the present invention relates to a method for enhancing adhesion between a semiconductor substrate and a platinum electrode, by: depositing a Ti seed layer on the semiconductor substrate; forming a TiN/Ti gradient layer by irradiating nitrogen ion beam and injecting reaction gas to the surface of the Ti seed layer; and depositing a Pt thin film on the TiN/Ti gradient layer.
摘要翻译：本发明涉及一种用于半导体的铂电极结构，具有：半导体衬底; 在衬底的上部形成的TiN / Ti梯度层; 以及在该梯度层的上部形成的Pt薄膜。此外，本发明涉及一种通过以下步骤来提高半导体衬底与铂电极之间的粘附力的方法：在半导体衬底上沉积Ti籽晶层; 通过照射氮离子束并向Ti种子层的表面注入反应气体，形成TiN / Ti梯度层; 并在TiN / Ti梯度层上沉积Pt薄膜。

45. 发明授权

KR100362160B1 이온 보조 반응법을 이용한 폴리올레핀 또는 열가소성수지의 표면 개질과 이를 이용한 나일론수지의 강인화방법 및 고분자 블렌드 조성물 失效
标题翻译：通过使用离子辅助反应修饰聚烯烃或热塑性弹性体表面的尼龙增韧方法和聚合物混合物的模塑组合物
公开(公告)号：KR100362160B1
公开(公告)日：2002-11-23
申请号：KR1019990053818
申请日：1999-11-30
申请人： 한국과학기술연구원
发明人： 고석근 , 서용석 , 김형준 , 조정
IPC分类号： C08J7/00
摘要： 본발명은이온보조반응법을이용한폴리올레핀또는열가소성수지의표면개질과이를이용한나일론수지의강인화방법및 고분자블렌드조성물에관한것으로, 폴리올레핀수지또는열가소성수지분말에이온빔을조사하면서반응성가스를첨가하여상기폴리올레핀수지또는열가소성수지분말의표면을기능화시키고, 기능화된폴리올레핀수지또는열가소성수지분말을나일론수지와블렌딩시켜형성되는나일론수지와폴리올레핀수지의블렌드를제공한다. 본발명에의한나일론과폴리올레핀수지또는열가소성수지의블렌드는기존의단순 2성분계블렌드에비해그 기계적성능, 즉연신특성과내충격성이우수하며내열성이우수하고접합성이뛰어나며, 이를제조함으로써고가의나일론수지를대체할수 있다.

46. 发明授权

KR100324619B1 금속 표면의 개질방법 및 이에 의해 표면개질된금속 失效
公开(公告)号：KR100324619B1
公开(公告)日：2002-10-12
申请号：KR1019960011995
申请日：1996-04-19
申请人： 한국과학기술연구원
发明人： 고석근 , 정형진 , 최원국 , 강병하
IPC分类号： H01L21/265
摘要： PURPOSE: A method for reforming a surface of metal and a surface reformed metal fabricated thereby are provided to decrease a wetting angle of the surface of metal by irradiating ion particles having energy to a surface of polymer or metal while reaction gas is directly applied to the surface of the polymer or the metal in a vacuum atmosphere. CONSTITUTION: Any reaction gas selected from oxygen, nitrogen, hydrogen, ammonia, carbon oxide or mixed gas thereof is directly applied to the surface of the metal in a vacuum atmosphere. Ion particles having an energy range from 0.5 kiloelectron volts to 2.5 kiloelectron volts and dosage of 10¬14-5x10¬17 ions/square centimeter are irradiated from an ion gun to the surface of the metal.

47. 发明授权

KR100345289B1 수소 이온보조 반응법을 이용한 고분자 표면처리 방법 失效
标题翻译：通过氢离子辅助反应开发聚合物表面改性
公开(公告)号：KR100345289B1
公开(公告)日：2002-07-25
申请号：KR1019990039876
申请日：1999-09-16
申请人： 한국과학기술연구원
发明人： 고석근 , 조정
IPC分类号： C08J7/00
CPC分类号： C08J7/12
摘要： 본발명은수소이온보조반응(Ion Assist Reaction)에의하여고분자를표면처리하여표면이하층을친수성작용기로변환시키는고분자표면처리방법으로서, 수소이온빔으로고분자표면에존재하는 C-H 혹은 C-H-O 결합을손상시키면서표면에반응성기체인산소를주입시켜표면및 그이하층에새로운화학결합종을만드는새로운방법이다. 기존의아르곤이나기타이온빔을이용하여표면처리한경우에비하여수소이온빔의경우는표면에형성된친수성기뿐만아니라표면이하층 (100Å이상)까지도친수성작용기를형성하였으며접촉각이감소하였고특히물속에보관하였을경우장기간보관하여도표면과그이하층에형성된친수성작용기가그대로유지되었으며공기중에서노출하였을경우 C-H-O로형성된 PC와 PET등은접촉각의회복도가 15도미만으로장시간경과후 측정하여도표면의친수성작용기가그대로유지하였다. 이러한수소이온보조반응법은휴대용밧데리의전해액의삼투압으로사용되는폴리에틸렌분리막의처리등에응용될수 있는데, 수소이온보조반응법을통하여고분자삼투압의최대단점인기공을통한전해액의이동이용이해졌고분리속도가향상되었으며무엇보다장시간사용할때 우려되는기계적강도도높아져분리막이안고있는문제점을해결하고표면만을친수성으로변화시킬수 있었다.

48. 发明授权

KR100336622B1 플라즈마를 이용한 재료 표면에의 고분자 중합막 합성방법 및 그 방법으로 제조된 고분자 재료 失效
标题翻译：材料表面等离子体聚合及其制备的聚合物材料
公开(公告)号：KR100336622B1
公开(公告)日：2002-05-16
申请号：KR1019997011139
申请日：1998-11-21
申请人： 한국과학기술연구원
发明人： 고석근 , 정형진 , 최원국 , 김기환 , 하삼철 , 김철환 , 최성창
IPC分类号： C23C4/00
CPC分类号： C23C16/30 , B05D1/62 , B05D5/083 , B05D2201/00 , B05D2203/30 , C23C16/503
摘要： 본발명은, 챔버내에서표면처리하고자하는금속또는절연재료 (세라믹또는고분자)를, 금속의경우에는양극으로절연재료의경우에는금속양극위에설치하는방법으로양극을위치시키고한쪽편에음극을위치시킨후, 상기챔버내의압력을소정진공상태로유지하고, 소정압력의불포화지방족탄화수소단량체가스또는불소계단량체가스를소정압력의중합불능 (non-polymerizable) 가스와혼합하여챔버내로도입하고, 상기전극에전압을인가하여 DC 방전에의해, 상기불포화지방족탄화수소가스또는불소를포함하는단량체가스와중합불능가스로부터기인하는양(+) 및음(-) 이온및 라디칼로이루어지는플라즈마를얻고, 플라즈마증착에의해상기금속양극표면에혹은금속양극위에설치된절연재료표면에친수성또는소수성을갖는고분자중합막을형성하는 DC 방전플라즈마를이용한금속또는절연재료표면에의고분자중합막합성방법을제공하고, RF 방전플라즈마를이용한금속, 세라믹또는고분자를포함하는재료표면에의고분자중합막합성방법을제공한다.

49. 发明授权

KR100336621B1 고분자 기판 위의 인듐산화물 또는 인듐주석산화물 박막증착 방법 失效
标题翻译：在聚合物衬底上沉积氧化铟或氧化铟锡薄膜的方法
公开(公告)号：KR100336621B1
公开(公告)日：2002-05-16
申请号：KR1020000007024
申请日：2000-02-15
申请人： 한국과학기술연구원
发明人： 고석근 , 백영환 , 조준식 , 한영건
IPC分类号： C23C14/20
摘要： 본 발명은 고분자 기판 위의 인듐산화물 또는 인듐주석산화물 박막 증착 방법에 관한 것으로, 진공하에서 고분자 기판에 산소 또는 아르곤 이온빔을 일정한 가속에너지로 조사하여 상기 고분자 기판의 표면을 개질시키고, 상기 표면 개질된 고분자 기판 위에 진공하에서 산소, 아르곤 또는 산소와 아르곤의 혼합 이온빔을 조사하면서 IO 또는 ITO 박막을 증착시키는 것으로 이루어지는 고분자 기판 위의 IO 또는 ITO 박막 증착 방법을 제공한다. 또한, 본 발명은 진공하에서 아르곤, 산소 또는 이의 혼합 기체를 사용하여 냉음극이온소스로부터 이온빔을 발생시키고 In
2 O
3 또는 In
2 O
3 및 SnO
2 로 이루어진 타겟물질에 스퍼터링시켜 상기 표면 개질된 고분자 기판 위에 IO 또는 ITO 박막을 증착시키는 것도 가능하다. 본 발명에 의하면 고분자 기판의 투명도나 고분자 기판의 표면 개질층의 화학적 안정성에 손상을 주지 않고, 낮은 기판 온도, 특히 상온에서 고분자 기판 위에 투명 전도성 박막인 IO 또는 ITO 박막을 제조하는 것이 가능하다. 이렇게 제조된 IO 또는 ITO 박막은 투명도, 전기적 특성 및 고분자 기판과의 접착력이 종래의 박막 제조방법에 비하여 매우 향상된다.

50. 发明公开

KR1020020026555A 반도체 기판과 백금 전극간의 접착력 향상 방법 및반도체용 백금 전극 구조 有权
标题翻译：用于半导体的铂电极结构和用于增强半导体衬底和铂电极之间的粘合的方法
公开(公告)号：KR1020020026555A
公开(公告)日：2002-04-10
申请号：KR1020027001202
申请日：2000-06-01
申请人： 한국과학기술연구원
发明人： 고석근 , 조정
IPC分类号： H01L21/28
CPC分类号： H01L21/76856 , H01L21/28568 , H01L21/76838 , H01L21/76859 , H01L21/76862 , H01L21/76864 , H01L2221/1078
摘要： PURPOSE: A platinum electrode structure and method for enhancing adhesion between semiconductor substrate and platinum electrode are provided to enhance the adhesion of a Pt thin film by depositing Ti on a semiconductor substrate and modifying the surface of Ti with ion beam of low energy (a few keV), thereby to restrict the influence of an interface resulting from temperature increases. CONSTITUTION: A platinum electrode structure for a semiconductor comprises a semiconductor substrate, a TiN/Ti gradient layer formed at an upper portion of the substrate, and a Pt thin film formed at an upper portion of the gradient layer. A method of enhancing adhesion between a semiconductor substrate and a platinum electrode comprises depositing a Ti seed layer on the semiconductor substrate, forming a TiN/Ti gradient layer by irradiating nitrogen ion beam and injecting reaction gas to the surface of the Ti seed layer, and depositing a Pt thin film on the TiN/Ti gradient layer.
摘要翻译：目的：提供一种用于增强半导体衬底和铂电极之间的粘附性的铂电极结构和方法，以通过在半导体衬底上沉积Ti来改善Pt薄膜的粘附，并用低能量的离子束（几个 keV），从而限制由温度升高引起的界面的影响。构成：用于半导体的铂电极结构包括半导体衬底，在衬底的上部形成的TiN / Ti梯度层和形成在梯度层的上部的Pt薄膜。一种增强半导体衬底和铂电极之间的粘附性的方法包括在半导体衬底上沉积Ti种子层，通过照射氮离子束并将反应气体注入Ti籽晶层的表面形成TiN / Ti梯度层，以及在TiN / Ti梯度层上沉积Pt薄膜。

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