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41. 发明授权

KR101636442B1 촉매합금을 이용한 그라핀의 제조방법 有权
标题翻译：使用合金催化剂制造石墨烯的方法
公开(公告)号：KR101636442B1
公开(公告)日：2016-07-21
申请号：KR1020090108231
申请日：2009-11-10
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 우윤성 , 서형석 , 서순애 , 정현종 , 강새라 , 허진성
IPC分类号： C01B31/02 , C23C14/16 , C22C19/00 , C23C14/34
CPC分类号： C01B31/0453 , B01J23/755 , B01J37/347 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/186 , C01B2204/04 , C23C16/0281 , C23C16/26
摘要： 촉매합금을이용한그라핀제조방법이개시된다. 개시된그라핀제조방법은, 기판상에니켈포함합금촉매층을형성하는단계와, 상기합금촉매층상에탄화수소가스를공급하여그라핀층을형성하는단계를포함한다. 상기니켈포함합금촉매층은, 구리(Cu), 백금(Pt), 철(Fe) 중적어도하나의금속과니켈을포함한다. 그라핀제조시, 촉매층으로니켈의카본용해를감소시키는촉매금속을함께사용함으로써촉매합금층으로융해되는카본의양을조절할수 있고, 따라서균일한단일층그라핀층을형성할수 있다.

42. 发明授权

KR101603771B1 2차원 시트 물질을 이용한 전자 소자 및 그 제조 방법 有权
标题翻译： 2电子设备采用2D片材和制作方法相同
公开(公告)号：KR101603771B1
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：KR1020090100307
申请日：2009-10-21
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 우윤성 , 서순애 , 김동철 , 정현종
IPC分类号： C01B31/00 , C01B31/04 , C30B29/36
CPC分类号： H01L29/1606 , B82Y10/00 , H01L27/1266 , H01L29/0665 , H01L29/4908 , H01L29/66742 , H01L29/7781 , H01L29/78603 , H01L29/78684
摘要： 전자소자및 그제조방법이개시된다. 개시된전자소자는, 2차원시트물질로형성된제1 내지제3요소를구비한다. 제1 내지제3요소는순차로또는그 반대순서로적층되어, 제2요소는제1요소와제3요소사이에위치한다. 제2요소는절연성을가지며, 제1 및제3요소는각각금속성및 반도체특성중 어느하나를가지도록형성될수 있다.

43. 发明授权

KR101480082B1 그라핀을 이용한 양자 간섭 트랜지스터와 그 제조 및 동작 방법 有权
标题翻译：使用石墨烯的量子干涉晶体管及其制造和操作方法
公开(公告)号：KR101480082B1
公开(公告)日：2015-01-08
申请号：KR1020080099353
申请日：2008-10-09
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 신재광 , 서순애 , 김종섭 , 홍기하 , 정현종
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/7613 , B82Y10/00 , H01L29/1029 , H01L29/16 , H01L29/1606 , H01L29/66977
摘要： 그라핀을 이용한 양자 간섭 트랜지스터와 그 제조 및 동작 방법에 관해 개시되어 있다. 개시된 그라핀을 이용한 양자 간섭 트랜지스터는 소오스, 드레인 및 채널이 모두 그라핀 시트이고, 채널은 경로차를 갖는 복수 경로를 포함하고, 상기 복수 경로 중 어느 하나 이상에 게이트가 마련되어 있다. 상기 경로차는 상기 복수 경로를 경유하는 전자의 파동들이 상기 드레인에서 상쇄간섭 또는 보강간섭을 일으키는 경로차일 수 있다

44. 发明公开

KR1020140121197A 그래핀 소자 및 이의 제조 방법 审中-实审
标题翻译：石墨设备及其制造方法
公开(公告)号：KR1020140121197A
公开(公告)日：2014-10-15
申请号：KR1020130037664
申请日：2013-04-05
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 정현종 , 서형석 , 박성준 , 변경은 , 송현재 , 양희준 , 허진성
IPC分类号： H01L29/872 , C01B31/02
CPC分类号： H01L29/47 , B82Y10/00 , H01L21/74 , H01L29/0847 , H01L29/0895 , H01L29/1606 , H01L29/165 , H01L29/413 , H01L29/41725 , H01L29/41766 , H01L29/66477 , H01L29/66977 , H01L29/7781 , H01L29/7839 , C01B32/182
摘要： 그래핀 소자 및 이의 제조 방법이 개시된다. 개시된 그래핀 소자는 반도체 기판와, 반도체 기판 상의 일 영역에 배치된 그래핀층와, 그래핀층 상의 제1 영역에 형성된 제1 전극과, 그래핀층 상의 제2 영역에 형성된 제2 전극과, 그래핀층과 상기 제2 전극의 사이에 개재되는 절연층과, 반도체 기판 상의 그래핀층이 형성되지 않은 제3 영역에 형성된 제3 전극을 포함하며, 반도체 기판은 제1 전극, 그래핀층, 및 반도체 기판의 접합에 의해 제2 전극에 전압이 인가될 때보다 인가되지 않을 때 더 큰 쇼트키 배리어를 갖는다.
摘要翻译：公开了一种石墨烯装置及其制造方法。所公开的石墨烯装置包括半导体衬底，布置在半导体衬底的一个区域上的石墨烯层，形成在石墨烯层的第一区域上的第一电极，形成在第二区域上的第二电极，石墨烯层，介于石墨烯层和第二电极之间的绝缘层，以及形成在半导体衬底上的没有石墨烯层的第三区域上的第三电极。与通过第一电极，石墨烯层和半导体衬底的接合不施加到第二电极的电压相比，半导体衬底包括施加电压到第二电极的大的肖特基势垒。

45. 发明公开

KR1020140077230A 그래핀의 제조 방법 및 이를 포함하는 그래핀 적용 소자 审中-实审
标题翻译：制造石墨的方法和包含石墨的装置
公开(公告)号：KR1020140077230A
公开(公告)日：2014-06-24
申请号：KR1020120132603
申请日：2012-11-21
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이동욱 , 신현진 , 박성준 , 변경은 , 서형석 , 송현재 , 우윤성 , 이재호 , 정현종 , 허진성
IPC分类号： C01B31/02 , H01B13/00
CPC分类号： H01L21/02527 , H01L21/0242 , H01L21/02529 , H01L21/02612 , H01L21/02656 , H01L29/1606 , C01B32/184 , H01B13/00
摘要： The present invention relates to a method for preparing graphene and a graphene applied device comprising the same. The method for preparing graphene comprises: a step of forming a silicon carbide thin film on a substrate; a step of forming a metal thin film on the silicon carbide thin film; and a step of treating the silicon carbide thin film and the metal thin with heat to form a metal composite layer and graphene on the substrate.
摘要翻译：本发明涉及一种制备石墨烯的方法和包括该石墨烯的石墨烯施加装置。制备石墨烯的方法包括：在基材上形成碳化硅薄膜的步骤; 在碳化硅薄膜上形成金属薄膜的步骤; 以及通过热处理碳化硅薄膜和金属薄层以在基板上形成金属复合层和石墨烯的步骤。

46. 发明授权

KR101392451B1 그래핀을 이용한 적외선 발광소자 有权
标题翻译：使用石墨烯的红外线发射装置
公开(公告)号：KR101392451B1
公开(公告)日：2014-05-08
申请号：KR1020070058575
申请日：2007-06-14
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 정란주 , 서순애 , 김동철 , 이장원 , 정현종
IPC分类号： H01L33/02
摘要： 그래핀을이용한적외선발광소자를개시한다. 개시된적외선발광소자는, 소스영역및 드레인영역과, 그사이의발광영역을포함하며상기소스영역, 드레인영역및 발광영역이일체형으로형성된발광층; 상기발광영역에형성된게이트전극; 및상기발광층으로부터상기게이트전극을이격시키는절연층;을구비하며, 상기소스영역으로부터상기드레인영역으로의제1방향과직교하는제2방향에서상기소스영역및 드레인영역의폭이상기발광영역보다더 넓은것을특징으로한다.

47. 发明授权

KR101327788B1 자기장 센서 및 그를 이용한 자기장 측정 방법 有权
标题翻译：磁场传感器及其磁场测量方法
公开(公告)号：KR101327788B1
公开(公告)日：2013-11-11
申请号：KR1020070071285
申请日：2007-07-16
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 정현종 , 정란주 , 서순애 , 김동철 , 이장원 , 김언정
IPC分类号： G01R33/00
摘要： 자기장 센서 및 그를 이용한 자기장 측정 방법을 개시한다. 본 발명의 자기장 센서는 적어도 하나의 도전성 라인 및 상기 도전성 라인에 연결된 적어도 하나의 도전성 루프를 갖는 소자를 포함하고, 상기 도전성 라인과 상기 도전성 루프는 2차원 고체를 포함하는 것을 특징으로 한다.

48. 发明公开

KR1020130022854A 튜너블 배리어를 구비한 그래핀 스위칭 소자 审中-实审
标题翻译：石墨切换包括可调节障碍物
公开(公告)号：KR1020130022854A
公开(公告)日：2013-03-07
申请号：KR1020110085820
申请日：2011-08-26
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 허진성 , 정현종 , 송현재 , 박성준 , 서형석 , 양희준
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/772
CPC分类号： H01L29/1606 , B82Y10/00 , H01L29/0895 , H01L29/165 , H01L29/41725 , H01L29/778 , H01L29/7781 , H01L29/78684
摘要： PURPOSE: A graphene switching device including a tunable barrier is provided to prevent a graphene defect by forming an energy gap between an electrode and a graphene current path using a semiconductor barrier. CONSTITUTION: A gate oxide layer(120) is formed on a substrate(110). The gate oxide layer is made of silicon oxide or silicon nitride. A graphene layer(130) is formed on the gate oxide layer. A semiconductor layer(140) and a first electrode(151) are successively laminated on a first region of the graphene layer. A second electrode(152) is formed on a second region which is separated from the first region of the graphene layer.
摘要翻译：目的：提供包括可调屏障的石墨烯开关装置，以通过使用半导体屏障在电极和石墨烯电流路径之间形成能隙来防止石墨烯缺陷。构成：在衬底（110）上形成栅氧化层（120）。栅氧化层由氧化硅或氮化硅制成。在栅极氧化物层上形成石墨烯层（130）。半导体层（140）和第一电极（151）依次层叠在石墨烯层的第一区域上。第二电极（152）形成在与石墨烯层的第一区域分离的第二区域上。

49. 发明公开

KR1020120076061A 복수의 그래핀 채널층을 구비하는 그래핀 전자소자 有权
标题翻译：包含多个石墨通道层的石墨电子器件
公开(公告)号：KR1020120076061A
公开(公告)日：2012-07-09
申请号：KR1020100138041
申请日：2010-12-29
申请人： 삼성전자주식회사 , 서울대학교산학협력단
发明人： 정현종 , 이재홍 , 이재호 , 신형철 , 서순애 , 이성훈 , 허진성 , 양희준
IPC分类号： H01L29/78
CPC分类号： H01L29/1606 , H01L29/41733 , H01L29/66045 , H01L29/778 , H01L29/78684 , H01L29/78696 , H01L21/823412
摘要： PURPOSE: A graphene electric component equipped with a plurality of graphene channel layers is provided to increase current transition speed between a drain electrode and a source electrode by forming the plurality of graphene channel layers into a double layer structure. CONSTITUTION: A gate electrode(120) is formed on a substrate(110). A first gate insulating layer(131) covering the gate electrode is formed on the substrate. A first graphene channel layer(141) is formed on the first gate insulating layer. A second gate insulating layer(132) is formed on the first graphene channel layer. A second graphene channel layer(142) is formed on the second gate insulating layer. A source electrode(150) and a drain electrode(160) are formed on the first graphene channel layer and the second graphene channel layer.
摘要翻译：目的：提供装配有多个石墨烯通道层的石墨烯电气部件，以通过将多个石墨烯通道层形成双层结构来增加漏电极和源电极之间的电流转变速度。构成：在基板（110）上形成栅电极（120）。在基板上形成覆盖栅电极的第一栅极绝缘层（131）。在第一栅绝缘层上形成第一石墨烯通道层（141）。第一栅极绝缘层（132）形成在第一石墨烯沟道层上。在第二栅绝缘层上形成第二石墨烯通道层（142）。源电极（150）和漏电极（160）形成在第一石墨烯沟道层和第二石墨烯沟道层上。

50. 发明公开

KR1020120059022A 그래핀 전자 소자 有权
标题翻译：石墨烯电子设备
公开(公告)号：KR1020120059022A
公开(公告)日：2012-06-08
申请号：KR1020100120614
申请日：2010-11-30
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 허진성 , 서순애 , 이성훈 , 정현종 , 양희준
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/778 , H01L29/0657 , H01L29/1606 , H01L29/66431
摘要： PURPOSE: A graphene electric component is provided to improve mobility of a graphene channel layer by forming a plurality of nano-holes of a narrow interval on the graphene channel layer and to reduce depression of the graphene channel layer. CONSTITUTION: A gate oxide(120) is formed on a silicon substrate. A graphene channel layer(130) is formed on the gate oxide. A plurality of nano-holes(132) is arranged on the graphene channel layer in a lateral direction of the graphene channel layer. A source electrode(142) and a drain electrode(144) are formed on both ends of the graphene channel layer. A passivation layer covering the graphene channel layer is formed between the source electrode and the drain electrode. The diameter of each nano-hole is 1 to 20nm. The width of the graphene channel layer is 100nm to 5micrometers.
摘要翻译：目的：提供石墨烯电气部件以通过在石墨烯通道层上形成窄间隔的多个纳米孔并减少石墨烯通道层的压下来改善石墨烯通道层的迁移率。构成：在硅衬底上形成栅极氧化物（120）。在栅极氧化物上形成石墨烯通道层（130）。在石墨烯通道层的横向方向上的多个纳米孔（132）被布置在石墨烯通道层上。源极电极（142）和漏电极（144）形成在石墨烯通道层的两端。在源电极和漏电极之间形成覆盖石墨烯沟道层的钝化层。每个纳米孔的直径为1〜20nm。石墨烯通道层的宽度为100nm至5微米。

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