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41. 发明公开

KR1020160037864A 표시 기판 有权
标题翻译：显示基板
公开(公告)号：KR1020160037864A
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：KR1020160033611
申请日：2016-03-21
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 김기원 , 윤갑수 , 김도현 , 이현정
IPC分类号： H01L27/12 , H01L29/786 , H01L29/06 , H01L21/768 , G02F1/1368
摘要： 표시기판이제공된다. 본발명의일 실시예에따른표시기판은절연기판상에형성된게이트배선, 게이트배선상에형성되며산화물반도체를포함하는산화물반도체패턴, 및산화물반도체패턴상에게이트배선과교차되도록형성된데이터배선을포함하며, 산화물반도체패턴은제1 산화물및 제3 원소를포함하며, 제3 원소는수직방향으로농도구배를가진다.
摘要翻译：提供了具有可靠性和安全性的显示基板。根据本发明的实施例的显示基板包括形成在绝缘基板上的栅极线，形成在栅极线上并包括氧化物半导体的氧化物半导体图案，以及与栅极线相交的数据线氧化物半导体图案。氧化物半导体图案包括第一氧化物和第三元素。第三元素在垂直方向上具有浓度梯度。

42. 发明授权

KR101600887B1 박막 트랜지스터 표시판 및 이의 제조 방법 有权
标题翻译：薄膜晶体管显示面板及其制造方法
公开(公告)号：KR101600887B1
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：KR1020090061249
申请日：2009-07-06
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 윤갑수 , 김도현 , 양성훈 , 정기훈 , 최재호 , 서승미
IPC分类号： G02F1/136
CPC分类号： H01L27/1248 , H01L27/1214 , H01L27/1225 , H01L27/1255 , H01L27/1288 , H01L29/7869
摘要： 전기적특성이향상되고신뢰성이향상된박막트랜지스터표시판및 이의제조방법이제공된다. 박막트랜지스터표시판은, 절연기판상에형성된게이트배선과, 게이트배선상에형성된산화물액티브층패턴과, 산화물액티브층패턴상에게이트배선과교차하도록형성된데이터배선과, 산화물액티브층패턴및 데이터배선상에형성되고, 질소산화물로이루어진보호막과, 보호막상에형성된화소전극을포함한다.
摘要翻译：提供了具有改进的电特性和改进的可靠性的薄膜晶体管面板及其制造方法。 TFT阵列面板，在所述栅极布线和形成在栅布线和形成为与所述金属氧化物活性层图案，所述金属氧化物活性层图案和形成在绝缘衬底上的数据布线与栅极布线交叉的数据布线的金属氧化物活性层图案由氮氧化物制成的保护膜和形成在保护膜上的像素电极。

43. 发明公开

KR1020150130640A 박막 트랜지스터, 이를 포함하는 표시기판 및 이의 제조방법 审中-实审
标题翻译：薄膜晶体管，其显示基板及其制造方法
公开(公告)号：KR1020150130640A
公开(公告)日：2015-11-24
申请号：KR1020140057332
申请日：2014-05-13
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 양찬우 , 김도현 , 박정주 , 박준현 , 이두형 , 이신흥
IPC分类号： H01L29/786
CPC分类号： H01L21/467 , H01L21/47573 , H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L27/1248 , H01L27/1259 , H01L29/41733 , H01L29/45 , H01L29/66969 , H01L29/78606 , H01L29/7869
摘要： 본발명에따른박막트랜지스터는제어전극, 제어전극상에배치된반도체층, 적어도일부가반도체층상에배치된입력전극, 및적어도일부가반도체층상에배치되고, 입력전극과이격된출력전극을포함하고, 입력전극및 출력전극각각은, 금속을포함하는배선층, 배선층의측부에배치되고, 금속의산화물을포함하는더미부, 및배선층상에배치되고, 배선층및 더미부와중첩하는보호층을포함한다.
摘要翻译：根据本发明的薄膜晶体管包括：控制电极; 布置在所述控制电极上的半导体层; 输入电极，其中所述输入电极的一部分布置在所述半导体层上; 以及输出电极，其中输出电极的一部分布置在半导体层上并与输入电极间隔开。每个输入电极和输出电极包括：具有金属的布线层; 布置在所述布线层的侧部的虚设单元，具有所述金属的氧化物; 以及布置在布线层上并与布线层和伪单元重叠的保护层。

44. 发明授权

KR101425635B1 산화물 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법 및 산화물 박막트랜지스터 기판 有权
标题翻译：氧化物薄膜晶体管阵列基板和氧化物薄膜晶体管阵列基板的制造方法
公开(公告)号：KR101425635B1
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：KR1020070119287
申请日：2007-11-21
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 이제훈 , 양동주 , 인태형 , 김도현 , 홍선영 , 정승재 , 정창오
IPC分类号： G02F1/136 , H01L29/786
摘要： 산화물 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법이 제공된다. 산화물 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법은, 절연 기판 상에 게이트 배선을 형성하고, 게이트 배선 상에 산화물 반도체 패턴 및 데이터 배선의 적층 구조를 형성하되, 산화물 반도체 패턴은 제1 영역과 제2 영역으로 구분되고 상기 제1 영역의 두께가 상기 제2 영역의 두께보다 얇도록 형성하고, 상기 데이터 배선은 상기 제2 영역 상에 형성하는 것을 포함한다.
산화물 박막 트랜지스터, 산화물 반도체, 식각, 일함수, 채널 두께

45. 发明授权

KR101290282B1 액정 표시 장치 및 이의 제조 방법 失效
标题翻译：液晶显示装置及其制造方法
公开(公告)号：KR101290282B1
公开(公告)日：2013-07-26
申请号：KR1020060117209
申请日：2006-11-24
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 이은국 , 이제훈 , 김도현 , 정창오
IPC分类号： G02F1/136
CPC分类号： G02F1/136286 , G02F1/133345 , G02F2001/133357
摘要： 극 저저항 금속 배선과 절연 기판의 접착력을 향상시키고, 광투과율을 향상시킨 액정 표시 장치 및 이의 제조 방법이 제공된다. 액정 표시 장치는, 절연 기판과, 절연 기판 상에 형성되고 구리로 이루어진 게이트 배선과, 절연 기판과 게이트 배선 사이에 개재되어 게이트 배선을 절연 기판에 접착시키며, 두께가 190~210nm인 접착층을 포함한다.
접착층, 저온 화학 기상 증착, 구리(Cu)
摘要翻译：提供了一种液晶显示器件及其制造方法，该液晶显示器件改善极低电阻金属布线与绝缘基板之间的粘合性并且具有改善的光透射率。该液晶显示装置包括：绝缘基板;形成在绝缘基板上并由铜制成的栅极布线;以及粘合层，介于绝缘基板和栅极布线之间以将栅极布线粘合到绝缘基板，并具有190-210nm的厚度。

46. 发明公开

KR1020120014609A 표시 기판 및 이의 제조 방법 有权
标题翻译：显示基板及其制造方法
公开(公告)号：KR1020120014609A
公开(公告)日：2012-02-20
申请号：KR1020100076673
申请日：2010-08-10
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 최영주 , 이우근 , 김도현
IPC分类号： G02F1/1368 , H01L27/12 , G02F1/1362 , G02F1/1333 , H01L29/45 , H01L29/49 , H01L21/465
CPC分类号： H01L27/1225 , G02F1/1368 , G02F1/133345 , G02F1/136227 , G02F1/136286 , H01L21/465 , H01L27/1274 , H01L29/458 , H01L29/4908
摘要： PURPOSE: A display substrate and a manufacturing method thereof are provided to increase the electric property of a switching element with an oxide semiconductor. CONSTITUTION: A gate pattern comprises a gate electrode(123) on a substrate. A gate insulating layer(131) is formed on the substrate with the gate electrode. An insulating layer(133) comprises a first thick unit(132a) which is formed on the gate insulating layer of a first area overlapped with the gate electrode, and a second thick unit(132b) which is thinner than the first thick unit forming on the gate insulating layer of a second area neighboring the first area. An oxide semiconductor pattern(140) is formed on the first thick unit of the first area. An etch stopper(150) is arranged on the oxide semiconductor pattern. A source pattern includes a source electrode and a drain electrode which contact with the oxide semiconductor pattern. A pixel electrode contacts with the drain electrode.
摘要翻译：目的：提供显示基板及其制造方法，以增加开关元件与氧化物半导体的电性能。构成：栅极图案包括在基板上的栅电极（123）。栅极绝缘层（131）与栅电极形成在衬底上。绝缘层（133）包括形成在与栅电极重叠的第一区域的栅极绝缘层上的第一厚单元（132a）和比形成在第一厚单元上的第一厚单元更薄的第二厚单元（132b）第二区域的栅极绝缘层与第一区域相邻。在第一区域的第一厚单元上形成氧化物半导体图案（140）。在氧化物半导体图案上布置有蚀刻停止层（150）。源图案包括与氧化物半导体图案接触的源电极和漏电极。像素电极与漏电极接触。

47. 发明公开

KR1020110118384A 표시 기판 및 그 제조 방법 无效
标题翻译：显示器基板及其制造方法
公开(公告)号：KR1020110118384A
公开(公告)日：2011-10-31
申请号：KR1020100037955
申请日：2010-04-23
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 김도현 , 정창오 , 이우근 , 류혜영 , 김기원 , 최영주 , 이영욱 , 이동훈
IPC分类号： G02F1/136
CPC分类号： H01L27/124 , H01L27/1225 , H01L29/458 , H01L29/4908 , H01L29/7869
摘要： 표시 기판이 제공된다. 표시 기판은 기판 상에 형성된 게이트 배선 패턴, 게이트 배선 상에 형성된 산화물 액티브층 패턴, 산화물 액티브층 패턴 상에 형성된 데이터 배선 패턴, 및 게이트 배선 패턴 상부 및 데이터 배선 패턴 하부 중 적어도 하나에 형성된 반사방지막 패턴을 포함한다.

48. 发明公开

KR1020110084005A 표시 기판 有权
标题翻译：显示基板
公开(公告)号：KR1020110084005A
公开(公告)日：2011-07-21
申请号：KR1020100004021
申请日：2010-01-15
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 김기원 , 윤갑수 , 김도현 , 이현정
IPC分类号： H01L29/786 , G02F1/136
CPC分类号： H01L29/7869 , H01L21/02565 , H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L27/3262 , H01L29/24 , H01L29/66765 , H01L29/78633 , H01L29/06 , H01L29/78696
摘要： PURPOSE: A display board is provided to reduce the absolute value of a turn-off voltage of a thin film transistor by forming a larger band gap of a first oxide semiconductor pattern than the band gap of a second oxide semiconductor pattern. CONSTITUTION: An oxide semiconductor pattern(144) is formed on a gate wiring(22) and includes an oxide semiconductor. A data wiring is formed on the oxide semiconductor pattern cross the gate wiring. The oxide semiconductor pattern includes a first oxide semiconductor pattern and a second oxide semiconductor pattern. A first oxide semiconductor pattern(44) includes a first oxide and a third element. A second oxide semiconductor pattern(54) includes a second oxide.
摘要翻译：目的：提供一种显示板，通过形成比第二氧化物半导体图案的带隙更大的第一氧化物半导体图案的带隙来减小薄膜晶体管的截止电压的绝对值。构成：在栅极布线（22）上形成氧化物半导体图案（144）并且包括氧化物半导体。在栅极布线上的氧化物半导体图案上形成数据布线。氧化物半导体图案包括第一氧化物半导体图案和第二氧化物半导体图案。第一氧化物半导体图案（44）包括第一氧化物和第三元素。第二氧化物半导体图案（54）包括第二氧化物。

49. 发明公开

KR1020100075059A 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법 无效
标题翻译：薄膜晶体管阵列基板及其方法
公开(公告)号：KR1020100075059A
公开(公告)日：2010-07-02
申请号：KR1020080133661
申请日：2008-12-24
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 김도현 , 이동훈 , 정창오
IPC分类号： G02F1/136 , G02F1/133
CPC分类号： G02F1/136286 , G02F1/1368 , G02F2001/136295
摘要： PURPOSE: A thin film transistor substrate and a manufacturing method thereof are provided to improve an electrical feature. CONSTITUTION: In an insulating substrate(10), a gate driver area and an active area are defined. A first transistor including an oxide semiconductor layer(140) is formed in the gate driver area. A second transistor including an amorphous silicon semiconductor layer(40) is electrically connected to a gate line(22) and a data line(62). The first gate electrode(126) of the first transistor is formed on the insulating substrate. The oxide semiconductor layer is formed on the first gate electrode.
摘要翻译：目的：提供薄膜晶体管基板及其制造方法以改善电气特征。构成：在绝缘基板（10）中，定义了栅极驱动器区域和有源区域。在栅极驱动器区域中形成包括氧化物半导体层（140）的第一晶体管。包括非晶硅半导体层（40）的第二晶体管电连接到栅极线（22）和数据线（62）。第一晶体管的第一栅电极（126）形成在绝缘基板上。氧化物半导体层形成在第一栅电极上。

50. 发明公开

KR1020100070086A 박막 트랜지스터 표시판 및 이의 제조 방법 无效
标题翻译：薄膜晶体管基板及其制造方法
公开(公告)号：KR1020100070086A
公开(公告)日：2010-06-25
申请号：KR1020080128683
申请日：2008-12-17
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 김도현 , 이제훈 , 윤갑수 , 이동훈 , 김병범
IPC分类号： G02F1/136 , H01L29/786
CPC分类号： H01L27/1225 , H01L29/458 , H01L29/7869
摘要： PURPOSE: A thin film transistor display panel and a method for manufacturing the same are provided to reduce a contact resistance between an active layer pattern and a data line. CONSTITUTION: Gate lines(22,26) are formed on an insulating substrate(10). An oxide active layer pattern is formed on the gate line. The oxide active layer pattern includes oxide of the first substance. An ohmic contact layer pattern is formed on the oxide active layer pattern. The ohmic contact layer pattern includes the first substance and oxides of the fifth group element. A data line is formed on the ohmic contact layer pattern.
摘要翻译：目的：提供薄膜晶体管显示面板及其制造方法，以减少有源层图案与数据线之间的接触电阻。构成：栅极线（22,26）形成在绝缘基板（10）上。在栅极线上形成氧化物有源层图案。氧化物活性层图案包括第一物质的氧化物。在氧化物活性层图案上形成欧姆接触层图案。欧姆接触层图案包括第一种物质和第五族元素的氧化物。数据线形成在欧姆接触层图案上。

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