专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

41. 发明公开

KR1020160098046A 반도체 장치 审中-实审
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：KR1020160098046A
公开(公告)日：2016-08-18
申请号：KR1020160012701
申请日：2016-02-02
申请人： 가부시키가이샤 제이디바이스
发明人： 히로베,마사오
IPC分类号： H01L23/367 , H01L23/40 , H01L23/373
CPC分类号： H01L23/3675 , H01L23/04 , H01L23/10 , H01L23/3736 , H01L23/562 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/17 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L2224/13101 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/16225 , H01L2224/2919 , H01L2224/29193 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/73204 , H01L2224/73253 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01029 , H01L2924/059 , H01L2924/10253 , H01L2924/10272 , H01L2924/1033 , H01L2924/14 , H01L2924/16153 , H01L2924/1616 , H01L2924/3511 , H01L2924/014 , H01L2924/00014 , H01L2924/0655 , H01L2924/07025 , H01L2924/0715 , H01L2924/0635 , H01L2924/0675
摘要： 본발명은, 반도체칩 및기판에배치된방열판이, 열팽창또는열수축에수반하는응력에의해, 방열판과기판과의접착부가벗겨지는문제를해결하는것을, 목적의하나로한다. 표면이절연재료인기판과, 상기기판상에플립칩 접속된반도체칩과, 열계면재료를개입시켜상기반도체칩에접착되고, 상기기판에상기반도체칩의외측에서고정된방열판을갖고, 상기방열판은, 상기반도체칩과접착한부분과상기기판과고정한부분과의사이에, 상기기판을향해돌출하고도전성수지에의해상기기판에접착되는돌기부를갖고, 상기방열판은, 응력흡수부를갖는것을특징으로하는반도체장치를제공한다. 본발명에의하면, 반도체칩 및기판에배치된방열판이, 열팽창또는열수축에수반하는응력에의해, 방열판과기판과의접착부가벗겨지는것을방지할수 있다.
摘要翻译：本发明的一个目的是解决传统的问题，即通过伴随着热膨胀和热收缩的应力，设置在半导体芯片和基板上的散热片从散热片与衬底接合的部分剥离。提供一种半导体器件，其包括：具有由绝缘材料形成的表面的基板，与基板连接的半导体芯片倒装芯片，以及通过热界面材料接合到半导体芯片并在半导体芯片外固定到基板的散热器。散热器具有朝向基板突出的突出部分，并且通过导电树脂将结合到半导体芯片的部件与固定到基板的部件接合到基板。散热器具有应力吸收部分。根据本发明，可以防止设置在半导体芯片和基板上的散热片从散热片接合到基板的部分剥离。

42. 发明公开

KR1020160094284A 반도체 장치 审中-实审
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：KR1020160094284A
公开(公告)日：2016-08-09
申请号：KR1020160008257
申请日：2016-01-22
申请人： 가부시키가이샤 제이디바이스
发明人： 타나카,요시히로
IPC分类号： H01L23/495 , H01L23/498 , H01L21/288 , H01L21/3213 , H01L21/768
CPC分类号： H01L23/49513 , H01L23/49582 , H01L23/49861 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/83 , H01L25/50 , H01L2224/26175 , H01L2224/29011 , H01L2224/29014 , H01L2224/29015 , H01L2224/29078 , H01L2224/291 , H01L2224/2919 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48105 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2224/83048 , H01L2224/83192 , H01L2224/83385 , H01L2224/83439 , H01L2224/83815 , H01L2224/92247 , H01L2924/00014 , H01L2924/00015 , H01L2924/181 , H01L2924/014 , H01L2224/45099 , H01L2924/00
摘要： 땜납등의제1 금속을이용해반도체소자를고정하여반도체장치를제조할때에, 용해한땜납이흐르는방향및 퍼지는방식을제어하여, 불량의발생등을방지한다. 본발명의일 실시형태로서, 반도체소자와, 제1 금속을이용해반도체소자를표면에고정하는섬이며, 표면의일부에, 제1 금속이용해한경우에표면보다젖음특성이큰 제2 금속에의해패턴이형성되어있는섬을갖는반도체장치를제공한다.
摘要翻译：通过使用诸如焊料等的第一金属固定半导体元件以制造半导体器件时，熔融焊料流动的方向和扩展模式被控制以防止产生错误。根据本发明的实施例，提供了一种具有半导体元件的半导体器件，以及通过使用第一金属将半导体元件固定到表面的岛。岛形成在具有由第二金属形成的图案的表面的一部分上。当第一金属熔融时，第二金属的润湿性大于表面的润湿性。

43. 发明公开

KR1020160071319A 반도체 패키지 및 그 제조 방법 审中-实审
标题翻译：半导体封装及其制造方法
公开(公告)号：KR1020160071319A
公开(公告)日：2016-06-21
申请号：KR1020150166442
申请日：2015-11-26
申请人： 가부시키가이샤 제이디바이스
发明人： 하시모토,키요아키
IPC分类号： H01L23/31 , H01L23/29 , H01L23/522
CPC分类号： H01L25/0652 , H01L23/3128 , H01L23/49816 , H01L23/49894 , H01L23/5383 , H01L23/5389 , H01L23/562 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L24/24 , H01L24/82 , H01L24/97 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/24145 , H01L2224/24226 , H01L2224/2919 , H01L2224/2929 , H01L2224/293 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/73217 , H01L2224/73267 , H01L2224/83191 , H01L2224/83192 , H01L2224/92244 , H01L2224/97 , H01L2924/14 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/19043 , H01L2924/3025 , H01L2924/3511 , H01L2224/83
摘要： 신뢰성이높고, 설계의자유도가높은반도체패키지및 그제조방법을제공하는것을과제로한다. 반도체패키지는, 지지기판상에설치된제1 반도체디바이스와, 상기제1 반도체디바이스를덮는제1 봉지체와, 상기제1 봉지체상에설치되어, 상기제1 반도체디바이스에접속된제1 배선과, 상기제1 배선을덮는제1 중간버퍼층과, 상기제1 중간버퍼층상에설치된제2 봉지체를포함하는반도체패키지로서, 상기제1 봉지체및 상기제2 봉지체와상기제1 중간버퍼층과는다른절연재료로이루어지는것을특징으로한다.
摘要翻译：本发明提供一种具有高可靠性和高设计自由度的半导体封装及其制造方法。半导体封装包括：安装在支撑基板上的第一半导体器件; 覆盖所述第一半导体器件的第一密封剂; 第一连接线，其安装在第一密封剂上，并连接到第一半导体器件; 覆盖所述第一连接线的第一中间缓冲层; 以及第二密封剂，其安装在所述第一中间缓冲层上，其中所述第一密封剂和所述第二密封剂由与所述第一中间缓冲层的绝缘材料不同的绝缘材料制成。

44. 发明公开

KR1020160070695A 불휘발성 자기 메모리 소자의 자기 실드 패키지 审中-实审
标题翻译：非挥发性磁记忆元件的磁屏蔽包装
公开(公告)号：KR1020160070695A
公开(公告)日：2016-06-20
申请号：KR1020150173904
申请日：2015-12-08
申请人： 가부시키가이샤 제이디바이스
发明人： 마쓰바라히로아키 , 이와사키도시히로 , 치카이도모시게 , 이시도기미노리 , 와타나베신지 , 다마카와미치아키
IPC分类号： H01L43/02 , H01L43/08 , H01L43/10
CPC分类号： H01L23/552 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L24/97 , H01L2224/04105 , H01L2224/32245 , H01L2224/73267 , H01L2224/8203 , H01L2224/92244 , H01L2224/97 , H01L2924/15153 , H01L2224/83
摘要： [과제] 높은자기실드효과를가지는불휘발성자기메모리소자의자기실드패키지를제공. [해결수단] 연자성재료로이루어지는지지판(12)과, 지지판상에형성된제1의절연재료층(13)과, 제1의절연재료층상에소자회로면과반대측의면이고착된불휘발성자기메모리소자(11)와, 불휘발성자기메모리소자및 그주변을밀봉하는제2의절연재료층(14)과, 제2의절연재료층내에형성된배선층(15)과, 제2의절연재료층내에형성된연자성재료로이루어지는연자성체층(15b 또는 25)과, 제2의절연재료층내에설치되어불휘발성자기메모리소자의소자회로면의전극과배선층을접속하는도전부(16)와, 불휘발성자기메모리소자측면에서간격을두고불휘발성자기메모리소자측면의일부또는전부를둘러싸도록벽 형상으로배치된연자성재료를포함하는자기실드부재(17)를포함하며, 연자성체층과상기자기실드부재는자기적으로접속되어있는불휘발성자기메모리소자의자기실드패키지.
摘要翻译：本发明的目的是提供一种具有高磁屏蔽作用的非易失性磁存储元件的磁屏蔽封装。非易失性磁存储元件的磁屏蔽封装包括：由软磁材料构成的支撑板（12）; 形成在所述支撑板的顶部上的第一绝缘材料层（13）具有与元件电路表面相对的表面的非易失性磁存储元件（11）固定在第一绝缘材料层上; 用于密封所述非易失性磁记忆元件及其周边的第二绝缘材料层（14）; 形成在所述第二绝缘材料层中的布线层（15）由形成在所述第二绝缘材料层中的软磁材料构成的软磁性层（15b或25）安装在所述第二绝缘材料层中的导电部分（16），用于将所述非易失性磁性存储元件的元件电路表面上的电极连接到所述布线层; 以及磁性屏蔽部件（17），其包括以壁状布置的软磁性材料，以将非挥发性磁性存储元件的侧表面的整个或部分包围非挥发性的侧表面的间隙磁存储元件，其中所述软磁层和所述磁屏蔽构件彼此磁连接。

45. 发明公开

KR1020160030861A 반도체 장치의 제조 방법 审中-实审
标题翻译：半导体器件的制造方法
公开(公告)号：KR1020160030861A
公开(公告)日：2016-03-21
申请号：KR1020150127740
申请日：2015-09-09
申请人： 가부시키가이샤 제이디바이스
发明人： 마츠바라,히로아키 , 치카이,토모시게 , 이시도,키미노리 , 나카무라,다카시 , 혼다,히로카즈 , 데마치,히로시 , 쿠마가야,요시카즈 , 사쿠모토,쇼타로 , 와타나베,신지 , 호소야마다,스미카즈 , 나카무라,신고 , 미야코시,타케시 , 이와사키,토시히로 , 타마가와,미치아키
IPC分类号： H01L23/485 , H01L23/482 , H01L23/48 , H01L21/304
CPC分类号： H01L24/96 , H01L21/3043 , H01L21/56 , H01L21/561 , H01L21/565 , H01L21/78 , H01L23/3114 , H01L23/3128 , H01L23/562 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L24/81 , H01L24/94 , H01L24/97 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/16145 , H01L2224/16227 , H01L2224/18 , H01L2224/2518 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/73209 , H01L2224/73253 , H01L2224/73259 , H01L2224/81191 , H01L2224/81203 , H01L2224/8203 , H01L2224/92124 , H01L2224/92224 , H01L2224/94 , H01L2224/97 , H01L2924/18161 , H01L2924/18162 , H01L2924/3511 , H01L2924/3512 , H01L2224/03 , H01L2224/81 , H01L2224/83 , H01L2924/00 , H01L2924/00014
摘要： 칩균열및 범프접속불량이억제되어, 수율과신뢰성이향상된반도체장치의제조방법을제공한다. 본발명의일 실시형태에따른반도체장치의제조방법은전극이형성된반도체웨이퍼를준비하고, 반도체칩에형성된제1 반도체소자와반도체웨이퍼의전극을범프를통해전기적으로접속하고, 반도체웨이퍼와반도체칩과의접속전 또는접속후에, 서로대향하는반도체웨이퍼와반도체칩과의간극에제1 절연수지층을형성하고, 반도체웨이퍼에반도체칩이매립되는두께까지제2 절연수지층을형성하고, 반도체칩이소정의두께가될 때까지제2 절연수지층과반도체칩을연삭하고, 제2 절연수지층상 및반도체칩에제1 절연층을형성하고, 전극을노출시키는개구부를제1 절연층및 제2 절연수지층에형성하고, 개구부를도전성재료로채워, 제1 절연층에개구부를매립한도전성재료와접속하는배선을형성하고, 배선에전기적으로접속하는제1 단자를형성하고, 반도체웨이퍼를소정의두께로연삭하는것을포함하여, 상기반도체웨이퍼를소정의두께로연삭하는것은, 상기반도체웨이퍼를완성두께에도달할때까지연삭하는것임을특징으로한다.
摘要翻译：提供一种用于制造半导体器件的方法，其抑制芯片裂纹和凸块连接故障，以提高产量和可靠性。根据本发明的实施方式的半导体装置的制造方法，提供具有电极（107）的半导体晶片（101），形成在半导体芯片（105）上的第一半导体元件（103）通过凸块（109）与半导体晶片（101）的电极（107）电连接。在半导体晶片（101）连接到半导体芯片（105）之前或之后，第一绝缘树脂层（111）以相互面对的半导体晶片（101）和半导体芯片（105）之间的间隔形成。第二绝缘树脂层（113）形成在半导体芯片（105）埋在半导体晶片（101）中的深度处，并且第二绝缘树脂层（113）和半导体芯片（105）被抛光直到半导体芯片（105）具有预定的厚度。第一绝缘层（114）形成在第二绝缘树脂层（113）和半导体芯片（105）上，用于暴露电极（107）的孔（115）形成在第一绝缘层（114）上，并且第二绝缘树脂层（113）和与埋入孔（115）的导电材料连接的管线（117）通过用导电材料填充孔（115）而形成在第一绝缘层（114）上。然后，形成与线路（117）电连接的第一端子（121），并将半导体晶片（101）抛光至预定厚度。半导体晶片（101）的研磨至预定厚度的特征在于，直到半导体晶片（101）达到完成厚度为止。

46. 发明公开

KR1020150146399A 반도체 패키지 및 그 제조 방법 审中-实审
标题翻译：半导体封装及其制造方法
公开(公告)号：KR1020150146399A
公开(公告)日：2015-12-31
申请号：KR1020150082330
申请日：2015-06-11
申请人： 가부시키가이샤 제이디바이스
发明人： 혼다,히로카즈 , 와타나베,신지 , 이와사키,토시히로 , 이시도,키미노리 , 니와,코이치로 , 미야코시,다케시 , 호소야마다,스미카즈 , 쿠마가야,요시카즈 , 치카이,토모시게 , 나카무라,신고 , 사쿠모토,쇼타로 , 마츠바라,히로아키
IPC分类号： H01L23/367 , H01L23/40
CPC分类号： H01L23/3675 , H01L23/13 , H01L23/3121 , H01L23/3677 , H01L23/4006 , H01L23/49811 , H01L23/49816 , H01L23/5389 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/18 , H01L2224/2518 , H01L2224/2919 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/73267 , H01L2224/92244 , H01L2224/97 , H01L2924/10253 , H01L2924/10272 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/15151 , H01L2224/83
摘要： 방열특성에뛰어난, 신뢰성높은반도체패키지를구현하는것이다. 반도체패키지는지지기판과, 상기지지기판의표면에접착재를통해접착된반도체디바이스와, 상기반도체디바이스를덮는절연층과, 상기절연층을관통하여상기반도체디바이스와외부단자를접속하는배선을구비하고, 상기지지기판의뒷면측에상기반도체디바이스에도달하는제1 개구부가구비되어있는것을특징으로한다. 상기접착재는, 상기제1 개구부의일부를구성해도무방하다.
摘要翻译：本发明的目的是执行具有优异的散热特性和高可靠性的半导体封装。半导体封装包括：支撑衬底; 通过粘合剂粘合到所述支撑基板的表面的半导体器件; 用于覆盖半导体器件的绝缘层; 以及用于通过穿透绝缘层来连接半导体器件和外部端子的布线。用于到达半导体器件的第一孔设置在支撑衬底的后表面侧。粘合剂可以形成第一孔的一部分。

47. 发明公开

KR1020140048041A 반도체 기억 장치 및 그 제조 방법 有权
标题翻译：半导体存储器件及其制造方法
公开(公告)号：KR1020140048041A
公开(公告)日：2014-04-23
申请号：KR1020130117740
申请日：2013-10-02
申请人： 가부시키가이샤 제이디바이스
发明人： 이타쿠라,사토루 , 카츠마타,아키오 , 우메키,아키히로 , 시라이시,야스시 , 아베,준이치로
IPC分类号： H01L23/50
CPC分类号： G11C16/30 , G06F3/00 , G11C5/02 , G11C5/025 , G11C5/06 , G11C5/063 , G11C7/10 , G11C7/1069 , G11C11/4096 , H01L22/10 , H01L25/0657 , H01L25/105 , H01L25/18 , H01L2224/16225 , H01L2225/06562 , H01L2225/1023 , H01L2225/1041 , H01L2225/1058 , H01L2924/15311 , H01L2924/19105 , H01L23/50
摘要： 전원 IC나각종수동소자를모듈화해, 콘트롤러전원전압의저전압화나콘트롤러및 NAND형플래시메모리의복수전원화에대응한반도체기억장치를제공한다. 이면에 BGA 단자를가지는콘트롤러패키지(110)과각각반도체기억소자를복수가지고, 콘트롤러패키지상에탑재된, 하나또는복수의메모리패키지(120)과로부터구성된반도체기억장치(100)이다. 콘트롤러패키지는, 이면에 BGA 단자를가지는기판과바텀(Bottom) 기판상에탑재된복수전원을공급하는전원 IC와바텀기판상에탑재되어전원 IC로부터공급된복수의전원에의해동작해, BGA 단자를통해외부시스템과의인터페이스를제공함과동시에, 반도체기억소자에대한독출(Read) 및서입(Write) 동작을제어하는콘트롤러를포함한다.
摘要翻译：提供了通过调制功率IC或各种无源元件来响应NAND型闪速存储器和控制器的多次供电或控制器的低电源电压的半导体存储器件。半导体存储器件（100）具有在后表面具有BGA端子的控制器封装（110）和在控制器封装上具有多个半导体存储元件的一个或多个存储器封装（120）。该控制器组件包括用于控制半导体存储器元件的读和写操作的控制器，同时通过在后面通过具有BGA端子的衬底操作而通过BGA端子提供与外部系统的接口，用于提供多个电源安装在底部基板上，并且功率安装在底部基板上并从电力IC提供。

48. 发明公开

KR1020130111401A 반도체 모듈 审中-实审
标题翻译：半导体模块
公开(公告)号：KR1020130111401A
公开(公告)日：2013-10-10
申请号：KR1020130033407
申请日：2013-03-28
申请人： 가부시키가이샤 제이디바이스
发明人： 우메키아키히로 , 히루타요이치
IPC分类号： H01L23/12 , H01L23/48
CPC分类号： H01L23/28 , H01L21/56 , H01L22/32 , H01L23/3128 , H01L23/3135 , H01L23/34 , H01L23/4334 , H01L23/49816 , H01L23/49827 , H01L23/5389 , H01L24/16 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L25/03 , H01L25/0657 , H01L2224/16145 , H01L2224/32145 , H01L2224/32155 , H01L2224/45139 , H01L2224/48091 , H01L2224/48145 , H01L2224/48227 , H01L2224/73207 , H01L2224/73215 , H01L2224/73265 , H01L2225/06506 , H01L2225/0651 , H01L2225/06513 , H01L2225/06568 , H01L2225/06589 , H01L2924/00014 , H01L2924/15153 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/19107 , H01L2924/3511 , H01L2224/32225 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
摘要： PURPOSE: A semiconductor module is provided to prevent a first semiconductor package substrate from being bent by mounting a first semiconductor package on a package substrate. CONSTITUTION: A semiconductor package is mounted on a second package substrate (12). The semiconductor package is electrically connected to the second package substrate. A semiconductor bare chip is mounted on the semiconductor package. The semiconductor bare chip is electrically connected to the second package substrate by wire bonding. A heat sink (16) is mounted on the semiconductor bare chip.
摘要翻译：目的：提供半导体模块以通过将第一半导体封装安装在封装衬底上来防止第一半导体封装衬底弯曲。构成：半导体封装安装在第二封装衬底（12）上。半导体封装电连接到第二封装衬底。半导体裸芯片安装在半导体封装上。半导体裸芯片通过引线接合电连接到第二封装衬底。散热器（16）安装在半导体裸芯片上。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式