专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

31. 发明公开

KR1020140025749A 트랜지스터용 자외선 경화형 하이브리드 게이트 절연막 조성물 및 이로부터 제조된 트랜지스터용 게이트 절연막 有权
标题翻译：用于晶体管栅极绝缘体和晶体闸极绝缘体的超紫外线可固化混合组合物
公开(公告)号：KR1020140025749A
公开(公告)日：2014-03-05
申请号：KR1020120091818
申请日：2012-08-22
申请人： 경희대학교 산학협력단
发明人： 김홍두 , 왕유에단
IPC分类号： H01B3/00 , H01B17/62 , H01L51/00
摘要： The present invention provides OTFT which includes a gate insulating film manufactured using an ultraviolet ray-curable hybrid gate insulating film composition including an organic-inorganic hybrimer. A hybrid gate dielectric induced by a sol-gel process can be cured at a lower temperature to be used on a temperature-sensitive polymeric substrate and can maintain improved electrical characteristics. The hybrid gate dielectric according to the present invention is useful for a gate insulating film for OTFT and OFET transistors since a pentacene-based OTFT device provides improved carrier mobility, low threshold voltage, low sub-threshold swing, and a high on/off current ratio by a cross-linking agent. [Reference numerals] (AA) Absorbance(a,u); (BB) Wave number(cm^-1)
摘要翻译：本发明提供OTFT，其包括使用包含有机无机杂化物的紫外线固化型混合栅极绝缘膜组合物制造的栅极绝缘膜。由溶胶 - 凝胶法引起的混合栅极电介质可以在较低的温度下固化，以在温度敏感的聚合物基底上使用，并且可以保持改善的电特性。根据本发明的混合栅极电介质可用于OTFT和OFET晶体管的栅极绝缘膜，因为基于并五苯的OTFT器件提供改善的载流子迁移率，低阈值电压，低亚阈值摆幅和高导通/截止电流交联剂的比例。（AA）吸光度（a，u）（BB）波数（cm ^ -1）

32. 发明公开

KR1020140025748A 유기박막 트랜지스터용 게이트 절연막 조성물 및 그의 제조방법 有权
标题翻译：有机薄膜晶体管栅绝缘体的组合物及其制造方法
公开(公告)号：KR1020140025748A
公开(公告)日：2014-03-05
申请号：KR1020120091817
申请日：2012-08-22
申请人： 경희대학교 산학협력단
发明人： 김홍두 , 왕유에단
IPC分类号： H01B3/00 , H01B17/62 , H01L51/00
摘要： The present invention relates to a gate insulation film composition for an organic thin film transistor and a manufacturing method thereof. According to one embodiment of the present invention, the gate insulation film composition for an organic thin film transistor including a metal precursor modified by a compound containing a (meth)acrylate group has an improved dielectric constant and frequency characteristics and reduces the leak of a current. An insulation film composition includes: an organic-inorganic hybrimer of compounds providing a (meth)acrylate group or its hydrolyzate; and an organic solvent. [Reference numerals] (AA) Dielectric constant; (BB) Example 7-1; (CC) Example 6-1; (DD) Example 5-1
摘要翻译：本发明涉及一种有机薄膜晶体管的栅极绝缘膜组合物及其制造方法。根据本发明的一个实施方案，包括由含（甲基）丙烯酸酯基团的化合物改性的金属前体的有机薄膜晶体管的栅绝缘膜组合物具有改善的介电常数和频率特性，并减少电流泄漏。绝缘膜组合物包括：提供（甲基）丙烯酸酯基团或其水解产物的化合物的有机 - 无机杂化物; 和有机溶剂。（标号）（AA）介电常数; （BB）实施例7-1; （CC）实施例6-1; （DD）实施例5-1

33. 发明公开

KR1020130067653A 절연체층 상에 그래핀 박막을 형성하는 방법 및 이를 이용하여 생성한 그래핀 박막 有权
标题翻译：在绝缘体层上形成石墨膜的方法及其形成的石墨
公开(公告)号：KR1020130067653A
公开(公告)日：2013-06-25
申请号：KR1020110134440
申请日：2011-12-14
申请人： 동국대학교 산학협력단
发明人： 이상욱 , 강태원 , 이승주 , 전희창 , 마이피헝 , 겐나디파닌
IPC分类号： C01B31/02 , H01B17/62 , G03C1/74
CPC分类号： C01B32/184 , G03C1/74 , H01B17/62
摘要： PURPOSE: A forming method of a graphene thin film on an insulator layer, and a graphene thin film thereof are provided to minimize a patterning process of a graphene thin film, and to form a graphene thin film directly on an insulator, thereby omitting a process of moving a graphene to other insulator layer by etching a metal substrate or a metal catalyst layer. CONSTITUTION: A forming method of a graphene thin film on an insulator layer comprises the steps of: forming a photosensitizer on a metal layer in a state an insulator layer is formed on a substrate and a metal layer is formed on the insulator layer (100); forming a photosensitizer pattern by exposing and developing the photosensitizer layer (110); heating the photosensitizer pattern (120); and forming a graphene between the metal layer and the insulator layer by carbon atoms comprising the photosensitizer pattern which is penetrated through the metal layer as a result of the heating in the previous step. [Reference numerals] (100) Forming a photosensitizer on a metal layer in a state an insulator layer is formed on a substrate and a metal layer is formed on the insulator layer; (110) Forming a photosensitizer pattern by exposing and developing the photosensitizer layer; (120) Heating the photosensitizer pattern; (130) Forming a graphene between the metal layer and the insulator layer by carbon atoms comprising the photosensitizer pattern which is penetrated through the metal layer; (AA) Start; (BB) End
摘要翻译：目的：提供绝缘体层上的石墨烯薄膜的形成方法及其石墨烯薄膜，以最小化石墨烯薄膜的图案化工艺，并直接在绝缘体上形成石墨烯薄膜，从而省略了工艺通过蚀刻金属基板或金属催化剂层将石墨烯移动到其它绝缘体层。构成：在绝缘体层上形成石墨烯薄膜的方法包括以下步骤：在绝缘体层（100）上形成绝缘体层的状态下在金属层上形成光敏剂，并在金属层上形成金属层， ; 通过曝光和显影光敏剂层（110）形成光敏剂图案; 加热光敏剂图案（120）; 并且通过碳原子在金属层和绝缘体层之间形成石墨烯，所述碳原子是由于在前一步骤中的加热而穿透金属层的光敏剂图案。（附图标记）（100）在基板上形成绝缘体层的状态的金属层上形成光敏剂，在绝缘体层上形成金属层; （110）通过曝光和显影光敏剂层形成光敏剂图案; （120）加热光敏剂图案; （130）通过包含穿过金属层的光敏剂图案的碳原子在金属层和绝缘体层之间形成石墨烯; （AA）开始; （BB）结束

34. 发明公开

KR1020130051422A 후막 전도성 조성물 및 이의 용도 审中-实审
标题翻译：厚膜导电组合物及其用途
公开(公告)号：KR1020130051422A
公开(公告)日：2013-05-20
申请号：KR1020120126054
申请日：2012-11-08
申请人： 헤레우스 프레셔스 메탈스 게엠베하 운트 코. 카게
发明人： 코니그,마르쿠스 , 네이더트,마이클 , 호르테이스,마티아스 , 모흐르,카르스텐
IPC分类号： H01B1/20 , H01B1/02 , H01B1/08 , H01B17/62
CPC分类号： H01L31/18 , C03C8/04 , C03C8/18 , H01B1/22 , H01L24/03 , H01L31/022425 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , Y02E10/50 , H01L2924/00
摘要： PURPOSE: A thick film conductive composition is provided to form a busbar on the front side of a silicon solar cell and to form a soldering pad on the rear side of a contact solar cell and an inactivated phosphor. CONSTITUTION: A thick film conductive composition comprises a metal particle of which the specific surface area of silver particles measured by ISO 9277 BET is 1.8 m^2/g; a manganese oxide; a glass particle; and an organic vehicle. A manufacturing method of a solar cell comprises a step of providing a semiconductor substrate which includes one or more dielectric layers evaporated on the surface of a semiconductor substrate; a step of forming a laminated structure by spreading the composition on a part of a dielectric layer; and a step of sintering the laminated structure.
摘要翻译：目的：提供厚膜导电组合物以在硅太阳能电池的正面上形成母线，并在接触太阳能电池的背面和灭活的磷光体上形成焊盘。构成：厚膜导电组合物包含通过ISO 9277 BET测量的银颗粒的比表面积为1.8m 2 / g的金属颗粒; 氧化锰; 玻璃颗粒; 和有机车辆。太阳能电池的制造方法包括提供包括在半导体衬底的表面上蒸发的一个或多个电介质层的半导体衬底的步骤; 通过将所述组合物铺展在电介质层的一部分上而形成叠层结构的步骤; 以及烧结层叠结构的工序。

35. 发明公开

KR1020120083748A 금속 동박 적층기판 제조방법 失效
标题翻译：用于制造金属铜箔层压基板的方法
公开(公告)号：KR1020120083748A
公开(公告)日：2012-07-26
申请号：KR1020110005061
申请日：2011-01-18
申请人： (주)솔루나
发明人： 안강모 , 천병욱
IPC分类号： B32B38/00 , B32B15/04 , H01L21/31 , H01B17/62
CPC分类号： B32B37/06 , B32B3/30 , B32B15/01 , B32B15/20 , B32B37/10 , B32B37/1207 , B32B2037/243 , B32B2255/06 , B32B2255/26
摘要： PURPOSE: A manufacturing method of a metal copper foil-laminated substrate with the reduced exfoliation rate of a copper foil or among layers is provided to improve usage reliability by improving joint force of combined surfaces of insulating layers and the copper foil. CONSTITUTION: A manufacturing method of a metal copper foil-laminated substrate with the reduced exfoliation rate comprises the following steps: coating an electrical insulation material on a base metal substrate(110), and hardening the electrical insulation material to obtain an insulation material layer(120); surface processing the upper side of the insulation material layer to obtain a corrugated surface(121); mounting a bonding sheet(130) on the upper side of the insulation material layer, and mounting a copper foil on the bonding sheet; and hot-pressing the laminated layers to form a first joint surface in between the corrugated surface and the bonding sheet, and a second joint surface in between the bonding sheet and the copper foil.
摘要翻译：目的：提供铜箔或层间剥离率降低的金属铜箔层压基板的制造方法，通过提高绝缘层和铜箔的组合面的接合力来提高使用可靠性。构成：具有降低的剥离速率的金属铜箔层压基板的制造方法包括以下步骤：在基体金属基板（110）上涂覆电绝缘材料，并使电绝缘材料硬化以获得绝缘材料层（ 120）; 表面处理绝缘材料层的上侧以获得波纹表面（121）; 在所述绝缘材料层的上侧安装接合片（130），将铜箔安装在所述接合片上; 并且热压所述层叠层以在所述波纹状表面和所述粘合片之间形成第一接合面，以及在所述接合片和所述铜箔之间的第二接合面。

36. 发明公开

KR1020120058854A 환형 실록산 화합물과 불소계 실란 단량체를 혼성화한 재료를 이용한 저유전막 및 이의 제조방법 有权
标题翻译：使用含有环硅氧烷和氟硅烷的材料的低介电常数薄膜及其制备方法
公开(公告)号：KR1020120058854A
公开(公告)日：2012-06-08
申请号：KR1020100120356
申请日：2010-11-30
申请人： 한국과학기술연구원
发明人： 백경열 , 최승석 , 황승상 , 홍순만 , 구종민 , 곽순종 , 오성연 , 이희승 , 이성수 , 박상희
IPC分类号： H01B3/46 , C08L83/04 , H01B17/62
摘要： PURPOSE: A low dielectric layer is provided to have low moisture absorption ratio, high surface modulus and hardness, together with excellent physical properties, and to embodying excellent low-dielectric performance. CONSTITUTION: A low dielectric layer comprises is manufactured by using silsesquioxane polymer matrix as a precursor. The silsesquioxane polymer matrix is a silsesquioxane sol, manufactured by polymerizing multi-reactive cyclic siloxane, a fluorinated silane monomer, and alkoxysilane. A manufacturing method of the low dielectric layer comprises: a step of manufacturing silsesquioxane by a sol-gel method by using multifunctional cyclic siloxane, fluorine silane monomer and alkoxysilane as monomers; a step of manufacturing coating liquid comprising the silsesquioxane sol, and solvent; and a step of spreading and curing the coating liquid.
摘要翻译：目的：提供低介电层以具有低吸湿率，高表面模量和硬度，以及优异的物理性能，并具有优异的低介电性能。构成：通过使用倍半硅氧烷聚合物基质作为前体制造低介电层。倍半硅氧烷聚合物基体是通过聚合多反应性环状硅氧烷，氟化硅烷单体和烷氧基硅烷制造的倍半硅氧烷溶胶。低介电层的制造方法包括：通过使用多官能环状硅氧烷，氟硅烷单体和烷氧基硅烷作为单体，通过溶胶 - 凝胶法制造倍半硅氧烷的步骤; 制造包含倍半硅氧烷溶胶的涂布液和溶剂的步骤; 以及涂布液的扩散和固化的步骤。

37. 发明公开

KR1020120030066A 세라믹계 절연층과 금속층의 적층체 및 그 제조 방법 无效
标题翻译：陶瓷绝缘层和金属层的层压板及其制造方法
公开(公告)号：KR1020120030066A
公开(公告)日：2012-03-27
申请号：KR1020117028526
申请日：2010-04-20
申请人： 미쓰이 긴조꾸 고교 가부시키가이샤
发明人： 이데모토,야스시 , 사토,류이치 , 아베,나오히코
IPC分类号： B32B15/04 , H01B17/62 , H05K1/03
CPC分类号： H05K1/162 , C23C18/1208 , C23C18/1254 , C25D13/02 , H05K1/0306 , H05K3/022 , H05K2201/0209 , H05K2201/0355 , H05K2203/135 , Y10T428/252 , Y10T428/265 , Y10T428/31678
摘要： 균일하고 얇으며 저렴하게 제조 가능한 절연층 부착 금속층의 제공을 목적으로 한다. 이 목적을 달성하기 위해, 세라믹계 절연층과 금속층의 적층체로서, 당해 세라믹계 절연층은 세라믹 입자를 영동전착(泳動電着)시켜 형성한 세라믹 입자 피막의 세라믹 입자 사이에 바인더를 구비하는 것을 특징으로 한 세라믹계 절연층과 금속층의 적층체 등을 채용한다. 이 적층체는 프린트 배선판의 회로 형성, 반도체 회로, 반도체 회로를 포함하는 회로 형성, 세라믹계 절연층이 구비하는 유전 특성을 이용해 얻어지는 커패시터 등의 형성 재료 등 각종 전자 부품의 제조에 적합하게 사용할 수 있다.

38. 实用新型

KR200305624Y1 절연용 테이프 失效
标题翻译：绝缘胶带
公开(公告)号：KR200305624Y1
公开(公告)日：2003-02-26
申请号：KR2020020036089
申请日：2002-12-03
申请人： 주식회사 스웨코
发明人： 이경호
IPC分类号： H01B17/62
摘要： 본 고안은 절연용 테이프에 관한 것으로, 연성이 매우 좋도록 하면서도 내열, 내화성은 물론 내전압 특성도 강한 구조의 절연용 테이프를 제공하여 상기 절연용 테이프를 굴곡이 많은 부스 덕트나 계속해서 수회를 반복해서 감아야 하는 고압 케이블 등의 절연에 용이하게 사용될 수 있도록 한 것이다.
이를 위해 본 고안은, 돌 성분인 운모를 주원료로 하는 마이카 페이퍼(1)와, 상기 마이카 페이퍼(1)의 일면에 실리콘 수지층(2)을 사이에 두고 일체화된 유리 섬유(3)로 구성된 절연용 테이프에 있어서, 외측면의 적어도 한 면에 실리콘 수지층(2)을 사이에 두고 일체화된 폴리에틸렌 필름(5)을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 절연용 테이프를 제공한다.

39. 实用新型

KR2020000003988U 전자부품용 인슐레이터 无效
标题翻译：电子零件用绝缘子
公开(公告)号：KR2020000003988U
公开(公告)日：2000-02-25
申请号：KR2019980014341
申请日：1998-07-31
申请人： 삼성전기주식회사
发明人： 조용완
IPC分类号： H01B17/62
摘要： 본 고안은 인슐레이터의 저면에 부품의 리드선이 끼워져 안착될수 있는 수단을 구비함으로써, 인슐레이터를 인쇄회로기판에 올려 놓고 납땜하더라도 부품의 흔들림이 발생되지 않고 납땜불량이 감소되는 전자부품용 인슐레이터에 관한 것으로서, 특히 부품과 인쇄회로기판의 사이에 설치되어 상기 부품을 절연시키는 인슐레이터를 구성함에 있어서, 상기 부품의 저면이 놓이도록 상부 중앙에 안착부가 돌출 형성되고, 상기 인쇄회로기판의 상면에 놓이는 지지부가 상기 안착부의 양측에 연이어 형성되며 상기 안착부에는 상기 부품의 리드선이 끼워지는 구멍이 형성되고 상기 지지부의 사이에는 상기 구멍으로 끼워진 상기 리드선이 절곡되어 보관되도록 공간부가 마련된다.

40. 发明公开

KR1020210129015A 자기 애자 금구류의 코팅 방법 및 이의 의해 제조된 자기 애자 有权
公开(公告)号：KR1020210129015A
公开(公告)日：2021-10-27
申请号：KR1020210140138
申请日：2021-10-20
IPC分类号： B05D7/14 , B05D7/24 , B05D1/00 , B05D1/18 , H01B3/46 , C09D4/00 , C09D7/61 , C09D7/63 , H01B17/50 , H01B17/62
摘要： 본발명은자기애자의금구류의성능저하방지및 빛반사율개선을위한금구류의코팅방법및 이의의해제조된자기애자에관한것으로, 보다상세하게는메틸트리에톡시실란(CH3Si(OC2H5)3), 에탄올, 염산및 물을일정비율로배합하여메틸실리콘용액을제조하는단계, 마그네슘아세테이트(Mg(CH3COO)2), 불산(HF), 무수에탄올및 에탄올을일정비율로배합하여 MgF2 용액을제조하는단계, 상기메틸실리콘용액과상기 MgF2 용액을혼합하여코팅액을제조하는단계, 및상기코팅액을아연(Zn) 코팅막이형성된자기애자의금구류표면에코팅하여 MgF2 코팅막을형성시키는코팅단계를포함하는코팅방법을통해아연코팅막상부에 MgF2 코팅막을추가로이중코팅을통해자연산화막생성을방지하고빛 반사율을향상시킨다.

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式