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31. 发明授权

KR101916300B1 위상반전 마스크 有权
公开(公告)号：KR101916300B1
公开(公告)日：2018-11-09
申请号：KR1020120058905
申请日：2012-05-31
申请人： 엘지이노텍 주식회사
发明人： 배윤미 , 엄현석 , 전동욱
IPC分类号： G03F1/32 , G03F1/30 , G03F1/29 , G03F1/26 , G03F1/34 , G03F1/00 , G03F1/22
摘要： 본발명은위상반전마스크를제공한다. 상기위상반전마스크는투명기판; 조사광의위상을반전시키는위상반전층; 및상기위상반전층상에위치하며, Cr, Ta, Ni 및 ITO 중하나또는 2이상의물질로형성된제1 I라인커팅층을포함한다. 그에따라, LCD 공정에적합한위상반전마스크를제공할수 있다.

32. 发明授权

KR101653879B1 상쇄간섭 효과를 이용한 하프톤 위상반전 마스크 및 그 제조 방법 有权
标题翻译：使用破坏性干扰效应的HALFTONE相位移动掩模及其制造方法
公开(公告)号：KR101653879B1
公开(公告)日：2016-09-05
申请号：KR1020140155960
申请日：2014-11-11
申请人： 주식회사 피케이엘
发明人： 김명용 , 허익범 , 최상수
IPC分类号： G03F1/34 , G03F1/50
摘要： 빛의상쇄간섭효과를이용하여위상반전물질층만으로블라인더효과를도모함으로써마스크제조공정의단순화로생산수율을향상시킬수 있는상쇄간섭효과를이용한하프톤위상반전마스크및 그제조방법에대하여개시한다. 본발명에따른상쇄간섭효과를이용한하프톤위상반전마스크는매트릭스형태로서로이격배치되며, 각각광이투과되는투과영역및 광의투과율이조절되는위상반전영역을구비하는복수의활성영역과, 상기복수의활성영역의외측에배치되는블라인드영역을갖는투명기판; 상기투명기판상의위상반전영역에형성되어, 입사광의투과율을조절하는위상반전패턴; 및상기투명기판의블라인드영역에위상반전패턴과동종재질로동일한두께로형성되어, 복수개가상호이격배치되는홀 어레이패턴;을포함하되, 상기위상반전패턴과홀 어레이패턴은하기식 1 및식 2를만족하는범위로형성된것을특징으로한다. 식 1 : 해상도공식에서 k1 = 0.25 미만의패턴크기식 2 : 투과영역을통과하는빛의양이패널에입사되는빛의양 = 위상반전패턴을투과하는빛이패널에입사되는빛의양

33. 发明公开

KR1020160037806A 포토마스크 및 표시 장치의 제조 방법 无效
标题翻译：用于制造显示装置的照片和方法
公开(公告)号：KR1020160037806A
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：KR1020150136927
申请日：2015-09-25
申请人： 호야 가부시키가이샤
发明人： 이마시끼,노부히사 , 요시까와,유따까 , 스가와라히로유끼
IPC分类号： G03F1/26 , G03F1/32 , G03F1/34 , G03F7/20 , H01L27/32 , G02F1/136
摘要： 본발명은, 표시장치제조용마스크의노광환경에유리하게적합하고, 미세한패턴을안정적으로전사할수 있는우수한포토마스크및 그제조방법을얻을수 있다. 투명기판상에형성된전사용패턴을구비하는포토마스크로서, 상기전사용패턴은, 직경 W1(㎛)의주 패턴과, 상기주 패턴의근방에배치된, 폭 d(㎛)의보조패턴과, 상기주 패턴및 상기보조패턴이형성되는이외의영역에배치된저투광부를갖고, 상기주 패턴및 상기보조패턴을투과하는대표파장의위상차가대략 180도이며, 직경 W1, 폭 d, 상기보조패턴의투과율 T1(%), 상기저투광부의투과율 T3(%) 및상기주 패턴의중심과상기보조패턴의폭 방향의중심과의거리 P(㎛)가소정의관계를갖는포토마스크이다.
摘要翻译：本发明涉及一种优选的光掩模，其优选适用于用于制造显示装置的掩模的曝光环境并确保精细图案的稳定转印及其制造方法。光掩模具有形成在透明基板上的转印图案，转印图案包括：具有由W1（μm）表示的直径的主图案; 具有由d（μm）表示的宽度并且布置在主图案周围的子图案; 以及设置在不形成主图案和子图案的区域上的低透光部。发送主图案和副图案的主波长的相位差为大约180度，子图案的直径W1，宽度d，透射率T1（％），低光透射部分的透射率T3（％），并且主图案的中心与子图案的宽度方向中心之间的距离P（μm）相关。

34. 发明授权

KR100931707B1 위상 0 영역에 평행한 라인을 추가한 클리어 필드위상반전마스크 개선 방법 有权
标题翻译：一个清晰的场相位反转掩模，线条与相位0区域平行
公开(公告)号：KR100931707B1
公开(公告)日：2009-12-14
申请号：KR1020047009143
申请日：2002-12-09
申请人： 어드밴스드 마이크로 디바이시즈, 인코포레이티드
发明人： 루캉크토드피. , 스펜스크리스토퍼에이.
IPC分类号： G03F1/34 , H01L21/027
CPC分类号： G03F1/30 , G03F1/70
摘要： 본 발명은 다각형을 정의하는 위상 0 영역의 평행한 가장자리 외곽에 경계 영역을 추가하는 기술에 관한 것이다. 본 발명은 광근접보정(OPC)의 필요성을 감소시키고 생산성과 집적회로용 패터닝 공정 윈도우를 향상시킬 수 있다. 본 발명은 또한, 위상 0 및 위상 180인 다각형의 폭을 특정 크기로 설정하여 OPC 할당을 용이하게 한다.
摘要翻译：本发明涉及用于将边界区域添加到限定多边形的相位0区域的平行边缘的外围的技术。本发明可以减少对光学邻近校正（OPC）的需求并且提高集成电路的生产率和图案化工艺窗口。本发明还通过将相位0和相位180的多边形的宽度设置为特定大小来促进OPC分配。

35. 发明授权

KR100483513B1 하이브리드 위상 쉬프트 마스크 有权
标题翻译：混合相位移屏蔽
公开(公告)号：KR100483513B1
公开(公告)日：2005-04-15
申请号：KR1020010023106
申请日：2001-04-27
申请人： 에이에스엠엘 마스크툴즈 비.브이.
发明人： 첸장풍 , 컬드웰라저 , 레이디그토마스 , 웜플러쿠르트이.
IPC分类号： G03F1/34 , G03F1/26
摘要： 광학 노광도구를 사용하여 집적회로에 대응하는 리소그래피 패턴을 마스크로부터 반도체 기판에 광학적으로 전달하기 위한 하이브리드 마스크를 형성하는 방법. 상기 방법은 저 투과 위상 쉬프트 마스크(패턴)와 비위상쉬프팅 마스크(패턴) 중 하나를 이용하여 마스크상에 적어도 하나의 비임계적인 형상을 형성하는 단계와, 고 투과 위상 쉬프트 마스크(패턴)를 이용하여 마스크상에 적어도 하나의 임계적인 형상을 형성하는 단계를 포함한다.

36. 发明授权

KR100447216B1 위상반전마스크의제조방법 失效
标题翻译：通过形成光屏蔽层，相移层和感光层，形成感光层，通过使用感光层移除光屏蔽层和相移层，并将剩余的光屏蔽层去除，从而形成相位切片掩模的制备方法。透明基板
公开(公告)号：KR100447216B1
公开(公告)日：2005-01-24
申请号：KR1019960003475
申请日：1996-02-13
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 이준석
IPC分类号： G03F1/34 , G03F1/26
摘要： PURPOSE: Provided a method for preparing a phase shift mask suitable for an edge-emphasized mask or a spatial frequency regulated mask by improving the profile of a phase shift mask and for enhancing the phase shift efficiency. CONSTITUTION: The method comprises the steps of forming a light screening layer(2), a phase shift layer(3) and a photosensitive layer(4) on a transparent substrate(1), in turn, and selectively patterning the photosensitive layer; removing the light screening layer and the phase shift layer by a certain depth by using the photosensitive layer as a mask to remain some part of the light screening layer; and removing the remaining light screening layer to expose the transparent substrate. Preferably the light screening layer has a thickness of about 500-3,000 Angstrom. Preferably about 70-90 % of the light screening layer is removed by dry etching and about 10-30 % of the light screening layer is removed by isotropic wet etching.
摘要翻译：目的：提供一种适用于边缘强调掩模或空间频率调节掩模的相移掩模的方法，通过改进相移掩模的轮廓并提高相移效率。方案：该方法包括依次在透明基板（1）上形成遮光层（2），相移层（3）和感光层（4）并选择性地图案化感光层的步骤; 通过使用感光层作为掩模去除遮光层和相移层一定深度，以保留遮光层的一部分; 并除去剩余的遮光层以露出透明基底。优选地，遮光层的厚度为约500-3000埃。优选通过干蚀刻去除遮光层的约70-90％，并且通过各向同性湿蚀刻去除约10-30％的遮光层。

37. 发明公开

KR1020040065265A 위상 0 영역에 평행한 라인을 추가한 클리어 필드위상반전마스크 개선 방법 有权
标题翻译：一个清晰的场相位反转掩模，线条与相位0区域平行
公开(公告)号：KR1020040065265A
公开(公告)日：2004-07-21
申请号：KR1020047009143
申请日：2002-12-09
申请人： 어드밴스드 마이크로 디바이시즈, 인코포레이티드
发明人： 루캉크토드피. , 스펜스크리스토퍼에이.
IPC分类号： G03F1/34 , H01L21/027
CPC分类号： G03F1/30 , G03F1/70 , G03F1/36 , G03F1/144
摘要： 본 발명은 다각형을 정의하는 위상 0 영역의 평행한 가장자리 외곽에 경계 영역을 추가하는 기술에 관한 것이다. 본 발명은 광근접보정(OPC)의 필요성을 감소시키고 생산성과 집적회로용 패터닝 공정 윈도우를 향상시킬 수 있다. 본 발명은 또한, 위상 0 및 위상 180인 다각형의 폭을 특정 크기로 설정하여 OPC 할당을 용이하게 한다.

38. 发明授权

KR100399444B1 에지강조형위상반전마스크및그제조방법 失效
公开(公告)号：KR100399444B1
公开(公告)日：2004-04-29
申请号：KR1019950018883
申请日：1995-06-30
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 배상만
IPC分类号： G03F1/34 , G03F1/26
CPC分类号： G03F1/26
摘要： A phase shift mask capable of improving the profile of a photoresist film pattern to be formed, thereby achieving an easy formation of micro patterns to fabricate highly-integrated semiconductor devices, and a method for forming the phase shift mask. The phase shift mask includes a transparent substrate, a light shield film pattern formed on the transparent substrate, the light shield film pattern having alternately-arranged lines and spaces respectively having desired dimensions, a first phase shift film pattern formed on the light shield film pattern and provided with alternately-arranged lines and spaces, the first phase shift film pattern having a larger line width than that of the light shield film pattern, and a second phase shift film pattern formed on a portion of the transparent substrate occupied by the spaces of the first phase shift film pattern.
摘要翻译：本发明提供一种能够改善要形成的光致抗蚀剂膜图案的轮廓，从而实现微图案的容易形成以制造高度集成的半导体器件的相移掩模以及形成相移掩模的方法。相移掩模包括透明基板，在透明基板上形成的遮光膜图案，该遮光膜图案具有交替排列的线和间隔，分别具有期望的尺寸;第一相移膜图案，形成在遮光膜图案上并且设置有交替布置的线和间隔，第一相移膜图案具有比光屏蔽膜图案的线宽更大的线宽度，以及第二相移膜图案形成在透明基板的一部分上，第一相移膜图案。

39. 发明授权

KR100190116B1 무 크롬 위상반전마스크 및 그 제조방법 失效
标题翻译：无刷相移屏蔽及其制造方法
公开(公告)号：KR100190116B1
公开(公告)日：1999-06-01
申请号：KR1019970001300
申请日：1997-01-17
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 임성출 , 우상균
IPC分类号： G03F1/34 , G03F1/26
摘要： 무 크롬층 PSM 및 그 제조방법에 관해 개시한다.
본 발명에 의한 무 크롬층 PSM은 패턴이 균일하고 규칙적으로 반복되는 영역인 반도체기판의 셀 영역과 상기 셀 영역에 비해 패턴이 불규칙적이며 불 균일한 영역인 반도체기판의 주변회로영역의 패터닝에 동시에 적용하기 위해 상기 셀 영역에 대응하는 제1 영역과 상기 주변회로영역 및 상기 셀 영역과 주변회로영역의 경계에 대응하기 위해 상기 제1 영역으로부터 적어도 한개의 단위 PSM이 확장되어 있는 영역인 제2 영역을 동시에 구비하고 있다.
이에 따라 한개의 무 크롬층 PSM을 이용하여 규칙적인 패턴과 불규칙적인 패턴을 동시에 형성할 수 있으므로 셀 영역, 주변회로영역 및 셀 영역과 주변회로영역의 경계영역에 동시에 효과적인 라인/스페이스를 형성할 수 있다.

40. 发明授权

KR100166837B1 위상반전 마스크 및 그 제조방법 失效
标题翻译：相位移屏蔽及其生产方法
公开(公告)号：KR100166837B1
公开(公告)日：1999-01-15
申请号：KR1019960024699
申请日：1996-06-27
申请人： 현대반도체 주식회사
发明人： 이준석
IPC分类号： G03F1/34 , G03F1/30 , H01L21/027
CPC分类号： G03F1/29 , G03F1/30
摘要： 본 발명은 반도체 마스크에 관한 것으로 특히 밀집된 패턴의 광 강도를 개선시킨 위상반전 마스크 및 그 제조방법에 관한 것이다.
이를 위한 본 발명의 위상반전 마스크 및 그 제조방법은 복수개의 오픈영역이 형성된 차광층을 구비한 위상반전 마스크에 있어서, 상기 오픈영역중 하나의 오픈영역 림부분에 제1위상천이층이 형성된 제1투광패턴과, 상기 오픈영역중 다른 하나의 오픈영역 중앙부분에 제2위상천이층이 형성된 제2투광패턴이 에치스토퍼층상에 교대로 형성됨을 특징으로 한다.

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