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    • 31. 发明授权
    • 비휘발성 메모리 장치의 데이터 처리 방법
    • 非易失性存储器的数据处理方法
    • KR101301840B1
    • 2013-08-29
    • KR1020100124977
    • 2010-12-08
    • 주식회사 한컴지엠디삼성전자주식회사
    • 양정웅
    • G06F12/10G06F12/06
    • G06F12/0246G06F2212/7201G06F2212/7207
    • 본 발명의 비휘발성 메모리 장치의 데이터 처리 방법은, 호스트 중앙처리장치(HOST CPU)와 원디램(oneDRAM), ASIC(Application Specific Integrated Circuit), 플래시 메모리(flash memory)를 포함하는 MLA(Memory Linked Architecture) 간 비휘발성 메모리 장치의 데이터 처리 방법에 있어서, (a) 상기 호스트 중앙처리장치(HOST CPU)에 의해 상기 원디램(oneDRAM)의 공유영역에 저장된 전송할 제0 파일데이터(D0) ~ 제n(n은 양의 정수) 파일데이터(Dn)를 호출하는 단계; (b) 파일 시스템(File system)에 의해 상기 제0 파일데이터(D0) ~ 제n(n은 양의 정수) 파일데이터(Dn) 각각을 분석하여 제0 파일 데이터 정보(D0-inf) ~ 제n (n은 양의 정수) 파일 데이터 정보(Dn-inf) 및 제0 페이로드(Payload_0) ~ 제n(n은 양의 정수) 페이로드(Payload_n)에 대한 논리 주소(Logic address)를 생성하는 단계; (c) 플래시 변환 계층(FTL)에 의해 상기 논리 주소(Logic address)를 상기 플래시 메모리(flash memory)의 물리 주소(Physical address)로 맵핑(mapping) 시키는 단계; (d) 플래시 변환 계층(FTL)에 의해 상기 플래시 메모리(flash memory)의 데이터 블록(Data block)에 상기 제0 파일 데이터 정보(D0-inf) ~ 제n(n은 양의 정수) 파일 데이터 정보(Dn-inf) 및 상기 제0 페이로드(Payload_0) ~ 제n(n은 양의 정수) 페이로드(Payload_n)를 순차적으로 기입(Write)하는 단계; 및 (e) 플래시 변환 계층(FTL)에 의해 전송받은 상기 제0 파일데이터(D0) ~ 제n(n은 양의 정수) 파일데이터(Dn)에 대한 메타 데이터(Meta data)를 상기 플래시 메모리(flash memory)의 메타 블록(Meta block)에 일괄하여 1회 업데이트(update) 하는 단계를 제공함에 기술적 특징이 있다.
    • 33. 发明公开
    • 불휘발성 메모리 및 그것을 포함하는 메모리 장치
    • 非易失性存储器和存储器件,包括它们
    • KR1020130059007A
    • 2013-06-05
    • KR1020110125076
    • 2011-11-28
    • 삼성전자주식회사
    • 곽동훈
    • G11C16/02G11C16/06G06F12/00
    • G11C16/20G06F12/0246G06F2212/7207
    • PURPOSE: A non-volatile memory and a memory device including the same are provided to improve the reliability of the non-volatile memory by preventing damage to management data due to the frequent update of main data. CONSTITUTION: A memory cell array(110) includes first and second memory blocks(BLK1,BLK2) respectively having a plurality of sub memory blocks. A controller(200) stores main data received from the outside in a non-volatile memory. An erasing operation of the non-volatile memory is performed in a sub memory block unit. The management data unchanged after being programmed once is stored in the sub memory block of the first memory block. Main data is stored in the sub memory blocks of the second memory block.
    • 目的:提供非易失性存储器和包括该非易失性存储器的存储器件,以通过防止由于主数据的频繁更新而损坏管理数据来提高非易失性存储器的可靠性。 构成:存储单元阵列(110)包括分别具有多个子存储块的第一和第二存储块(BLK1,BLK2)。 控制器(200)将从外部接收的主数据存储在非易失性存储器中。 在子存储块单元中执行非易失性存储器的擦除操作。 被编程一次后不变的管理数据被存储在第一存储器块的子存储器块中。 主数据存储在第二存储器块的子存储块中。
    • 35. 发明公开
    • 메모리 시스템 및 그것의 메타 데이터 관리 방법
    • 存储系统和元数据管理方法
    • KR1020130016941A
    • 2013-02-19
    • KR1020110079152
    • 2011-08-09
    • 삼성전자주식회사
    • 정다운강정욱전병희
    • G06F12/00G11C16/06
    • G06F12/0246G06F2212/7201G06F2212/7207
    • PURPOSE: A memory system and a metadata management method thereof are provided to reduce storage time of metadata by recording a divided part of the metadata and log data including changes in a non-volatile memory device. CONSTITUTION: A buffer memory(120) provisionally stores log entry information composing log data and metadata divided into groups. A memory controller(130) updates the metadata stored in the buffer memory and generates the log entry information corresponding to a change of the metadata according to operation generating the change in a non-volatile memory device(140) in order to store the information in the buffer memory. The memory controller stores the log data and the metadata of a sequentially selected group in the non-volatile memory device every time the number of the log entry information reaches a threshold value. [Reference numerals] (110) Processor; (120) Buffer memory; (130) Memory controller; (140) Non-volatile memory device; (150) Host interface; (AA) Host device
    • 目的:提供存储器系统及其元数据管理方法,通过记录元数据的分割部分和包括非易失性存储器件中的变化的日志数据来减少元数据的存储时间。 构成:缓冲存储器(120)临时存储组成日志数据和分成组的元数据的日志条目信息。 存储器控制器(130)更新存储在缓冲存储器中的元数据,并根据生成非易失性存储器件(140)中的变化的操作生成对应于元数据变化的日志条目信息,以便将信息存储在 缓冲存储器。 每当日志条目信息的数量达到阈值时,存储器控制器将日志数据和顺序选择的组的元数据存储在非易失性存储器设备中。 (附图标记)(110)处理器; (120)缓冲存储器; (130)内存控制器; (140)非易失性存储器件; (150)主机接口; (AA)主机设备