专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明公开

KR20180010975A 다양한 워크로드들에 대한 솔리드 스테이트 드라이브들의 내부 사전 컨디셔닝 有权
标题翻译：内部预先确定各种工作量的固态驱动器
公开(公告)号：KR20180010975A
公开(公告)日：2018-01-31
申请号：KR20170075965
申请日：2017-06-15
申请人： 웨스턴 디지털 테크놀로지스, 인코포레이티드
发明人： 할레트,티모시글렌 , 노이,안톤존 , 페터슨,필립
IPC分类号： G06F3/06 , G06F7/58
CPC分类号： G06F3/0613 , G06F3/0632 , G06F3/0679 , G06F3/0685 , G06F12/0223 , G06F12/06 , G06F12/0623 , G06F12/0692 , G06F2212/1016 , G06F2212/2022 , G06F2212/7206
摘要： 다양한워크로드들에대하여 SSD들을내부적으로사전컨디셔닝하기위한시스템들및 방법들이개시된다. 한가지이러한방법은, (1) 리본들전반에걸친무효분포, 워크로드들의전송사이즈, 및워크로드들의랜덤성을포함하는사전컨디셔닝파라미터들을수신하는단계; (2) 백분율의랜덤데이터및 백분율의비랜덤데이터를포함하는워크로드데이터를생성하는단계 - 백분율들은워크로드들의랜덤성파라미터에기초함 -; (3) 무효분포파라미터를사용하여, 리본의사전선택된물리적블록어드레스(PBA)들을결정하는단계; (4) 리본이가득찰 때까지, 사전선택된전송사이즈를사용하여, 리본의사전선택된 PBA들각각에워크로드데이터의일부를기입하는단계 - 전송사이즈는워크로드들의전송사이즈파라미터에기초함 -; (5) 무효분포파라미터를사용하여사전선택되지않은리본의모든 PBA들을무효인것으로서마킹하는단계; 및 (6) 사전선택된종료조건이충족될때까지 (2) 내지 (5) 단계들을반복하는단계를포함한다.
摘要翻译：公开了用于内部预处理各种工作负载的SSD的系统和方法。一种这样的方法涉及：（1）接收预处理参数，包括跨色带的无效分布，工作量的传送大小和工作量的随机性;（2）生成包括随机数据的百分比和非随机数据的百分比的工作量数据; 其中百分比基于工作负载参数的随机性，（3）使用无效分布参数确定功能区的预选物理块地址（PBA），（4）将工作量数据的一部分写入到预先选择的（5）使用无效分布参数将未预先选择的功能区的所有PBA标记为无效，以及（（5）将使用无效分布参数未预先选择的功能区的所有PBA标记为无效） 6）重复（2）至（5）直到满足预选结束条件。

2. 发明公开

KR1020160147744A 적응적 버스트 모드를 위한 저장 모듈 및 방법 审中-实审
标题翻译：存储模块和自适应爆炸模式的方法
公开(公告)号：KR1020160147744A
公开(公告)日：2016-12-23
申请号：KR1020167028722
申请日：2015-03-30
申请人： 샌디스크 테크놀로지스 엘엘씨
发明人： 사하라바니,아미르 , 헬러,탈 , 오신스키,하다스 , 레비,에노스 , 질버스타인,아이나브,프니나 , 한,주다,가믈리엘
IPC分类号： G06F13/28 , G06F12/02 , G06F3/06
CPC分类号： G06F3/0659 , G06F3/0613 , G06F3/0688 , G06F12/0246 , G06F12/0253 , G06F12/0866 , G06F13/28 , G06F2212/1016 , G06F2212/1044 , G06F2212/601 , G06F2212/7203 , G06F2212/7205 , G06F2212/7206 , G11C7/10 , G11C11/5628
摘要： 적응적버스트모드를위한저장모듈및 방법이제공된다. 일실시예에서, 메모리및 컨트롤러를포함하는저장모듈이제공된다. 컨트롤러는저장모듈과통신상태에있는호스트컨트롤러로부터복수의기입명령을수신하고, 복수의기입명령을저장모듈에서의명령큐에저장하고, 및얼마나많은기입명령들이명령큐에저장되는지에기초하여메모리를작동시킬복수의버스트모드중 하나를선택하도록구성된다.
摘要翻译：提供了一种用于自适应突发模式的存储模块和方法。在一个实施例中，提供了包括存储器和控制器的存储模块。所述控制器被配置为从与所述存储模块通信的主机控制器接收多个写入命令，将所述多个写入命令存储在所述存储模块中的命令队列中，并且选择要在其中操作的多个突发模式中的一个存储器基于存储在命令队列中的写入命令数量。

3. 发明授权

KR101132497B1 Memory system 无效
标题翻译：记忆系统
公开(公告)号：KR101132497B1
公开(公告)日：2012-04-12
申请号：KR20097018225
申请日：2009-01-20
IPC分类号： G06F12/00 , G06F12/02 , G06F13/16
CPC分类号： G06F12/0246 , G06F3/061 , G06F3/064 , G06F3/0656 , G06F3/0679 , G06F11/1441 , G06F12/06 , G06F2212/1044 , G06F2212/7201 , G06F2212/7206 , G06F2212/7207 , G06F2212/7208
摘要： 본 발명은 블록 사이즈 보다 작은 데이터 및 블록 사이즈 보다 큰 데이터를 기록 효율을 저하시키지 않고 기억할 수 있고 그 데이터에 따라서 병렬도를 동적으로 변경할 수 있는 메모리 시스템을 제공하는 것이다. 본 발명의 실시형태에 따른 메모리 시스템은, DRAM(11), NAND 메모리(12) 및 데이터의 액세스시에 사용되는 NAND 메모리(12) 내의 병렬 동작 소자(120A 내지 120D)를 나타내는 병렬 동작 소자 지정 정보 및 데이터의 어드레스를 NAND 인터페이스(140)에 대하여 지정하는 NAND 제어기 제어 레지스터(150), 각 병렬 동작 소자(120A 내지 120D)에 병렬로 연결되어 지정된 병렬 동작 소자 지정 정보와 어드레스에 기초하여 선택되는 1 또는 복수의 병렬 동작 소자(120A 내지 120D)의 어드레스에 액세스하는 NAND 인터페이스(140) 그리고 액세스되는 데이터의 타입에 따라서 병렬 동작 소자 지정 정보를 NAND 제어기 제어 레지스터(150)에 설정하는 CPU(131)를 구비한다.
메모리 시스템
摘要翻译：提供可以存储小于块大小的数据的存储器系统和大于块大小的数据而不降低写入效率，并且可以根据数据动态地改变并行性。根据本发明的实施例的存储器系统包括DRAM11，NAND存储器12和具有NAND控制器控制寄存器150的控制器，NAND控制寄存器150指定并行操作元件指定信息，其指示NAND中的并行操作元件120A至120D 在数据访问时要使用的存储器12和关于NAND接口140的数据地址，NAND接口140并联连接到相应的并行操作元件120A至120D，用于访问一个或多个基于指定的并行操作元件指定信息和地址选择的并行操作元件120A〜120D以及根据数据类型将并行操作元件指定信息设置在NAND控制器控制寄存器150中的CPU 131 访问。

4. 发明公开

KR1020090081426A 동적 멀티 모드 동작의 비휘발성 메모리 无效
标题翻译： 동적멀티모드동작의비휘발성메모리
公开(公告)号：KR1020090081426A
公开(公告)日：2009-07-28
申请号：KR1020097012054
申请日：2008-02-14
申请人： 컨버전트 인텔렉츄얼 프로퍼티 매니지먼트 인코포레이티드
发明人： 김,진기
IPC分类号： G06F12/02 , G06F12/06 , G06F9/06 , G06F3/06
CPC分类号： G11C16/06 , G06F12/0246 , G06F2212/7204 , G06F2212/7206 , G11C11/5621 , G11C11/5628 , G11C16/0483 , G11C16/10 , G11C16/349 , G11C16/3495 , G11C2211/5641 , G11C2211/5646
摘要： A method and system for extending the life span of a flash memory device. The flash memory device is dynamically configurable to store data in the single bit per cell (SBC) storage mode or the multiple bit per cell (MBC) mode, such that both SBC data and MBC data co-exist within the same memory array. One or more tag bits stored in each page of the memory is used to indicate the type of storage mode used for storing the data in the corresponding subdivision, where a subdivision can be a bank, block or page. A controller monitors the number of program-erase cycles corresponding to each page for selectively changing the storage mode in order to maximize lifespan of any subdivision of the multi-mode flash memory device.
摘要翻译：一种延长闪存设备寿命的方法和系统。闪存设备可动态配置为以每单元一比特（SBC）存储模式或每单元多比特（MBC）模式存储数据，使得SBC数据和MBC数据共存于同一存储器阵列内。存储在存储器的每个页面中的一个或多个标签位用于指示用于将数据存储在相应细分中的存储模式的类型，其中细分可以是库，块或页面。控制器监视对应于每个页面的编程 - 擦除周期的数量，以选择性地改变存储模式，以便最大化多模式闪存器件的任何细分的寿命。

5. 发明公开

KR1020090002839A 플래시 메모리를 위한 색인 스킴 有权
标题翻译：闪存存储器的索引方案
公开(公告)号：KR1020090002839A
公开(公告)日：2009-01-09
申请号：KR1020070067129
申请日：2007-07-04
申请人： 삼성전자주식회사 , 한국과학기술원
发明人： 강동원 , 강정욱 , 김진수 , 박찬익
IPC分类号： G06F9/06 , G06F12/00
CPC分类号： G06F12/0246 , G06F2212/7202 , G06F2212/7206
摘要： An index scheme of a flash memory for modifying, inserting or deleting a leaf node is provided to reduce a access time about the flash memory and to lengthen the lifetime of the flash memory by minimizing the number of filled in. Index nodes related to a leaf node and the leaf node are filled in the same page which is identical in mu-tree(e). The index nodes(C, A) which are the parent nodes of the leaf nodes and leaf node(F) is stored in the page(P1). The leaf node(E) and the index nodes(B, A) are stored in the page(P2). The leaf node(D) and index nodes(B, A) are stored in the page(P3). If the leaf node(E) and index nodes(B, A) are stored in the page(P2), the index node(A) becomes invalid since the index node(A) designates the page in which the index nodes(B, C) are stored.
摘要翻译：提供了用于修改，插入或删除叶节点的闪存的索引方案，以减少对闪存的访问时间，并通过最小化填充数来延长闪存的寿命。与叶相关的索引节点节点和叶节点填充在与mu树（e）中相同的页面中。作为叶节点和叶节点（F）的父节点的索引节点（C，A）存储在页面（P1）中。叶节点（E）和索引节点（B，A）存储在页面（P2）中。叶节点（D）和索引节点（B，A）存储在页面（P3）中。如果叶节点（E）和索引节点（B，A）存储在页面（P2）中，索引节点（A）变得无效，因为索引节点（A）指定索引节点（B， C）被存储。

6. 发明公开

KR1020080021684A 프로그램 가능한 내구력을 가진 플래시 메모리 有权
标题翻译：具有可编程耐久性的闪存
公开(公告)号：KR1020080021684A
公开(公告)日：2008-03-07
申请号：KR1020077030016
申请日：2006-06-06
申请人： 샌디스크 아이엘 엘티디
发明人： 다리엘다니 , 래저메나헴
IPC分类号： G11C16/00
CPC分类号： G06F12/0246 , G06F3/0616 , G06F3/0644 , G06F3/0679 , G06F2212/1036 , G06F2212/7204 , G06F2212/7205 , G06F2212/7206 , G06F2212/7211 , G11C16/349 , G11C16/3495 , G11C29/76
摘要： Non-volatile memory devices, systems, methods and computer readable code for configuring at least a portion of a non-volatile memory to provide a requested effective endurance are disclosed. According to some embodiments, a determined amount of physical memory is allocated for the at least a portion of non-volatile memory. According to some embodiments, for a given amount of configured physical memory, requesting a greater effective endurance provides a smaller amount of logically addressable memory. According to some embodiments, for a given amount of logically addressable memory, requesting a greater effective endurance configures a greater amount of physical memory. In some embodiments, a controller is operative to configure the at least a portion of non-volatile memory. Alternatively or additionally, driver code resides on a host device coupled to the non-volatile memory device. Optionally, a value of the requested endurance is specified in a command issued to the non-volatile memory device. According to some embodiments, the command may be issued at a time of manufacture and/or at a runtime of the non-volatile memory device. Exemplary non-volatile memory that may be configured includes but is not limited to NAND flash memory, NOR flash memory, and EEPROM memory. ® KIPO & WIPO 2008
摘要翻译：公开了用于配置非易失性存储器的至少一部分以提供所请求的有效耐久性的非易失性存储器件，系统，方法和计算机可读代码。根据一些实施例，为非易失性存储器的至少一部分分配确定量的物理存储器。根据一些实施例，对于给定量的配置的物理存储器，请求更大的有效持续时间提供较小量的逻辑可寻址存储器。根据一些实施例，对于给定量的逻辑可寻址存储器，请求更大的有效耐久性配置更大量的物理存储器。在一些实施例中，控制器用于配置非易失性存储器的至少一部分。或者或另外，驱动器代码驻留在耦合到非易失性存储器件的主机设备上。可选地，在发出到非易失性存储器件的命令中指定所请求耐久度的值。根据一些实施例，命令可以在制造时和/或在非易失性存储器件的运行时发出。可以配置的示例性非易失性存储器包括但不限于NAND闪速存储器，NOR闪速存储器和EEPROM存储器。 ®KIPO＆WIPO 2008

7. 发明授权

KR101770547B1 스토리지 클러스터 有权
标题翻译：存储集群
公开(公告)号：KR101770547B1
公开(公告)日：2017-08-23
申请号：KR1020167005278
申请日：2015-02-27
申请人： 퓨어 스토리지, 아이앤씨.
发明人： 헤이즈존 , 콜그로브존 , 리로버트 , 바즈겔피터 , 보츠파
IPC分类号： G06F11/10 , G06F12/02 , G06F3/06
CPC分类号： G06F11/1076 , G06F3/06 , G06F3/0607 , G06F3/0613 , G06F3/0619 , G06F3/0632 , G06F3/065 , G06F3/0655 , G06F3/067 , G06F3/0688 , G06F11/1068 , G06F11/108 , G06F11/1092 , G06F12/0246 , G06F2201/845 , G06F2212/7206 , G06F2212/7207 , H03M13/154
摘要： 단일의섀시에복수의스토리지노드들이제공된다. 단일의섀시에서의복수의스토리지노드들은스토리지클러스터로서함께통신하도록구성된다. 복수의스토리지노드들각각은사용자데이터저장을위한비휘발성솔리드스테이트메모리를포함한다. 복수의스토리지노드들은복수의스토리지노드들전반에걸쳐사용자데이터및 상기사용자데이터와연관된메타데이터를분배하도록구성되어, 복수의스토리지노드들중 2 개의스토리지노드들의손실에도불구하고복수의스토리지노드들이소거코딩을이용하여사용자데이터를판독하는능력을유지하게된다. 섀시는전력분배부, 고속통신버스, 및전력분배부및 통신버스를이용할수도있는하나이상의스토리지노드들을설치하는능력을포함한다. 비휘발성솔리드스테이트메모리를갖는복수의스토리지노드들에서의사용자데이터에액세스하는방법이또한제공된다.
摘要翻译：多个存储节点被提供在单个机箱中。单个机箱中的多个存储节点被配置为作为存储集群一起通信。多个存储节点中的每一个包括用于存储用户数据的非易失性固态存储器。尽管多个存储的丢失节点的多个横跨整个被配置成分配与所述用户数据和用户数据，多个两个存储节点的存储节点和多个存储节点的相关联的元数据的节点存储的被擦除编码用于保持读取用户数据的能力。机箱包括配电单元，高速通信总线以及安装一个或多个可使用配电和通信总线的存储节点的能力。还提供了一种在具有非易失性固态存储器的多个存储节点处访问用户数据的方法。

8. 发明公开

KR1020160043121A 동적 멀티 모드 동작의 비휘발성 메모리 无效
标题翻译：具有动态多模式操作的非易失性存储器
公开(公告)号：KR1020160043121A
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：KR1020167008455
申请日：2008-02-14
申请人： 컨버전트 인텔렉츄얼 프로퍼티 매니지먼트 인코포레이티드
发明人： 김,진기
IPC分类号： G06F12/02 , G11C11/56 , G11C16/10 , G11C16/34 , G11C16/04
CPC分类号： G11C16/06 , G06F12/0246 , G06F2212/7204 , G06F2212/7206 , G11C11/5621 , G11C11/5628 , G11C16/0483 , G11C16/10 , G11C16/349 , G11C16/3495 , G11C2211/5641 , G11C2211/5646
摘要： 플래시메모리장치의수명을연장시키는방법및 시스템이다. 플래시메모리장치는셀 당싱글비트(SBC) 저장모드또는셀 당멀티비트(MBC) 모드로데이터를저장하도록동적으로구성될수 있음으로써, SBC 데이터와 MBC 데이터의양쪽이동일메모리어레이내에공존한다. 메모리의각 페이지에저장된하나이상의태그비트는대응하는서브디비전에데이터를저장하기위해사용되는저장모드의타입을지시하는데사용되며, 서브디비전은뱅크, 블록, 또는페이지일수 있다. 제어기는멀티모드플래시메모리장치의임의의서브디비전의수명을최대화시키도록저장모드를선택적으로변경하기위해각 페이지에대응하는프로그램-삭제사이클의수를모니터한다.

9. 发明公开

KR1020150106447A 솔리드-스테이트 메모리에서 동작의 모드를 구성하는 시스템들 및 방법들 审中-实审
标题翻译：在固态存储器中配置操作模式的系统和方法
公开(公告)号：KR1020150106447A
公开(公告)日：2015-09-21
申请号：KR1020157021853
申请日：2014-01-13
申请人： 웨스턴 디지털 테크놀로지스, 인코포레이티드
发明人： 장세바스띠앙에이 , 혼로버트엘
IPC分类号： G06F12/02 , G06F13/40
CPC分类号： G06F12/0246 , G06F13/404 , G06F2212/1016 , G06F2212/1036 , G06F2212/214 , G06F2212/7204 , G06F2212/7206 , G11C2211/5641
摘要： 제어기를 NVM (비-휘발성 메모리) 스토리지 시스템과 짝짓는 아키텍처가 본 명세서에서 개시된다. NVM 스토리지 시스템은 제어기와 통신하는 브릿지 디바이스를 포함한다. 하나의 실시형태에서, 브릿지 디바이스는, 플래시 다이들에서의 소정의 데이터 로케이션들 (블록들, 페이지들, 또는 임의의 다른 입도의 유닛들) 로 하여금, (1) 데이터 액세스가 방지되는 예약 모드로 배치되는 것, (2) 제어기 명령에 응답하여 SLC (단일-레벨 셀) 모드 또는 MLC (멀티-레벨 셀) 모드로 할당되는 것, (3) 모드의 할당 후에 데이터 액세스를 위해 이용가능하게 되는 것을 허용한다. 이러한 유연성은, 제어기에게, 런-타임 조건들에 기초하여 SLC 모드 또는 MLC 모드 데이터 로케이션들을 증가시키는 것을 가능하게 한다. 하나의 실시형태에서, 예약된 데이터 로케이션들의 할당은, 메모리 판매자들에 의해 부과된 보증 조건들이 준수되는 것을 보장하기 위한 방식으로 수행된다.

10. 发明公开

KR1020140146229A 동적 멀티 모드 동작의 비휘발성 메모리 无效
标题翻译：具有动态多模式操作的非易失性存储器
公开(公告)号：KR1020140146229A
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：KR1020147033804
申请日：2008-02-14
申请人： 컨버전트 인텔렉츄얼 프로퍼티 매니지먼트 인코포레이티드
发明人： 김,진기
IPC分类号： G06F12/02 , G06F12/06 , G06F9/06
CPC分类号： G11C16/06 , G06F12/0246 , G06F2212/7204 , G06F2212/7206 , G11C11/5621 , G11C11/5628 , G11C16/0483 , G11C16/10 , G11C16/349 , G11C16/3495 , G11C2211/5641 , G11C2211/5646
摘要： 플래시 메모리 장치의 수명을 연장시키는 방법 및 시스템이다. 플래시 메모리 장치는 셀 당 싱글 비트(SBC) 저장 모드 또는 셀 당 멀티 비트(MBC) 모드로 데이터를 저장하도록 동적으로 구성될 수 있음으로써, SBC 데이터와 MBC 데이터의 양쪽이 동일 메모리 어레이 내에 공존한다. 메모리의 각 페이지에 저장된 하나 이상의 태그 비트는 대응하는 서브디비전에 데이터를 저장하기 위해 사용되는 저장 모드의 타입을 지시하는데 사용되며, 서브디비전은 뱅크, 블록, 또는 페이지일 수 있다. 제어기는 멀티 모드 플래시 메모리 장치의 임의의 서브디비전의 수명을 최대화시키도록 저장 모드를 선택적으로 변경하기 위해 각 페이지에 대응하는 프로그램-삭제 사이클의 수를 모니터한다.

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式