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31. 发明授权

KR102157769B1 메모리 시스템 및 이의 동작 방법 有权
公开(公告)号：KR102157769B1
公开(公告)日：2020-09-18
申请号：KR1020130128497
申请日：2013-10-28
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 김정현 , 권기창
IPC分类号： G11C11/406

32. 发明授权

KR102059914B1 스트로브 신호 생성 장치 및 이를 이용하는 메모리 장치 有权
公开(公告)号：KR102059914B1
公开(公告)日：2020-02-11
申请号：KR1020130104027
申请日：2013-08-30
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 변희진 , 권기창
IPC分类号： G11C7/22 , G11C7/10

33. 发明授权

KR102031147B1 메모리 장치, 메모리 장치 및 메모리 시스템의 동작방법 有权
公开(公告)号：KR102031147B1
公开(公告)日：2019-10-14
申请号：KR1020130036707
申请日：2013-04-04
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 윤현수 , 권기창
IPC分类号： G11C29/00

34. 发明授权

KR101804521B1 집적회로 칩, 이를 포함하는 시스템 및 동작방법, 메모리 및 메모리 시스템 有权
公开(公告)号：KR101804521B1
公开(公告)日：2017-12-07
申请号：KR1020110081317
申请日：2011-08-16
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 권기창
IPC分类号： G11C29/00 , G11C5/14 , G11C7/10
CPC分类号： G11C29/023
摘要： 본발명에따른집적회로시스템은, 제1칩; 및제2칩을포함하고, 상기제2칩이상기제1칩으로트레이닝명령을인가하면, 상기제2칩은상기트레이닝명령에대응하는동작의동작소요시간을상기제1칩에통보한다.

35. 发明公开

KR1020150025887A 스트로브 신호 생성 장치 및 이를 이용하는 메모리 장치 审中-实审
标题翻译：使用相同的结构信号产生装置和存储装置
公开(公告)号：KR1020150025887A
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：KR1020130104027
申请日：2013-08-30
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 변희진 , 권기창
IPC分类号： G11C7/22 , G11C7/10
CPC分类号： G11C7/22 , G11C7/1093 , G11C11/4076
摘要： 스트로브 신호 생성 장치는 인에이블 신호 생성부, 버퍼링부 및 스트로브 신호 드라이빙부를 포함한다. 상기 인에이블 신호 생성부는 내부 라이트 신호 및 스트로브 신호에 응답하여 분주 인에이블 신호를 생성한다. 상기 버퍼링부는 상기 분주 인에이블 신호가 인에이블된 동안 상기 스트로브 신호를 버퍼링하여 지연 스트로브 신호를 생성한다. 상기 스트로브 신호 드라이빙부는 상기 분주 인에이블 신호 및 지연 스트로브 신호에 응답하여 상기 지연 스트로브 신호보다 넓은 펄스 폭을 갖는 복수의 데이터 스트로브 신호를 생성한다.
摘要翻译：选通信号发生装置包括使能信号发生单元，缓冲单元和选通信号驱动单元。使能信号发生单元响应于内部写入信号和选通信号产生分频使能信号。缓冲单元通过在分频使能信号被使能的同时缓冲选通信号来产生延迟的选通信号。选通信号驱动单元响应于分开的使能信号和延迟的选通信号产生具有比延迟的选通信号宽的脉冲宽度的多个数据选通信号。因此，选通信号发生装置可以通过将选通信号除以锁存数据来执行精确的数据存储操作。

36. 发明公开

KR1020150002004A 비휘발성 메모리 및 이를 포함하는 반도체 장치 审中-实审
标题翻译：非易失性存储器和包括其的半导体器件
公开(公告)号：KR1020150002004A
公开(公告)日：2015-01-07
申请号：KR1020130075232
申请日：2013-06-28
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 윤현수 , 권기창
IPC分类号： G11C16/34 , G11C16/10 , G11C16/06
CPC分类号： G11C29/78 , G06F11/1068 , G11C5/148 , G11C7/00 , G11C16/20 , G11C29/44 , G11C29/82 , G11C2029/4402
摘要： 비휘발성 메모리는, 다수의 메모리 셋을 포함하고, 상기 다수의 메모리 셋 각각은 해당 메모리 셋 데이터의 유효성을 나타내는 유효신호가 저장되는 유효 메모리 셀; 및 멀티 비트의 데이터 또는 1비트 이상의 페일 정보가 저장되는 데이터 메모리 셀들을 포함한다.
摘要翻译：非易失性存储器包括多个存储器组。每个存储器组包括有效的存储器单元，其中存储指示对应的存储器组数据的有效性的有效信号，以及存储有一个或多个位的多位或故障信息的数据的数据存储单元。

37. 发明公开

KR1020130053791A 반도체 기억 장치의 감지 회로 및 감지 방법 无效
标题翻译：用于半导体存储器的感测电路和感测方法
公开(公告)号：KR1020130053791A
公开(公告)日：2013-05-24
申请号：KR1020110119437
申请日：2011-11-16
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 김성호 , 권기창
IPC分类号： G11C7/06 , G11C7/10
CPC分类号： G11C7/08 , G11C11/4091 , G11C2207/2227
摘要： PURPOSE: A sensing circuit of a semiconductor memory device and a sensing method thereof are provided to improve reliability by controlling an operation point of a sense amplifier. CONSTITUTION: Unit matrixes include a memory cell array to store binary information. Column selection switches(220) selectively connect each column of the unit matrix to a local data line. Data line switches(210) selectively connect the local data line to a global data line. A global sense amplifier(230) is electrically connected to the global data line. A control circuit(240) controls an enabling point of the global sense amplifier according to a physical distance between the global sense amplifier and the unit matrixes.
摘要翻译：目的：提供半导体存储器件的感测电路及其感测方法，以通过控制读出放大器的操作点来提高可靠性。构成：单位矩阵包括存储二进制信息的存储单元阵列。列选择开关（220）有选择地将单元矩阵的每一列连接到本地数据线。数据线路交换机（210）有选择地将本地数据线连接到全局数据线。全局读出放大器（230）电连接到全局数据线。控制电路（240）根据全局读出放大器和单位矩阵之间的物理距离来控制全局读出放大器的使能点。

38. 发明授权

KR101212738B1 리프레쉬 제어회로 및 이를 포함하는 반도체 메모리 장치 및 리프레쉬 제어방법 失效
标题翻译：刷新控制电路和包括其的半导体存储器件和刷新控制方法
公开(公告)号：KR101212738B1
公开(公告)日：2012-12-14
申请号：KR1020100107186
申请日：2010-10-29
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 권기창
IPC分类号： G11C11/401 , G11C11/4063 , G11C11/408
CPC分类号： G11C11/40622 , G11C11/40611
摘要： 본발명에따른반도체메모리장치는, 제1셀영역과제2셀영역을포함하는뱅크; 리프레쉬명령에응답하여활성화구간이서로다른제1로우액티브신호와제2로우액티브신호를생성하는액티브신호생성부; 및상기리프레쉬명령을카운팅해로우어드레스를생성하는어드레스카운팅부를포함하고, 상기제1셀영역은상기제1로우액티브신호가활성화되면상기로우어드레스에의해지정된워드라인이활성화되고, 상기제2셀영역은상기제2로우액티브신호가활성화되면상기로우어드레스에의해지정된워드라인이활성화된다.

39. 发明授权

KR101096205B1 반도체 장치 有权
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：KR101096205B1
公开(公告)日：2011-12-22
申请号：KR1020090117446
申请日：2009-11-30
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 지성수 , 권기창
IPC分类号： H01L21/82 , H01L23/62
CPC分类号： H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 본발명은반도체메모리장치의퓨즈회로에관한것으로, 리페어공정에서블로잉된퓨즈가다시단락되는해스트페일이발생하였다하더라도, 그영향이반도체장치의동작에영향을미치지않을수 있는반도체장치에관한것이다. 본발명은퓨즈; 상기퓨즈의일측에일측이접속되며, 타측으로제1 구동전압을인가받는제1 모스트랜지스터; 상기퓨즈의타측에일측이접속되고, 타측은퓨즈블로잉감지노드에접속된제2 모스트랜지스터; 및상기퓨즈블로잉감지노드에일측이접속되고, 타측으로제2 구동전압을인가받는제3 모스트랜지스터를포함하며, 상기제3 모스트랜지스터는초기화구간동안활성화되는퓨즈인에이블신호에응답하여턴온되고, 상기제1 모드트랜지스터및 상기제2 모스트랜지스터는상기초기화구간이후의퓨즈컷팅여부판단구간동안활성화되는퓨즈동작신호에응답하여턴온는것을특징으로한다.
摘要翻译：本发明涉及一种半导体存储器件的熔丝电路，更具体地说，涉及一种半导体器件，其影响不会影响半导体器件的操作，即使在修复过程中吹熔熔丝再次熔断。本发明涉及一种熔断器，包括：熔断器; 第一MOS晶体管，其一侧连接到所述熔丝的一侧并接收第一驱动电压到另一侧; 第二MOS晶体管，其一侧连接到所述熔丝的另一侧，另一侧连接到所述熔丝熔断感测节点; 以及第三MOS晶体管，其一侧连接到熔丝熔断感测节点并接收第二驱动电压到另一侧，第三MOS晶体管响应于在初始化时段期间激活的熔丝使能信号而导通，并且响应于在确定初始化时段之后是否切断熔丝的时段期间激活的熔丝操作信号，第一模式晶体管和第二MOS晶体管导通。

40. 发明公开

KR1020100079770A 반도체 장치 无效
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：KR1020100079770A
公开(公告)日：2010-07-08
申请号：KR1020080138340
申请日：2008-12-31
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 양선석 , 권기창
IPC分类号： G11C7/10 , G11C29/00 , G11C8/10
CPC分类号： G11C29/14 , G11C7/10 , G11C7/20
摘要： PURPOSE: A semiconductor device is provided to reduce the number of necessary global transmit lines by decoding a test code in a decoding unit and transmitting a decoded result to a local transmission line. CONSTITUTION: A global transmit line transmits a test code. Decoding units(100_1~100_128) decodes the test code. The decoding unit generates the test mode signal. Internal function blocks(200_1~200_128) transmit the test mode signal to the local transmission line. The internal function block performs a test corresponding to a test operation.
摘要翻译：目的：提供一种半导体器件，用于通过对解码单元中的测试代码进行解码并将解码结果发送到本地传输线来减少必需的全局传输线的数量。构成：全局传输线传输测试代码。解码单元（100_1〜100_128）对测试代码进行解码。解码单元生成测试模式信号。内部功能块（200_1〜200_128）将测试模式信号发送到本地传输线。内部功能块执行与测试操作相对应的测试。

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