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31. 发明公开

KR1020000075358A 이동통신시스템에서 라디오링크프로토콜에 따른 가변길이의 데이터 송수신 장치 및 방법 无效
标题翻译：用于在移动通信系统中根据无线电链路协议收发具有可变长度的数据的装置和方法
公开(公告)号：KR1020000075358A
公开(公告)日：2000-12-15
申请号：KR1019990020081
申请日：1999-05-27
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 장훈 , 이현석 , 김대균 , 구창회
IPC分类号： H04L29/06
CPC分类号： H04W28/06 , H04L29/06 , H04L69/22 , H04L69/324
摘要： PURPOSE: A method for transceiving data having variable lengths in a mobile communication system is provided to use serial numbers having block units and data byte units when radio link protocol(RLP) frames are transmitted, so as to transmit more data to physical channel frames. CONSTITUTION: A multiplexer controller decides transmission orders of more than one service and sizes of data blocks. The multiplexer controller requests data blocks of the services according to priorities. Many radio link protocol(RLP) processors gather the data blocks or data bytes to generate variable length of information bits. A physical layer processor transmits the information bits through a physical channel. Service recognizers and length information are included in the data blocks and the data bytes. A physical layer receiver receives the information bits through the physical channel. The RLP processors separate at least one data block or data byte from the information bits. The RLP processors transmit each data block or each data byte for one of the services.
摘要翻译：目的：提供一种用于在移动通信系统中收发具有可变长度的数据的方法，以便在发送无线电链路协议（RLP）帧时使用具有块单元和数据字节单元的序列号，以便将更多数据发送到物理信道帧。构成：多路复用器控制器决定多个服务的传输顺序和数据块的大小。复用器控制器根据优先级请求服务的数据块。许多无线链路协议（RLP）处理器收集数据块或数据字节以生成可变长度的信息位。物理层处理器通过物理信道发送信息比特。服务识别器和长度信息包含在数据块和数据字节中。物理层接收器通过物理信道接收信息比特。 RLP处理器将至少一个数据块或数据字节与信息位分开。 RLP处理器传送每个数据块或其中一个服务的每个数据字节。

32. 发明公开

KR1020000006159A 부호분할 다중접속방식 이동통신시스템에서 기지국과 이동국간상태 동기화 방법 有权
标题翻译：代码段基站与移动站之间的状态同步方法多路访问移动通信系统
公开(公告)号：KR1020000006159A
公开(公告)日：2000-01-25
申请号：KR1019990022099
申请日：1999-06-14
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김영기 , 이현석 , 김선미
IPC分类号： H04B7/15
CPC分类号： H04W56/002 , H04W48/12 , H04W92/10
摘要： PURPOSE: A state synchronizing method between base station and mobile station in code division multiple access mobile communication system is provided to reduce overhead of signaling between base station and mobile station. CONSTITUTION: The method comprises the steps of: first step for transmitting state confirmation message from a base station to a mobile station when monitoring time arrives in active state, second step for receiving reply message transmitted from the mobile station to the base station, and third step for determining state of the mobile station by analyzing the receipt reply message, to release channel corresponding to the state of mobile station and the base station changes the state of mobile station.
摘要翻译：目的：提供码分多址移动通信系统中基站与移动台之间的状态同步方法，以减少基站与移动台之间的信令开销。该方法包括以下步骤：当监视时间到达活动状态时，从基站向移动台发送状态确认消息的第一步骤，用于接收从移动台向基站发送的应答消息的第二步骤，以及第三步骤通过分析接收回复消息来确定移动台的状态的步骤，释放与移动台的状态对应的信道，基站改变移动台的状态。

33. 发明公开

KR1020200086651A 유전층을 갖는 반도체 소자 审中-实审
公开(公告)号：KR1020200086651A
公开(公告)日：2020-07-17
申请号：KR1020200079218
申请日：2020-06-29
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 채홍식 , 강상열 , 강준구 , 김태균 , 박지운 , 안상혁 , 이진수 , 이현석 , 조기희
IPC分类号： H01L49/02 , H01L27/108

34. 发明公开

KR1020150050732A 생체 정보를 이용한 인증 방법 및 이를 지원하는 휴대형 전자장치 审中-实审
标题翻译：使用生物计量信息进行认证的方法和支持其的便携式电子设备
公开(公告)号：KR1020150050732A
公开(公告)日：2015-05-11
申请号：KR1020130130981
申请日：2013-10-31
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 박광하 , 김도훈 , 안진호 , 오대일 , 이재인 , 이현석
IPC分类号： G06F21/32 , G06F3/01 , G06F3/048
CPC分类号： G06F21/32 , A61B5/1172 , A61B5/1176 , G06F21/34 , G06F2221/2111 , H04L63/0853 , H04L63/0861 , H04L63/107 , H04W12/06 , H04W88/02 , G06F3/01 , G06F3/041 , G06F3/048
摘要： 본발명의일 실시예에따른휴대형전자장치의사용자인증방법은주변전자장치가상기휴대형전자장치와일정거리이내에있는지판단하는과정; 상기주변전자장치가상기휴대형전자장치와일정거리내에있는것으로판단되면, 상기주변전자장치로부터생체정보를수신하는과정; 상기주변전자장치로부터수신되는생체정보와상기휴대형전자장치에저장된생체정보가일치하는지확인하는과정; 및상기주변전자장치로부터수신되는생체정보와상기휴대형전자장치에저장된생체정보가일치하는것으로확인되면, 상기휴대형전자장치에설정된보안을해제하는과정을포함하는것을특징으로한다.
摘要翻译：根据本发明的实施例的用于执行便携式电子设备的用户认证的方法包括以下步骤：确定外围电子设备是否在距离便携式电子设备的特定距离内; 当外围电子设备被确定在距离便携式电子设备的特定距离内时，从外围电子设备接收生物识别信息; 确认从外围电子设备接收到的生物识别符是否与存储在便携式电子设备中的生物识别符一致; 并且当从外围电子设备接收的生物识别被确认与存储在便携式电子设备中的生物识别符合时，取消便携式电子设备的安全性设置。

35. 发明授权

KR101385162B1 전자장치 및 그의 프로그램 다운로드 방법 有权
标题翻译：电子装置及其程序下载方法
公开(公告)号：KR101385162B1
公开(公告)日：2014-04-15
申请号：KR1020070091613
申请日：2007-09-10
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이현석
IPC分类号： G06F9/44
CPC分类号： G06F8/61
摘要： 전자장치의 유틸리티 프로그램 다운로드 방법이 개시된다. 본 방법은 외부기기로부터 유틸리티 프로그램에 대한 프로그램 정보를 수신하여 유틸리티 프로그램의 구동가능 여부를 판단하는 단계, 및, 유틸리티 프로그램이 구동가능한 것으로 판단되면, 유틸리티 프로그램을 외부기기로부터 다운로드하는 단계를 포함한다. 이에 따라, 유틸리티 프로그램의 다운로드 이전에 구동가능 여부를 확인할 수 있어, 사용자의 편의성 및 위젯 프로그램 사용효율성을 높일 수 있다.
화상형성장치, 호스트장치, 웹서버, 유틸리티 프로그램, 다운로드, 프로그램 정보, 지원정보.

36. 发明公开

KR1020130142000A 이미지 센서, 이를 포함하는 이미지 처리 장치, 및 이의 제조 방법 无效
标题翻译：图像传感器，具有该图像的图像处理装置及其制造方法
公开(公告)号：KR1020130142000A
公开(公告)日：2013-12-27
申请号：KR1020120065196
申请日：2012-06-18
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이현석
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L31/02325 , H01L27/14627 , H01L27/14629 , H01L27/14685
摘要： An image sensor and a method for manufacturing the same are disclosed. The image sensor includes a dielectric layer including a reflecting body, a photoelectric transformation region formed on the dielectric layer, and a resonance layer having materials with a recess structure of a concentric pattern arranged on the photoelectric transformation region.
摘要翻译：公开了一种图像传感器及其制造方法。图像传感器包括介电层，包括反射体，形成在电介质层上的光电转换区，以及具有布置在光电转换区上的具有同心图案的凹陷结构的材料的共振层。

37. 发明公开

KR1020100089132A 상변화 메모리 유닛, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 상변화 메모리 장치 无效
标题翻译：相变记忆单元，其形成方法和包括其的相变存储器件
公开(公告)号：KR1020100089132A
公开(公告)日：2010-08-12
申请号：KR1020090008228
申请日：2009-02-03
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 임현석 , 임태수 , 이현석
IPC分类号： H01L27/115 , H01L21/8247
CPC分类号： H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/1683 , H01L45/1691
摘要： PURPOSE: A phase-change memory unit, a method of forming the same, and a phase-change memory device including the same are provided to improve electrical characteristic by heating a phase change material layer pattern with small current and reducing a reset current. CONSTITUTION: A first lower electrode structure(170) is formed on an ohmic layer(140). The first lower electrode structure comprises a first bottom electrode(174) and a second bottom electrode(172). The first bottom electrode comprises a first metal nitride having a first specific resistance. The second bottom electrode comprises a second metal nitride having a second specific resistance lower than the first specific resistance. A phase change material layer pattern(180) is formed on the lower electrode structure. The top electrode(190) is formed on the phase change material layer pattern.
摘要翻译：目的：提供一种相变存储器单元，其形成方法和包括该相变存储器件的相变存储器件，以通过以小电流加热相变材料层图案并减少复位电流来改善电特性。构成：第一下电极结构（170）形成在欧姆层（140）上。第一下电极结构包括第一底电极（174）和第二底电极（172）。第一底部电极包括具有第一电阻率的第一金属氮化物。第二底部电极包括具有比第一电阻率低的第二电阻率的第二金属氮化物。在下电极结构上形成相变材料层图案（180）。顶部电极（190）形成在相变材料层图案上。

38. 发明授权

KR100911473B1 상변화 메모리 유닛, 이의 제조 방법, 이를 포함하는상변화 메모리 장치 및 그 제조 방법 有权
标题翻译：相变存储器单元，形成相变存储单元的方法，具有相变存储器单元的相变存储器件以及制造相变存储器件的方法
公开(公告)号：KR100911473B1
公开(公告)日：2009-08-11
申请号：KR1020070059273
申请日：2007-06-18
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 오규환 , 강신재 , 박인선 , 임현석 , 이현석 , 임낙현
IPC分类号： H01L27/115
CPC分类号： H01L45/06 , G11C13/0004 , H01L27/2409 , H01L27/2436 , H01L45/1233 , H01L45/126 , H01L45/144 , H01L45/16
摘要： 상변화 메모리 유닛은 기판 상에 형성된 절연 구조물, 도전성 구조물과 제1 전극을 갖는 전극 구조체, 상변화 물질층 패턴 및 제2 전극을 포함한다. 절연 구조물은 기판 상에 형성되며, 기판을 부분적으로 노출시키는 개구를 구비한다. 도전성 구조물은 개구 내에 형성되며, 제1 전극은 도전성 구조물에 접촉되는 측벽과 저면을 가진다. 상변화 물질층 패턴은 제1 전극 및 절연 구조물 상에 형성되며, 제2 전극은 상변화 물질층 패턴 상에 형성된다. 도전성 구조물이 제1 전극을 감싸는 구조를 가지며, 절연 부재가 도전성 구조물과 상변화 물질층 패턴을 전기적으로 절연시키기 때문에, 오믹층 패턴의 손상을 방지하면서 상변화 메모리 유닛의 전기적인 특성을 향상시킬 수 있다.

39. 发明授权

KR100852237B1 티타늄 알루미늄 질화막의 형성 방법 및 이를 이용한상변화 메모리 소자의 형성 방법 失效
标题翻译：形成钛酸铝层的方法和使用其形成相变存储器件的方法
公开(公告)号：KR100852237B1
公开(公告)日：2008-08-13
申请号：KR1020070025345
申请日：2007-03-15
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 임낙현 , 오균환 , 박인선 , 임현석 , 이기종 , 이현석
IPC分类号： H01L27/115 , H01L21/8247
CPC分类号： H01L21/02247 , H01L45/06
摘要： A method for forming a titanium aluminum nitride layer and a method for forming a phase-change memory device using the same are provided to form a lower electrode of the phase-change memory device having desired resistivity by adjusting the amount of an aluminum source. A first reactant is formed on a substrate by inducing reaction between a first source including titanium and a second source including nitrogen(S100). A second reactant is formed on the substrate by inducing the reaction between a third source including aluminum and a fourth source including nitrogen(S120). A titanium aluminum nitride layer has a structural formula and x is more than 0 and less than 0.25. The first reactant is formed under conditions including pressure of 0.5-4 Torr and temperature of 400-600 °C.
摘要翻译：提供一种形成氮化铝钛层的方法以及使用其形成相变存储器件的方法，以通过调节铝源的量来形成具有所需电阻率的相变存储器件的下电极。通过在包括钛的第一源和包括氮的第二源之间引发反应，在衬底上形成第一反应物（S100）。通过诱导包括铝的第三源和包括氮的第四源（S120）之间的反应在衬底上形成第二反应物。氮化铝钛层具有结构式，x大于0且小于0.25。第一反应物在包括压力为0.5-4乇和温度为400-600℃的条件下形成。

40. 发明公开

KR1020080023013A 산화물을 함유하는 하부 전극을 갖는 상변화 기억 셀의제조 방법 无效
标题翻译：制备含有氧化物的电极的相变可变存储单元的方法
公开(公告)号：KR1020080023013A
公开(公告)日：2008-03-12
申请号：KR1020060086962
申请日：2006-09-08
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김락환 , 마영태 , 박인선 , 임현석 , 이현석
IPC分类号： H01L21/8247 , H01L27/115
CPC分类号： H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/141 , H01L45/1666
摘要： A method of forming a phase change memory cell having a bottom electrode containing oxide is provided to increase specific resistance of the bottom electrode by containing the oxide in the bottom electrode. A molding layer(120) having an aperture is formed on a semiconductor substrate(100), and then a bottom electrode conduction layer(125) is conformally formed on the molding layer. The bottom electrode conduction layer is annealed under an atmosphere comprising oxygen, and then a buried insulating layer is formed on the bottom electrode conduction layer to bury the aperture. The buried insulating layer and the bottom electrode conduction layer are planarized to form a buried insulating layer pattern and a bottom electrode in the aperture. A phase change material pattern and a top electrode are formed on the bottom electrode.
摘要翻译：提供了形成具有含有氧化物底部电极的相变存储单元的方法，以通过在底部电极中含有氧化物来增加底部电极的电阻率。在半导体衬底（100）上形成具有孔的模制层（120），然后在模制层上共形形成底部电极传导层（125）。底部电极导电层在包含氧的气氛下进行退火，然后在底部电极导电层上形成掩埋绝缘层以埋入孔。将掩埋绝缘层和底部电极导电层平坦化，以在孔中形成掩埋绝缘层图案和底部电极。在底部电极上形成相变材料图案和顶部电极。

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