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31. 发明公开

KR1020110015934A 비휘발성 메모리 장치 및 이의 프로그램 방법 无效
标题翻译：非易失性存储器件及其编程方法
公开(公告)号：KR1020110015934A
公开(公告)日：2011-02-17
申请号：KR1020090073390
申请日：2009-08-10
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 안형근 , 조성래 , 김익수 , 임동현 , 신희주 , 조은희
IPC分类号： H01L27/115 , G11C13/02 , G11C16/00
CPC分类号： G11C13/0069 , G11C11/56 , G11C11/5678 , G11C13/0004 , G11C2013/0092 , G11C2213/56 , G11C2213/72 , H01L27/101 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/143 , H01L45/144
摘要： PURPOSE: A non-volatile memory device and a method for programming the same are provided to obtain a cell unit with a multi-level without the increase of a chip-size. CONSTITUTION: A first electrode(142) is formed on the upper side of a substrate. A first phase change material pattern(144) is formed on the first electrode. A second phase change material pattern(152) is formed on the first phase change material pattern. A second electrode(154) is formed on the second phase change material pattern. The volume of the second phase change material pattern is larger than the volume of the first phase change material pattern.
摘要翻译：目的：提供非易失性存储器件及其编程方法，以获得具有多级的单元单元，而不增加芯片尺寸。构成：第一电极（142）形成在基板的上侧。第一相变材料图案（144）形成在第一电极上。在第一相变材料图案上形成第二相变材料图案（152）。第二电极（154）形成在第二相变材料图案上。第二相变材料图案的体积大于第一相变材料图案的体积。

32. 发明公开

KR1020090020938A 상변화 메모리 유닛, 이의 제조 방법, 이를 포함하는상변화 메모리 장치 및 그 제조 방법 无效
标题翻译：相变存储器单元，形成相变存储单元的方法，具有相变存储器单元的相变存储器件以及制造相变存储器件的方法
公开(公告)号：KR1020090020938A
公开(公告)日：2009-02-27
申请号：KR1020070085582
申请日：2007-08-24
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 신희주 , 하용호 , 박정희 , 강명진 , 박두환
IPC分类号： H01L27/115 , H01L21/8247
CPC分类号： H01L45/1625 , G11C13/0004 , H01L27/2409 , H01L27/2436 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/1675 , H01L45/1691
摘要： A phase-change memory unit, a manufacturing method thereof, a phase-change memory device having the same and a manufacturing method of a phase-change memory device are provided to reduce amount of metallic component diffused to a phase change material layer pattern by forming a transition metal film pattern between a phase change material layer and an upper electrode. A bottom electrode(120) is formed on the substrate. A phase change material layer pattern(152) is formed on the bottom electrode. The phase change material layer pattern comprises carbon and GST compound. A first transition metal film pattern(162) is formed on the phase change material layer pattern. An upper electrode(172) is formed on the first transition metal film pattern. The first transition metal film pattern comprises one or more selected from the group consisting of titanium(Ti), vanadium(V), chrome(Cr), manganese(Mn), iron(Fe), cobalt(Co), nickel(Ni), zirconium(Zr), niobium(Nb), molybdenum(Mo), ruthenium(Ru), rhodium(Rh), palladium(Pd), hafnium(Hf), tantalum(Ta), tungsten(W), rhenium(Re), osmium(Os), iridium(Ir) and platinum(Pt).
摘要翻译：相变存储器单元，其制造方法，具有该相变存储器件的相变存储器件和相变存储器件的制造方法被提供以通过形成来减少扩散到相变材料层图案的金属成分的量相变材料层和上部电极之间的过渡金属膜图案。在基板上形成底部电极（120）。在底部电极上形成相变材料层图案（152）。相变材料层图案包括碳和GST化合物。在相变材料层图案上形成第一过渡金属膜图案（162）。在第一过渡金属膜图案上形成上电极（172）。第一过渡金属膜图案包括选自钛（Ti），钒（V），铬（Cr），锰（Mn），铁（Fe），钴（Co），镍（Ni），锆（Zr），铌（Nb），钼（Mo），钌（Ru），铑（Rh），钯（Pd），铪（Hf），锇（Os），铱（Ir）和铂（Pt）。

33. 发明授权

KR100829601B1 칼코겐 화합물 타겟, 이의 제조 방법 및 상변화 메모리장치의 제조 방법 有权
标题翻译：氯化铝化合物目标，形成化合物化合物目标的方法和制备相变存储器件的方法
公开(公告)号：KR100829601B1
公开(公告)日：2008-05-14
申请号：KR1020060094217
申请日：2006-09-27
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 하용호 , 구봉진 , 고한봉 , 박두환 , 임상욱 , 신희주
IPC分类号： H01L27/115
CPC分类号： H01L45/06 , C04B35/56 , C04B35/573 , C04B2235/3817 , C04B2235/3839 , C04B2235/3843 , C04B2235/40 , C04B2235/402 , C04B2235/404 , C04B2235/405 , C04B2235/408 , C04B2235/428 , G11C13/0004 , H01L27/2436 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/1625 , H01L45/1675 , H01L45/1683
摘要： 상변화 물질층을 형성하기 위한 칼코겐 화합물 타겟, 이의 제조 방법 및 상변화 메모리 장치의 제조 방법이 개시된다. 게르마늄 탄화물 또는 게르마늄을 포함하는 제1 분말을 형성하고, 안티몬 탄화물 또는 안티몬을 포함하는 제2 분말을 형성하며, 텔루르 탄화물 또는 텔루르를 포함하는 제3 분말을 형성한다. 제1 내지 제3 분말을 혼합하여 혼합 분말을 형성한 후, 혼합 분말을 건조시키고 소결하여 칼코겐 화합물 타겟을 제조한다. 스퍼터링 공정으로 형성되는 상변화 물질층 내의 탄소 및 질소 함량을 고려하여, 상대적으로 높은 함량으로 탄소와 금속을 함유하거나 탄소, 금속 및 질소를 함유하는 GST 화합물로 이루어진 칼코겐 화합물 타겟을 이용하여 상변화 물질층의 상전이를 안정적으로 유도할 수 있고, 상변화 물질층의 저항과 결정화 온도를 증가시킬 수 있다. 또한, 상변화 물질층을 구비하는 상변화 메모리 장치의 동작 전류와 셋 저항을 감소시킬 수 있고, 내구성을 향상시킬 수 있을 뿐만 아니라 센싱 마진을 개선할 수 있다.

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