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    • 34. 发明公开
    • 통신 시스템에서 라우터 설정 방법 및 시스템
    • 用于在通信系统中建立路由器的方法和系统
    • KR1020060002648A
    • 2006-01-09
    • KR1020040051780
    • 2004-07-03
    • 삼성전자주식회사
    • 강경림최영곤김정호김재훈씽슈브란슈노용성인정식
    • H04L12/751H04W84/18H04W40/24
    • H04W40/24H04L45/20H04W40/248H04W84/18
    • 본 발명은 소스 노드와 목적지 노드, 상기 소스 노드가 전송한 패킷을 목적지 노드로 전달하는 적어도 하나의 중계 노드로 구성된 통신 시스템에서, 상기 중계 노드에서 패킷을 중계하는 방안을 제안한다. 이를 위해 전달받은 패킷을 구성하고 있는 퍼텐셜과 저장하고 있는 상기 목적지 노드로부터의 퍼텐셜(홉 수)을 비교한다. 상기 저장하고 있는 퍼텐셜이 상기 패킷에 구성하고 있는 퍼텐셜보다 작은 경우, 상기 패킷을 갱신하고, 상기 갱신한 패킷을 브로드캐스트한다. 또한 본 발명은 패킷 전송을 위한 라우터를 설정하는 방안을 제안한다. 이를 위해 패킷을 브로드캐스트한 후, 상기 패킷을 갱신한 패킷이 수신되는 지 대기한다. 상기 갱신된 패킷을 수신하면, 상기 갱신된 패킷을 구성하고 있는 패킷 전송 노드의 주소를 저장하고, 상기 저장된 주소를 갖는 노드로 후속 패킷들을 전송한다.
      라우팅 알고리즘, 퍼텐셜, 퍼텐셜 테이블, 링크 형성
    • 本发明提出了一种在由源节点,目的地节点和至少一个中继节点组成的通信系统中的中继节点处中继分组的方法,用于将源节点发送的分组递送到目的地节点。 为此,将形成发送分组的潜力与来自目的地节点的存储电位(跳数)进行比较。 并且当存储的电势小于构成分组的潜力时,更新分组并且广播更新的分组。 而且,本发明提出了一种设置用于分组传输的路由器的方法。 为此,在广播分组之后,等待直到接收到分组被更新的分组为止。 在接收到更新的分组时,其存储构成更新的分组的分组传送节点的地址,并将后续分组发送到具有存储的地址的节点。
    • 35. 发明授权
    • 웨이퍼의 치수인자 측정방법 및 그 장치
    • 测量晶片尺寸因子的方法和设备
    • KR100319898B1
    • 2002-01-10
    • KR1020000014024
    • 2000-03-20
    • 삼성전자주식회사
    • 안정훈조규철강경림심태헌
    • H01L21/66
    • 반도체 소자의 제조에 사용되는 웨이퍼의 치수인자를 측정하는 방법 및 그 장치에 관하여 개시된다. 개시된 웨이퍼의 치수인자 측정방법은, 각각의 웨이퍼에 대하여 치수인자 중 휨정도는 레이저 빔을 이용한 광학적 측정 방식에 의해 측정하고, 휨정도를 제외한 나머지 치수인자는 커패시턴스를 이용한 전기적 측정 방식에 의해 측정하는 것을 특징으로 한다. 상기 측정방법을 실시하기 위한 웨이퍼의 치수인자 측정장치는, 웨이퍼 로딩 유니트 및 웨이퍼 언로딩 유니트와, 웨이퍼의 기준위치를 맞추기 위한 웨이퍼 포지셔닝 유니트와, 웨이퍼의 치수인자 중 휨정도를 제외한 나머지 치수인자를 전기적 측정 방식에 의해 측정하는 전기적 측정유니트와, 웨이퍼의 휨정도를 광학적 측정 방식에 의해 측정하는 광학적 측정유니트 및 상기 유니트들을 제어하기 위한 제어 유니트를 구비한다. 이러한 웨이퍼의 치수인자 측정방법 및 그 장치에 의하면, 12인치 웨이퍼의 치수인자를 측정하는 경우에도 전기적 측정 방식의 장점인 높은 측정 생산성과 광학적 측정 방식의 장점인 휨정도에 대한 측정 데이터의 높은 신뢰성을 동시에 얻을 수 있게 된다.
    • 36. 发明公开
    • 반도체 웨이퍼의 연마 방법
    • 抛光半导体波长的方法
    • KR1020000073223A
    • 2000-12-05
    • KR1019990016389
    • 1999-05-07
    • 삼성전자주식회사
    • 박재근조규철안정훈강경림
    • H01L21/304
    • PURPOSE: A method for polishing a semiconductor wafer is provided to prevent a wave from remaining on a surface of the semiconductor wafer even after a grinding process is performed regarding the wafer having the wave, by uniformly polishing a rough surface of the semiconductor wafer CONSTITUTION: A wafer(100) is placed on wax(104) applied on a mount(102). The first surface of the wafer not contacting the wax is uniformly polished. The wafer is placed on the mount to have the first surface contact the mount. The second surface of the wafer not contacting the wax is uniformly polished.
    • 目的:提供一种用于抛光半导体晶片的方法,即使在对具有波的晶片进行研磨处理之后,通过均匀抛光半导体晶片的粗糙表面,也可以在半导体晶片的表面上残留波。构成: 将晶片(100)放置在施加在安装件(102)上的蜡(104)上。 不接触蜡的晶片的第一表面被均匀抛光。 将晶片放置在安装座上以使第一表面与安装座接触。 不接触蜡的晶片的第二表面被均匀抛光。
    • 37. 发明公开
    • 반도체장치 제조용 파티클측정설비의 기준값설정방법
    • 用于制造半导体器件的颗粒测量装置的参考值的设置方法
    • KR1020000018613A
    • 2000-04-06
    • KR1019980036276
    • 1998-09-03
    • 삼성전자주식회사
    • 박재근조규철허태열강경림
    • H01L21/66
    • PURPOSE: A method for setting a reference value of a particle measuring device for a semiconductor device easily sets a reference value of many particle measuring devices mounted in a semiconductor device manufacturing line. CONSTITUTION: A method for setting a reference value of a particle measuring device, in a particle size setting step, compares a reference value being a size of a standard particle on a specific wafer having many standard particles of different size with a comparison value that the comparison measuring device measures a size of the standard particle size on the wafer, and sets the reference value in the comparison particle measuring device. Each reference value is measured by the reference particle measuring device, and is the number of real particles and the number of COP(crystal originated particle)s presented in another wafer. Each result value is measured by the comparison particle measuring device, and is the number of real particles and the number of COPs presented in the wafer. According to the comparison result, the reference value is set as the comparison particle measuring device. Thereby, a measuring data reliability is enhanced.
    • 目的:设置用于半导体器件的粒子测量装置的参考值的方法容易地设置安装在半导体器件制造线中的许多粒子测量装置的参考值。 构成:在粒度设定步骤中,设定粒子测定装置的基准值的方法,将具有不同尺寸的多个标准粒子的特定晶片上的标准粒子的尺寸的基准值与比较值进行比较, 比较测量装置测量晶片上的标准粒径的大小,并在比较粒子测量装置中设置参考值。 每个参考值由参考颗粒测量装置测量,并且是实际颗粒的数量和在另一个晶片中呈现的COP(晶体起始颗粒)的数量。 每个结果值由比较粒子测量装置测量,并且是实际颗粒的数量和呈现在晶片中的COP的数量。 根据比较结果,将参考值设置为比较粒子测量装置。 从而提高了测量数据的可靠性。
    • 38. 发明公开
    • 액정표시장치의 분석방법
    • 液晶显示装置的分析方法
    • KR1019990069088A
    • 1999-09-06
    • KR1019980003114
    • 1998-02-04
    • 삼성전자주식회사
    • 황금숙강경림
    • G02F1/13
    • 본 발명은, 액정표시장치로 형성되는 배향막의 강도 및 접착력 등을 분석하는 액정표시장치의 분석방법에 관한 것이다.
      본 발명은 박막트랜지스터 또는 컬러필터가 형성된 기판 상에 형성시킨 배향막의 강도 또는 접착력 등을 분석 할 수 있도록 상기 배향막이 전면(前面)에 형성된 기판의 이면에 세라믹재질의 평판을 고정시키는 단계; 및 상기 평판이 고정된 기판에서 배향막이 형성된 부분을 잡아당길 수 있는 스텃을 이용하여 상기 배향막을 잡아당겨 상기 잡아당기는 정도를 분석하는 단계를 구비하여 이루어짐을 특징으로 한다.
      따라서, 액정표시장치의 배향막의 강도 및 접착력 등의 분석을 용이하게 수행할 수 있어 이로 인한 불량을 미연에 방지함으로써 액정표시장치의 신뢰도가 향상되는 효과가 있다.