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31. 发明公开

KR1019950009981A 반도체장치제작방법 失效
公开(公告)号：KR1019950009981A
公开(公告)日：1995-04-26
申请号：KR1019940022913
申请日：1994-09-07
申请人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
发明人： 다께무라야스히꼬
IPC分类号： H01L21/336

32. 发明公开

KR1019940020556A 전자회로 제조프로세스 失效
标题翻译：电子电路制造工艺
公开(公告)号：KR1019940020556A
公开(公告)日：1994-09-16
申请号：KR1019940003273
申请日：1994-02-22
申请人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
发明人： 쟝홍용 , 우오찌히데끼 , 야마자끼순뻬이 , 다께무라야스히꼬 , 미야자끼미노루 , 무라까미아까네 , 고누마도시미쯔 , 스가와라아끼라 , 우에하라유끼꼬
IPC分类号： H01L21/768

33. 发明公开

KR1019920018837A 반도체 재료 및 그 제작 방법 그리고 박막 트랜지스터 失效
公开(公告)号：KR1019920018837A
公开(公告)日：1992-10-22
申请号：KR1019920004405
申请日：1992-03-18
申请人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
发明人： 야마자끼순페이 , 장홍용 , 구스모또나오또 , 다께무라야스히꼬
IPC分类号： H01L21/26
摘要： 내용 없음

34. 发明授权

KR102025946B1 반도체 메모리 장치 有权
公开(公告)号：KR102025946B1
公开(公告)日：2019-09-26
申请号：KR1020120059772
申请日：2012-06-04
申请人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
发明人： 다께무라야스히꼬
IPC分类号： G11C5/06 , G11C7/00

35. 发明授权

KR101979263B1 반도체 장치 有权
公开(公告)号：KR101979263B1
公开(公告)日：2019-05-16
申请号：KR1020120060834
申请日：2012-06-07
申请人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
发明人： 다께무라야스히꼬
IPC分类号： G11C7/00 , H01L29/786

36. 发明公开

KR1020180085378A 반도체 장치 및 반도체 장치의 구동 방법 有权
公开(公告)号：KR1020180085378A
公开(公告)日：2018-07-26
申请号：KR1020180082812
申请日：2018-07-17
申请人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
发明人： 다께무라야스히꼬
IPC分类号： H03K19/177 , H03K19/173 , H01L27/108 , H01L27/12
CPC分类号： H03K19/1736 , H01L27/10805 , H01L27/1207 , H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L27/1255 , H03K19/17736 , H03K19/1776 , H03K19/17796
摘要： 소비전력을억제할수 있고, 프로그램소자를사용한반도체장치를제공한다. 또한, 신뢰성이높고, 프로그램소자를사용한반도체장치를제공한다. 또한집적도가높고, 프로그램소자를사용한반도체장치를제공한다. PLD 등의로직엘리먼트간의접속구조를변경하는기능을갖는반도체회로로서, 로직엘리먼트간을접속이나절단, 혹은로직엘리먼트에의전원의공급을, 오프전류또는누설전류가작은절연게이트전계효과형트랜지스터를사용한프로그램소자에의해제어한다. 프로그램소자에는트랜스퍼게이트회로를설치하여도된다. 구동전압을낮추기위하여프로그램소자에는용량소자를설치하여, 그전위를컨피규레이션시와동작기간에서상이한것으로하게하여도된다.

37. 发明公开

KR1020120137262A 반도체 장치 审中-实审
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：KR1020120137262A
公开(公告)日：2012-12-20
申请号：KR1020120060834
申请日：2012-06-07
申请人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
发明人： 다께무라야스히꼬
IPC分类号： G11C7/00 , H01L29/786
CPC分类号： G11C11/4074 , G11C11/403 , G11C14/0009 , G11C16/0433 , H01L27/108 , H01L27/1156 , H01L27/1225 , H01L27/1255
摘要： PURPOSE: A semiconductor device is provided to sufficiently reduce an off current by using a semiconductor with a large band gap. CONSTITUTION: A bit line control transistor(108) is serially inserted into a bit line(104). The minimum potential of a gate of the bit line control transistor becomes sufficient negative value. The gate of the bit line control transistor is connected to a bit line control circuit(109) connected to a battery. The minimum potential of the bit line is higher than the minimum potential of the word line. The outflow of charges accumulated in the bit line is prevented by blocking the bit line due to the bit line control transistor when power is not supplied from the outside. [Reference numerals] (101) Row driver; (102) Column driver; (103) Word line; (104) Bit line; (105) Memory cell
摘要翻译：目的：提供半导体器件，以通过使用具有大带隙的半导体充分降低截止电流。构成：位线控制晶体管（108）串联插入位线（104）。位线控制晶体管的栅极的最小电位变为足够的负值。位线控制晶体管的栅极连接到连接到电池的位线控制电路（109）。位线的最小电位高于字线的最小电位。当从外部供电时，通过阻塞位线控制晶体管来阻止位线中积累的电荷的流出。（101）行驱动器; （102）列驱动程序（103）字线; （104）位线; （105）存储单元

38. 发明公开

KR1020120090787A 반도체 기억 장치 无效
标题翻译：半导体存储器件
公开(公告)号：KR1020120090787A
公开(公告)日：2012-08-17
申请号：KR1020120003743
申请日：2012-01-12
申请人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
发明人： 야마자끼슌뻬이 , 다께무라야스히꼬
IPC分类号： G11C5/06 , G11C5/02 , H01L29/786
CPC分类号： H01L27/10808 , G11C5/10 , G11C11/401 , G11C11/4085 , H01L21/84 , H01L23/528 , H01L23/53228 , H01L27/0688 , H01L27/10805 , H01L27/10873 , H01L27/10882 , H01L27/10897 , H01L27/1207 , H01L28/91 , H01L29/7869 , H01L27/1225 , H01L27/124
摘要： PURPOSE: A semiconductor memory device is provided to improve the integration of the semiconductor memory device by overlapping a driving circuit with a memory cell array. CONSTITUTION: A driving circuit includes a part of a single crystal semiconductor substrate. A multilayer wiring layer(20) includes a first wire and a second wire on the driving circuit. A memory cell array layer includes a first memory cell and a second memory cell on the multilayer wiring layer. The first memory cell and the second memory cell are electrically connected to the driving circuit with the first wire and the second wire. The first memory cell and the second memory cell respectively include a transistor(301) and a capacitor(302).
摘要翻译：目的：提供一种半导体存储器件，用于通过将驱动电路与存储单元阵列重叠来改善半导体存储器件的集成。构成：驱动电路包括单晶半导体衬底的一部分。多层布线层（20）在驱动电路上包括第一布线和第二布线。存储单元阵列层包括多层布线层上的第一存储单元和第二存储单元。第一存储单元和第二存储单元通过第一布线和第二布线电连接到驱动电路。第一存储单元和第二存储单元分别包括晶体管（301）和电容器（302）。

39. 发明授权

KR100333153B1 반도체장치제작방법 失效
公开(公告)号：KR100333153B1
公开(公告)日：2002-12-05
申请号：KR1019940022913
申请日：1994-09-07
申请人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
发明人： 다께무라야스히꼬
IPC分类号： H01L21/336
摘要： 반도체 장치 제작 방법은 비정질 실리콘 막을 에칭에 의해 아일런드로 열적 어닐링함으로써 낮은 정도로 결정화된 실리콘 막을 패턴화 한후, 가시광선 또는 근적외광선의 강한 광선을 저결정성의 실리콘 막에 대해 짧은 기간 어닐링(RTA)을 행하도록 조사된다. 그러므로 실리콘 막의 결정성은 개선되고 실리콘 막은 짧은 주기로 조밀하게 된다.

40. 发明授权

KR100319332B1 반도체장치및전자광학장치 失效
标题翻译：半导体器件和电光器件
公开(公告)号：KR100319332B1
公开(公告)日：2002-04-22
申请号：KR1019940035849
申请日：1994-12-22
申请人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
发明人： 미야나가아끼하루 , 오따니히사시 , 다께무라야스히꼬
IPC分类号： H01L21/334
摘要： 본 발명은 결정성 반도체막을 이용한 반도체 장치 제조에 관한 것이다. 결정성 반도체막은 결정화를 촉진하는 촉매 금속을 비결정질 실리콘막에 제공하여, 열 결정화 실행을 위한 가열로써 형성되며, 결정화막은 결정성을 높이기 위한 레이저광에 노출된다. 반도체막의 촉매 금속농도와 촉매 금속이 첨가될 영역의 위치는 수직 결정 성장이나 측방 결정 성장과 같은 양호한 결정성 및 양호한 결정 구조를 얻을 수 있도록 선택된다. 또한, 액티브 매트릭스형 액정 장치용 회로 기판의 구동 소자 및 활성 소자는 각각 양호한 결정성 및 결정 구조를 갖는 반도체 장치에 의해 형성된다.

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