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21. 发明授权

KR102208384B1 어레이 기판 및 이의 리페어 방법 有权
公开(公告)号：KR102208384B1
公开(公告)日：2021-01-26
申请号：KR1020130148709
申请日：2013-12-02
申请人： 엘지디스플레이 주식회사
发明人： 정우철
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/336 , G02F1/1362
摘要： 본발명은, 다수의화소영역이정의된기판과; 상기기판상의각 화소영역내에게이트전극과반도체층과서로이격하는소수및 드레인전극을포함하여구성된박막트랜지스터를포함하며, 상기소스전극은일측에제 1 개구를갖는 'U'자또는회전한 'U'자형태를가지며, 상기드레인전극은일 끝단연결되며서로이격하는제 1 및제 2 바형태를가지며, 상기제 1 및제 2 바의타 끝단은상기제 1 개구내부로삽입된형태를이루는것이특징인어레이기판및 이의리페어방법을제공한다.

22. 发明授权

KR102206412B1 박막 트랜지스터, 박막 트랜지스터 제조 방법 및 박막 트랜지스터를 포함하는 표시 장치 有权
公开(公告)号：KR102206412B1
公开(公告)日：2021-01-22
申请号：KR1020130146139
申请日：2013-11-28
申请人： 엘지디스플레이 주식회사
发明人： 권세열 , 조민구 , 윤상천
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/336 , H01L51/50 , G02F1/1368
摘要： 박막트랜지스터, 박막트랜지스터제조방법및 박막트랜지스터를포함하는표시장치가제공된다. 박막트랜지스터는산화물반도체층의제1 면이게이트전극과대향하도록산화물반도체층상에형성된게이트전극을포함한다. 소스전극및 드레인전극각각은산화물반도체층에전기적으로연결된다. 산화물반도체층, 게이트전극, 소스전극및 드레인전극은코플래너(coplanar) 트랜지스터구조로배열된다. 또한, 차광엘리먼트는외부광으로부터산화물반도체층의제2 면을보호하도록배열된다.

23. 发明授权

KR102201320B1 반도체소자와 그 제조방법 및 반도체소자를 포함하는 전자소자 有权
公开(公告)号：KR102201320B1
公开(公告)日：2021-01-11
申请号：KR1020140071488
申请日：2014-06-12
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김언정 , 심영선 , 박연상 , 이장원 , 황성우
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336 , H01L21/31 , H01L21/265
摘要： 반도체소자와그 제조방법및 반도체소자를포함하는전자소자에관해개시되어있다. 개시된반도체소자는제1 및제2 트랜지스터를포함할수 있고, 상기제1 트랜지스터는제1 채널층및 제1 이온겔(ion gel)을포함할수 있고, 상기제2 트랜지스터는제2 채널층및 제2 이온겔을포함할수 있다. 상기제1 및제2 채널층은, 예컨대, 그래핀을포함할수 있다. 상기제1 및제2 이온겔은서로다른이온성액체(ionic liquid)를포함할수 있다. 상기제1 및제2 이온겔은서로다른양이온및/또는서로다른음이온을포함할수 있다. 상기제1 및제2 트랜지스터중 하나는 p형일수 있고, 다른하나는 n형일수 있다. 상기제1 및제2 트랜지스터는인버터를구성할수 있다.

24. 发明授权

KR102189571B1 산화물 반도체를 포함하는 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR102189571B1
公开(公告)日：2020-12-14
申请号：KR20140062203
申请日：2014-05-23
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/336
摘要： 본발명은산화물반도체를포함하는평판표시장치용박막트랜지스터기판및 그제조방법에관한것이다. 본발명에의한산화물반도체층을포함하는박막트랜지스터기판은, 기판; 상기기판위에서가로방향으로진행하는게이트배선및 상기게이트배선에서분기하는게이트전극; 상기게이트배선및 상기게이트전극을덮는게이트절연막; 상기게이트절연막위에서상기게이트전극과중첩하는반도체층; 상기게이트절연막위에서상기게이트배선과교차하는데이터배선; 상기데이터배선의일부및 상기반도체층의일측부를노출하는소스콘택홀및 상기반도체층의타측부를노출하는화소콘택홀을구비한보호막; 그리고상기보호막위에서상기소스콘택홀을통해상기데이터배선과상기반도체층의상기일측부를연결하는소스전극, 상기화소콘택홀을통해상기반도체층의상기타측부와접촉하는드레인전극, 및상기드레인전극에서연장된화소전극을포함한다.

25. 发明授权

KR102188068B1 박막 트랜지스터 어레이 기판 및 이의 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR102188068B1
公开(公告)日：2020-12-07
申请号：KR20140071824
申请日：2014-06-13
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/336
摘要： 본발명은선택적산화를광차단층에적용하여개구율및 투과율을개선한박막트랜지스터어레이기판및 이의제조방법에관한것으로, 본발명의박막트랜지스터어레이기판의제조방법은, 기판상에, 중앙에광차단영역과, 양외곽에산화투과영역을갖는광차단층을형성하는단계;와, 상기광차단층덮으며상기기판상에제 1 버퍼층을형성하는단계;와, 상기제 1 버퍼층상부에, 상기광차단영역에채널영역을갖는액티브층을형성하는단계;와, 상기액티브층을덮으며상기제 1 버퍼층상에게이트절연막을형성하는단계;와, 상기게이트절연막상부에, 제 1 방향으로상기액티브층의채널영역과중첩하는게이트전극을가지며, 상기광차단층의광차단영역을노출시키는게이트라인을형성하는단계;와, 상기게이트라인을덮으며, 상기게이트절연막상에층간절연막을형성하는단계; 및상기층간절연막상에상기액티브층양단과각각접속되는소스전극및 드레인전극과, 상기소스전극과일체형이며상기제 1 방향과교차하는방향의데이터라인을형성하는단계를포함하는것을특징으로한다.

26. 发明授权

KR102183920B1 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR102183920B1
公开(公告)日：2020-11-30
申请号：KR20130156543
申请日：2013-12-16
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/336
摘要： 박막트랜지스터표시판을제공한다. 본발명의일실시예에따른박막트랜지스터표시판은기판, 상기기판위에위치하고게이트전극을포함하는게이트선, 상기기판위에위치하는반도체층, 상기기판위에위치하고, 상기게이트선과교차하는데이터선, 상기데이터선에연결되어있는소스전극및 상기소스전극과마주보는드레인전극을포함하는데이터배선층, 상기소스전극및 상기드레인전극사이의채널영역위에위치하는제1 보호막, 상기제1 보호막, 상기소스전극및 상기드레인전극위에위치하는제2 보호막을포함하고, 상기채널영역위에위치하는상기제1 보호막의폭은상기소스전극및 상기드레인전극사이의거리와동일하거나작다.

27. 发明授权

KR102182525B1 반도체 장치, 및 반도체 장치의 제작 방법 有权
公开(公告)号：KR102182525B1
公开(公告)日：2020-11-24
申请号：KR20130159893
申请日：2013-12-20
IPC分类号： H01L29/786 , G02F1/1368 , H01L21/336
摘要： 본발명은개구율을저감하지않고전하용량을크게한 용량소자를갖는반도체장치를제공한다. 또한, 제작공정시에사용하는마스크의개수를삭감하고제조비용을저감한반도체장치를제공한다. 투광성을갖는재료를사용하여용량소자를구성하는한 쌍의전극과유전체막을형성한다. 한쌍의전극중 한쪽을, 투광성을갖는반도체막에불순물을포함시켜전극으로서기능시킨다. 또한, 상기용량소자를구성하는한 쌍의전극중 다른한쪽을, 화소전극등의투광성을갖는도전막을사용하여형성하고전극으로서기능시킨다. 또한, 주사선과, 이주사선과같은표면위에이 주사선에대하여평행방향으로연장되는용량선이제공된다. 용량선위의절연막, 및트랜지스터의소스전극또는드레인전극을형성할때에형성할수 있는도전막위의절연막에용량선및 상기도전막에도달되는개구를각각동시에형성한다.

28. 发明授权

KR102180554B1 박막 트랜지스터 및 이의 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR102180554B1
公开(公告)日：2020-11-19
申请号：KR20130149726
申请日：2013-12-04
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/336
摘要： 박막트랜지스터는반도체활성층, 게이트전극, 소스전극, 및드레인전극을포함한다. 상기반도체활성층은소스영역인제1 도핑영역, 드레인영역인제2 도핑영역, 상기제1 및제2 도핑영역사이의미도핑영역, 및상기제2 도핑영역과상기미도핑영역사이의제3 도핑영역을포함할수 있다. 상기게이트전극은상기반도체활성층과절연되고, 상기제3 도핑영역및 상기미도핑영역과중첩될수 있다. 상기소스전극및 상기드레인전극은상기제1 및제2 도핑영역에접속할수 있다.

29. 发明授权

KR102178827B1 MOSFET, 그 제조 방법, 및 MOSFET을 구비한 반도체 장치 有权
公开(公告)号：KR102178827B1
公开(公告)日：2020-11-13
申请号：KR20140016801
申请日：2014-02-13
IPC分类号： H01L29/20 , H01L21/336 , H01L29/423 , H01L29/78
摘要： 본발명의기술적사상은Ⅲ-Ⅴ족화합물기반의채널영역을구비하면서도요구되는문턱전압(Vth)을가지고고성능으로동작할수 있는 MOSFET 및그 제조방법을제공한다. 그 MOSFET은기판; 상기기판상에형성된Ⅲ-Ⅴ족화합물기반의반도체층; 및상기반도체층상에배치되고, 금속을기반으로형성되고이온주입(Ion-Implantation)이된 게이트전극을구비한게이트구조체;를포함한다.

30. 发明授权

KR102178766B1 박막 트랜지스터, 박막 트랜지스터 제조 방법 및 박막 트랜지스터를 포함하는 표시 장치 有权
公开(公告)号：KR102178766B1
公开(公告)日：2020-11-13
申请号：KR20130034429
申请日：2013-03-29
IPC分类号： H01L29/786 , G02F1/136 , H01L21/336 , H01L51/50
摘要： 본발명은일체형박막트랜지스터, 박막트랜지스터제조방법및 박막트랜지스터를포함하는표시장치에관한것으로서, 본발명에따른박막트랜지스터는기판, 기판상에형성된액티브층, 액티브층상부또는하부에형성된게이트전극, 액티브층과접촉하고, 게이트전극과적어도일부분이중첩하며, 게이트전극과절연된도전층및 액티브층에각각전기적으로연결된소스전극및 드레인전극을포함하고, 구동특성이향상된박막트랜지스터를제공할수 있다.

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