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21. 发明授权

KR101967856B1 고열전도성 필름 및 그 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR101967856B1
公开(公告)日：2019-04-12
申请号：KR1020140138315
申请日：2014-10-14
申请人： 전자부품연구원
发明人： 이우성 , 박성대 , 유명재 , 김진아
IPC分类号： H01B3/12 , H01B3/40 , H01B5/00

22. 发明授权

KR101960526B1 은 나노와이어 필름 및 이의 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR101960526B1
公开(公告)日：2019-03-20
申请号：KR1020160153803
申请日：2016-11-18
申请人： 울산과학기술원
发明人： 고현협 , 조승세 , 강세원
IPC分类号： H01B5/00 , H01B1/02 , B32B15/01 , B32B5/04 , B32B38/18

23. 发明授权

KR101942435B1 은 텔루륨 피복 유리 분말 및 그 제조 방법, 그리고 도전성 페이스트 및 그 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR101942435B1
公开(公告)日：2019-01-25
申请号：KR1020187009679
申请日：2017-03-15
申请人： 도와 일렉트로닉스 가부시키가이샤
发明人： 가미가히로시 , 나카노야타로 , 노가미노리아키 , 하리가에겐이치
IPC分类号： H01B5/00 , H01B1/22 , H01B13/00 , H01L31/0224 , H01L31/18 , H05K1/09

24. 发明授权

KR101918436B1 무기 전기 절연 재료 有权
公开(公告)号：KR101918436B1
公开(公告)日：2018-11-13
申请号：KR1020177025708
申请日：2016-03-17
申请人： 에이비비 슈바이쯔 아게
发明人： 옌덴말름안넬리 , 기를란다오를란도 , 클리스파벨 , 싱하산타누
IPC分类号： H01B3/12 , H01B3/10 , H01B5/00 , B32B18/00 , B32B9/04 , H01F27/32
CPC分类号： H01B3/10 , B32B5/02 , B32B5/16 , B32B5/26 , B32B5/30 , B32B7/14 , B32B19/02 , B32B23/10 , B32B23/12 , B32B27/08 , B32B27/14 , B32B27/36 , B32B27/38 , B32B27/42 , B32B37/16 , B32B2250/20 , B32B2250/42 , B32B2260/021 , B32B2260/025 , B32B2262/0269 , B32B2262/04 , B32B2262/10 , B32B2264/10 , B32B2264/102 , B32B2307/206 , B32B2307/732 , B32B2457/00 , B32B2457/04 , H01F27/32
摘要： 본개시물은전기디바이스, 예를들어, 전력변압기에서솔리드절연체로서사용하기위해, 적어도 90 중량%의무기입자 (2) 및입자들을함께결합시켜시트를형성하는바인더 (3) 를포함하는, 전기절연성무기시트에관한것이다.

25. 发明授权

KR101886909B1 이방성 도전 접속 재료, 접속 구조체, 접속 구조체의 제조 방법 및 접속 방법 有权
公开(公告)号：KR101886909B1
公开(公告)日：2018-08-08
申请号：KR1020147016359
申请日：2013-02-12
申请人： 데쿠세리아루즈 가부시키가이샤
发明人： 가와즈마사미
IPC分类号： H01R11/01 , C09J9/02 , C09J11/08 , C09J201/00 , H01B5/00 , H01B5/16
CPC分类号： C09J9/02 , C08K3/08 , C09J11/04 , H01L2224/16225 , H01L2224/29298 , H01L2224/73204 , H01R4/04 , H01R12/7076
摘要： 플렉시블디스플레이에형성된단자와전자부품의단자사이에이방성도전접속층을개재시켜, 상기플렉시블디스플레이와상기전자부품을접속및 도통한접속구조체의제조방법은, 상기이방성도전접속층을개재하여, 상기전자부품의단자가상기플렉시블디스플레이에형성된단자와대향하도록상기전자부품을상기플렉시블디스플레이상에탑재하는탑재공정과, 상기전자부품을상기플렉시블디스플레이에대하여가압하여, 상기플렉시블디스플레이에형성된단자와상기전자부품의단자를상기이방성도전접속층에의해접속및 상기이방성도전접속층중의도전성입자를개재하여도통하는접속공정을갖는다. 상기도전성입자는, 30 % 압축변형시의압축경도가 150 ∼ 400 Kgf/㎟이다.

26. 发明公开

KR20180056060A 은 나노와이어 필름 및 이의 제조 방법 审中-公开
公开(公告)号：KR20180056060A
公开(公告)日：2018-05-28
申请号：KR20160153803
申请日：2016-11-18
申请人： UNIST ULSAN NATIONAL INSTITUTE OF SCIENCE AND TECH
发明人： KO HYUN HYUB , CHO SEUNG SE , KANG SAE WON
IPC分类号： H01B5/00 , B32B5/04 , B32B15/01 , B32B38/18 , H01B1/02
摘要： 본발명의구현예들로, 규칙적으로정렬된은 나노와이어를포함하는필름및 그제조방법을제공한다.

27. 发明公开

KR20180044224A 도전 재료 및 접속 구조체 审中-公开
公开(公告)号：KR20180044224A
公开(公告)日：2018-05-02
申请号：KR20177023797
申请日：2016-08-23
IPC分类号： H01B5/00 , H01B1/22 , H01R4/02 , H01R11/01
CPC分类号： C09J9/02 , C09J201/00 , H01B1/00 , H01B1/22 , H01B5/16 , H01L2224/73204 , H05K1/14 , H05K3/32 , H05K3/34
摘要： 경화물에있어서검은그을음의발생을억제하고, 전극위에도전성입자에있어서의땜납을선택적으로배치할수 있고, 도통신뢰성을높일수 있는도전재료를제공한다. [해결수단] 본발명에따른도전재료는, 도전부의외표면부분에, 땜납을갖는복수의도전성입자와, 열경화성성분과, 플럭스를포함하고, 상기열경화성성분또는상기플럭스로서, 이소시아누르골격을갖는화합물을포함하고, 상기도전성입자에있어서의상기땜납의융점에서의도전재료의점도가 0.1Pa·s 이상, 20Pa·s 이하이다.

28. 发明公开

KR20180043192A 도전 재료 및 접속 구조체 审中-公开
公开(公告)号：KR20180043192A
公开(公告)日：2018-04-27
申请号：KR20177023798
申请日：2016-08-23
申请人： SEKISUI CHEMICAL CO LTD
发明人： ITOU MASAHIRO , SADANAGA SHUUJIROU , ISHIZAWA HIDEAKI , KUBOTA TAKASHI
IPC分类号： H01B5/00 , H01B1/22 , H01R4/02 , H01R11/01
CPC分类号： H01B1/00 , H01B1/22 , H01B5/16 , H01R4/04 , H01R11/01
摘要： 상하의전극사이에도전성입자에있어서의땜납을선택적으로배치할수 있고, 가로방향의전극사이에도전성입자에있어서의땜납이배치되기어려워, 도통신뢰성및 절연신뢰성을높일수 있는도전재료를제공한다. 본발명에따른도전재료는, 도전부의외표면부분에, 땜납을갖는복수의도전성입자와, 열경화성성분을포함하고, 25℃이상, 상기도전성입자에있어서의상기땜납의융점℃ 이하에서의도전재료의점도의최솟값이 25Pa·s 이상, 255Pa·s 이하이고, 상기도전성입자의평균입자직경이 3㎛이상, 15㎛이하이며, 상기도전성입자의평균입자직경㎛을 A라하고, 상기도전성입자에있어서의상기땜납의융점℃에서의도전재료의점도 Pa·s를 B라했을때, 상기 B가 (-5A+100) 이상, (-15A+300) 이하이다.

29. 发明公开

KR20180042148A 도전 재료 및 접속 구조체 审中-公开
公开(公告)号：KR20180042148A
公开(公告)日：2018-04-25
申请号：KR20177023799
申请日：2016-08-23
申请人： SEKISUI CHEMICAL CO LTD
发明人： NAGATA MAI , SADANAGA SHUUJIROU , ITOU MASAHIRO , KUBOTA TAKASHI , ISHIZAWA HIDEAKI
IPC分类号： H01B5/00 , H01B1/22 , H01R4/02 , H01R11/01
CPC分类号： H01B1/00 , H01B1/22 , H01B5/16 , H01L2224/73204 , H01R4/04 , H01R11/01
摘要： 전극위에도전성입자에있어서의땜납을선택적으로배치하고, 도통신뢰성을높일수 있는도전재료를제공한다. 본발명에따른도전재료는, 도전부의외표면부분에, 땜납을갖는복수의도전성입자와, 열경화성성분을포함하고, 상기도전성입자와상기열경화성성분을각각, 25℃로부터 10℃/분의승온속도로가열하여시차주사열량측정을행했을때, 상기도전성입자에있어서의땜납의용융에서유래하는흡열피크를나타내는온도영역과, 상기열경화성성분의경화에서유래하는발열피크를나타내는온도영역이, 적어도일부에있어서중복되어있다.

30. 发明公开

KR20180037046A 탄소나노튜브 도전성 볼의 제조방법 및 탄소나노튜브 볼 도전성 접착제의 제조방법 审中-公开
标题翻译：的制造方法的制造方法及碳纳米管的导电球的导电性粘合剂视图碳纳米管
公开(公告)号：KR20180037046A
公开(公告)日：2018-04-10
申请号：KR20187006538
申请日：2015-12-28
IPC分类号： H01B13/00 , H01B1/18 , H01B1/24 , H01B5/00
CPC分类号： C09J9/02 , B01J2/006 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B31/0273 , C01B32/174 , C01B2202/22 , C08K3/041 , C08K3/36 , C08K7/18 , C08K2201/001 , C08L25/06 , C09J163/00 , H01B1/04 , H01B1/18 , H01B1/24 , H01B13/0036 , H01B13/30 , H01L51/0048 , Y10S977/742 , Y10S977/842 , Y10S977/892 , Y10S977/932 , C08K9/12
摘要： 본발명은탄소나노튜브도전성볼의제조방법과탄소나노튜브볼 도전성접착제의제조방법을제공한다. 본발명에서제공된탄소나노튜브도전성볼의제조방법은, 폴리머미세구체, SiO미세구체의안정성과탄소나노튜브의고전도성의장점을결합하여, 폴리머미세구체또는 SiO미세구체를매트릭스로사용하여, 탄소나노튜브재료를피복하여, 구형의탄소나노튜브도전성볼을얻는다. 이는제조공정이간단하고, 설비에대한요구가낮고, 원재료가풍부하고, 원가는저렴하고, 효율이높다. 본발명에서제조된탄소나노튜브 도전성볼의입경은제어가가능하며, 재료의안정성이높고, 도전성능이우수하고, 친환경적이다. 본발명에서제공된탄소나노튜브볼 도전성접착제의제조방법은, 탄소나노튜브도전성볼을도전입자로사용하여현재도전성접착제에주로사용하는도전성황금볼을대체하여 TFT-LCD에적용하고있으며, 전통적인도전성접착제중의도전성충전재의함량이지나치게많고, 가격이비싸고, 제조공정이복잡하고, 환경오염이높은등 결함을극복하였으며, 또한, 제조된탄소나노튜브볼 도전성접착제는마이크로회로의연결에서도크게응용될전망이다.
摘要翻译：本发明提供了一种制造碳纳米管导电球的方法和一种制造碳纳米管球导电粘合剂的方法。根据本发明的制造碳纳米管导电球的方法结合了聚合物微球的优点和SiO 2微球的稳定性以及碳纳米管的高导电性，纳米管材料被涂覆以获得球形碳纳米管导电球。这在制造过程中很简单，对设备的要求低，原材料丰富，成本低，效率高。本发明生产的碳纳米管导电球可以控制粒径，具有高的材料稳定性，显示优异的导电性能，并且对环境无害。导电性粘接剂的制造方法见CNT在本发明中提供的，一直是使用碳纳米管导电性的导电颗粒代替导电金球主要用在本发明的导电粘接剂被施加到TFT-LCD，现有的导电性粘接剂许多过度的在导电性填料的，昂贵的，并且制造过程的内容复杂，被克服的缺陷，如污染高，另外，所产生的导电性粘接剂视图碳纳米管有望在微电路的连接大大施加。

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