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21. 发明授权

KR101426038B1 인쇄회로기판 및 그 제조방법 有权
标题翻译：印刷电路板及其制造方法
公开(公告)号：KR101426038B1
公开(公告)日：2014-08-01
申请号：KR1020080112865
申请日：2008-11-13
申请人： 해성디에스 주식회사
发明人： 심창한 , 강성일 , 박세철
IPC分类号： H05K1/02 , H05K1/03
CPC分类号： H05K3/384 , C25D5/12 , H05K1/0346 , H05K1/0393 , H05K2201/0154 , H05K2201/0355 , H05K2203/0307 , H05K2203/0723 , Y10T428/12514 , Y10T428/12861 , Y10T428/12868 , Y10T428/1291 , Y10T428/12944 , Y10T428/24917
摘要： 본 발명은 간단한 방법으로, 회로 패턴을 형성하기 위한 금속박과 폴리머막과의 접합력을 향상시킬 수 있도록 한 것으로, 이를 위하여, 제1금속막과, 상기 제1금속막의 일면에 위치하는 폴리머막과, 상기 제1금속막과 폴리머막의 사이에 개재되고, 상기 제1금속막을 향한 제1면과 상기 폴리머막을 향한 제2면을 구비하며, 상기 제2면의 표면이 상기 제1면의 표면보다 거칠게 구비된 제2금속막을 포함하는 인쇄회로기판 및 그 제조방법을 제공한다.

22. 发明授权

KR101184796B1 기판 구조물 및 그 제조 방법 有权
标题翻译：板结构及其制造方法
公开(公告)号：KR101184796B1
公开(公告)日：2012-09-20
申请号：KR1020100137733
申请日：2010-12-29
申请人： 삼성전기주식회사 , 와이엠티 주식회사
发明人： 이철민 , 박원형 , 허경진 , 양덕진 , 여진수 , 전성욱
IPC分类号： H05K3/18 , H05K3/46
CPC分类号： H05K3/244 , C23C18/1605 , C23C18/1651 , C23C18/44 , C23C18/54 , H05K3/243 , H05K2203/073 , Y10T428/12493 , Y10T428/12514 , Y10T428/12861 , Y10T428/12868 , Y10T428/12875 , Y10T428/24802
摘要： 본 발명은 기판 구조물에 관한 것으로, 본 발명의 실시예에 따른 기판 구조물은 도전성 패턴이 형성된 베이스 기판, 도전성 패턴을 덮는 제1 도금막, 그리고 제1 도금막을 덮는 제2 도금막을 포함하되, 제1 도금막은 무전해 환원 도금막을 포함한다.

23. 发明授权

KR101026586B1 반도체 장치의 개선된 습기 신뢰성 및 개선된 납땜가능성을 위한 리드프레임을 포함하는 반도체 장치 및 그제조 방법 有权
标题翻译：改善水分可靠性和增强半导体器件的焊接性的优势
公开(公告)号：KR101026586B1
公开(公告)日：2011-04-04
申请号：KR1020087015921
申请日：2006-11-30
申请人： 텍사스 인스트루먼츠 인코포레이티드
发明人： 텔캄프,존,피.
IPC分类号： H01L23/495 , H01L23/02
CPC分类号： H01L23/49582 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/97 , H01L2224/32245 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2224/48599 , H01L2224/48644 , H01L2224/48664 , H01L2224/73265 , H01L2224/85444 , H01L2224/85464 , H01L2224/97 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01027 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01031 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01057 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01322 , H01L2924/014 , H01L2924/10329 , H01L2924/14 , H01L2924/181 , H01L2924/3025 , Y10T428/12868 , Y10T428/12875 , H01L2924/00014 , H01L2224/85 , H01L2224/83 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
摘要： 반도체 장치가 베이스금속(105)으로 만들어진 구조를 갖는 리드프레임을 갖고, 구조는 칩 실장 패드(302) 및 다수의 리드 세그먼트(303)로 이루어진다. 베이스금속을 덮는 것은 베이스금속 상의 연속적인 니켈 층(201), 니켈 상의 팔라듐 층이며, 구조의 칩쪽 팔라듐 층(203)이 칩의 반대쪽 팔라듐 층(202)보다 더 두껍고, 칩 반대쪽 팔라듐 층(202) 상에 금 층(204)이 있다. 반도체 칩(310)은 칩 실장 패드에 부착되고 도전성 접속부(312)들이 칩으로부터 리드 세그먼트로 뻗쳐 있다. 중합체 캡슐화 콤파운드(320)는 칩, 접속부 및 리드 세그먼트 부분들을 덮지만, 외부 부품에 대한 땜납 리플로우 부착을 위해 이용 가능한 다른 세그먼트 부분들이 남겨진다.
반도체, 도금, 리드프레임, 패드, 칩, 금속

24. 发明公开

KR1020080071204A 반도체 장치의 개선된 습기 신뢰성 및 개선된 납땜가능성을 위한 리드프레임을 포함하는 반도체 장치 및 그제조 방법 有权
标题翻译：改善水分可靠性和增强半导体器件的焊接性的优势
公开(公告)号：KR1020080071204A
公开(公告)日：2008-08-01
申请号：KR1020087015921
申请日：2006-11-30
申请人： 텍사스 인스트루먼츠 인코포레이티드
发明人： 텔캄프,존,피.
IPC分类号： H01L23/495 , H01L23/02
CPC分类号： H01L23/49582 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/97 , H01L2224/32245 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2224/48599 , H01L2224/48644 , H01L2224/48664 , H01L2224/73265 , H01L2224/85444 , H01L2224/85464 , H01L2224/97 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01027 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01031 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01057 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01322 , H01L2924/014 , H01L2924/10329 , H01L2924/14 , H01L2924/181 , H01L2924/3025 , Y10T428/12868 , Y10T428/12875 , H01L2924/00014 , H01L2224/85 , H01L2224/83 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
摘要： A semiconductor device has a leadframe with a structure made of a base metal (105), wherein the structure consists of a chip mount pad (302) and a plurality of lead segments (303). Covering the base metal are, consecutively, a continuous nickel layer (201) on the base metal, a layer of palladium on the nickel, wherein the palladium layer (203) on the chip side of the structure is thicker than the palladium layer (202) opposite the chip, and a gold layer (204) on the palladium layer (202) opposite the chip. A semiconductor chip (310) is attached to the chip mount pad and conductive connections (312) span from the chip to the lead segments. Polymeric encapsulation compound (320) covers the chip, the connections, and portions of the lead segments, but leaves other segment portions available for solder reflow attachment to external parts.
摘要翻译：半导体器件具有由基底金属（105）制成的结构的引线框架，其中该结构由芯片安装焊盘（302）和多个引线段（303）组成。在基体金属上连续地覆盖基体金属的连续的镍层（201），镍上的钯层，其中结构的芯片侧的钯层（203）比钯层（202 ）和与芯片相对的钯层（202）上的金层（204）。半导体芯片（310）附接到芯片安装焊盘，导电连接（312）跨越芯片到引线段。聚合物封装化合物（320）覆盖芯片，连接部分和引线段的部分，但留下其他段部分可用于焊接回流附着到外部部件。

25. 发明公开

KR1020060063679A 세라믹 기판 및 발광 소자 수납용 세라믹 패키지 有权
标题翻译：用于接收陶瓷基板和发光器件的陶瓷封装
公开(公告)号：KR1020060063679A
公开(公告)日：2006-06-12
申请号：KR1020050116162
申请日：2005-12-01
申请人： 엔지케이 스파크 플러그 캄파니 리미티드
发明人： 와카코히사시 , 나가이마코토 , 우치다아츠시 , 모리타마사히토 , 키무라카즈오
IPC分类号： H01L33/60 , H01L33/48
CPC分类号： H01L33/60 , H01L33/486 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48235 , H01L2224/73265 , H01L2224/92247 , H01L2924/1301 , H05K1/0274 , H05K1/0306 , H05K1/092 , H05K1/183 , H05K3/246 , H05K3/403 , H05K2201/0347 , H05K2201/09781 , H05K2201/10106 , H05K2201/2054 , Y10T428/12361 , Y10T428/12528 , Y10T428/12576 , Y10T428/12611 , Y10T428/12639 , Y10T428/12806 , Y10T428/12819 , Y10T428/12826 , Y10T428/1284 , Y10T428/12861 , Y10T428/12868 , Y10T428/12875 , Y10T428/12889 , Y10T428/12896 , Y10T428/12903 , Y10T428/12944 , Y10T428/131 , Y10T428/1317 , Y10T428/26 , Y10T428/265 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： A ceramic substrate comprising a metallic layer on its surface, wherein said metallic layer includes: a silver layer containing silver; a gold layer containing gold; and a nickel layer containing nickel, in this order from an outermost layer of said metallic layer.

26. 发明授权

KR100545692B1 자기 기록 매체, 그 제조 방법 및 자기 기억 장치 失效
标题翻译：更多信息，更多信息，
公开(公告)号：KR100545692B1
公开(公告)日：2006-01-24
申请号：KR1020037000271
申请日：2001-12-27
申请人： 히타치마쿠세루가부시키가이샤
发明人： 마쓰누마사토시 , 야노아키라 , 오누마쓰요시 , 다카야마다카노부 , 히에이다하루미 , 와카바야시고이치로
IPC分类号： G11B5/62
CPC分类号： G11B5/00 , G11B5/012 , G11B5/66 , G11B5/74 , G11B5/851 , Y10S428/90 , Y10T428/12465 , Y10T428/12868 , Y10T428/265
摘要： A magnetic recording medium comprises, on a substrate, a soft magnetic layer, a first seed layer, a second seed layer, and a recording layer having an artificial lattice structure. The first seed layer contains oxide of Fe. The second seed layer contains one of Pd and Pt, Si, and N. The magnetic exchange coupling force in the in-plane direction of the recording layer is weakened by the first seed layer and the second seed layer. Accordingly, minute recording magnetic domains can be formed in the recording layer, and the magnetization transition area is distinct as well. Even when information is recorded at a high density, the information can be reproduced with low noise. A magnetic storage apparatus, which is provided with such a magnetic recording medium, makes it possible to achieve an areal recording density of 150 gigabits/square inch.
摘要翻译：一种磁记录介质包括在基底上的软磁层，第一晶种层，第二晶种层和具有人造晶格结构的记录层。第一种子层含有Fe的氧化物。第二种子层包含Pd和Pt，Si和N中的一种。记录层的面内方向上的磁交换耦合力被第一种子层和第二种子层削弱。因此，可以在记录层中形成微小的记录磁畴，并且磁化过渡区也是不同的。即使信息以高密度记录，信息也可以低噪音再现。具有这种磁记录介质的磁存储设备使得可以实现150千兆比特/平方英寸的面记录密度。

27. 发明授权

KR100531513B1 고주파용 페라이트박막 및 그 제조방법 失效
标题翻译：高频铁氧体薄膜及其制备方法
公开(公告)号：KR100531513B1
公开(公告)日：2005-11-28
申请号：KR1020037005491
申请日：2001-11-21
申请人： 고쿠리츠켄큐카이하츠호진 카가쿠기쥬츠신코키코
发明人： 다까다준 , 후지이다쯔오 , 나까니시마꼬또
IPC分类号： C01G49/00
CPC分类号： H01F41/16 , C01G49/0018 , C01G49/009 , C01P2002/72 , C01P2002/76 , C01P2002/77 , C01P2004/03 , C01P2004/22 , C04B35/2683 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3267 , C04B2235/3272 , C04B2235/3275 , C04B2235/3279 , C04B2235/3281 , C04B2235/3284 , C04B2235/3296 , C04B2235/449 , C04B2235/767 , C04B2235/787 , C04B2235/80 , C23C18/1216 , C23C18/1241 , H01F10/205 , Y10T428/12868 , Y10T428/12875 , Y10T428/12889 , Y10T428/12896 , Y10T428/32
摘要： Y형 6방정계 페라이트박막의 제작수단의 개발. Fe
+3 이온을 주성분으로 하고, Fe
2+ , Co
2+ , Ni
2+ , Zn
2+ , Cu
2+ , Mn
2+ 로 이루어지는 군(群)에서 선정되는 최소한 1종의 천이금속이온 및 Ba
2+ 이온 혹은, 또 Sr
2+ , Ca
2+ 또는 Pb
2+ 로 이루어지는 군에서 선정되는 최소한 1종의 금속이온을 부성분으로 하여 형성한 금속 ·유기복합체로 이루어지는 점성 용액을 사용하여, 코팅법에 의해 귀금속 표면에 Y형 페라이트조성의 막을 형성하고, 이것을 750℃이상으로 소성(燒成)함므로서, 결정의 c축이 막면에 수직으로 배향한 고주파 디바이스용으로서 적합한 Y형 6방정계 페라이트박막을 제작한다.

28. 发明公开

KR1020030083681A 고주파용 페라이트박막 및 그 제조방법 失效
标题翻译：高频用铁氧体薄膜及其制造方法
公开(公告)号：KR1020030083681A
公开(公告)日：2003-10-30
申请号：KR1020037005491
申请日：2001-11-21
申请人： 고쿠리츠켄큐카이하츠호진 카가쿠기쥬츠신코키코
发明人： 다까다준 , 후지이다쯔오 , 나까니시마꼬또
IPC分类号： C01G49/00
CPC分类号： H01F41/16 , C01G49/0018 , C01G49/009 , C01P2002/72 , C01P2002/76 , C01P2002/77 , C01P2004/03 , C01P2004/22 , C04B35/2683 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3267 , C04B2235/3272 , C04B2235/3275 , C04B2235/3279 , C04B2235/3281 , C04B2235/3284 , C04B2235/3296 , C04B2235/449 , C04B2235/767 , C04B2235/787 , C04B2235/80 , C23C18/1216 , C23C18/1241 , H01F10/205 , Y10T428/12868 , Y10T428/12875 , Y10T428/12889 , Y10T428/12896 , Y10T428/32
摘要： Y형 6방정계 페라이트박막의 제작수단의 개발. Fe
+3 이온을 주성분으로 하고, Fe
2+ , Co
2+ , Ni
2+ , Zn
2+ , Cu
2+ , Mn
2+ 로 이루어지는 군(群)에서 선정되는 최소한 1종의 천이금속이온 및 Ba
2+ 이온 혹은, 또 Sr
2+ , Ca
2+ 또는 Pb
2+ 로 이루어지는 군에서 선정되는 최소한 1종의 금속이온을 부성분으로 하여 형성한 금속 ·유기복합체로 이루어지는 점성 용액을 사용하여, 코팅법에 의해 귀금속 표면에 Y형 페라이트조성의 막을 형성하고, 이것을 750℃이상으로 소성(燒成)함므로서, 결정의 c축이 막면에 수직으로 배향한 고주파 디바이스용으로서 적합한 Y형 6방정계 페라이트박막을 제작한다.

29. 发明公开

KR1020020087871A 재조합 바구니형상 단백질, 그 제작방법, 귀금속-재조합바구니형상 단백질 복합체, 그 제작방법, 및 재조합디엔에이 无效
标题翻译：重组蛋白质蛋白质，其制备方法，金属重复蛋白质蛋白质复合物，制备其的方法和重组DNA
公开(公告)号：KR1020020087871A
公开(公告)日：2002-11-23
申请号：KR1020020026318
申请日：2002-05-14
申请人： 파나소닉 주식회사
发明人： 야마시타이치로
IPC分类号： C07K14/47
CPC分类号： H01L29/42332 , A61K38/00 , C07K14/47 , Y10T428/12868 , Y10T428/253
摘要： PURPOSE: Provided are a recombinant cage protein, a method for making the same, a noble metal-recombinant cage protein complex, a method for making the same, and recombinant DNA. In particular, provided is a method for making a noble metal-apoferritin complex by introducing noble metal particles into apoferritin. CONSTITUTION: A noble metal-apoferritin complex, more specifically a gold particle-including apoferritin, is made by the following procedures: using the gene recombinant technique, glutamic acid and aspartic acid each situated at the channel(3) of apoferritin are substituted by serine of small size with no electric charge; next, glutamic acid situated at the holding part(4) is substituted by a basic amino acid such as lysine or a neutral amino acid, and further, at least one cysteine molecule is introduced into the holding part; thereby preventing developing repulsive force due to the electrostatic interaction between (AuCl4 )¬- bearing negative charge and the amino acids bearing negative charge and making the (AuCl4 )¬- are taken into the channel and the holding part; the (AuCl4 )¬- thus taken into the holding part is subsequently reduced into Au.
摘要翻译：目的：提供重组笼蛋白，其制备方法，贵金属重组笼蛋白复合物，其制备方法和重组DNA。特别地，提供了通过将贵金属颗粒引入脱铁铁蛋白来制备贵金属 - 脱铁铁蛋白复合物的方法。构成：通过以下步骤制备贵金属脱铁铁蛋白复合物，更具体地是含有金颗粒的脱铁铁蛋白，使用基因重组技术，各位于脱铁铁蛋白通道（3）处的谷氨酸和天冬氨酸被丝氨酸体积小，无电荷; 接下来，位于保持部（4）的谷氨酸被碱性氨基酸例如赖氨酸或中性氨基酸取代，此外，至少一个半胱氨酸分子被引入到保持部中; 从而防止由（AuCl 4） - 带负电荷和带负电荷的氨基酸之间的静电相互作用而产生的斥力，并使（AuCl 4） - 被引入通道和保持部分; 随后将（AuCl4）¬-进入保持部分，然后还原成Au。

30. 发明授权

KR100183329B1 도전성 페이스트 失效
标题翻译：电焊膏
公开(公告)号：KR100183329B1
公开(公告)日：1999-05-15
申请号：KR1019960003353
申请日：1996-02-12
申请人： 히타치가세이가부시끼가이샤 , 사이단호진테크노포리스하꼬다떼기주쓰산교교카이
发明人： 가가히사시 , 야마나소조 , 구와지마히데지
IPC分类号： H01B1/02
CPC分类号： B22F1/0055 , B22F1/0007 , B22F1/0059 , B22F1/025 , B22F2009/041 , B22F2009/043 , B22F2998/00 , B22F2999/00 , H01B1/02 , H01B1/16 , H01B1/22 , H01L23/49883 , H01L2924/0002 , H05K1/092 , H05K1/095 , Y10S428/901 , Y10T428/12014 , Y10T428/12028 , Y10T428/12181 , Y10T428/12493 , Y10T428/12715 , Y10T428/12868 , Y10T428/24917 , Y10T428/24926 , B22F9/04 , H01L2924/00
摘要： 비귀금속 분말 총 표면적의 평균 50% 이상에, 각각의 비귀금속 분말이 비귀금속 분말의 중량을 기준으로 평균 2~30중량%양의 귀금속으로 덮혀 있는 편평한 비귀금속 분말을 함유하고, 각각의 비귀금속 분말과 귀금속 덮개층 사이에 비귀금속과 귀금속의 혼합물 층을 삽입한 도전성 복합 금속 분말은, 결합제와 혼합한 뒤 도전성 페이스트를 제공하는데 적합하며, 상기 페이스트는 우수한 도전성을 가지며, 이동을 방지한다.

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