专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明公开

KR1019990062988A 도트체의형성방법및반도체장치 失效
标题翻译：形成点体和半导体器件的方法
公开(公告)号：KR1019990062988A
公开(公告)日：1999-07-26
申请号：KR1019980054331
申请日：1998-12-11
申请人： 파나소닉 주식회사
发明人： 모리타기요유키 , 모리모토기요시 , 아라키기요시 , 유키고이치로 , 아다치가즈야스 , 엔도마사유키 , 야마시타이치로
IPC分类号： H01L29/78
摘要： 본 발명은 기판상의 원하는 위치에 양자 도트체로서 기능하는, 원하는 크기의 도트체를 형성하고 고성능의 반도체 소자를 실현하기 위한 것이다.
ｐ형 Si 기판(101)상에 형성한 Rat IgG 항체막(102)에 선택적으로 자외선(104)을 조사하여 실활 Rat IgG 항체막(105)으로 되는 영역 이외의 영역에만 Rat IgG 항체막(102)을 남긴다. 다음으로 Rat IgG 항원(107)과 결합한 Au 미립자(106)를 포함하는 용액중에 ｐ형 Si 기판(101)을 설치하면, Rat IgG 항원(107)과 Rat IgG 항체막(102)은 선택적으로 결합하여 Rat IgG 항체막(102)상에 Rat IgG 항원(107)과 결합된 Au 미립자(106)가 고정된다. 그 후 ｐ형 Si 기판(101)을 산소 플라즈마중에 20분간 설치하고 ｐ형 Si 기판(101)상에 형성된 Rat IgG 항체막(102)과 실활 Rat IgG 항체막(105) 및 Rat IgG 항원(107)을 제거하여 ｐ형 Si 기판(101)상의 원하는 위치에 도트체(110)를 형성한다.

2. 发明授权

KR100417456B1 고체 전해 콘덴서와 그 제조 방법, 및 도전성 고분자중합용 산화제용액 有权
标题翻译： 고체전해콘덴서와그제조방법，도도전고분자중합용산화제용
公开(公告)号：KR100417456B1
公开(公告)日：2004-02-05
申请号：KR1020017005922
申请日：2000-09-08
申请人： 파나소닉 주식회사
发明人： 니타유키히로 , 모리요시유키 , 모로쿠마무네히로 , 무라타유키 , 사이토가즈요 , 요시노츠요시 , 와타나베요시히로 , 마스미히데키 , 나카하라다케히코 , 야마시타이치로
IPC分类号： H01G9/028
CPC分类号： H01G9/025 , H01G9/15 , Y10T29/417
摘要： The present invention relates to a solid electrolytic capacitor having a large capacitance and a higher resistance to heat and adapted as a surface-mount device and a method of producing the same. The invention may include the followings features: (1) a layer containing an electroconductive polymer and a less conductive polymer is provided on a dielectric oxide film on the positive electrode foil; (2) a separator of a polyester resin based unwoven fabric made by span bonding and/or wet processing a resin material is sandwiched between the positive electrode foil and the negative electrode foil and rolled together to form a capacitor element which also include a solid electrolyte; (3) a separator is sandwiched between the positive electrode foil and the negative electrode foil coated with a dielectric oxide film exhibiting a withstand voltage of 0.8 to 10 V and rolled together to form a capacitor element which also include a solid electrolyte of an electrically conductive polymer; (4) the negative electrode foil is coated with a layer made of at least a metallic material selected from titanium, zirconium, hafnium, and its compound or of a carbon material; (5) the capacitor element has its content of, water adjusted to not higher than 1% by weight and is enclosed in an outer case; (6-A) the solid electrolyte is a conductive polymer prepared by chemically polymerizing a heterocyclic monomer with the use of an oxidizing solution of which the weight ratio of bivalent iron to trivalent iron is not higher than 0.02; (6-B) the solid electrolyte is a conductive polymer prepared by chemically polymerizing a heterocyclic monomer with the use of an oxidizing solution of which the molar ratio of aliphatic and/or aromatic sulfonic acid to trivalent iron ranges from 3.0 to 3.5; and (7) the solid electrolyte is a conductive polymer prepared by chemically polymerizing a heterocyclic monomer in which the remaining of a basic organic solvent is not higher than 0.8%.
摘要翻译：本发明涉及一种具有大电容和高耐热性的固体电解电容器，并且适用于表面安装器件及其制造方法。本发明可以包括以下特征：（1）在正电极箔上的电介质氧化物膜上提供包含导电聚合物和较少导电聚合物的层; （2）通过跨距粘合和/或湿处理树脂材料制成的基于聚酯树脂的无纺布隔膜夹在正极箔和负极箔之间并卷在一起以形成还包括固体电解质的电容器元件 ; （3）将隔膜夹在正极箔和负极箔之间，所述负极箔涂覆有呈现0.8至10V的耐电压的电介质氧化物膜并且卷绕在一起以形成电容器元件，所述电容器元件还包括导电的固体电解质聚合物; （4）负极箔涂覆有至少由选自钛，锆，铪及其化合物或碳材料的金属材料制成的层; （5）电容器元件的水分含量调整为不高于1重量％并封装在外壳中; （6-A）固体电解质是通过使用二价铁与三价铁的重量比不高于0.02的氧化溶液通过化学聚合杂环单体而制备的导电聚合物; （6-B）固体电解质是通过使用其中脂族和/或芳族磺酸与三价铁的摩尔比为3.0-3.5的氧化溶液化学聚合杂环单体而制备的导电聚合物; 和（7）固体电解质是通过化学聚合其中碱性有机溶剂的剩余物不高于0.8％的杂环单体制备的导电聚合物。

3. 发明授权

KR100347624B1 도트체의형성방법및반도체장치 失效
公开(公告)号：KR100347624B1
公开(公告)日：2003-01-24
申请号：KR1019980054331
申请日：1998-12-11
申请人： 파나소닉 주식회사
发明人： 모리타기요유키 , 모리모토기요시 , 아라키기요시 , 유키고이치로 , 아다치가즈야스 , 엔도마사유키 , 야마시타이치로
IPC分类号： H01L29/78
CPC分类号： G11C13/0014 , B82Y10/00 , G11C11/5664 , G11C11/5671 , G11C13/0019 , G11C2216/08 , H01L21/28273 , H01L21/288 , H01L21/768 , H01L29/7883 , Y10S438/962
摘要： A Rat IgG antibody film, formed on a p-type Si substrate, is selectively irradiated with ultraviolet rays, thereby leaving part of the Rat IgG antibody film, except for a region deactivated with the ultraviolet rays. Next, when the p-type Si substrate is immersed in a solution containing Au fine particles that have been combined with a Rat IgG antigen, the Rat IgG antigen is selectively combined with the Rat IgG antibody film. As a result, Au fine particles, combined with the Rat IgG antigen, are fixed on the Rat IgG antibody film. Thereafter, the p-type Si substrate is placed within oxygen plasma for 20 minutes, thereby removing the Rat IgG antibody film, the deactivated Rat IgG antibody film and the Rat IgG antigen. Consequently, dot elements can be formed at desired positions on the p-type Si substrate. If these dot elements are used for the floating gate of a semiconductor memory device, then the device has a structure suitable for miniaturization.
摘要翻译：将形成于p型Si基板上的大鼠IgG抗体膜选择性地照射紫外线，由此留下部分大鼠IgG抗体膜，除了用紫外线失活的区域之外。接着，将p型Si基板浸渍在含有与大鼠IgG抗原组合的Au微粒的溶液中时，将Rat IgG抗原选择性地与大鼠IgG抗体膜组合。结果，与大鼠IgG抗原结合的Au细颗粒被固定在大鼠IgG抗体膜上。之后，将p型Si基板置于氧等离子体中20分钟，从而除去大鼠IgG抗体膜，失活的大鼠IgG抗体膜和大鼠IgG抗原。因此，可以在p型Si衬底上的期望位置形成点元件。如果将这些点元件用于半导体存储器件的浮动栅极，则该器件具有适于小型化的结构。＆lt;图像＆GT;

4. 发明公开

KR1020030005227A 미소구조체의 정밀가공방법 无效
标题翻译：显微组织的精密加工方法
公开(公告)号：KR1020030005227A
公开(公告)日：2003-01-17
申请号：KR1020027012137
申请日：2001-03-16
申请人： 파나소닉 주식회사
发明人： 야마시타이치로
IPC分类号： H01L21/30
CPC分类号： H01L21/3088 , H01L21/3081
摘要： 실리콘기판(6) 상에, 산화철로 된 핵(1)을 유지시킨 페리틴(4)의 2 차원 결정막을 형성한 후, 적어도 핵(1)을 에칭마스크로 실리콘기판(1)을 에칭한다. 핵(1) 직경은 6㎚로 미세하므로 기판 상에 미소구조체를 형성할 수 있어, 반도체 발광소자나 양자효과를 이용한 각종 반도체 디바이스 제조가 가능해진다.

5. 发明公开

KR1020020087871A 재조합 바구니형상 단백질, 그 제작방법, 귀금속-재조합바구니형상 단백질 복합체, 그 제작방법, 및 재조합디엔에이 无效
标题翻译：重组蛋白质蛋白质，其制备方法，金属重复蛋白质蛋白质复合物，制备其的方法和重组DNA
公开(公告)号：KR1020020087871A
公开(公告)日：2002-11-23
申请号：KR1020020026318
申请日：2002-05-14
申请人： 파나소닉 주식회사
发明人： 야마시타이치로
IPC分类号： C07K14/47
CPC分类号： H01L29/42332 , A61K38/00 , C07K14/47 , Y10T428/12868 , Y10T428/253
摘要： PURPOSE: Provided are a recombinant cage protein, a method for making the same, a noble metal-recombinant cage protein complex, a method for making the same, and recombinant DNA. In particular, provided is a method for making a noble metal-apoferritin complex by introducing noble metal particles into apoferritin. CONSTITUTION: A noble metal-apoferritin complex, more specifically a gold particle-including apoferritin, is made by the following procedures: using the gene recombinant technique, glutamic acid and aspartic acid each situated at the channel(3) of apoferritin are substituted by serine of small size with no electric charge; next, glutamic acid situated at the holding part(4) is substituted by a basic amino acid such as lysine or a neutral amino acid, and further, at least one cysteine molecule is introduced into the holding part; thereby preventing developing repulsive force due to the electrostatic interaction between (AuCl4 )¬- bearing negative charge and the amino acids bearing negative charge and making the (AuCl4 )¬- are taken into the channel and the holding part; the (AuCl4 )¬- thus taken into the holding part is subsequently reduced into Au.
摘要翻译：目的：提供重组笼蛋白，其制备方法，贵金属重组笼蛋白复合物，其制备方法和重组DNA。特别地，提供了通过将贵金属颗粒引入脱铁铁蛋白来制备贵金属 - 脱铁铁蛋白复合物的方法。构成：通过以下步骤制备贵金属脱铁铁蛋白复合物，更具体地是含有金颗粒的脱铁铁蛋白，使用基因重组技术，各位于脱铁铁蛋白通道（3）处的谷氨酸和天冬氨酸被丝氨酸体积小，无电荷; 接下来，位于保持部（4）的谷氨酸被碱性氨基酸例如赖氨酸或中性氨基酸取代，此外，至少一个半胱氨酸分子被引入到保持部中; 从而防止由（AuCl 4） - 带负电荷和带负电荷的氨基酸之间的静电相互作用而产生的斥力，并使（AuCl 4） - 被引入通道和保持部分; 随后将（AuCl4）¬-进入保持部分，然后还原成Au。

6. 发明公开

KR1020010086016A 고체 전해 콘덴서와 그 제조 방법, 및 도전성 고분자중합용 산화제용액 有权
标题翻译：固体电解电容器，其制造方法以及用于导电聚合的酸溶液
公开(公告)号：KR1020010086016A
公开(公告)日：2001-09-07
申请号：KR1020017005922
申请日：2000-09-08
申请人： 파나소닉 주식회사
发明人： 니타유키히로 , 모리요시유키 , 모로쿠마무네히로 , 무라타유키 , 사이토가즈요 , 요시노츠요시 , 와타나베요시히로 , 마스미히데키 , 나카하라다케히코 , 야마시타이치로
IPC分类号： H01G9/028
摘要： 본 발명은 누설 전류의 저감이 뛰어나고, 또한 대용량이고 높은 내열성을 구비한 표면 실장 부품으로서 적합한 고체 전해 콘덴서 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 고체 전해 콘덴서의 구성에 있어서,
(1) 양극박의 유전체 산화피막 상에 전자 도전성 고분자와 도전성이 부족한 고분자를 함유하는 층을 형성한 구성으로 한다.
(2) 양극박과 음극박을 수지를 주체로 하는 스판 본드법 및/또는 습식법에 의해 얻어진 폴리에스테르 수지 등을 함유하는 부직포로 이루어지는 세퍼레이터를 사이에 끼워 권회함으로써 형성된 콘덴서 소자와 고체 전해질로 이루어지는 구성으로 한다.
(3) 양극박과 0.8 ∼ 10V의 내전압을 갖는 유전체 산화피막이 형성된 음극박을 세퍼레이터를 사이에 끼워 권회한 콘덴서 소자와, 도전성 고분자의 고체 전해질로 이루어지는 구성으로 한다.
(4) 음극박의 표면에 티탄, 지르코늄, 하프늄중 적어도 1종의 금속 또는 그 화합물 또는 탄소계 재료의 피복층을 형성한 구성으로 한다.
(5) 수분량을 중량기준으로 1중량% 이하로 규정한 콘덴서 소자를 외장 부재로 피복한 구성으로 한다.
(6-A) 3가의 철량에 대한 2가의 철량의 비율은 중량비로 0.02 이하로 한 산화제 용액을 사용하여 복소환식 모노머를 화학산화 중합하여 얻어지는 도전성 고분자를 고체 전해질로 하는 구성으로 한다.
(6-B) 3가의 철량에 대한 지방족 및/또는 방향족 술폰산의 비율을 몰비로 3.0 ∼ 3.5의 범위로 한 산화제 용액을 사용하여 복소환식 모노머를 화학산화 중합하여 얻어지는 도전성 고분자를 고체 전해질로 하는 구성으로 한다.
(7) 잔류 염기성 유기 용매량이 0.8% 이하인 복소환식 모노머를 화학산화 중합하여 얻어지는 도전성 고분자를 고체 전해질로 하는 구성으로 한다.

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式