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21. 发明公开

KR1020110106876A 낮은 결함 밀도의 자립형 질화갈륨 기판의 제조 및 이로 제조된 소자 有权
标题翻译：低缺陷密度自制氮化硅衬底的制造及其制造的器件
公开(公告)号：KR1020110106876A
公开(公告)日：2011-09-29
申请号：KR1020117015976
申请日：2008-12-24
申请人： 쌩-고벵 크리스톡스 에 드테끄퇴르
发明人： 비오몬트버나드 , 포리쟝-피에르
IPC分类号： C30B25/02 , C30B25/18 , C30B29/38 , H01L21/205
CPC分类号： C30B25/18 , C30B29/406 , H01L21/0237 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02639 , H01L21/02647 , H01L21/0265
摘要： 본 발명은 성장 면(105)을 포함하는 지지대(100)의 위에 에피택셜 성장에 의해 질화물의 단일 결정을 제조하기 위한 방법에 관한 것으로,
이 방법은:
지지대(100)의 위에 희생 베드(101)를 형성하는 단계,
희생 베드의 위에 GaN 에피택셜 성장에 적합한 재료로 이루어지는
기둥들(102)을 형성하는 단계,
질화물 결정 층이 기둥들 사이에 형성되는 구멍들(107)의 지지대까지 아래로 연장되지 않도록 하는 성장 조건들 하에서, 기둥들의 위에 질화물 결정 층(103)을 성장시키는 단계, 및
지지대로부터 질화물 결정 층을 제거하는 단계를 포함한다.

22. 发明公开

KR1020110018105A 기판 구조체 및 그 제조 방법 有权
标题翻译：其基体结构及其制造方法
公开(公告)号：KR1020110018105A
公开(公告)日：2011-02-23
申请号：KR1020090075733
申请日：2009-08-17
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김준연 , 홍현기 , 탁영조 , 이재원 , 정형수
IPC分类号： H01L33/12
CPC分类号： H01L33/007 , H01L21/0237 , H01L21/02439 , H01L21/0254 , H01L21/02639 , H01L21/0265 , H01L27/156 , H01L33/0079 , H01L33/12 , H01L33/20
摘要： PURPOSE: A substrate structure and a manufacturing method of the same are provided to prevent Si from being melt-back through Ga by oxidizing the surface of a substrate and a pattern region after forming the pattern region. CONSTITUTION: A substrate structure comprises a substrate(20) and a buffer layer(22) The buffer layer is formed on the substrate by a certain pattern. A buffer layer is supported by a substrate protrusion which is formed after the surface of the substrate is etched. The bottom of a buffer layer which is not contacted with the substrate protrusion is exposed to outside. A nitride semiconductor layer is formed through lateral growth which is rapider vertical growth.
摘要翻译：目的：提供一种基板结构及其制造方法，用于通过在形成图案区域之后氧化基板的表面和图案区域来防止Si熔化回Ga。构成：衬底结构包括衬底（20）和缓冲层（22）。缓冲层通过某种图案形成在衬底上。缓冲层由衬底突出部支撑，该衬底突起在衬底的表面被蚀刻之后形成。不与基板突起接触的缓冲层的底部暴露于外部。通过横向生长形成氮化物半导体层，其是纵横向生长。

23. 发明公开

KR1020090107403A 반도체 장치 및 그 제조 방법 有权
标题翻译：半导体器件的生产
公开(公告)号：KR1020090107403A
公开(公告)日：2009-10-13
申请号：KR1020087032223
申请日：2008-01-31
申请人： 나노간 리미티드
发明人： 왕,왕낭
IPC分类号： H01L21/20 , B82B3/00 , B82Y40/00
CPC分类号： H01L21/02513 , H01L21/0237 , H01L21/02433 , H01L21/02439 , H01L21/0254 , H01L21/02639 , H01L21/02645 , H01L21/0265
摘要： A method of producing a layered semiconductor device comprises the steps of: (a) providing a base comprising a plurality of semiconductor nano-structures, (b) growing a semiconductor material onto the nano-structures using an epitaxial 5 growth process, and (c) growing a layer of the semiconductor device onto the semiconductor material using an epitaxial growth process.
摘要翻译：一种制造分层半导体器件的方法包括以下步骤：（a）提供包括多个半导体纳米结构的基底，（b）使用外延生长工艺将半导体材料生长到纳米结构上，和（c ）使用外延生长工艺将半导体器件的层生长到半导体材料上。

24. 发明授权

KR100917260B1 결정막, 결정기판 및 반도체장치 失效
标题翻译：晶体膜，晶体基板和半导体器件
公开(公告)号：KR100917260B1
公开(公告)日：2009-09-16
申请号：KR1020037009054
申请日：2002-01-18
申请人： 소니 주식회사
发明人： 모리타에츠오 , 무라카미요우스케 , 비와고시 , 오쿠야마히로유키
IPC分类号： H01L21/20
CPC分类号： H01L21/02538 , C30B25/02 , C30B25/183 , C30B29/403 , C30B29/406 , H01L21/0237 , H01L21/02458 , H01L21/02502 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02639 , H01L21/0265
摘要： A crystal foundation having dislocations is used to obtain a crystal film of low dislocation density, a crystal substrate, and a semiconductor device. One side of a growth substrate ( 11 ) is provided with a crystal layer ( 13 ) with a buffer layer ( 12 ) in between. The crystal layer ( 13 ) has spaces ( 13 a), ( 13 b) in an end of each threading dislocation D 1 elongating from below. The threading dislocation D 1 is separated from the upper layer by the spaces ( 13 a), ( 13 b), so that each threading dislocation D 1 is blocked from propagating to the upper layer. When the displacement of the threading dislocation D 1 expressed by Burgers vector is preserved to develop another dislocation, the spaces ( 13 a), ( 13 b) vary the direction of its displacement. As a result, the upper layer above the spaces ( 13 a), ( 13 b) turns crystalline with a low dislocation density.

25. 发明授权

KR100891270B1 질화물 반도체 소자 및 그 제조 방법 失效
标题翻译：氮化物半导体元件及其制造方法
公开(公告)号：KR100891270B1
公开(公告)日：2009-04-06
申请号：KR1020027016074
申请日：2002-03-27
申请人： 소니 주식회사
发明人： 코바야시토시마사 , 야나시마카츠노리 , 야마구치타카시 , 나카지마히로시
IPC分类号： H01L33/16 , H01L33/02
CPC分类号： H01L21/0242 , H01L21/0254 , H01L21/02639 , H01L21/0265 , H01L31/1852 , H01L33/007 , H01S5/0207 , H01S5/22 , H01S5/32341 , H01S2304/12 , Y02E10/544
摘要： 신뢰성이 높고, 또한 소자 설계 및 제작의 자유도가 큰 구성을 구비한 질화물 반도체 소자를 제공한다. 사파이어 기판(10) 상에 형성되어, 마스크(l2)를 한쪽 측면에 갖는 종 결정부(l1)와, 사파이어 기판(10) 상 및 종 결정부(11) 상에 가로 방향 성장법에 의해 성장시킨 GaN층(15)으로 구성되어 있다. GaN층(15)은 종 결정부(11)의 마스크(12)로 덮여 있지 않은 노출된 측면에서만 성장하기 때문에, 그 가로 방향 성장이 비대칭으로 진행한다. 그것에 의해, 회합부(32)는 종 결정부(11)와 마스크(12)와의 경계 부근에서 GaN층(l5)의 두께 방향으로 형성된다. 따라서, 회합부(32)가 이웃하는 종 결정부(11)간의 중심에서 기판 표면에 평행한 방향의 편심된 위치에 형성되어 있기 때문에, 종래의 구조에 비하여, 가로 방향 성장 영역의 폭(W
L )이 종 결정부(11)의 피치(W
p )에 대하여 넓어진다.
질화물 화합물 반도체, 레이저 스트라이프부, 결정층, 가로 방향 성장 영역

26. 发明公开

KR1020080114805A 단결정 화합물 반도체 물질 제조 방법 및 이를 이용해 제조된 단결정 화합물 반도체 물질 有权
标题翻译：使用纳米结构合金层和HVPE生产高品质化合物半导体材料的生长方法
公开(公告)号：KR1020080114805A
公开(公告)日：2008-12-31
申请号：KR1020087025217
申请日：2007-03-19
申请人： 나노간 리미티드
发明人： 왕,왕낭
IPC分类号： H01L21/20 , B82B3/00 , B82Y40/00
CPC分类号： C30B25/005 , C30B23/007 , C30B25/18 , C30B29/40 , C30B29/406 , C30B29/48 , C30B33/00 , H01L21/0237 , H01L21/02439 , H01L21/02458 , H01L21/02513 , H01L21/0254 , H01L21/0265 , H01L21/02653 , Y10T428/24612
摘要： A method utilizes HVPE to grow high quality flat and thick compound semiconductors (15) onto foreign substrates (10) using nanostructure compliant layers. Nanostructures (12) of semiconductor materials can be grown on foreign substrates (10) by molecular beam epitaxy (MBE), chemical vapour deposition (CVD), metalorganic chemical vapour deposition (MOCVD) and hydride vapour phase epitaxy (HVPE). Further growth of continuous compound semiconductor thick films (15) or wafer is achieved by epitaxial lateral overgrowth using HVPE. ® KIPO & WIPO 2009
摘要翻译：一种使用HVPE的方法使用纳米结构柔性层将高质量的扁平和厚的化合物半导体（15）生长到异质衬底（10）上。半导体材料的纳米结构（12）可以通过分子束外延（MBE），化学气相沉积（CVD），金属有机化学气相沉积（MOCVD）和氢化物气相外延（HVPE）在异质基底（10）上生长。连续化合物半导体厚膜（15）或晶片的进一步生长通过使用HVPE的外延横向过度生长实现。 ®KIPO＆WIPO 2009

27. 发明授权

KR100623564B1 Ⅲ족 질화물계 화합물 반도체 소자 有权
标题翻译：集团？氮化物半导体器件
公开(公告)号：KR100623564B1
公开(公告)日：2006-09-13
申请号：KR1020057025175
申请日：2001-02-23
申请人： 도요다 고세이 가부시키가이샤
发明人： 데젠유타
IPC分类号： H01L33/20 , H01L33/12
CPC分类号： H01L33/007 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02639 , H01L21/02647 , H01L21/0265 , H01L33/025 , H01S5/0213 , H01S5/32341 , H01S2304/12
摘要： 사파이어 기판(1)을 폭 10μm, 간격 10μm, 깊이 10μm의 스트라이프형으로 에칭한다. 다음에, AlN의 버퍼층(2)을 약 40nm의 두께로 기판(1)의 단차의 상단면과 바닥면에 주로 형성한다. 다음에, 종방향 및 횡방향 에피택셜 성장에 의해 GaN층(3)을 형성한다. 이 때, 주로 단차의 상단면에 형성된 버퍼층(21)으로부터의 횡방향 에피택셜 성장에 의해 단차가 덮혀 표면이 평탄하여 진다. 기판(1)의 깊이 10μm의 단차의 바닥면 상방으로 형성된 GaN(3) 부분은 단차의 상단면 상방으로 형성된 부분에 비하여 관통전위가 현저하게 억제된다.
III족 질화물계 화합물 반도체, 버퍼층, 에피택셜 성장, 사파이어 기판

28. 发明公开

KR1020040010271A 반도체 결정의 제조 방법 无效
标题翻译：制备半导体晶体的方法
公开(公告)号：KR1020040010271A
公开(公告)日：2004-01-31
申请号：KR1020030049557
申请日：2003-07-19
申请人： 도요다 고세이 가부시키가이샤
发明人： 나가이세이지 , 고지마아끼라 , 도미따가즈요시
IPC分类号： H01L21/324
CPC分类号： C30B29/406 , C30B25/02 , C30B25/18 , C30B29/403 , H01L21/0237 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/02502 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02639 , H01L21/0265
摘要： PURPOSE: To obtain a high-quality semiconductor crystal which is independent of a substrate. CONSTITUTION: A seed layer comprising a GaN layer 103 (a second layer of the seed layer) and an AlN buffer layer 102 (a first layer of the seed layer) are deposited onto a sapphire substrate 101, and its surface is etched in a striped manner with a stripe width(seed width) S of about 5 μm, a wing width W of about 15 μm and a depth of about 0.5 μm. This forms mesas with rectangular cross-sections, erosion remainder parts having the multilayered seed layer at their flat top parts are positioned at a cycle L of about20 μm, and the sapphire substrate 101 is partially exposed at trough parts of the wing. Preferably, the ratio S/W of the seed width to the wing width is from 1/3 to 1/5. Next, the semiconductor crystal A is grown to >=50 μm and separated from the substrate to obtain the high-quality single crystal independent of the substrate. By employing a halide vapor phase growth method and a V-III ratio of 30-80, the semiconductor crystal A having no crack is obtained.
摘要翻译：目的：获得独立于基板的高品质半导体晶体。构成：将包含GaN层103（种子层的第二层）和AlN缓冲层102（种子层的第一层）的种子层沉积在蓝宝石衬底101上，并将其表面以条纹方式具有约5μm的条纹宽度（种子宽度）S，约15μm的翼宽度W和约0.5μm的深度。这形成具有矩形横截面的台面，其平顶部具有多层种子层的侵蚀剩余部分位于约20μm的周期L处，并且蓝宝石衬底101部分地暴露在翼的槽部分。优选地，种子宽度与机翼宽度的比率S / W为1/3至1/5。接下来，将半导体晶体A生长至> =50μm并与衬底分离以获得独立于衬底的高质量单晶。通过使用卤化物气相生长法和30〜80的V-III比，可以得到没有裂纹的半导体晶体A.

29. 发明公开

KR1020010076261A 반도체 소자 및 그 제조 방법 无效
标题翻译：半导体元件和制造方法
公开(公告)号：KR1020010076261A
公开(公告)日：2001-08-11
申请号：KR1020010001864
申请日：2001-01-12
申请人： 소니 주식회사
发明人： 시부야가쓰요시 , 아사노다케하루 , 기지마사토루 , 야나시마가쓰노리 , 다케야모토노부 , 이케다마사오 , 히노도모노리 , 야마구치다카시 , 이케다신로 , 고토오사무
IPC分类号： H01S5/02
CPC分类号： H01L27/12 , B82Y20/00 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02639 , H01L21/0265 , H01L21/86 , H01S5/0213 , H01S5/22 , H01S5/2201 , H01S5/34333 , H01S2304/04 , H01S2304/12
摘要： PURPOSE: A semiconductor element is provided to improve crystallization of nitride-based III-V group compound semiconductor on a sapphire substrate. CONSTITUTION: After a seed crystal layer with a crystal part(12A) made of nitride-based III-V group compound semiconductor crystal and an opening(12B) is formed on a sapphire substrate, a recess(11B) continuously joined to the opening(12B) is formed in the sapphire substrate. An n-side contact layer(15) is grown from the crystal part(12A). As a result, a crystal grown sidewise from the crystal part(12A) is prevented from being in contact with the sapphire substrate(11), and the n-side contact layer(15) and the nitride-based III-V group compound semiconductor crystal have a low density of through dislocation while a fluctuation in crystal orientation is made small.
摘要翻译：目的：提供半导体元件以改善蓝宝石衬底上的氮化物基III-V族化合物半导体的结晶。构成：在蓝宝石基板上形成具有由氮化物系III-V族化合物半导体晶体构成的晶体部分（12A）和开口（12B）的晶种层后，连续地与开口部 12B）形成在蓝宝石衬底中。从晶体部分（12A）生长n侧接触层（15）。结果，防止从晶体部分（12A）侧向生长的晶体与蓝宝石衬底（11）接触，并且n侧接触层（15）和氮化物基III-V族化合物半导体晶体具有通过位错的低密度，而晶体取向的波动较小。

30. 发明授权

KR101761833B1 반도체 기판, 그 제조 방법, 반도체 디바이스 및 그 제조 방법 有权
标题翻译：半导体基板，其制造方法，半导体装置及其制造方法
公开(公告)号：KR101761833B1
公开(公告)日：2017-07-26
申请号：KR1020100066886
申请日：2010-07-12
申请人： 서울바이오시스 주식회사
发明人： 사카이시로
IPC分类号： H01L33/20
CPC分类号： H01L21/0262 , C30B25/02 , C30B29/406 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/0265 , H01L21/02656 , H01L25/0753 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 이종재료의기판상에서평탄하고박리가용이한 GaN 기판을저비용으로제조하는것을가능하게하는제조방법을제공함과동시에, 그 GaN 기판을이용해제조하는 LED나레이저다이오드등의반도체디바이스의저비용화, 성능향상또는장수명화를실현하는것이다. 본발명의반도체기판은, 기판과, 상기기판상에형성된제1 반도체층과, 상기제1 반도체층상의일부영역에형성된마스크와, 상기제1 반도체층및 상기마스크상에상기마스크와교차하는방향으로소정의패턴형상으로형성된금속성재료층과, 상기제1 반도체층상 및상기금속성재료층상에형성된제2 반도체층과, 상기금속성재료층보다하층부분의상기제1 반도체층에형성된공동을포함한다.
摘要翻译：平不同材料的基底和生产过程中在同一时间提供，这使得能够剥离的制造容易，成本低的GaN基板上，该半导体器件的成本，如LED，或者使用GaN衬底激光二极管制造，从而提高性能或长寿。本发明中，在基板和形成在形成于基板上的第一半导体层的第一半导体层的一部分的掩模的方向的一种半导体衬底，与所述第一半导体层和所述掩模上的掩模相交形成在第一半导体层和金属材料层上的第二半导体层;以及在金属材料层下面的第一半导体层中形成的空腔。

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