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21. 发明公开

KR1020070106599A 저잡음 이미지 센서 失效
标题翻译：低噪声图像传感器
公开(公告)号：KR1020070106599A
公开(公告)日：2007-11-02
申请号：KR1020070104645
申请日：2007-10-17
申请人： 한국전자통신연구원
发明人： 민봉기 , 김미진 , 송영주
IPC分类号： H01L27/146 , H01L31/107
CPC分类号： H01L27/14614 , H01L27/14601 , H01L27/14603
摘要： A low-noise image sensor is provided to use the maximum characteristic of an image sensor by controlling the generation of dark current of a photodiode while controlling the influence of dark current at a transient section of a transfer transistor of a CMOS(complementary metal oxide semiconductor) image sensor. A transfer transistor forms a charge transfer channel between a diffusion node and a photodiode. A dark current removing electrode overlaps a partial region of the photodiode and its peripheral region where dark current is generated, insulated from the partial region of the photodiode and the its peripheral region where dark current is generated. The dark current removing electrode is electrically connected to a gate electrode(630) of the transfer transistor, capable of being made of a transparent conductive material. The dark current removing electrode can be formed at the edge of the photodiode or in the periphery of an STI(shallow trench isolation).
摘要翻译：提供低噪声图像传感器以通过控制光电二极管的暗电流的产生来控制图像传感器的最大特性，同时控制CMOS（互补金属氧化物半导体）的传输晶体管的瞬态部分处的暗电流的影响）图像传感器。传输晶体管在扩散节点和光电二极管之间形成电荷转移通道。暗电流去除电极与产生暗电流的光电二极管及其周边区域的部分区域重叠，与光电二极管的局部区域和产生暗电流的周边区域绝缘。暗电流去除电极电连接到能够由透明导电材料制成的转移晶体管的栅电极（630）。暗电流去除电极可以形成在光电二极管的边缘或STI（浅沟槽隔离）的外围。

22. 发明公开

KR1020070061328A 이미지 센서 및 이미지 센서의 트랜스퍼 트랜지스터 구동방법 有权
标题翻译：图像传感器及其驱动方法传输
公开(公告)号：KR1020070061328A
公开(公告)日：2007-06-13
申请号：KR1020060098889
申请日：2006-10-11
申请人： 한국전자통신연구원
发明人： 민봉기 , 김미진 , 송영주
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H04N5/3597 , H01L27/14603 , H01L27/14609 , H04N5/357 , H04N5/361 , H04N5/3745
摘要： An image sensor and a method for driving a transfer transistor of the same are provided to prevent effectively a noise such as dark current under low operation voltage environment. An image sensor includes a photodiode(PD) and a transfer transistor(Tx) for transferring generated from the photodiode for transferring light-induced charges to a floating diffusion node. A floating diffusion node and a channel of the transfer transistor are separated into a depletion region in a turning-on state of the transfer transistor so that the transfer transistor is operated in a pseudo pinch-off mode.
摘要翻译：提供图像传感器和驱动其传输晶体管的方法，以在低操作电压环境下有效地防止诸如暗电流的噪声。图像传感器包括光电二极管（PD）和用于从用于将光诱导电荷转移到浮动扩散节点的光电二极管产生的转移的转移晶体管（Tx）。在传输晶体管的导通状态下，浮动扩散节点和传输晶体管的沟道被分离成耗尽区，使得传输晶体管以伪夹断模式操作。

23. 发明公开

KR1020060058573A 시모스 이미지센서 无效
标题翻译： Shimos图像传感器
公开(公告)号：KR1020060058573A
公开(公告)日：2006-05-30
申请号：KR1020040097659
申请日：2004-11-25
申请人： 한국전자통신연구원
发明人： 송영주 , 민봉기 , 강진영
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L27/14603 , H01L27/14601
摘要： 본 발명은 핀드 포토다이오드와 트랜스퍼 트랜지스터를 포함하는 시모스 이미지센서에 관한 것으로, 기판 상에 형성되며 게이트 절연막에 의해 상기 기판과 절연되는 게이트 전극, 상기 게이트 전극 일측부의 상기 기판에 형성된 제 1 플로팅 영역, 상기 게이트 전극 다른 일측부의 상기 기판에 형성된 포토다이오드용 제 1 불순물영역, 상기 포토다이오드용 제 1 불순물영역과 상기 게이트 전극 사이의 상기 기판에 형성된 제 2 플로팅 영역, 상기 포토다이오드용 제 1 불순물영역과 상기 제 2 플로팅 영역을 포함하는 상기 기판의 표면부에 형성된 포토다이오드용 제 2 불순물영역을 포함한다.
시모스 이미지센서, 핀드 포토다이오드, 플로팅영역, 전하전달효율

24. 发明公开

KR1020050065890A 반도체 소자의 옥시나이트라이드막 형성 방법 无效
标题翻译：在半导体器件中制造氧化膜的方法
公开(公告)号：KR1020050065890A
公开(公告)日：2005-06-30
申请号：KR1020030097050
申请日：2003-12-26
申请人： 한국전자통신연구원
发明人： 송영주 , 심규환 , 강진영
IPC分类号： H01L21/28
摘要： 본 발명은 실리콘 또는 응력이 인가된 실리콘(strained-Si)에 채널이 형성되는 소자, SOI(Silicon-On-Insulator) 기판을 기반으로 하는 금속-절연막-반도체 전계효과 트랜지스터(MOSFET)와 같은 반도체 소자의 게이트 절연막으로 이용되는 옥시나이트라이드(oxynitride)막 형성 방법에 관한 것으로, 산소 및 질소 원소를 포함하는 가스나 이들의 혼합 가스를 반응로 내부로 공급하는 과정에서 자외선(ultraviolet; UV)을 조사하여 가스의 분자 구조를 분해 및 변형시키고, 분해 및 변형된 가스 및 래디칼 분위기에서 실리콘 기판 상에 고품질의 옥시나이트라이드막이 성장되도록 한다.

25. 发明授权

KR100460201B1 ＳｉＧｅ/Ｓｉ 이종 접합 전계 효과 트랜지스터 제조용 기판의 형성 방법 失效
标题翻译： SiGe / Si嵌入式存储器
公开(公告)号：KR100460201B1
公开(公告)日：2004-12-08
申请号：KR1020020018878
申请日：2002-04-08
申请人： 한국전자통신연구원
发明人： 임정욱 , 송영주 , 심규환 , 강진영
IPC分类号： H01L29/737
摘要： PURPOSE: A method for forming a substrate for manufacturing an SiGe/Si HFET(Hetero-junction Field Effect Transistor) and the substrate thereof are provided to be capable of obtaining a thin buffer layer having good device characteristics by carrying out an in-situ heat treatment. CONSTITUTION: After forming the first silicon germanium layer(12) having an inhomogeneous germanium constitution on a silicon epitaxial layer(10), a heat treatment is carried out at the resultant structure by in-situ. Then, the second silicon germanium layer(14) having a homogeneous germanium, is formed on the resultant structure. A silicon cap layer(16) is formed on the second silicon germanium layer. At the time, the first and second silicon germanium layer are used as a buffer layer.
摘要翻译：目的：提供一种形成用于制造SiGe / Si HFET（异质结场效应晶体管）的衬底及其衬底的方法，其能够通过执行原位热获得具有良好器件特性的薄缓冲层治疗。构成：在硅外延层（10）上形成具有不均匀锗组成的第一硅锗层（12）之后，通过原位在所得结构上进行热处理。然后，在所得结构上形成具有均匀锗的第二硅锗层（14）。硅盖层（16）形成在第二硅锗层上。此时，第一和第二硅锗层被用作缓冲层。

26. 发明公开

KR1020040020582A 이중 구조의 나노점을 갖는 광전소자 및 그 제조방법 失效
标题翻译：使用双结构纳米光的光电装置及其制造方法
公开(公告)号：KR1020040020582A
公开(公告)日：2004-03-09
申请号：KR1020020052210
申请日：2002-08-31
申请人： 한국전자통신연구원
发明人： 심규환 , 송영주 , 김상훈 , 강진영
IPC分类号： H01L33/00 , B82Y20/00
CPC分类号： H01L29/127 , B82Y10/00 , B82Y20/00 , H01L31/102 , H01L33/08 , H01L33/18
摘要： PURPOSE: An optoelectronic device using dual structure nano dots and a method for manufacturing the same are provided to maximize a photoelectric effect by forming the optoelectronic device with an electron injecting layer, a hole injecting layer, a quantum well layer, and the nano-dot of the double structure. CONSTITUTION: An optoelectronic device using dual structure nano dots includes an electron injecting layer(11), a nano-dot, and a hole injecting layer(12). The nano-dot is formed with the double structure of an external nano-dot(15) and an internal nano-dot(16). The external nano-dot(15) is formed with an indirect transition semiconductor. The internal nano-dot(16) is formed with a direct transition semiconductor. The optoelectronic device having the nano-dot of the double structure further includes a quantum well layer(14) which is formed between the electron injecting layer(11) and the hole injecting layer(12). The nano-dot is formed within the quantum well layer.
摘要翻译：目的：提供一种使用双结构纳米点的光电子器件及其制造方法，以通过用电子注入层，空穴注入层，量子阱层和纳米点形成光电器件来最大化光电效应的双重结构。构成：使用双结构纳米点的光电子器件包括电子注入层（11），纳米点和空穴注入层（12）。纳米点由外部纳米点（15）和内部纳米点（16）的双重结构形成。外部纳米点（15）由间接转移半导体形成。内部纳米点（16）形成有直接跃迁半导体。具有双重结构的纳米点的光电器件还包括形成在电子注入层（11）和空穴注入层（12）之间的量子阱层（14）。纳米点形成在量子阱层内。

27. 发明授权

KR100857453B1 저전압용 이미지 센서의 감광 픽셀 失效
标题翻译：低电压图像传感器的光敏像素
公开(公告)号：KR100857453B1
公开(公告)日：2008-09-08
申请号：KR1020060096333
申请日：2006-09-29
申请人： 한국전자통신연구원
发明人： 김미진 , 민봉기 , 송영주
IPC分类号： H01L27/14
CPC分类号： H01L27/14609 , H01L27/14603 , H01L27/1463 , H01L27/14689
摘要： 본 발명은 일반적인 4-트랜지스터 씨모스 이미지센서의 구조에 있어서 기존의 구조와는 달리 픽셀내의 트랜스퍼 트랜지스터가 포토 다이오드의 리셋 및 트랜스퍼 동작 시, 구동 전압이나 구동 방법과 상관없이, 트랜스퍼 트랜지스터의 턴온 전압에 영향을 받지 않는 채널과 분리된 공핍영역이 존재하도록 픽셀구조를 변경함으로써 트랜스퍼 트랜지스터의 동작조건 변화 및 픽셀간 특성의 불일치에 의해 발생하는 암전류 및 고정 패턴(fixed pattern) 잡음을 감소시키는 것을 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 이미지 센서는, 포토다이오드에서 생성된 광 유발 전하를 전달하기 위한 트랜스퍼 트랜지스터를 포함하는 감광 픽셀에서 상기 트랜스퍼 트랜지스터의 채널과 확산 노드 사이에 공핍영역이 존재하도록, 즉 다시 말해 유사 핀치오프 상태로 동작하도록, 상기 트랜스퍼 트랜지스터에서 포토다이오드에 근접한 게이트 절연막의 두께보다 확산 노드쪽 절연막이 더 두꺼운, 즉 트랜스퍼 트랜지스터의 절연막이 단이 지거나 점진적인 두께 변화를 가지는 구조이거나, 상기 트랜스퍼 트랜지스터의 채널과 확산 노드 사이에 기판의 도핑 물질과 전기적으로 동일한 물질을 이용하여 포켓/할로 임플란트를 한 구조를 포함하는 것을 특징으로 한다.
CMOS, CIS, 이미지 센서, 핀치-오프(pinch off), 암전류(dark current), 고정 패턴 잡음(fixed pattern noise)
摘要翻译：本发明中，不论复位，并且当传输操作中，驱动电压或在与常规像素结构根据常规四晶体管的CMOS图像传感器的结构的光电二极管的转移晶体管的驱动方法中，在导通传输晶体管的电压通过改变像素结构，使得有一个单独的耗尽区，并且不受影响的信道，其目的是为了减少转移晶体管的暗电流和固定模式（固定模式）噪声引起的操作条件变化的错配，和像素间特性。

28. 发明公开

KR1020080071951A 이미지 센서 및 이미지 센서의 트랜스퍼 트랜지스터 구동방법 失效
标题翻译：图像传感器及其驱动方法传输系统
公开(公告)号：KR1020080071951A
公开(公告)日：2008-08-05
申请号：KR1020080065038
申请日：2008-07-04
申请人： 한국전자통신연구원
发明人： 민봉기 , 김미진 , 송영주
IPC分类号： H04N5/361 , H04N5/365 , H04N5/374
CPC分类号： H04N5/3597 , H01L27/14603 , H01L27/14609 , H04N5/357 , H04N5/361 , H04N5/3745
摘要： An image sensor and a method for driving a transfer transistor thereof are provided to restrict noise components such as female current in a low operation voltage environment and/or at low costs by applying higher potential than power supply potential to turn on gate potential of a reset transistor and applying the power supply potential to the turn on gate potential of the transfer transistor. An image sensor comprises a photodiode(PD), a transfer transistor(Tx), and a reset transistor. The transfer transistor transfers a photo induced charge generated in the photo diode to a floating diffusion node(131). The reset transistor resets the floating diffusion node. Potential higher than power supply potential is applied as a turn on gate potential of the reset transistor. The power supply potential is applied as the turn on gate potential of the transfer transistor. The transfer transistor includes a p type doping part, a gate oxide(320), and a gate electrode(310). The p type doping part is formed in surface p type areas(330,332) of the photodiode and charge transfer channels from the photodiode to a diffusion node(340). The gate oxide is placed on the p type doping part and the charge transfer channels. The gate electrode is placed on the gate oxide.
摘要翻译：提供图像传感器和驱动其传输晶体管的方法，以通过施加比电源电位高的电位来限制复位的栅极电位，以在低操作电压环境中和/或以低成本来限制诸如母电流的噪声分量晶体管，并将电源电位施加到转移晶体管的导通栅极电位。图像传感器包括光电二极管（PD），传输晶体管（Tx）和复位晶体管。传输晶体管将在光电二极管中产生的感光电荷传输到浮动扩散节点（131）。复位晶体管复位浮动扩散节点。施加高于电源电位的电位作为复位晶体管的栅极电位的导通。施加电源电位作为转移晶体管的导通电位。转移晶体管包括p型掺杂部分，栅极氧化物（320）和栅电极（310）。 p型掺杂部分形成在光电二极管的表面p型区域（330,332）和从光电二极管到扩散节点（340）的电荷转移通道。栅极氧化物放置在p型掺杂部分和电荷转移通道上。栅极放置在栅极氧化物上。

29. 发明授权

KR100835381B1 저전압용 이미지 센서 및 이미지 센서의 트랜스퍼트랜지스터 구동 방법 失效
标题翻译：低工作电压图像传感器及其驱动方式传输晶体管
公开(公告)号：KR100835381B1
公开(公告)日：2008-06-04
申请号：KR1020070022980
申请日：2007-03-08
申请人： 한국전자통신연구원
发明人： 김미진 , 민봉기 , 송영주 , 박성수
IPC分类号： H04N5/374 , H04N5/361 , H04N5/365 , H04N5/355
摘要： 본 발명은 일반적인 4-트랜지스터 씨모스 이미지센서의 구조에 있어서 기존의 트랜스퍼 트랜지스터의 구조와 구동방식을 변경하여, 확산노드의 전압이나 물리적 구조 등에 따라 확산노드가 포토다이오드의 리셋이나 트랜스퍼 과정에 미치는 영향을 제거함으로써, 저전압 동작환경에서 포토다이오드의 리셋 전압 감소 및 트랜스퍼 트랜지스터의 동작조건 변화 및 픽셀간 특성의 불일치에 의해 발생하는 암전류 및 고정 패턴(fixed pattern) 잡음 이미지 래그(image lag)를 감소시키고 포토다이오드의 웰 캐패시티(well capacity)를 증가시키는 것을 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 이미지 센서는, 광을 감지하는 수광소자와 수광소자에서 생성된 광 유발 전하를 외부회로로 독출하기 위한 신호변환부를 포함하는 이미지 센서에서, 2개 이상의 게이트 전극으로 구성된 트랜스퍼 트랜지스터를 특징으로 하여, 포토다이오드와 가장 인접한 게이트 전극 하부의 채널로 광전하가 이동할 때 확산노드와 인접한 트랜스퍼 게이트 전극을 턴오프 상태로 유지하여포토다이오드에서 광전하가 방출될 때 확산노드가 광전하의 방출 정도에 미치는 영향을 제거함을 구동 특징으로 하고, 상기 게이트 전극 구조에 대한 인가전압의 크기, 전압 인가의 방법, 턴온 전압의 유지 시간 등의 구동조건을 특징으로 하며, 이러한 요소들을 이용하여 포토다이오드내 전하의 효과적인 방출과 확산노드로의 이동을 용이하게 함을 또 다른 특징으로 한다.
또한 상기 감광 픽셀에서 확산노드와 인접한 게이트 전극을 턴오프하여 포토 다이오드에 가까운 게이트 전극이 딥 디플리션(deep depletion)상태로 동작하여, 웰 캐패시티와 다이나믹 레인지를 증가시키고 광 전하의 독출 시간을 단축하는 것을 또 다른 특징으로 한다.
CMOS, CIS, 이미지 센서, 전송게이트(transfer transistor), 암전류(dark current), 고정 패턴 잡음(fixed pattern noise), 웰 캐패시티(well capacity)

30. 发明授权

KR100834547B1 저잡음 이미지 센서 失效
标题翻译：低噪音图像传感器
公开(公告)号：KR100834547B1
公开(公告)日：2008-06-02
申请号：KR1020070104645
申请日：2007-10-17
申请人： 한국전자통신연구원
发明人： 민봉기 , 김미진 , 송영주
IPC分类号： H01L27/146 , H01L31/107
CPC分类号： H01L27/14614 , H01L27/14601 , H01L27/14603
摘要： 본 발명은 포토다이오드에서 확산 노드 영역으로의 전하 전송 효율을 증대시킴과 동시에 암전류 발생을 효과적으로 억제할 수 있는 CMOS 이미지 센서에 관한 것이다.
본 발명의 이미지 센서는, 확산 노드; 포토다이오드; 상기 확산 노드와 포토다이오드간에 전하 전송 채널을 형성하기 위한 트랜스퍼 트랜지스터; 및 상기 트랜스퍼 트랜지스터의 게이트 전극과 전기적으로 연결되며, 상기 포토다이오드 영역 중 암전류가 발생하는 일부 영역과 절연된 상태로 오버랩되는 암전류 제거 전극을 포함하는 것을 특징으로 한다.
CMOS, CIS, 이미지 센서, 웰 커패시티, 트랜스퍼 트랜지스터
摘要翻译：本发明中的光电二极管和同时增加的电荷转移到一个CMOS图像传感器，它可以有效地抑制暗电流产生的节点扩散区的效率。

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