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    • 22. 发明公开
    • 연속형건식어트리션밀
    • 连续型
    • KR1019980048154A
    • 1998-09-15
    • KR1019960066706
    • 1996-12-17
    • 한국원자력연구원한국전력공사
    • 김한수이영우나상호김시형손동성
    • G21C21/00G21C3/58
    • 본 발명은 연속형 건식 어트리션 밀(Attrition Mill)에 관한 것으로, 그 목적은 자(jar) 내에서의 분말 하강 속도를 감소시키고, 자의 바닥 가장 자리에 분말이 고착되지 않도록 하며, 혼합핵연료의 원료 분말들을 균일하게 혼합/분쇄함과 동시에 생산성이 높고 사용이 간편한 연속형 건식 어트리션 밀을 제공하는 것이다.
      본 발명은 혼합핵연료 또는 첨가제 함유 핵연료 분말을 상·하부로 분리된 자의 상부 커버(cover)에 위치한 분말 투입구를 통하여 투입하고, 상기 투입된 분말은 디스크(disc)와 회전날개가 조합하여 조립된 임펠러에 의하여 자내에서 혼합·분쇄되며, 상기 혼합·분쇄된 분말은 자 하단에 위치한 분말용기에 모이게 됨과 동시에, 상기 분말 용기에 모인 분말을 자의 상부 커버에 위치한 분말 투입구를 통하여 자내로 다시 투입하여 연속적으로 건식 어트리션 밀링(milling) 처리하는 연속형 건식 어트리션 밀을 제공하는 것이다.
    • 26. 发明公开
    • 광역 에너지 다중모드 방사선 영상장치
    • 宽能量范围多模放射成像装置
    • KR1020170004360A
    • 2017-01-11
    • KR1020150094618
    • 2015-07-02
    • 한국원자력연구원
    • 하장호김한수김영수강창구정만희오준호
    • A61B6/00
    • 본발명은방사선을이용하여비파괴적으로피사체를영상화하는종래의 CT, PET, SPECT 및치료방사능장치와같은방사선영상장치를하나의기기로구현하고, 간단한조작만으로원하는장치를선택하고, 그에따른결과를얻을수 있도록하는광역에너지다중모드방사선영상장치에관한것으로, 방사선을기반으로하여영상신호를생성하고출력하는복수의영상센서들; 피사체를중심으로복수의영상센서들이일정방향으로회전구동되도록하는복수의지지구조체들; 영상센서들에각각구비되며, 지지구조체상에서영상센서들이선택적으로회전구동되도록하는복수의회전구동부들; 외부에서설정조건을선택할수 있도록설정조건메뉴화면이제공되도록제어하고, 설정조건메뉴화면에의해선택된설정조건에따라상기회전구동부들이선택적으로회전구동되도록제어하는제어부; 제어부의제어에응하여외부에서설정조건을선택할수 있도록설정조건메뉴화면을제공하고, 선택된설정조건을제어부로출력하는사용자인터페이스부; 및영상센서들로부터영상신호를입력받아 2차원영상또는 3차원영상으로변환시켜출력하는영상처리부를포함한다. 이에따라, 1개의장비로다양한방사선영상모달리티를구현할수 있도록하는효과가있다.
    • 29. 发明公开
    • 반도체 센서를 이용한 방사선 계측 시스템 및 계측 방법
    • 半导体检测器,辐射检测系统及其相关方法
    • KR1020140112955A
    • 2014-09-24
    • KR1020130027686
    • 2013-03-15
    • 한국원자력연구원
    • 정만희하장호김한수김영수
    • H01L27/14G01T1/24
    • The present invention relates to a semiconductor sensor having a delay line structure and a radiation measurement system and measurement method using the same. The semiconductor sensor includes a semiconductor substrate; a first electrode formed on the upper part of the semiconductor substrate in a single wire electrode structure, an upper layer which is formed on the upper part of the first electrode to prevent the distortion of a high frequency signal and signal loss, and a second electrode which is formed on the lower part of the semiconductor substrate by using a conductive material. The first electrode includes a delay line which is arranged in a zigzag pattern on the upper surface of the semiconductor substrate and first and second cathodes which are connected to both ends of the delay line so as to be applied to a large area radiation imaging system, reduce the number of components of the radiation imaging system, and save production costs.
    • 本发明涉及一种具有延迟线结构的半导体传感器及其辐射测量系统及其测量方法。 半导体传感器包括半导体衬底; 在单线电极结构中形成在半导体衬底的上部的第一电极,形成在第一电极的上部以防止高频信号和信号损失的失真的上层,以及第二电极 其通过使用导电材料形成在半导体衬底的下部。 第一电极包括在半导体衬底的上表面上以锯齿形图案布置的延迟线和连接到延迟线的两端以便施加到大面积辐射成像系统的第一和第二阴极, 减少辐射成像系统的部件数量,节省生产成本。
    • 30. 发明公开
    • 실리콘 방사선 센서를 이용한 컴프턴 에지 검출 기반의 방사선 검출방법
    • 硅辐射检测器,其选择方法及其基于使用其的珀顿边缘检测的辐射检测方法
    • KR1020140112953A
    • 2014-09-24
    • KR1020130027683
    • 2013-03-15
    • 한국원자력연구원
    • 정만희하장호김한수김영수
    • H01L27/14G01T1/24
    • The present invention relates to a silicon radiation sensor, a manufacturing method thereof, and a method to detect radiation based on Compton edge detection by using the same. Provided is the composition including (a) a step of forming first and second SiO2 layers on upper and lower surfaces of a silicon wafer respectively, (b) a step of depositing poly silicon by spinning and coating the first SiO2 layer on the upper surface of the wafer and removing the second SiO2 layer on the lower surface of the wafer, (c) a step of patterning the upper surface of the wafer and doping the surface with boron, and (d) a step of forming a cathode electrode on the patterned part of the upper surface of the wafer and forming an anode electrode on the lower surface of the wafer. Therefore, as a silicon radiation sensor having the thickness of more than 1 mm is manufactured by using a general method to manufacture a silicon radiation sensor, a manufacturing cost is reduced.
    • 本发明涉及一种硅辐射传感器及其制造方法以及通过使用该方法来检测基于康普顿边缘检测的辐射。 提供的组合物包括(a)分别在硅晶片的上表面和下表面上形成第一和第二SiO 2层的步骤,(b)通过在第一SiO 2层的上表面上旋转和涂覆第一SiO 2层来沉积多晶硅的步骤 晶片,并且去除晶片的下表面上的第二SiO 2层,(c)图案化晶片的上表面并用硼掺杂表面的步骤,以及(d)在图案化上形成阴极电极的步骤 晶片的上表面的一部分,并在晶片的下表面上形成阳极电极。 因此,通过使用一般的制造硅辐射传感器的方法制造厚度大于1mm的硅辐射传感器,制造成本降低。