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21. 发明公开

KR1020040050565A 금속배선층 연마용 ＣＭＰ 슬러리 조성물 有权
标题翻译：用于抛光金属线层的CMP浆料组合物
公开(公告)号：KR1020040050565A
公开(公告)日：2004-06-16
申请号：KR1020020078421
申请日：2002-12-10
申请人： 제일모직주식회사
发明人： 이재석 , 김원래 , 강동헌 , 이인경 , 이길성
IPC分类号： H01L21/304
摘要： PURPOSE: A CMP(Chemical Mechanical Polishing) slurry composition for polishing a metal line layer is provided to be capable of improving the selectivity ratio of polishing speed for decreasing the polishing speed for an insulating layer and increasing the polishing speed for the metal line layer. CONSTITUTION: A CMP slurry composition contains an abrasive distributed in deionized water, the first oxidizer, and the second oxidizer. The CMP slurry composition further contains a metal-chelate complex and a pH control agent. At this time, fuming alumina or ceria micro powder is used as the abrasive. The fuming alumina has the surface area for the first grain in the range of 130-300 m2/g. Preferably, the first oxidizer is one selected from a group consisting of hydrogen peroxide, benzoyl peroxide, calcium peroxide, barium peroxide, and sodium peroxide.
摘要翻译：目的：提供一种用于抛光金属线层的CMP（化学机械抛光）浆料组合物，其能够提高抛光速度的选择率，以降低绝缘层的抛光速度并提高金属线层的抛光速度。构成：CMP浆料组合物含有分散在去离子水中的研磨剂，第一氧化剂和第二氧化剂。 CMP浆料组合物还含有金属螯合络合物和pH控制剂。此时，使用发烟氧化铝或二氧化铈微粉作为研磨剂。发烟氧化铝的第一颗粒的表面积在130-300m2 / g的范围内。优选地，第一氧化剂是选自过氧化氢，过氧化苯甲酰，过氧化钙，过氧化钡和过氧化钠中的一种。

22. 发明授权

KR101279968B1 ＣＭＰ 슬러리 조성물 有权
标题翻译： CMP浆料组合物
公开(公告)号：KR101279968B1
公开(公告)日：2013-07-17
申请号：KR1020080138693
申请日：2008-12-31
申请人： 제일모직주식회사
发明人： 김태영 , 박태원 , 이인경
IPC分类号： C09K3/14
摘要： 본 발명은 반도체 소자의 제조 기술에 사용되는 CMP 슬러리 조성물에 관한 것으로, 기판 표면의 평탄화 공정, 층간 절연막의 평탄화 공정 및 STI(shallow trench isolation) 공정 등에 사용되는 CMP 슬러리 조성물에 관한 것이다. 본 발명은 CMP 슬러리 조성물에 있어서, 산화세륨 및 함질소 고분자 분산제를 포함하는 산화세륨 분산액; 및 유기산을 포함하는 첨가액를 특징으로 하는 CMP용 슬러리 조성물을 제공한다. 본 발명에 따르면, 저농도의 산화세륨으로도 높은 연마속도 및 고선택비를 나타내는 CMP 슬러리 조성물이 제공된다.
CMP, 슬러리, STI, 분산액, 첨가액, 함질소 폴리머, 유기산

23. 发明授权

KR101279971B1 구리 배리어층 연마용 ＣＭＰ 슬러리 조성물, 이를 이용한 연마 방법, 및 그 연마방법에 의해 제조된 반도체 소자 有权
标题翻译：用于抛光铜阻挡层的CMP浆料组合物，使用该组合物的研磨方法以及通过该方法表现的半导体器件
公开(公告)号：KR101279971B1
公开(公告)日：2013-07-05
申请号：KR1020090086869
申请日：2009-09-15
申请人： 제일모직주식회사
发明人： 이태영 , 이인경 , 최병호 , 박용순
IPC分类号： C09K3/14
摘要： 연마제, 구리 표면 보호제, 구리표면 부식 억제제, 산화제, 및 pH 조절제를 포함하는 구리 배리어층 연마용 CMP 슬러리 조성물에 있어서, 상기 연마제는 비구형 콜로이드 실리카이고, 막질별 연마속도 비는 0.80 ~ 1.20인 것임을 특징으로 하는 구리 배리어층 연마용 CMP 슬러리 조성물에 관한 것이다.
본 발명의 구리 배리어층 연마용 CMP 슬러리 조성물은 배리어 막질인 탄탈륨과 절연층 막질인 실리콘 산화막에 대해서 높은 연마 속도를 가지며, 탄탈륨:산화막:구리에 대한 연마속도 비가 약 1:1:1로 비선택성을 가져 최종 연마 후의 표면 결함을 최소화시킬 수 있으므로 구리 배리어층 연마 공정에 유용하다.
구리, 배리어층, CMP, 슬러리, 비구형 콜로이드 실리카, 구리 표면 보호제, 탄탈륨, 산화막, 연마 속도, 비선택성, 표면 결함

24. 发明授权

KR101279966B1 금속 배선 연마용 ＣＭＰ 슬러리 조성물 및 이를 이용한 연마 방법 有权
标题翻译：用于金属丝抛光的CMP浆料组合物及使用其的抛光方法
公开(公告)号：KR101279966B1
公开(公告)日：2013-07-05
申请号：KR1020080135867
申请日：2008-12-29
申请人： 제일모직주식회사
发明人： 김태완 , 강동헌 , 임건자 , 최원영 , 이인경
IPC分类号： C09K3/14
摘要： 본 발명은 금속 배선 연마용 CMP 슬러리 조성물에 관한 것으로, 보다 상세하게는 초순수, 연마제, 산화제, 금속 착화합물, 유기산, 및 무기산을 포함하는 CMP 슬러리 조성물에 있어서, 상기 연마제로 1차 입경이 35 ~ 65nm인 콜로이드 실리카를 전체 CMP 슬러리 조성물에 대하여 0.1 ~ 1.5 중량%로 사용하고, 상기 산화제로 과산화수소, 벤조일 퍼옥사이드, 칼슘 퍼옥사이드, 바륨 퍼옥사이드, 소듐 퍼옥사이드, 및 암모늄 퍼옥사이드로 이루어진 그룹에서 선택되는 1종 이상의 과산화 화합물을 전체 CMP 슬러리 조성물에 대하여 0.1 ~ 5 중량%로 사용하며, 상기 금속 착화합물로 구연산철암모늄(Ferric ammonium citrate)을 전체 CMP 슬러리 조성물에 대하여 0.1 ~ 1.5 중량%로 사용하며, 상기 유기산으로 아세트산, 시트르산, 글루타르산, 글루콜산, 포름산, 젖산, 말산, 말론산, 말레산, 옥살산, 프탈산, 숙신산, 및 타르타르산으로 이루어진 그룹에서 선택되는 1종 이상의 카르복시산을 전체 CMP 슬러리 조성물에 대하여 0.05 ~ 0.35 중량%로 사용하며, 상기 무기산으로 질산, 황산, 인산, 및 염산으로 이루어진 그룹에서 선택되는 1종 이상을 전체 CMP 슬러리 조성물에 대하여 0.05 ~ 0.35 중량%로 사용하는 것을 특징으로 하는 금속 배선 연마용 CMP 슬러리 조성물에 관한 것이다.
본 발명의 CMP 슬러리 조성물은 금속 배선에 대하여 높은 연마 속도를 나타내어 연마 공정 시간이 짧으며, 이로전(erosion) 등의 표면 결함이 적으므로 금속 배선 연마 공정에 유용하다.
금속 배선, CMP 슬러리, 콜로이드 실리카, 과산화 화합물, 구연산철암모늄, 유기산, 무기산, 연마 속도, 이로전(erosion), 표면 결함
摘要翻译：本发明涉及一种用于金属丝研磨CMP浆料组合物，更具体地涉及超纯水，研磨剂，氧化剂，金属络合物，有机酸，和在CMP浆料组合物，其包括无机酸，一次粒径在浆料35〜65nm的使用胶态二氧化硅以0.1至1.5重量％，基于总的CMP浆料组合物的重量，和所述氧化剂，过氧化氢，过氧化苯甲酰，过氧化钙，过氧化钡，过氧化钠，和选自过氧化铵的组中选择使用的0.1至5％（重量）相对于整个CMP浆料组合物中的至少一种过氧化物化合物，和基于总CMP浆料组合物用于金属络合物的柠檬酸铁铵（柠檬酸铁铵）0.1至1.5％（重量），乙酸作为有机酸，柠檬酸，戊二酸，葡糖酸，甲酸，乳酸，苹果酸，丙二酸，马来酸，草酸，邻苯二甲酸，琥珀酸，并使用选自由酒石酸组成的组中选择的一种或多种酸，0.05％至0.35％的，基于总CMP浆料组合物的重量，由用硝酸，硫酸，磷酸，和盐酸的无机酸的组基于全部CMP浆料组合物计，为0.05-0.35重量％。

25. 发明授权

KR101279964B1 구리 배선 연마용 ＣＭＰ 슬러리 조성물 및 이를 이용한 연마 방법 有权
标题翻译：用于铜线抛光的CMP浆料组合物及使用其的抛光方法
公开(公告)号：KR101279964B1
公开(公告)日：2013-07-05
申请号：KR1020080135814
申请日：2008-12-29
申请人： 제일모직주식회사
发明人： 김원래 , 노종일 , 츄호머 , 이태영 , 최병호 , 이인경
IPC分类号： C09K3/14
摘要： 본 발명은 구리 배선 연마용 CMP 슬러리 조성물에 관한 것으로, 보다 상세하게는 초순수, 연마제, 산화제, 부식 억제제, 및 유기산을 포함하는 CMP 슬러리 조성물에 있어서, 상기 부식 억제제로 암모니아, 알킬 아민류, 아미노산류, 이민류, 및 아졸류로 이루어진 그룹에서 선택되는 2종 이상의 화합물을 사용하는 것을 특징으로 하는 구리 배선 연마용 CMP 슬러리 조성물에 관한 것이다.
본 발명의 CMP 슬러리 조성물은 구리 배선에 대하여 높은 연마 속도를 나타낼 뿐만 아니라, 낮은 에칭 속도에 의하여 피연마물 표면에서의 디싱(dishing) 현상이 감소되므로, 구리 배선 연마 공정에 유용하다.
구리, 연마, CMP, 슬러리, 부식 억제제, 연마 속도, 에칭 속도, 디싱 현상
摘要翻译：本发明涉及用于铜布线抛光CMP浆料组合物，更具体地，在CMP浆料组合物，包括去离子水，研磨剂，氧化剂，腐蚀抑制剂，和有机酸，氨，烷基胺，在所述腐蚀抑制剂的酸的氨基酸，本发明涉及一种迁移流动，并且唑基2铜布线抛光其包括使用从包括选择的至少一种化合物的CMP浆料组合物。

26. 发明授权

KR101178718B1 금속 배선 연마용 ＣＭＰ 슬러리 조성물 및 이를 이용한 연마 방법 有权
标题翻译：用于抛光金属布线的CMP浆料组合物及其使用的抛光方法
公开(公告)号：KR101178718B1
公开(公告)日：2012-08-31
申请号：KR1020080135278
申请日：2008-12-29
申请人： 제일모직주식회사
发明人： 김태완 , 강동헌 , 임건자 , 최원영 , 이인경
IPC分类号： C09K3/14
摘要： 본 발명은 금속 배선 연마용 CMP 슬러리 조성물에 관한 것으로, 보다 상세하게는 초순수, 연마제, 산화제, 금속 착화합물, 및 고분자 화합물을 포함하는 CMP 슬러리 조성물에 있어서, 상기 고분자 화합물로 아크릴산과 아크릴아미드의 공중합 비율이 1:30 내지 30:1인 아크릴산-아크릴아미드 공중합체를 사용하는 것을 특징으로 하는 금속 배선 연마용 CMP 슬러리 조성물에 관한 것이다.
본 발명의 CMP 슬러리 조성물은 금속 배선에 대하여 높은 연마 속도를 나타내어 연마 공정 시간이 짧으며, 이로전(erosion) 등의 표면 결함이 적으므로 금속 배선 연마 공정에 유용하다.
금속 배선, CMP 슬러리, 아크릴산-아크릴아미드 공중합체, 연마 속도, 이로전(erosion), 표면 결함

27. 发明公开

KR1020100080074A 금속 배선 연마용 ＣＭＰ 슬러리 조성물 및 이를 이용한 연마 방법 有权
标题翻译：用于抛光金属接线的CMP浆料组合物和使用其的抛光方法
公开(公告)号：KR1020100080074A
公开(公告)日：2010-07-08
申请号：KR1020080138695
申请日：2008-12-31
申请人： 제일모직주식회사
发明人： 임건자 , 이인경 , 강동헌 , 최원영 , 김태완
IPC分类号： C09K3/14
摘要： PURPOSE: A slurry composition is provided to minimize recess and erosion generated in chemical mechanical polishing process and to control polishing characteristic between the metal layer and insulating layer. CONSTITUTION: A slurry composition for chemical mechanical polishing contains polishing agent, oxidizer, ultrapure water. CeO_2 is used of colloid type as a polishing agent. The slurry is a form which CeO_2 of colloid type in ultrapure water. The concentration of the CeO_2 of colloid type is 0.01-20 weight% based on solid content. The average size of the primary particle is 10-200nm. An oxidizer is contained in 0.1-20 weight%.
摘要翻译：目的：提供浆料组合物以最小化化学机械抛光工艺中产生的凹陷和侵蚀，并控制金属层和绝缘层之间的抛光特性。构成：用于化学机械抛光的浆料组合物含有抛光剂，氧化剂，超纯水。 CeO_2用作胶体型作为抛光剂。浆液是超纯水中胶体型CeO_2的形式。基于固体含量，胶体型CeO_2的浓度为0.01-20重量％。初级粒子的平均粒径为10-200nm。氧化剂含量为0.1-20重量％。

28. 发明公开

KR1020100077814A 금속 배선 연마용 ＣＭＰ 슬러리 조성물 및 이를 이용한 연마 방법 有权
标题翻译：用于抛光金属接线的CMP浆料组合物和使用其的抛光方法
公开(公告)号：KR1020100077814A
公开(公告)日：2010-07-08
申请号：KR1020080135867
申请日：2008-12-29
申请人： 제일모직주식회사
发明人： 김태완 , 강동헌 , 임건자 , 최원영 , 이인경
IPC分类号： C09K3/14
摘要： PURPOSE: A chemical mechanical polishing slurry composition is provided to have a high polishing speed of a copper wiring and to be used for polishing process of the metal wiring due to a short polishing process time and few surface defect including erosion. CONSTITUTION: A chemical mechanical polishing slurry composition includes ultrapure water, an abrasive, an oxidizing agent, a metal complex compound, an organic acid, and an inorganic acid. The abrasive is colloid silica having a first particle diameter of 35-65 nm and the abrasive is used with an amount of 0.1-1.5 weight% based on the total slurry composition. The oxidizing agent is a peroxide compound which is selected from benzoyl peroxide, calcium peroxide, barium peroxide, sodium peroxide, and ammonium peroxide.
摘要翻译：目的：提供化学机械抛光浆料组合物以具有高的抛光速度的铜布线并且由于抛光时间短和包括腐蚀在内的少量表面缺陷而用于金属布线的抛光工艺。构成：化学机械抛光浆料组合物包括超纯水，研磨剂，氧化剂，金属络合物，有机酸和无机酸。研磨剂是第一粒径为35-65nm的胶体二氧化硅，并且研磨剂的使用量相对于总淤浆组成为0.1-1.5重量％。氧化剂是选自过氧化苯甲酰，过氧化钙，过氧化钡，过氧化钠和过氧化铵的过氧化物。

29. 发明公开

KR1020100077701A 구리 배선 연마용 ＣＭＰ 슬러리 조성물 및 이를 이용한 연마 방법 有权
标题翻译：用于抛光铜线的CMP浆料组合物和使用其的抛光方法
公开(公告)号：KR1020100077701A
公开(公告)日：2010-07-08
申请号：KR1020080135723
申请日：2008-12-29
申请人： 제일모직주식회사
发明人： 노종일 , 츄호머 , 김원래 , 이인경
IPC分类号： C09K3/14
摘要： PURPOSE: A chemical mechanical polishing slurry composition is provided to have high polishing speed of a copper wiring, to obtain excellent polishing uniformity, and to be used for a polishing process of the copper wiring. CONSTITUTION: A chemical mechanical polishing slurry composition for polishing a copper wiring includes ultrapure water, an abrasive, an oxidizing agent, a corrosion inhibitor, an organic acid, and an additive. An anionic surfactant is used as the additive in an amount of 10-400 ppm based on the total slurry composition. The anionic surfactant is selected from a group comprising sulfonates, sulfonate esters, phosphate esters, and carboxylates.
摘要翻译：目的：提供化学机械抛光浆料组合物以具有高的抛光速度的铜布线，以获得优异的抛光均匀性，并用于铜布线的抛光工艺。构成：用于抛光铜布线的化学机械抛光浆料组合物包括超纯水，研磨剂，氧化剂，防腐剂，有机酸和添加剂。使用阴离子表面活性剂作为添加剂，其量为10-400ppm，基于总淤浆组成。阴离子表面活性剂选自包括磺酸盐，磺酸酯，磷酸酯和羧酸盐的组。

30. 发明公开

KR1020100072686A 다결정 실리콘 연마용 ＣＭＰ 슬러리 조성물 및 이를 이용한 연마 방법 有权
标题翻译：用于抛光聚硅层的CMP浆料组合物和使用其的抛光方法
公开(公告)号：KR1020100072686A
公开(公告)日：2010-07-01
申请号：KR1020080131167
申请日：2008-12-22
申请人： 제일모직주식회사
发明人： 정재훈 , 이인경
IPC分类号： C09K3/14
摘要： PURPOSE: A chemical mechanical polishing(CMP) slurry composition and a polishing method using thereof are provided to improve the polishing selectivity of the composition for an oxide film which is a polishing stop film. CONSTITUTION: A chemical mechanical polishing(CMP) slurry composition contains ultra-pure water, an abrasive, a surfactant, and a pH controlling agent. The surfactant is selected from an anionic surfactant and a gemini type surfactant. The anionic surfactant is polyoxyethylene alkyl ether sulfate marked with chemical formula 1: RO(CH2CH2O)nSO3X. In chemical formula 1, R is an alkyl group with a carbon number of 1~20. N is a natural number of 1~20. X is selected from Na, K, NH_4, and (HOCH2CH2)3N.
摘要翻译：目的：提供化学机械抛光（CMP）浆料组合物和使用其的抛光方法，以改善作为抛光停止膜的氧化膜组合物的抛光选择性。构成：化学机械抛光（CMP）浆料组合物含有超纯水，研磨剂，表面活性剂和pH控制剂。表面活性剂选自阴离子表面活性剂和双子型表面活性剂。阴离子表面活性剂是用化学式1：RO（CH 2 CH 2 O）n SO 3 X标记的聚氧乙烯烷基醚硫酸盐。在化学式1中，R为碳数为1〜20的烷基。 N是1〜20的自然数。 X选自Na，K，NH_4和（HOCH2CH2）3N。

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