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21. 发明授权

KR100309124B1 폐슬러리 처리 방법 失效
标题翻译：处理无用浆料的方法
公开(公告)号：KR100309124B1
公开(公告)日：2001-09-28
申请号：KR1019990025439
申请日：1999-06-29
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 유재근 , 홍정균
IPC分类号： B09B3/00
摘要： 본발명은연마공정에서발생되는폐슬러리의처리방법에관한것으로, 연마용슬러리들에대한연마공정전후의입도분포및 화학성분분석을실시하여슬러리내의분포입자의크기와그의분포데이터를산출하는단계와, 알루미나분말에증류수와해교제를첨가하여현탁액을제조하는단계와, 상기현탁액을슬립캐스팅용석고몰드에주입하여건조시킨후 석고몰드를탈리시켜필터의성형체를제작하는단계와, 상기제작된성형체를열처리하여기공특성을조절하고기계적강도가부여된최종필터를제작하는단계와, 상기필터를폐슬러리라인에장착하고일정량의슬러리를투과시켜분리여과를진행하므로써상기필터의여과능력및 분리비를산출하여관리기준을설정하는단계와, 상기주기적으로여과된폐슬러리의성분분석을실시하여폐슬러리를관리하는단계로이루어진다.

22. 发明公开

KR1020010059029A 반도체소자의 소자분리막 형성방법 无效
标题翻译：形成半导体器件隔离膜的方法
公开(公告)号：KR1020010059029A
公开(公告)日：2001-07-06
申请号：KR1019990066407
申请日：1999-12-30
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 유재근
IPC分类号： H01L21/76
摘要： PURPOSE: A method for forming an isolation film is to improve a yield of a semiconductor device and the characteristic and reliability of the semiconductor device by forming a planarized isolation film for burying a trench. CONSTITUTION: A pad insulating film(13) is formed on a substrate(11). The pad insulating film and a certain depth of the substrate are etched using an insulating mask to form trenches(15,17) each having a narrow width and a wide width. At a peripheral circuit having the trench of wide width, a dummy pattern(19) is formed on a center of the trench of wide width. The dummy pattern is previously designed on the isolation mask which is used on a trench etching process. A high density plasma chemical vapor deposition(HDP CVD) oxide film(21) is deposited on the entire surface of the substrate. The HDP CVD oxide film is planarized using a chemical mechanical polishing.
摘要翻译：目的：形成隔离膜的方法是通过形成用于掩埋沟槽的平坦化隔离膜来提高半导体器件的产率和半导体器件的特性和可靠性。构成：衬底绝缘膜（13）形成在衬底（11）上。使用绝缘掩模蚀刻衬垫绝缘膜和衬底的一定深度，以形成各自具有窄宽度和宽宽度的沟槽（15,17）。在具有宽宽度的沟槽的外围电路上，在宽宽度的沟槽的中心上形成虚拟图案（19）。假图案预先设计在用于沟槽蚀刻工艺的隔离掩模上。在衬底的整个表面上沉积高密度等离子体化学气相沉积（HDP CVD）氧化膜（21）。使用化学机械抛光使HDP CVD氧化膜平坦化。

23. 发明公开

KR1020010004982A 반도체 소자의 산화막 연마용 슬러리 제조 방법 无效
标题翻译：制造半导体器件溶液抛光氧化层的方法
公开(公告)号：KR1020010004982A
公开(公告)日：2001-01-15
申请号：KR1019990025761
申请日：1999-06-30
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 박성기 , 유재근
IPC分类号： H01L21/304
摘要： PURPOSE: A method for manufacturing a slurry polishing an oxide layer of a semiconductor device is provided to improve a polishing characteristic of a slurry by manufacturing colloidal silica particles formed with silica powders of uniform and small sizes. CONSTITUTION: A hydrolysis process is performed by dissolving a TEOS and a distilled water into an isopropyl alcohol according to various mixing ratios of the isopropyl alcohol. A muriatic acid of an ammonium of a predetermined ratio are added to the resultant of the hydrolysis. A colloidal silica sol is generated therefrom. An abrasive powder is manufactured by drying the colloidal silica sol. The silica abrasive powder is reacted with a basic solution.
摘要翻译：目的：提供一种用于制造抛光半导体器件的氧化物层的浆料的方法，以通过制造由具有均匀和小尺寸的二氧化硅粉末形成的胶体二氧化硅颗粒来改善浆料的抛光特性。构成：按照异丙醇的各种混合比例，将TEOS和蒸馏水溶解在异丙醇中进行水解处理。向水解产物中加入预定比例的铵的盐酸。由此产生胶体二氧化硅溶胶。通过干燥胶体二氧化硅溶胶制造磨料粉末。二氧化硅磨料粉末与碱性溶液反应。

24. 发明公开

KR1020010004980A 화학기계적 연마법에 의한 산화막 연마 방법 失效
标题翻译：通过化学机械抛光方法消除氧化膜的方法
公开(公告)号：KR1020010004980A
公开(公告)日：2001-01-15
申请号：KR1019990025759
申请日：1999-06-30
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 유재근
IPC分类号： B24B29/00
摘要： PURPOSE: A method for abrading oxide film by a chemical mechanical polishing method is provided to minimize scratch generated by solution having an adjusted pH value, which is supplied during a buffing step. CONSTITUTION: A method for abrading oxide film by a chemical mechanical polishing method includes measuring a size of average silica particle and pH value of initial slurry liquid for abrading oxide film and measuring the size and distribution of average silica particle actually measured according to increase and decrease of the pH value, preparing a basic solution having the same range of pH value as a reference pH value, and measuring the size of particle after buffing with a solution having the adjusted range of pH, and inspecting scratch.
摘要翻译：目的：提供通过化学机械抛光方法研磨氧化膜的方法，以最小化在抛光步骤期间提供的具有调节的pH值的溶液产生的划痕。构成：通过化学机械研磨法研磨氧化膜的方法包括测定平均二氧化硅粒子的大小和用于研磨氧化膜的初始浆液的pH值，并且根据增加和减少测量实际测量的平均二氧化硅颗粒的尺寸和分布的pH值，制备具有与参考pH值相同的pH值范围的碱性溶液，并且用具有调节的pH范围的溶液测量抛光后的颗粒尺寸，并检查划痕。

25. 发明公开

KR1019990059088A 반도체소자제조방법 失效
公开(公告)号：KR1019990059088A
公开(公告)日：1999-07-26
申请号：KR1019970079285
申请日：1997-12-30
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 유경식 , 유재근
IPC分类号： H01L21/265
摘要： 1.청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야
본 발명은 반도체 소자 제조방법에 관한 것으로, 특히 다결정 실리콘(Polycrystalline)층의 표면 반사도를 저하 시킬 수 있는 반도체 소자 제조방법에 관한 것이다.
2.발명이 해결하려고 하는 기술적 과제
다결정 실리콘층을 형성한 후 감광막 패턴을 형성하기 위해 심자외선 파장을 이용한 노광공정을 수행할 때 다결정실리콘층의 난반사 특성으로 인하여 원하는 정확한 패턴을 형성하기 어려운 문제점을 해결하고자 한다.
3.발명의 해결방법의 요지
본 발명은 다결정 실리콘층의 표면을 이온주입공정에 의해 비정질화 시켜 노광 선폭 변화를 최소화한다.
4.발명의 중요한 용도
반도체 소자 제조공정에 적용된다.

26. 发明公开

KR1019990057407A 반도체 소자의 산화막 연마공정에 이용된 폐슬러리 처리방법 失效
标题翻译：半导体器件氧化膜抛光工艺中使用的废浆处理方法
公开(公告)号：KR1019990057407A
公开(公告)日：1999-07-15
申请号：KR1019970077458
申请日：1997-12-29
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 유재근
IPC分类号： H01L21/304
摘要： 1.청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야
본 발명은 반도체 소자 산화막 연마공정에 이용된 폐슬러리 처리방법에 관한 것으로, 특히 반도체 소자의 화학적 기계적 연마 공정에 이용된 고순도 미세 실리카 입자로 구성되어 있는 산화막 연마용 폐슬러리를 화학적 처리방법으로 재활용하는 방법에 관한 것이다.
2.발명이 해결하려고 하는 기술적 과제
반도체 소자의 연마공정에 이용된 폐슬러리를 폐기 처리하는데 있어서, 복잡한 후 처리시설이 필요하게 되며 또한 슬러리에 포함되어 있는 중금속 성분으로 환경오염에 심각한 영향을 미친다.
3.발명의 해결방법의 요지
반도체 소자의 산화막 연마공정에 이용된 폐슬러리를 화학적으로 처리하여 고부가가치의 실리카 유리합성용 미립자로 사용한다.
4.발명의 중요한 용도
반도체 소자의 산화막 연마공정에 사용되는 폐슬러리를 재활용하고자 한다.

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