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21. 发明授权

KR101669084B1 ＩＩＲ 필터를 이용한 디지털 상하향 변환 방법 및 장치 有权
标题翻译：使用无限冲击响应滤波器进行数字向上或向下转换的方法和装置
公开(公告)号：KR101669084B1
公开(公告)日：2016-10-25
申请号：KR1020100016806
申请日：2010-02-24
申请人： 삼성전자주식회사 , 숭실대학교산학협력단
发明人： 양준석 , 이원철 , 장형민
IPC分类号： H04B7/14 , H03H17/00
CPC分类号： H03H17/0416 , H03H17/0277 , H03H21/0012 , H03H2017/0222 , H03H2017/0477 , H03H2021/0089 , H04B7/155
摘要： 본발명은이동통신시스템에서주파수변환을위해복수개의주파수변환기를사용하는디지털상하향변환방법에있어서, 입력신호를 FIR 필터링시와동일한크기응답을가지며레빈슨다항식에의해산출되고안정성이보장되는필터계수를가지는크기응답 IIR 필터에의해 IIR 필터링하는단계, 상기크기응답 IIR 필터에의해 IIR 필터링된신호를수신하고비선형적인위상을선형위상으로보정하는필터계수를가지는위상보정 IIR 필터에의해 IIR 필터링하는단계를포함하는것을특징으로하는 IIR 필터를사용하는디지털상하향변환방법및 디지털상하향변환장치에관한것이다.

22. 发明公开

KR1020160025892A 반도체 패키지 审中-实审
标题翻译：半导体封装
公开(公告)号：KR1020160025892A
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：KR1020140113353
申请日：2014-08-28
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김혁수 , 강태호 , 송태희 , 이원철
IPC分类号： H01L23/13 , H01L23/28
CPC分类号： H01L23/4985 , H01L23/04 , H01L23/3121 , H01L23/49844 , H01L23/552 , H01L25/0655 , H01L27/088 , H01L2224/16146 , H01L2224/16227 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48145 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2225/06506 , H01L2225/0651 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06541 , H01L2225/06562 , H01L2225/06565 , H01L2924/15156 , H01L2924/15311 , H01L2924/15313 , H05K1/0277 , H05K1/0281 , H05K1/189 , H05K3/284 , H05K2203/1316 , H05K2203/1327 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
摘要： 부피를최소화하고신뢰성및 성능이향상될수 있는구부러진반도체패키지및 이를포함하는시스템을제공한다. 본발명에따른반도체패키지는, 일정한곡률반경을가지는원호를따라서연장되는아치형의굴곡고정부를가지며곡률중심을향하는제1 면및 반대되는제2 면을가지는플렉시블인쇄회로기판, 플렉시블인쇄회로기판의굴곡고정부의제2 면상에아치형을이루며부착되는적어도하나의반도체칩, 및적어도하나의반도체칩을감싸며플렉시블인쇄회로기판의굴곡고정부의제2 면상에형성되는강성을가지는몰드층을포함한다.
摘要翻译：提供一种可以使体积最小并且可以提高可靠性和性能的弯曲半导体封装以及包括该半导体封装的系统。根据本发明的半导体封装包括：柔性印刷电路板，其具有第一平面，该第一平面具有沿着具有恒定曲率半径并且朝向曲率中心的弧形延伸的拱形弯曲固定部分，并且与第一平面相对的第二平面平面; 至少一个半导体芯片，其安装在柔性印刷电路板的弯曲固定部分的第二平面上，形成拱形; 以及具有刚性的模具层，并且形成在柔性印刷电路板的弯曲固定部分的第二平面上，以围绕至少一个半导体芯片。

23. 发明公开

KR1020140103755A 메모리 컨트롤러 및 그것의 동작 방법, 메모리 컨트롤러를 포함하는 메모리 시스템 审中-实审
标题翻译：内存控制器和操作方法相同，包含存储器控制器的存储器系统
公开(公告)号：KR1020140103755A
公开(公告)日：2014-08-27
申请号：KR1020130017626
申请日：2013-02-19
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 서영일 , 윤정호 , 이원철 , 정다운
IPC分类号： G11C16/34 , G11C16/06
CPC分类号： G06F12/0246 , G06F2212/1032 , G06F2212/7205
摘要： According to an embodiment of the present invention, a memory controller controls a non-volatile memory device having a plurality of memory blocks as a data storage space. The memory controller includes: an error detection and correction circuit which compares a threshold value with a bit error rate calculated based on data received from the non-volatile memory device, and which produces comparison results; and a reclaim control unit which receives the comparison results from the error detection and correction circuit, and which determines whether to execute a read reclaim operation of copying the data to another memory block different from a memory block where the data have been stored, based on a level of a reading voltage used to read the data, wherein the reclaim control unit controls the non-volatile memory device not to perform the read reclaim operation when a level of the reading voltage is included in a predetermined area.
摘要翻译：根据本发明的实施例，存储器控制器控制具有多个存储器块的非易失性存储器件作为数据存储空间。存储器控制器包括：误差检测和校正电路，其将阈值与基于从非易失性存储器件接收的数据计算的误码率进行比较，并产生比较结果; 以及回收控制单元，其接收来自所述错误检测和校正电路的比较结果，并且基于所述回收控制单元，基于所述回收控制单元，基于所述回收控制单元接收来自所述错误检测和校正电路的比较结果，并且其基于用于读取数据的读取电压的电平，其中当读取电压的电平被包括在预定区域中时，回收控制单元控制非易失性存储器件不执行读取回收操作。

24. 发明公开

KR1020100097071A ＩＩＲ 필터를 이용한 디지털 상하향 변환 방법 및 장치 有权
标题翻译：使用无限冲击响应滤波器进行数字向上或向下转换的方法和装置
公开(公告)号：KR1020100097071A
公开(公告)日：2010-09-02
申请号：KR1020100016806
申请日：2010-02-24
申请人： 삼성전자주식회사 , 숭실대학교산학협력단
发明人： 양준석 , 이원철 , 장형민
IPC分类号： H04B7/14 , H03H17/00
CPC分类号： H03H17/0416 , H03H17/0277 , H03H21/0012 , H03H2017/0222 , H03H2017/0477 , H03H2021/0089 , H04B7/155 , H04B7/14 , H03H17/00 , H04W84/08
摘要： PURPOSE: A digital up down conversion device embodying decimation filter and interpolation filter by using IIR filter of low processing delay time and a method thereof are provided to guarantee stability and obtain phase response characteristic, thereby reducing delay time in digital up/down converting procedure. CONSTITUTION: A size response unit(520) is realized by a size response IIR(Infinite Impulse Response) filter. The size response unit determines the coefficient of the size response IIR(Infinite Impulse Response) filter by using size response characteristic of a traditional FIR filter. A phase compensation unit(530) is composed with phase compensation IIR filter based on full band pass. The phase compensation unit revises non-linear phase of an output signal of the size response unit.
摘要翻译：目的：提供一种通过使用低处理延迟时间的IIR滤波器和内插滤波器实现抽取滤波器和内插滤波器的数字上变频装置及其方法，以保证稳定性并获得相位响应特性，从而减少数字上/下变频过程中的延时时间。构成：尺寸响应单元（520）由尺寸响应IIR（无限脉冲响应）滤波器实现。尺寸响应单元通过使用传统FIR滤波器的尺寸响应特性来确定尺寸响应IIR（无限脉冲响应）滤波器的系数。相位补偿单元（530）由基于全带通的相位补偿IIR滤波器组成。相位补偿单元修改尺寸响应单元的输出信号的非线性相位。

25. 发明授权

KR100724562B1 반도체 기억소자의 퓨즈 영역 失效
标题翻译：半导体存储器件的保险丝区域
公开(公告)号：KR100724562B1
公开(公告)日：2007-06-04
申请号：KR1020050020690
申请日：2005-03-11
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이원철
IPC分类号： H01L21/82
摘要： 퓨즈 및 방습장벽을 갖는 반도체소자의 퓨즈 영역을 제공한다. 상기 퓨즈 영역은 반도체 기판 상에 하부 층간절연막을 포함한다. 상기 하부 층간절연막 상에 서로 이격된 제1 및 제2 하부배선들이 배치된다. 상기 제1 및 제2 하부 배선들 및 상기 하부 층간절연막을 갖는 상기 반도체 기판 상에 중간 층간절연막이 배치된다. 상기 중간 층간절연막 상에 차례로 적층된 상부 층간절연막, 하부 금속 층간절연막 및 상부 금속 층간절연막이 배치된다. 상기 상부 층간절연막 또는 상기 하부 금속 층간절연막 상에 상기 제1 및 제2 하부 배선들에 전기적으로 접속된 양 단들을 갖는 퓨즈가 배치된다. 상기 중간 층간절연막, 상기 상부 층간절연막, 상기 하부 금속층간절연막 및 상기 상부 금속층간절연막을 관통하고 상기 퓨즈 및 상기 퓨즈의 상, 하부에 배치된 층간절연막들을 둘러싸는 방습장벽이 배치된다. 상기 방습장벽은 상기 제1 및 제2 하부 배선들과 전기적으로 절연된다.
리페어공정, 리던던트 셀, 퓨즈, 방습장벽

26. 发明授权

KR100607202B1 반도체소자의 퓨즈영역 및 그 제조방법 失效
标题翻译：半导体器件的熔断器区及其制造方法
公开(公告)号：KR100607202B1
公开(公告)日：2006-08-01
申请号：KR1020050008185
申请日：2005-01-28
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이원철
IPC分类号： H01L21/82

27. 实用新型

KR2019870005740U 하프캔 판매용 어댑터 无效
标题翻译：半可以卖适配器
公开(公告)号：KR2019870005740U
公开(公告)日：1987-04-24
申请号：KR2019850012242
申请日：1985-09-23
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이원철
IPC分类号： G07F13/00

28. 发明授权

KR102090589B1 비휘발성 메모리 장치의 데이터 저장 방법 및 비휘발성 메모리 장치의 테스트 방법 有权
公开(公告)号：KR102090589B1
公开(公告)日：2020-03-18
申请号：KR1020130003782
申请日：2013-01-14
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김은경 , 윤명원 , 이종철 , 권오석 , 이원철
IPC分类号： G11C16/34 , G11C29/00

29. 发明授权

KR102038090B1 반도체 소자 有权
公开(公告)号：KR102038090B1
公开(公告)日：2019-10-29
申请号：KR1020120143826
申请日：2012-12-11
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 한정훈 , 김성진 , 김천배 , 이원철 , 조병훈
IPC分类号： H01L21/768 , H01L21/28

30. 发明公开

KR1020140103756A 메모리 컨트롤러 및 그것의 동작 방법 审中-实审
标题翻译：内存控制器及其操作方法
公开(公告)号：KR1020140103756A
公开(公告)日：2014-08-27
申请号：KR1020130017627
申请日：2013-02-19
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 서영일 , 윤정호 , 이원철 , 정다운
IPC分类号： G11C16/34 , G11C16/06 , G11C16/26
CPC分类号： G06F11/1048
摘要： A memory controller according to an embodiment of the present invention controls a nonvolatile memory device. The memory controller includes a memory which stores a plurality of read data transmitted from the nonvolatile memory device, an ECC circuit which detects an error bit of partial data forming each read data and determines whether to correct the partial data based on the detected error bit, and a processing unit which determines a representative value by analyzing the partial data whose correction is impossible according to the determination result of the ECC circuit and transmits the representative value to the ECC circuit. The read data is read by the reading operation of the same logic page.
摘要翻译：根据本发明的实施例的存储器控制器控制非易失性存储器件。存储器控制器包括存储从非易失性存储器件发送的多个读取数据的存储器，ECC电路，其检测形成每个读取数据的部分数据的错误位，并且基于检测到的错误位确定是否校正部分数据，以及处理单元，其通过根据ECC电路的确定结果分析不可能校正的部分数据来确定代表值，并将代表值发送到ECC电路。通过同一逻辑页面的读取操作来读取读取的数据。

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