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21. 发明公开

KR1020060118891A 핀구조의 셀 트랜지스터를 갖는 디램 소자 및 그 제조방법 无效
标题翻译：具有晶体结构的晶体管的DRAM器件及其制造方法
公开(公告)号：KR1020060118891A
公开(公告)日：2006-11-24
申请号：KR1020050041321
申请日：2005-05-17
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김용성 , 구두훈 , 이동준 , 이주용
IPC分类号： H01L21/336
摘要： A DRAM device having a cell transistor of a fin structure and its manufacturing method are provided to prevent decrease of a source/drain junction leakage current and a threshold voltage by minimizing the electrical effect between gate patterns adjacent to both ends of an active region. A trench(107) is formed on a predetermined region of a semiconductor substrate(100) to define relative-projected active regions(101). An isolation layer(109) is formed on the trench. Plural main recesses(113a) are provided on a predetermined of the isolation layer. Each main recess crosses an adjacent pair of active regions of the active regions to expose sidewalls of the pair of active regions. Insulated word line patterns(123) gap-fills the main recesses to cross an upper portion of the active regions. Sub recesses between the main recesses are located on a straight line and are arranged to be in parallel with the straight line. Widths of the sub recesses are smaller than those of the main recesses.
摘要翻译：提供具有鳍结构的单元晶体管及其制造方法的DRAM器件，以通过最小化与有源区两端相邻的栅极图案之间的电效应来防止源/漏结漏电流和阈值电压的降低。沟槽（107）形成在半导体衬底（100）的预定区域上以限定相对投影的有源区（101）。隔离层（109）形成在沟槽上。多个主凹部（113a）设置在预定的隔离层上。每个主凹槽与有源区域的相邻一对有源区域交叉以暴露该对有源区域的侧壁。绝缘字线图案（123）间隙填充主凹槽以跨过活动区域的上部。主凹部之间的副凹部位于直线上并且被布置为与直线平行。副凹部的宽度小于主凹部的宽度。

22. 发明授权

KR100536596B1 웨이퍼 가장자리 노광 장치 失效
标题翻译：晶片边缘曝光装置
公开(公告)号：KR100536596B1
公开(公告)日：2005-12-14
申请号：KR1020030018587
申请日：2003-03-25
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 구두훈 , 이시형
IPC分类号： H01L21/027
CPC分类号： G03F7/2028
摘要： 본 발명은 반도체 소자를 제조하기 위한 웨이퍼 가장자리 노광 장치로, 상기 장치는 웨이퍼가 놓여지는 척, 빛을 발생시키는 광원부, 상기 광원부로부터 발생된 빛을 상기 웨이퍼로 인도하는 광 화이버, 상기 광 화이버의 끝단에 설치되며 상기 웨이퍼의 가장자리로 빛을 조사하는 렌즈부, 그리고 상기 광원부로부터 발생된 빛의 파장을 변환하는 파장 변환부를 구비한다.
본 발명에 의하면, 웨이퍼의 가장자리로 조사되는 빛이 웨이퍼에 도포된 포토레지스트에 적합한 파장을 가지도록 변환할 수 있으므로, 저가의 램프계 광원을 사용하여 웨이퍼 가장자리의 ArF 레지스트를 효율적으로 제거할 수 있는 효과가 있다.

23. 发明公开

KR1020050039455A 웨이퍼 에지 영역에 형성된 통합 얼라인먼트 키를 갖는반도체 소자 및 그 제조방법 无效
标题翻译：具有在WAFER边缘区域中形成的集成对准的半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：KR1020050039455A
公开(公告)日：2005-04-29
申请号：KR1020030074924
申请日：2003-10-25
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 정성곤 , 구두훈 , 박창민 , 조한구 , 이중현
IPC分类号： H01L21/027
摘要： 메인 칩의 면적 축소 없이, 반도체 제조 공정시 사용되는 모든 노광 설비의 얼라인먼트 키를 모두 웨이퍼 상에 형성하여, 패턴 불량을 방지할 수 있는 반도체 소자 및 그 제조방법을 개시한다. 개시된 본 발명의 반도체 소자는, 에지 영역 및 상기 에지 영역에 의해 둘러싸여진 중심 영역을 포함하는 반도체 웨이퍼, 및 상기 웨이퍼 에지 영역에 형성되는 다수의 얼라인먼트 키로 구성되는 통합 얼라인먼트 키 그룹을 포함한다. 상기 통합 얼라인먼트 키 그룹은, 반도체 소자를 제조하는 공정시 이용되는 노광 설비의 특정 얼라인먼트 키를 모두 포함하며, 상기 얼라인먼트 키는 서로 다른 구조를 갖는 얼라인먼트 키가 교대로 배치된다.

24. 发明授权

KR100464854B1 반도체 기판의 정렬 방법 및 정렬 장치 失效
标题翻译： 반도체기판의정렬방법및정렬장치
公开(公告)号：KR100464854B1
公开(公告)日：2005-01-06
申请号：KR1020020036013
申请日：2002-06-26
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 구두훈
IPC分类号： H01L21/027
CPC分类号： H01L23/544 , H01L21/681 , H01L2223/54426 , H01L2223/54453 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： A wafer, having alignment marks formed thereon, is aligned by radiating a first light beam onto the alignment marks so as to generate a first diffracted light beam. The first diffracted light beam is sensed at a first position. A second light beam is radiated onto the alignment marks so as to generate a second diffracted light beam. The second diffracted light beam is sensed at a second position. A correction value is calculated based on a first difference between the first position and a first predetermined position and a second difference is calculated based on a second difference between the second position and a second predetermined position. The wafer is aligned based on the correction value.
摘要翻译：其上形成有对准标记的晶片通过将第一光束照射到对准标记上而被对准，以产生第一衍射光束。第一衍射光束在第一位置处被感测。第二光束照射到对准标记上以产生第二衍射光束。第二衍射光束在第二位置处被感测。基于第一位置与第一预定位置之间的第一差异来计算校正值，并且基于第二位置与第二预定位置之间的第二差异来计算第二差异。基于校正值对齐晶圆。

25. 发明公开

KR1020040083893A 웨이퍼 가장자리 노광 장치 失效
标题翻译：暴露装置，以消除有效的抗皱能力
公开(公告)号：KR1020040083893A
公开(公告)日：2004-10-06
申请号：KR1020030018587
申请日：2003-03-25
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 구두훈 , 이시형
IPC分类号： H01L21/027
CPC分类号： G03F7/2028
摘要： PURPOSE: An exposure apparatus for exposing an edge of a wafer is provided to remove efficiently ArF resist from the edge of the wafer by forming a light source with a low-priced lamp. CONSTITUTION: A wafer is loaded on an upper surface of a chuck. A light source part is used for generating light. An optical fiber(300) is used for guiding the light generated from the light source part to the wafer. A lens part is installed at an end part of the optical fiber and is used for irradiating the light on an edge part of the wafer. A wavelength conversion part(500) is used for converting the wavelength of the light generated from the light source part. The wavelength conversion part is formed with a non-linear optic material.
摘要翻译：目的：提供用于曝光晶片边缘的曝光装置，通过用低价位的灯形成光源来有效地从晶片的边缘去除ArF抗蚀剂。构成：将晶片装载在卡盘的上表面上。光源部分用于产生光。光纤（300）用于将从光源部分产生的光引导到晶片。透镜部分安装在光纤的端部，并用于在晶片的边缘部分照射光。波长转换部（500）用于转换由光源部产生的光的波长。波长转换部分由非线性光学材料形成。

26. 发明公开

KR1020030037793A 노광방법 및 투영 노광 장치 失效
标题翻译：曝光方法和投影型曝光装置
公开(公告)号：KR1020030037793A
公开(公告)日：2003-05-16
申请号：KR1020010068657
申请日：2001-11-05
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 박진준 , 구두훈
IPC分类号： H01L21/027
CPC分类号： G03F7/701 , G03F7/70108 , G03F7/70183
摘要： PURPOSE: An exposure method and a projection-type exposure apparatus are provided to improve photo-efficiency by minimizing the difference of luminous flux quantity between the first generated light beam and the last light beam for exposing an object. CONSTITUTION: A projection-type exposure apparatus is provided with a light beam generating part(100) for generating the first light beam having uniform intensity distribution, the first refraction part(104) for modifying the first light beam into a plurality of divergent light beams, the second refraction part(106) for modifying the divergent light beams into a plurality of parallel light beams, and an exposure part(109) for exposing an object using the parallel light beams. Preferably, the first light beam is modified into two divergent light beams.
摘要翻译：目的：提供曝光方法和投影式曝光装置，以通过最小化第一生成光束和用于曝光物体的最后光束之间的光通量的差来提高光效率。构成：投影式曝光装置具有用于产生具有均匀强度分布的第一光束的光束产生部件（100），用于将第一光束修改为多个发散光束的第一折射部分（104），用于将发散光束修改为多个平行光束的第二折射部分（106）和用于使用平行光束曝光物体的曝光部分（109）。优选地，第一光束被修改为两个发散光束。

27. 发明公开

KR1020020016673A 노광장치의 포커싱 모니터링 방법 및 레티클 无效
标题翻译：曝光设备和反应物聚焦监测方法
公开(公告)号：KR1020020016673A
公开(公告)日：2002-03-06
申请号：KR1020000049835
申请日：2000-08-26
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 구두훈
IPC分类号： H01L21/027
CPC分类号： G03F7/70483
摘要： PURPOSE: A focus monitoring method of exposure equipment is provided to precisely monitor the best focus of the exposure equipment, by forming a focus monitoring mask pattern in the periphery of a reticle and by analyzing a monitoring pattern formed on a photoresist layer. CONSTITUTION: A wafer on which photoresist(20) is applied is loaded to a wafer stage of the exposure equipment. An alignment process having the best focus point is performed regarding the surface of the wafer by auto focusing. An exposure process is performed regarding the photoresist on the wafer through an exposure mask where the focus monitoring pattern is formed. A photoresist pattern generated by a constructive interference of diffraction light through the focus monitoring pattern is monitored so that a focused state is monitored.
摘要翻译：目的：提供曝光设备的聚焦监测方法，通过在掩模版的周围形成聚焦监测掩模图案，并通过分析在光致抗蚀剂层上形成的监测图案来精确地监测曝光设备的最佳焦点。构成：将施加有光致抗蚀剂（20）的晶片装载到曝光设备的晶片台。通过自动聚焦对晶片的表面进行具有最佳焦点的对准过程。通过形成聚焦监测图案的曝光掩模对晶片上的光致抗蚀剂进行曝光处理。监测通过聚焦监测图案的衍射光的相长干涉而产生的光致抗蚀剂图案，从而监测聚焦状态。

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