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21. 发明公开

KR1020160011749A 배선 사이의 중공에 형성된 습도 센서 및 그 제조 방법 审中-实审
标题翻译：在互连中由无效形成的湿度传感器及其制造方法
公开(公告)号：KR1020160011749A
公开(公告)日：2016-02-02
申请号：KR1020140092569
申请日：2014-07-22
申请人： 매그나칩 반도체 유한회사
发明人： 허버트프랑소와 , 조일현
IPC分类号： G01N27/00 , G01N27/12 , G01N27/22 , H01L21/00
CPC分类号： G01N27/223 , G01N27/048
摘要： 본발명은습도센서및 그제조방법에관한것으로, 반도체소자의동작을위한금속배선사이에중공(void)을형성하고, 상기중공내 습도감지를위한습도센싱물질을증착시킴으로써습기센서의측정정확도를높이며제조단가를낮출수 있는습도센서및 그제조방법에관한것이다.
摘要翻译：湿度传感器及其制造方法技术领域本发明涉及湿度传感器及其制造方法。湿度传感器技术领域本发明涉及一种湿度传感器，其可以提高湿度传感器的测量精度，并且可以通过在用于半导体器件的操作的金属线之间形成空隙，然后沉积用于湿度感测的湿度感测材料，从而降低湿度传感器的制造成本以及其制造方法。

22. 发明授权

KR101588524B1 배선 사이에 형성된 중공을 포함하는 반도체 소자 및 그 제조 방법 有权
标题翻译：在互连中使用空隙的半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：KR101588524B1
公开(公告)日：2016-01-26
申请号：KR1020140070334
申请日：2014-06-10
申请人： 매그나칩 반도체 유한회사
发明人： 허버트프랑소와
IPC分类号： H01L21/764 , H01L21/768 , H01L21/306 , H01L21/31
摘要： 본발명은반도체소자및 그제조방법에관한것으로, 반도체소자의동작을위한배선연결층에중공을형성함으로써 RF 스위치의성능지수를향상시키는반도체소자및 그제조방법에관한것이다.

23. 发明公开

KR1020150003047A 반도체 패키지 审中-实审
标题翻译：半导体PACAKGE
公开(公告)号：KR1020150003047A
公开(公告)日：2015-01-08
申请号：KR1020130075983
申请日：2013-06-28
申请人： 매그나칩 반도체 유한회사
发明人： 허버트프랑소와
IPC分类号： H01L25/065 , H01L23/48
CPC分类号： H01L23/49575 , H01L23/3107 , H01L23/4951 , H01L23/49513 , H01L23/49537 , H01L23/49541 , H01L23/49562 , H01L23/49568 , H01L23/49582 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L24/41 , H01L29/1095 , H01L29/7809 , H01L29/781 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/05553 , H01L2224/0603 , H01L2224/16145 , H01L2224/16245 , H01L2224/32245 , H01L2224/37147 , H01L2224/40095 , H01L2224/40245 , H01L2224/40247 , H01L2224/40475 , H01L2224/4103 , H01L2224/41051 , H01L2224/4118 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/49175 , H01L2224/73207 , H01L2224/73221 , H01L2224/73253 , H01L2224/73263 , H01L2224/83801 , H01L2924/00014 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/84801
摘要： 본 발명은 반도체 패키지에 관한 것으로, 구동 회로 및 로우 사이드 전력 출력 장치가 모놀리식으로 포함된 제1 반도체 다이 및 하이 사이드 전력 출력 장치가 포함된 제2 반도체 다이를 포함하는 반도체 패키지에 관한 것이다.
摘要翻译：本发明涉及能够提高集成度的半导体封装。根据本发明的实施例的半导体封装包括：配备有低边LDMOS的第一模具; 形成在第一模具上的第二模具; 在第二模具中形成倒装芯片高边LDMOS; 以及形成在第一管芯和第二管芯之间的连接装置。第二模具的特征在于电极被包括在下表面上，并且电极不暴露于上表面。

24. 发明公开

KR1020150003043A 반도체 패키지 审中-实审
标题翻译：半导体封装
公开(公告)号：KR1020150003043A
公开(公告)日：2015-01-08
申请号：KR1020130075968
申请日：2013-06-28
申请人： 매그나칩 반도체 유한회사
发明人： 허버트프랑소와
IPC分类号： H01L25/065 , H01L23/48
CPC分类号： H01L23/4952 , H01L23/3107 , H01L23/49524 , H01L23/49562 , H01L24/34 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L24/41 , H01L2224/0401 , H01L2224/05553 , H01L2224/0603 , H01L2224/16245 , H01L2224/37147 , H01L2224/40095 , H01L2224/40245 , H01L2224/4103 , H01L2224/48247 , H01L2224/48472 , H01L2224/49111 , H01L2224/73221 , H01L2224/84801 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014
摘要： 본 발명은 반도체 패키지에 관한 것으로, 구동 회로, 로우 사이드 전력 출력 장치 및 하이 사이드 전력 출력 장치가 모놀리식으로 포함된 하나의 반도체 다이로 구성되는 반도체 패키지에 관한 것이다.
摘要翻译：本发明涉及由一个半导体管芯组成的半导体封装，其中以单片方式包括工作电路，低侧功率输出装置和高侧功率输出装置。根据本发明的半导体封装包括：单片模具; 低侧功率输出装置和高侧功率输出装置; 分别形成在所述整体式模具的上表面和下表面上的上电极和下电极; 电连接到下电极的电源地。

25. 发明公开

KR1020140124950A 반도체 전력소자 审中-实审
标题翻译：半导体功率器件
公开(公告)号：KR1020140124950A
公开(公告)日：2014-10-28
申请号：KR1020130041869
申请日：2013-04-16
申请人： 매그나칩 반도체 유한회사
发明人： 김영배 , 문진우 , 허버트프랑소와
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/7816 , H01L29/0634 , H01L29/0847 , H01L29/0878 , H01L29/1045 , H01L29/1095 , H01L29/402 , H01L29/42368 , H01L29/7835 , H01L29/0696 , H01L29/0873
摘要： 본 발명은 반도체 전력소자에 관한 것이다. 이를 위해 본 발명은 반도체 기판과, 상기 반도체 기판에 도핑된 도펀트와 다른 도펀트 타입으로 도핑된 웰(well) 영역과, 상기 웰(well) 영역의 일부에 형성되는 드레인 영역과, 게이트 와 상기 드레인 영역 사이를 절연하는 절연막과, 상기 웰(well)에 형성되며 상기 반도체 기판과 동일한 도펀트 타입으로 도핑되는 배리드 층 및 다른 도펀트 타입으로 도핑되는 도핑층을 포함하면서, 상기 배리드 층 및 도피층이 상기 드레인 영역과 서로 접촉되게 구성된다. 이와 같은 본 발명에 따르면 웰 영역에서 도펀트(dopant)로 인한 저항 성분을 낮출 수 있어 기존의 전력소자보다 항복 전압을 향상시키고 빠른 스위칭 특성을 확보할 수 있는 이점이 있다. 아울러 본 발명에 따른 구조는 에피택셜 층이 구성된 전력소자, 그리고 로코스 산화막, 절연막, 트랜치 구조 등이 적용된 전력소자에도 적용할 수 있어 그 활용 범위가 넓다.
摘要翻译：本发明涉及一种半导体功率器件，包括：半导体衬底; 由掺杂剂类型掺杂的阱区，掺杂剂类型掺杂在半导体衬底上; 漏区，形成在井区的一部分上; 绝缘膜，用于在栅极和漏极区域之间绝缘; 形成在阱上并被与半导体衬底相同的掺杂剂类型掺杂的掩埋层; 以及由不同掺杂剂类型掺杂的掺杂层，其中所述掩埋层和所述掺杂层形成为与所述漏极区域接触。根据本发明，与现有的功率器件相比，半导体功率器件可以减少阱区中的掺杂剂的电阻分量，从而提高击穿电压并确保快速的开关特性。此外，根据本发明的结构可以通过应用于包括外延层的功率器件和硅，氧化膜，绝缘膜，沟槽结构等的局部氧化的功率器件而被广泛使用被应用。

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