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21. 发明授权

KR100253124B1 공기청정장치 및 공기청정방법 失效
标题翻译：空气净化装置和空气清洁方法
公开(公告)号：KR100253124B1
公开(公告)日：2000-04-15
申请号：KR1019940007723
申请日：1994-04-13
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 , 도오교오에레구토론도오호쿠가부시끼가이샤
发明人： 다나하시다카시 , 모리야슈지 , 와카바야시쓰요시 , 마쓰오다테노부
IPC分类号： B01D46/00
摘要： 본 발명의 공기청정장치는, 공기가 흡인되는 흡인구와, 이 흡인구를 통하여 흡인된 공기가 토출되는 토출구를 가지는 공기 유통실과, 공기 유통실에 설치되고, 공기를 흡인구로부터 토출하는 송풍수단과, 처리공간에 있어서의 처리에 의하여 유해하게 되는 불순가스의 발생이 작은 소재에 의하여 전체가 형성되고, 흡인구로부터 흡인된 흡인공기중에 함유하는 파티클을 제거하는 파티클 제거수단을 갖추고 있다.

22. 发明公开

KR1019940022689A 플라즈마 처리 시스템 失效
标题翻译：等离子处理系统
公开(公告)号：KR1019940022689A
公开(公告)日：1994-10-21
申请号：KR1019940005320
申请日：1994-03-17
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 다나카스스무 , 오가사와라마사히로 , 야시로쥰 , 다하라요시후미 , 가와카미사토루 , 모리야슈지
IPC分类号： H01L21/263
摘要： 기체밀폐적인 챔버내에서 고주파 전력에 의하여 가스를 플라즈마화하고, 플라즈마화한 가스에 의하여 기판을 처리하는 플라즈마 처리되어야할 기판이 얹어놓인 하부전극과, 이 하부전극의 위쪽에 설치한 상부전극과, 이 상부전극 및 상기 하부전극의 사이에 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 발생회로와, 이 플라즈마 발생회로에 고주파 전력을 공급하는 전원과, 이 전원으로부터의 고주파 전력의 공급에 의하여 상기 하부전극 또는 상기 하부전극에 음전압을 발생시키는 바이어스 발생수단을 구비하고, 상기 플라즈마 발생회로는, 상기 바이어스 발생수단에 상기 전원으로부터의 고주파 전력의 일부를 공급하는 변압수단을 가진다.

23. 发明授权

KR100915723B1 반도체 제조 장치, 반도체 제조 장치의 유량 보정 방법,프로그램 有权
标题翻译：半导体制造系统和半导体制造系统的流量校正方法和程序
公开(公告)号：KR100915723B1
公开(公告)日：2009-09-04
申请号：KR1020077019504
申请日：2006-06-28
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 모리야슈지 , 오카베츠네유키 , 에비히로유키 , 시미즈데츠오 , 기타가와히토시
IPC分类号： H01L21/02 , G05D7/06 , G01F1/00
CPC分类号： G05D7/0658 , C23C16/455 , C23C16/45561 , C23C16/52
摘要： 기판 처리시에 실제로 발생할 수 있는 열 사이폰 현상에 의거하는 제로점 시프트량을 정확하게 검출하여 적확한 보정을 한다.
열처리부(110)내에 가스를 공급하는 가스 공급로(210)와, 가스 공급로의 가스유량을 검출하는 검출부로부터의 출력 전압과 미리 설정된 설정유량에 대응하는 설정 전압을 비교하여, 가스 공급로의 가스유량이 설정유량이 되도록 제어하는 MFC(240)와, 제어부(300)를 구비하고, 제어부는 기판 처리를 실행하기 전에 미리, MFC 내를 적어도 기판 처리시에 사용하는 가스에 의해 치환하고 MFC의 상류측과 하류측에 마련되는 차단밸브(230, 250)를 닫은 상태에서 MFC로부터의 출력 전압을 검출해서 기억 수단에 기억해 두며, 기판 처리를 실행할 때에는 기판 처리시에 사용하는 가스의 가스유량에 대응하는 설정 전압을 기억 수단에 기억된 MFC의 출력 전압에 의거하여 보정하고, 보정한 설정 전압을 MFC에 설정한다.

24. 发明授权

KR100632643B1 내플라즈마 부재 및 그것을 사용한 플라즈마 처리장치 有权
标题翻译：内部等离子体构件和使用其的等离子体处理设备
公开(公告)号：KR100632643B1
公开(公告)日：2006-10-11
申请号：KR1020007013016
申请日：1999-08-24
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 미야자키아키라 , 모리타게이지 , 나가사카사치유키 , 모리야슈지
IPC分类号： C04B35/10
CPC分类号： H01L21/67069 , C04B35/111 , H01J37/32477 , H01J37/32559 , H01J37/32642
摘要： 플라즈마 처리장치의 반응실내에서 사용되는 내플라즈마 부재는, 평균결정입자지름이 18∼45㎛, 표면거칠기(Ra)가 0.8∼3.0㎛, 부피 밀도가 3.90 g/㎤ 이상의 치밀질알루미나 소결체로 형성되어 있다.
摘要翻译：在不存在的等离子体处理装置中使用的等离子反应室中，并且平均结晶粒径为18〜45㎛，表面粗糙度（Ra）为0.8〜3.0㎛，堆积密度至少3.90克/㎤致密氧化铝烧结体形成有。

25. 发明公开

KR1020040020821A 박막 형성 장치 및 원료 가스의 신속한 공급 전환 방법 有权
标题翻译：薄膜成型装置和薄膜成型方法
公开(公告)号：KR1020040020821A
公开(公告)日：2004-03-09
申请号：KR1020030060525
申请日：2003-08-30
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 모리야슈지 , 고지마야스히코 , 이시자카다다히로 , 간난히로시
IPC分类号： H01L21/205
CPC分类号： C23C16/45544
摘要： PURPOSE: To provide a thin film forming apparatus which alternately supplies gaseous raw materials and can rapidly switch the supply of the gaseous raw materials and a method for the same. CONSTITUTION: When diaphragm energizing mechanisms 86-a and 86-b energize a diaphragm valve 83 to a casing side, a supply side aperture 92 of a supply line 91 for TiCl4 which is disposed in the upper face of a projecting part 85 and is connected to a supply line 21 of N2 is completely and directly shut off.
摘要翻译：目的：提供交替供应气态原料并可快速切换气态原料供应的薄膜形成装置及其方法。构成：当隔膜通电机构86-a和86-b将隔膜阀83通电到壳体侧时，设置在突出部分85的上表面中并连接的用于TiCl4的供应线91的供应侧孔92 到N2的供应管线21完全和直接关闭。

26. 发明授权

KR100268526B1 가스를 사용하는 처리장치 失效
标题翻译：使用气体的加工设备
公开(公告)号：KR100268526B1
公开(公告)日：2000-11-01
申请号：KR1019940006976
申请日：1994-04-02
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 , 도오교오에레구토론도오호쿠가부시끼가이샤
发明人： 마쓰오다케노부 , 와카바야시쓰요시 , 모리야슈지 , 미우라가즈토시 , 모리다카히로
IPC分类号： H01L21/30
摘要： 종형 열처리장치는 반도체 웨이퍼에 가스를 사용하는 열처리를 하는 열처리부와, 이 열처리부에 가스를 공급하는 가스공급부를 구비하고 있다. 가스공급부는 복수의 가스 유량제어장치를 포함하는 복수의 가스제어기기와, 이들 가스 제어기기를 수납하는 가스제어기기 수납용이와, 이 수납용기 바깥에 설치되고 가스 제어기기에 부속하는 복수의 전기부품과, 복수의 전기부품을 수납하는 전기부품용기를 가지고 있고, 복수의 가스유량제어장치는 블록 이음매에 의하여 일체화되어 있다.

27. 发明授权

KR100229606B1 유량제어장치 및 유체공급기구와 이들을 적용한 처리장치 失效
标题翻译：质量流量控制器和解决方案供应商和使用它们的处理设备
公开(公告)号：KR100229606B1
公开(公告)日：1999-11-15
申请号：KR1019930027318
申请日：1993-12-11
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 모리야슈지 , 마쓰오다케노부 , 와카바야시쓰요시
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： G05D7/0635 , Y10T137/7759 , Y10T137/7761 , Y10T137/87885 , Y10T137/9029
摘要： 유체의 입구, 출구 및 이들에 연결되어 통하는 유로를 가지는 기체와; 이 기체의 유로 속의 유체의 유량을 조절하는 유량조절수단과; 상기 유로 내의 유체의 유량을 검출하는 유량검출수단과; 이 유량검출수단의 검출결과에 의거하여 상기 유량조절수단에 유량제어신호를 출력하여 유체의 유량을 소정값으로 제어하는 유량제어 수단을 구비한 유량제어장치가 개시된다. 유체의 입구 또는 출구의 적어도 한 쪽이 그곳에 있어서의 유체의 흐름방향이 상기 유로에 대하여 직교하는 방향으로 되도록 위치된다.

28. 发明授权

KR100172519B1 반도체 처리시스템의 가스공급헤드 및 로드 록 실 失效
标题翻译：半导体处理系统的气体供应头和负载锁定室
公开(公告)号：KR100172519B1
公开(公告)日：1999-03-30
申请号：KR1019950025281
申请日：1995-08-17
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 모리야슈지
IPC分类号： H01L21/68
摘要： 본 발명은 기밀한 공간내로의 가스의 도입에 기인하여 발행하는 피처리기판의 피처리면의 입자오염을 방지하기 위한 가스공급헤드 및 이것을 이용한 로드 록 실을 제공하기 위한 것으로, 반도체 웨이퍼를 처리하는 에칭시스템은 처리실과 로드 록 실을 갖는다. 로드 록 실은 웨이퍼가 통과하기 위한 열림구를 갖는 기밀한 케이싱을 갖고, 열림구는 게이트벨부에 의해 개방가능하되 기밀하게 폐쇄된다. 케이싱내에는 웨이퍼를 반송하기 위한 반송암이 배설된다. 케이싱에는 불활성가스의 가스공급계와 배기계와 접속된다. 가스공급계의 내단부에는 가스공급헤드가 접속된다. 가스공급헤드는 실린더로서 형성된 다공질 세라믹판으로 구성되는 출구필터를 구비한다. 다공질 세라믹판은 지지층, 중간층 및 여과층으로 구성되는 다층구조를 이룬다. 여과층의 미세구멍의 평균직경은 0.8㎛∼0/1㎛, 기공율은 10％∼50％로 설정된다.

29. 发明公开

KR1019940023515A 공기청정장치 및 공기청정방법 失效
标题翻译：空气清洁装置和空气清洁方法
公开(公告)号：KR1019940023515A
公开(公告)日：1994-11-17
申请号：KR1019940007723
申请日：1994-04-13
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 , 도오교오에레구토론도오호쿠가부시끼가이샤
发明人： 다나하시다카시 , 모리야슈지 , 와카바야시쓰요시 , 마쓰오다테노부
IPC分类号： B01D46/00

30. 发明授权

KR101716535B1 에칭 장치 및 에칭 방법 有权
标题翻译：蚀刻装置和蚀刻方法
公开(公告)号：KR101716535B1
公开(公告)日：2017-03-14
申请号：KR1020130108193
申请日：2013-09-10
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 모리야슈지
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/3065 , H01L21/311
CPC分类号： H01L21/465 , H01L21/3065 , H01L21/31116 , H01L21/67069
摘要： 에칭장치는에칭대상막을가지는피처리기판이수용되는챔버와, 챔버내를배기하는배기기구와, 챔버내에에칭가스를도입하는에칭가스도입기구와, 챔버내에가스클러스터를생성하기위한클러스터가스를분사해서챔버내에가스클러스터를생성하는가스클러스터생성기구를구비하고, 에칭가스에의한에칭대상막의에칭시에, 반응에의해생성하는가스를, 가스클러스터생성기구에서생성된가스클러스터에의해챔버로부터배출시킨다.
摘要翻译：蚀刻装置包括：被配置为容纳具有蚀刻目标膜的被处理基板的室; 排气机构，其构造成排出所述室的内部; 蚀刻气体供给机构，其构造成将蚀刻气体供给到所述室中; 以及气体簇生成机构，被配置为通过将聚集气体喷射到所述室中而在所述室中产生气体簇，其中当用所述蚀刻气体蚀刻所述蚀刻目标膜时通过反应产生的气体通过所述气体从所述室排出由气体簇生成机制产生的簇。

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