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1. 发明授权

KR100133114B1 에칭 방법 및 그 장치 失效
公开(公告)号：KR100133114B1
公开(公告)日：1997-12-16
申请号：KR1019880016865
申请日：1988-12-17
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 호리우치타카오 , 아라이이즈미 , 다하라요시후미
IPC分类号： H01L21/302

2. 发明公开

KR1019900017120A 플라즈마 처리방법 失效
标题翻译：等离子处理方法
公开(公告)号：KR1019900017120A
公开(公告)日：1990-11-15
申请号：KR1019900005427
申请日：1990-04-18
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 고지마히로시 , 다하라요시후미 , 아라이이즈미
IPC分类号： H01L21/306
摘要： 내용 없음

3. 发明公开

KR1019900017116A 플라즈마 처리장치 失效
公开(公告)号：KR1019900017116A
公开(公告)日：1990-11-15
申请号：KR1019900004987
申请日：1990-04-11
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 아오끼마코토 , 다하라요시후미 , 아라이이즈미
IPC分类号： H01L21/302
摘要： 내용 없음

4. 发明授权

KR1019970003885B1 에칭 방법 및 그 장치 失效
标题翻译：蚀刻方法及其装置
公开(公告)号：KR1019970003885B1
公开(公告)日：1997-03-22
申请号：KR1019880016865
申请日：1988-12-17
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 호리우치타카오 , 아라이이즈미 , 다하라요시후미
IPC分类号： H01L21/302
CPC分类号： H01L21/67069 , H01J37/32082 , H01J37/32541 , H01J37/32724 , H01J2237/2001 , H01J2237/334 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 요약 없음.

5. 发明公开

KR1019950012608A 플라즈마 처리장치 失效
公开(公告)号：KR1019950012608A
公开(公告)日：1995-05-16
申请号：KR1019940026833
申请日：1994-10-20
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 하타지로 , 이시이노부오 , 고시미즈지시오 , 다하라요시후미 , 니시카와히로시 , 이마하시잇세이
IPC分类号： H01L21/30
摘要： 플라즈마 처리장치는, 가스도입포트 및 가스 배기포트를 가지는 처리실과, 피처리면을 가지는 웨이퍼를 지지하기 위하여 처리실내에 배치되는 얹어놓는대와, 처리실로 고주파 에너지를 공급하고 처리실내에 유도플라즈마를 발생하기 위한 고주파 안테나 및, 고주파 전압을 고주파 안테나로 인가하기 위한 고주파 전압원을 포함한다. 처리실내의 압력 및/또는 광변화는 측정시스템에 의하여 플라즈마의 발생시에 측정되며, 고주파 전압원은 측정시스템으로부터의 신호에 근거하여 제어되므로, 안테나에 인가되는 전압이 처리실내의 압력 및/또는 광에 따라 제어된다.

6. 发明公开

KR1019940022689A 플라즈마 처리 시스템 失效
标题翻译：等离子处理系统
公开(公告)号：KR1019940022689A
公开(公告)日：1994-10-21
申请号：KR1019940005320
申请日：1994-03-17
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 다나카스스무 , 오가사와라마사히로 , 야시로쥰 , 다하라요시후미 , 가와카미사토루 , 모리야슈지
IPC分类号： H01L21/263
摘要： 기체밀폐적인 챔버내에서 고주파 전력에 의하여 가스를 플라즈마화하고, 플라즈마화한 가스에 의하여 기판을 처리하는 플라즈마 처리되어야할 기판이 얹어놓인 하부전극과, 이 하부전극의 위쪽에 설치한 상부전극과, 이 상부전극 및 상기 하부전극의 사이에 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 발생회로와, 이 플라즈마 발생회로에 고주파 전력을 공급하는 전원과, 이 전원으로부터의 고주파 전력의 공급에 의하여 상기 하부전극 또는 상기 하부전극에 음전압을 발생시키는 바이어스 발생수단을 구비하고, 상기 플라즈마 발생회로는, 상기 바이어스 발생수단에 상기 전원으로부터의 고주파 전력의 일부를 공급하는 변압수단을 가진다.

7. 发明公开

KR1019940012513A 드라이에칭방법 失效
公开(公告)号：KR1019940012513A
公开(公告)日：1994-06-23
申请号：KR1019930023938
申请日：1993-11-11
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 호리마사루 , 오까노하루오 , 아오야마미찌시게 , 이또마사오 , 하도리게이 , 히구찌후미히꼬 , 다하라요시후미
IPC分类号： H01L21/302

8. 发明授权

KR100324792B1 플라즈마처리장치 失效
公开(公告)号：KR100324792B1
公开(公告)日：2002-06-20
申请号：KR1019940006705
申请日：1994-03-31
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 미우라유다카 , 호소다쇼조 , 아라이이즈미 , 다하라요시후미 , 니시카와히로시 , 미다노요시노부 , 후카사와가즈오 , 이이무로슌니찌
IPC分类号： H01L21/302
摘要： 본 발명은 피처리체를 재치한 처리실 내에 고주파 전력을 인가함에 따라 상기 처리실 내에 플라즈마를 발생시키고, 플라즈마의 분위기하에서 피처리체에 처리를 실시하는 플라즈마 처리방법에 있어서, 고주파 전력에 저주파 전력에 의한 변조를 가하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리방법을 제공한다.
또, 본 발명은, 전류방향이 시간이 경과함에 따라 변화하는 전력을 사용하여 처리실 내에 플라즈마를 발생시키고, 처리실 내에 재치된 피처리체에 대하여 플라즈마의 분위기하에서 처리를 실시하는 플라즈마 처리방법에 있어서, 기본 주파수를 가지는 전력에, 기본 주파수의 n배(n=정수)의 주파수에 의하여 주파수 변조를 가하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리방법을 제공한다.
또, 본 발명은, 가스 도입수단을 가지는 전극에 형성한 제 1 가스 도입구멍을 통하여 처리실에 처리가스를 공급하면서 대향하는 전극에 유지한 피처리체에 대하여 플라즈마 처리를 실시하는 플라즈마 처리장치에 있어서, 가스 도입수단으로부터 가스 도입 구멍을 통하여 처리실에 유통하는 처리가스에 대하여, 처리실의 처리압력을 0.5Torr 이하로 설정한 때에, 가스 도입수단 내에 플라즈마 방전을 일으키지 않도록 저항을 부여하는 저항 부여수단이 설치되어 있는 플라즈마 처리장치를 제공한다.

9. 发明授权

KR100227772B1 산화물 부분 또는 질화물 부분을 함유하는 피처리체의 에칭방법 失效
标题翻译：蚀刻氧化物或氮化物材料的方法
公开(公告)号：KR100227772B1
公开(公告)日：1999-11-01
申请号：KR1019910018444
申请日：1991-10-18
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 , 가부시끼가이샤 도시바
发明人： 다하라요시후미 , 히라노요시히사 , 하세가와이사히로 , 호리오까게이지
IPC分类号： H01L21/306
CPC分类号： H01L21/31144 , H01L21/31116
摘要： 처리용기(1)내에 산화막 또는 질화막이 형성된 반도체 웨이퍼(5)를 장입하고, 처리용기(1)내에서 CHF
3 가스의 플라즈마에 의해 반도체 웨이퍼(5)의 산화막 또는 질화막을 에칭할 때에, 플라즈마의 분위기에 CO가스를 존재시킨다.

10. 发明授权

KR100129663B1 에칭 장치 및 방법 失效
标题翻译：蚀刻过程的方法和装置
公开(公告)号：KR100129663B1
公开(公告)日：1998-04-06
申请号：KR1019890000260
申请日：1989-01-12
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 호리우치타카오 , 아라이이즈미 , 다하라요시후미
IPC分类号： H01L21/302
CPC分类号： H01L21/67069 , H01J37/32935
摘要： 내용없음.

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