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11. 发明授权

KR101692645B1 집적 회로 상에 형성되는 차동 증폭기 有权
标题翻译：集成电路中形成的差分放大器
公开(公告)号：KR101692645B1
公开(公告)日：2017-01-03
申请号：KR1020150165552
申请日：2015-11-25
申请人： 숭실대학교산학협력단
发明人： 강인성 , 이창현 , 박창근
IPC分类号： H03F1/56 , H03F3/60 , H03F3/68 , H03H7/38 , H03F3/45
摘要： 본발명은집적회로상에형성되는차동증폭기에대한것이다. 본발명에따른집적회로상에형성되며정합회로부를포함하는차동증폭기에있어서, 정합회로부는, 나란히형성되는제1 차동신호선및 제2 차동신호선; 제1 금속선과제2 금속선을포함하며, 제1 차동신호선에제1 금속선의제1단이연결되고, 제2 차동신호선에제2 금속선의제1단이연결되는인덕터; 및제1 금속선의제2단에제1단이연결되고, 제2 금속선의제2단에제2단이연결되는커패시터를포함한다. 본발명에따르면, 증폭기의정합회로에포함된나선형인덕터의배치를변경하여등가적으로 LCL의배치가형성되도록함으로써두 개의차동신호선상에서계산되는직렬 LC의임피던스부정합을최소화하여전체회로성능의열화를최소화할수 있다.

12. 发明授权

KR101678464B1 GaN 파워 HEMT 전력 증폭기 有权
标题翻译： GaN HEMT GaN功率高电子迁移率晶体管功率放大器
公开(公告)号：KR101678464B1
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：KR1020140145293
申请日：2014-10-24
申请人： 주식회사 피플웍스
发明人： 박광근 , 최영수
IPC分类号： H03F1/30 , H03F3/60
摘要： 본발명은 GaN 고전자이동트랜지스터, 입력임피던스와소자임피던스를매칭시키는입력매칭네트워크, 출력임피던스와소자임피던스를매칭시키는출력매칭네트워크및, 상기 GaN 고전자이동트랜지스터를구동하기위해상기 GaN 고전자이동트랜지스터의게이트로음전원이먼저공급되도록하고그 다음순차적으로상기 GaN 고전자이동트랜지스터의드레인으로양전원이공급되도록하는바이어스시퀀서, 상기바이어스시퀀서의동작에따라상기 GaN 고전자이동트랜지스터의게이트로음전원을공급하는제1 전자소자, 상기바이어스시퀀서의동작에따라상기 GaN 고전자이동트랜지스터의드레인으로양전원을공급하는제2 전자소자를구비하고, 상기제1 전자소자가상기 GaN 고전자이동트랜지스터의게이트와연결되고, 상기제2 전자소자가상기 GaN 고전자이동트랜지스터의드레인과각기연결되는바이어스시퀀싱회로가일체화된 GaN 파워 HEMT 전력증폭기에관한것으로, 사이즈축소, 바이어스시퀀싱회로가 GaN 고전자이동트랜지스터외부에설치됨으로써발생하는오동작(기존문제점)을방지하고안정성을높일수 있다.

13. 发明授权

KR101677555B1 도허티 증폭기에서 낮은 전력 영역에서의 효율을 향상시키기 위한 장치 有权
标题翻译：用于改善DOHERTY放大器低功率区域性能的设备
公开(公告)号：KR101677555B1
公开(公告)日：2016-11-21
申请号：KR1020100016997
申请日：2010-02-25
申请人： 삼성전자주식회사 , 포항공과대학교 산학협력단
发明人： 우영윤 , 김한석 , 이동근 , 김범만 , 문정환
IPC分类号： H03F1/07 , H03F3/60
CPC分类号： H03F1/0288
摘要： 본발명은도허티증폭기에관한것으로, 도허티증폭기는, 캐리어증폭기및 적어도하나의피킹증폭기로전력신호를제공하는전력분배기와, 상기전력분배기로부터입력되는신호의전력을증폭하는상기캐리어증폭기와, 임계치이상의전력을갖는신호가입력되면, 상기전력분배기로부터입력되는신호의전력을증폭하는상기적어도하나의피킹증폭기와, 상기적어도하나의피킹증폭기미동작시, 부하임피던스를조절하는오프셋라인들과, 상기적어도하나의피킹증폭기미동작시, 상기캐리어증폭기의최대출력전력시의부하임피던스의 2배보다큰 상기캐리어증폭기의부하임피던스를생성하는도허티회로를포함한다.

14. 发明授权

KR101654927B1 광대역 도허티 전력 증폭기 有权
标题翻译：宽带多赫蒂功率放大器
公开(公告)号：KR101654927B1
公开(公告)日：2016-09-08
申请号：KR1020140170298
申请日：2014-12-02
申请人： 전자부품연구원
发明人： 김기진 , 안광호 , 박상훈
IPC分类号： H03F1/07 , H03F3/60
摘要： 본발명은협대역문제를개선하여보다안정적인구조를갖는광대역도허티전력증폭기에관한것으로, 도허티전력증폭기는, 입력신호가입력되는입력단, 입력과출력을구비하고입력이입력단에연결되는캐리어증폭기, 및일단과타단을구비하고일단이캐리어증폭기의출력에연결되는제1 전송선로를포함하며, 여기서제1 전송선로의특성임피던스는캐리어증폭기의제1 트랜지스터가최대효율을내는제1 임피던스의 2배로설정된다.

15. 发明授权

KR101654221B1 전력 증폭기 有权
标题翻译：功率放大器
公开(公告)号：KR101654221B1
公开(公告)日：2016-09-05
申请号：KR1020140039114
申请日：2014-04-02
申请人： 미쓰비시덴키 가부시키가이샤
发明人： 후지와라시게루 , 야마모토카즈야 , 미야시타미요 , 야마베시게오 , 코바야시다이스케
IPC分类号： H03F1/32 , H03F3/60
CPC分类号： H03F1/3205 , H03F1/223 , H03F3/193 , H03F3/245 , H03F2200/105 , H03F2200/108 , H03F2200/192 , H03F2200/195 , H03F2200/204 , H03F2200/207 , H03F2200/222 , H03F2200/387 , H03F2200/405 , H03F2200/408 , H03F2200/411 , H03F2200/465
摘要： 아이들전류등의다른특성을변화시키지않고 AM-AM 특성을조정할수 있는전력증폭기를얻는다. 바이어스단자 T1, T2에는각각바이어스가공급된다. 트랜지스터 M1의게이트는바이어스단자 T1에접속되고, 소스는접지되어있다. 트랜지스터 M2의게이트는바이어스단자 T2에접속되고, 소스는트랜지스터 M1의드레인에접속되어있다. 고정용량 C1과가변저항 Rv1이트랜지스터 M2의게이트와접지점사이에직렬로접속되어있다.

16. 发明公开

KR1020160096795A 광대역 주파수 선택이 가능한 재구성 전력 증폭 장치 및 그 방법 审中-实审
标题翻译：可重新配置的功率放大器装置和宽频带选择方法
公开(公告)号：KR1020160096795A
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：KR1020150018208
申请日：2015-02-05
申请人： 한국전자통신연구원
发明人： 박민 , 김백현 , 김천수 , 홍성철 , 강동우 , 최장홍
IPC分类号： H03F1/30 , H03F3/21 , H03F3/60
CPC分类号： H03F1/42 , H03F1/0277 , H03F1/56 , H03F3/193 , H03F3/245 , H03F3/45188 , H03F3/72 , H03F2200/111 , H03F2200/451 , H03F2200/555 , H03F2203/45056 , H03F2203/7209 , H03F1/301 , H03F3/211 , H03F3/601
摘要： 본발명은무선통신단말기및 시스템내에장착되는전력증폭장치에관한것이다. 본발명의일 측면에따르면, 광대역주파수선택이가능한재구성전력증폭장치가제공된다. 재구성전력증폭장치는 RF 신호를입력받는입력트랜지스터및 분할된복수의공통게이트로형성되며상기 RF 신호를증폭하는복수의공통게이트트랜지스터에공통게이트바이어스전압을인가하여광대역주파수를선택하는재구성적응전력셀을포함할수 있다.
摘要翻译：本发明涉及一种安装在系统中的无线通信终端和功率放大装置。根据本发明的实施例，提供了能够选择宽带频率的可重新配置的功率放大装置。可重构功率放大装置包括：输入晶体管，被配置为接收RF信号; 以及由多个分开的公共栅极组成的可配置自适应功率单元，并且被配置为向放大所述RF信号以选择宽带频率的多个公共栅极晶体管施加公共栅极偏置电压。

17. 发明公开

KR1020160066593A 광대역 도허티 전력 증폭기 有权
标题翻译：宽带DOHERTY功率放大器
公开(公告)号：KR1020160066593A
公开(公告)日：2016-06-13
申请号：KR1020140170298
申请日：2014-12-02
申请人： 전자부품연구원
发明人： 김기진 , 안광호 , 박상훈
IPC分类号： H03F1/07 , H03F3/60
CPC分类号： H03F1/07 , H03F3/60
摘要： 본발명은협대역문제를개선하여보다안정적인구조를갖는광대역도허티전력증폭기에관한것으로, 도허티전력증폭기는, 입력신호가입력되는입력단, 입력과출력을구비하고입력이입력단에연결되는캐리어증폭기, 및일단과타단을구비하고일단이캐리어증폭기의출력에연결되는제1 전송선로를포함하며, 여기서제1 전송선로의특성임피던스는캐리어증폭기의제1 트랜지스터가최대효율을내는제1 임피던스의 2배로설정된다.
摘要翻译：本发明涉及一种宽带Doherty功率放大器，其改善了窄带问题并且具有更稳定的结构。多赫蒂功率放大器包括用于输入输入信号的输入端，载波放大器，其包括输入和输出，并且具有连接到输入端的输入端和第一传输线，该第一传输线包括一端和另一端，一端连接到载波放大器的输出。这里，为了最大化载波放大器的第一晶体管的效率，将第一传输线的特性阻抗设置为比第一阻抗高两倍。

18. 发明公开

KR1020160048507A GaN 파워 HEMT 전력 증폭기 有权
标题翻译： GAN POWER高电子动力晶体管功率放大器
公开(公告)号：KR1020160048507A
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：KR1020140145293
申请日：2014-10-24
申请人： 주식회사 피플웍스
发明人： 박광근 , 최영수
IPC分类号： H03F1/30 , H03F3/60
CPC分类号： H03F1/30 , H03F3/60
摘要： 본발명은 GaN 고전자이동트랜지스터, 입력임피던스와소자임피던스를매칭시키는입력매칭네트워크, 출력임피던스와소자임피던스를매칭시키는출력매칭네트워크및, 상기 GaN 고전자이동트랜지스터를구동하기위해상기 GaN 고전자이동트랜지스터의게이트로음전원이먼저공급되도록하고그 다음순차적으로상기 GaN 고전자이동트랜지스터의드레인으로양전원이공급되도록하는바이어스시퀀서, 상기바이어스시퀀서의동작에따라상기 GaN 고전자이동트랜지스터의게이트로음전원을공급하는제1 전자소자, 상기바이어스시퀀서의동작에따라상기 GaN 고전자이동트랜지스터의드레인으로양전원을공급하는제2 전자소자를구비하고, 상기제1 전자소자가상기 GaN 고전자이동트랜지스터의게이트와연결되고, 상기제2 전자소자가상기 GaN 고전자이동트랜지스터의드레인과각기연결되는바이어스시퀀싱회로가일체화된 GaN 파워 HEMT 전력증폭기에관한것으로, 사이즈축소, 바이어스시퀀싱회로가 GaN 고전자이동트랜지스터외부에설치됨으로써발생하는오동작(기존문제점)을방지하고안정성을높일수 있다.
摘要翻译：本发明涉及一种GaN功率高电子迁移率晶体管（HEMT）功率放大器，包括：GaN HEMT; 输入匹配网络匹配输入阻抗与元件阻抗; 输出匹配网络匹配输出阻抗与元件阻抗; 以及偏置顺序电路，包括偏置顺控器，其首先将负电源提供给GaN HEMT的栅极，并且使正功率依次提供给GaN HEMT的漏极以驱动GaN HEMT;第一电子元件供给负极根据偏置顺序器的操作，GaN HEMT的栅极的功率，以及根据偏置顺控器的操作向GaN HEMT的漏极提供正电力的第二电子元件，其中第一电子元件连接到 GaN HEMT的栅极和第二电子元件连接到GaN HEMT的漏极。导致尺寸减小的故障（相关技术的问题）减少，并且偏置排序电路安装在GaN HEMT外部，能够防止并且可以提高稳定性。

19. 发明公开

KR1020150005838A 고조파 정합을 위한 방법 및 장치 审中-实审
标题翻译：用于匹配和声的装置和方法
公开(公告)号：KR1020150005838A
公开(公告)日：2015-01-15
申请号：KR1020130079208
申请日：2013-07-05
申请人： 삼성전자주식회사 , 포항공과대학교 산학협력단
发明人： 김일두 , 김범만 , 손정환 , 김경태 , 이동근
IPC分类号： H03F1/56 , H03F3/60
CPC分类号： H03F1/565 , H03F3/193
摘要： 전력 증폭 장치가 제공된다. 상기 전력 증폭 장치는 입력 단의 고조파 제어 회로를 이용하여 제 2 고조파 입력 신호를 효율 및 출력 전력이 최대가 되도록 정합하는 입력 부스팅 회로와, 상기 입력 부스팅 회로의 출력 신호를 입력받고 증폭하여 출력하는 다이 셀과, 상기 다이 셀의 출력 신호를 입력받고, 출력 단의 고조파 제어 회로를 이용하여 상기 다이 셀의 출력 신호에서 제 2 고조파 출력 신호를 효율 및 출력 전력이 최대가 되도록 정합하는 출력 부스팅 회로를 포함한다.
摘要翻译：提供功率放大装置。功率放大装置包括：输入升压电路，其通过在输入级使用谐波控制电路来对二次谐波输入信号进行匹配，使得效率和输出功率最大化; 接收并放大输入升压电路的输出信号并输出放大结果的管芯单元; 以及输出升压电路，其接收来自芯片单元的输出信号，并且对来自芯片单元的输出信号的二次谐波输出信号进行匹配，使得效率和输出功率最大化。

20. 发明授权

KR101476805B1 재구성가능한 증폭기 有权
标题翻译：一个可重新配置的放大器
公开(公告)号：KR101476805B1
公开(公告)日：2014-12-26
申请号：KR1020117008386
申请日：2008-09-12
申请人： 사브 에이비
发明人： 닐쏜조아킴
IPC分类号： H03F3/60 , H03F1/22
CPC分类号： G01S7/03 , G01S7/282 , H03F1/565 , H03F3/245 , H03F3/607 , H03F2200/222 , H03F2200/387 , H03H7/38
摘要： 본발명은입력매칭스테이지(2), 트랜지스터스테이지(3) 및출력매칭스테이지(4)로구성되는레이다시스템에서의증폭기스테이지(1)에관한것이다. 이들매칭스테이지들(2, 4)중적어도하나는각각임의의전기적특성을갖는적어도 2개의브랜치들을구비한다. 상기증폭기스테이지(1)는상기브랜치들중적어도하나가상기증폭기스테이지(1)에전기적으로연결되도록스위칭을행하는스위칭수단(33, 34, 35, 36)을더 포함한다.

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