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11. 发明授权

KR101139870B1 X-ray detector panel and method for manufacturing the x-ray detector panel 无效
标题翻译： X射线探测器面板和制造X射线探测器面板的方法
公开(公告)号：KR101139870B1
公开(公告)日：2012-05-02
申请号：KR20100113464
申请日：2010-11-15
申请人： SEHYUN CO LTD
发明人： CHOO DAE HO , LEE JI WON
IPC分类号： H01L31/115 , H01L27/14
CPC分类号： H01L27/14 , H01L31/085 , H01L31/115 , H01L31/18
摘要： PURPOSE: An x-ray detector panel and a manufacturing method thereof are provided to prevent a bias connection line to be electrically connected to data lines by arranging the bias connection line on the upper side of data contact parts to be crossed to the data contact parts. CONSTITUTION: A gate liner is formed on a base substrate to a first direction(D1). A gate isolation layer is formed on the base substrate in order to cover the gate line. A data connecting electrode is formed on the gate isolation layer. A thin film transistor(TFT) comprises a gate electrode, a drain electrode, and a source electrode. A PIN diode(400) comprises a P-electrode, a PIN semiconductor pattern, and an N-electrode.
摘要翻译：目的：提供一种x射线检测器面板及其制造方法，以通过将偏置连接线布置在与数据接触部分交叉的数据接触部分的上侧来防止偏置连接线电连接到数据线。构成：在第一方向（D1）的基底基板上形成闸板。为了覆盖栅极线，在基底基板上形成栅极隔离层。数据连接电极形成在栅极隔离层上。薄膜晶体管（TFT）包括栅电极，漏电极和源电极。 PIN二极管（400）包括P电极，PIN半导体图案和N电极。

12. 发明公开

KR20120001991A X-RAY RADIOGRAPHY SYSTEM AND THE MANUFACTURE METHOD THEREOF 有权
标题翻译： X射线辐射系统及其制造方法
公开(公告)号：KR20120001991A
公开(公告)日：2012-01-05
申请号：KR20100062649
申请日：2010-06-30
申请人： KOREA ELECTRONICS TECHNOLOGY
发明人： OH MIN SUK , LEE JEONG NO , KIM WON KEUN , KIM YONG HOON , HAN CHUL JONG
CPC分类号： H01L31/115 , H01L27/14676 , H01L31/022466 , H01L31/02366 , H01L31/02966 , H01L31/0376 , H01L31/0392 , H01L31/085 , H01L31/18
摘要： 본 발명은 방사선 촬영 시스템 및 그 제조 방법에 대하여 개시한다. 본 발명의 일면에 따른 방사선 촬영 시스템의 백플레인 패널은, 피사체를 통과한 엑스선(X-ray)이 입사되면, 전하를 발생시키는 광전도체(Photoconductor); 각 픽셀당 구비되며, 발생된 상기 전하를 저장하는 커패시터; 및 상기 각 픽셀당 구비되며, 게이트에 신호가 인가되면, 저장된 상기 전하를 출력하는 산화물 박막 트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 한다.

13. 发明公开

KR1020110066806A 엑스레이 검출기용 박막트랜지스터 어레이기판의 제조방법 审中-实审
标题翻译：用于X射线探测器的薄膜晶体管阵列衬底的制造方法
公开(公告)号：KR1020110066806A
公开(公告)日：2011-06-17
申请号：KR1020090123599
申请日：2009-12-11
申请人： 엘지디스플레이 주식회사
发明人： 조재형 , 김주한 , 이종문
IPC分类号： H01L29/786 , H01L27/14
CPC分类号： H01L27/14658 , G01T1/24 , G03B42/02 , H01L27/14676 , H01L31/115
摘要： PURPOSE: A method for manufacturing of a thin film transistor array substrate for an x-ray detector is provided to prevent a bubble failure which is generated in a photo conductive layer due to the stress difference between a protective layer and the photo conductive layer b forming a metal pattern in the outside of an array. CONSTITUTION: In a method for manufacturing of a thin film transistor array substrate for an x-ray detector, a protective film(22) is formed in front of a substrate(10) having an array unit(AA) and an array edge(NAA). An pixel electrode(26a) is formed on the protective film of the array unit. A plurality of metal patterns(26b) are formed in the array edge. A top electrode of a PIN photo diode and an optical conductive layer is formed on the pixel electrode of the substrate. The metal pattern is formed to cause the tension between the protective film and the optical conductive layer.
摘要翻译：目的：提供一种用于制造用于X射线检测器的薄膜晶体管阵列基板的方法，以防止由于保护层和光导层b形成之间的应力差而在光导层中产生的气泡故障阵列外的金属图案。构成：在用于制造X射线检测器的薄膜晶体管阵列基板的方法中，在具有阵列单元（AA）和阵列边缘（NAA）的基板（10）的前方形成保护膜（22））。像素电极（26a）形成在阵列单元的保护膜上。在阵列边缘中形成多个金属图案（26b）。在基板的像素电极上形成PIN光电二极管的顶部电极和光导体层。形成金属图案以引起保护膜和光导电层之间的张力。

14. 发明公开

KR1020110063243A 엑스선 검출장치 및 이의 제조방법 无效
标题翻译： X射线探测器及其相关方法
公开(公告)号：KR1020110063243A
公开(公告)日：2011-06-10
申请号：KR1020100016143
申请日：2010-02-23
申请人： 주식회사바텍
发明人： 이영훈 , 문장원 , 이진식
IPC分类号： H01L31/115
CPC分类号： H01L31/115 , H01L27/14676 , H01L31/048 , H01L31/085 , H01L31/18
摘要： PURPOSE: A method for detecting X-ray and a method for manufacturing the same are provided to form a stable sealing structure by triple-sealing the outer peripheral of the junction part of a thin film transistor panel and a scintillator panel. CONSTITUTION: A first dam unit(230) is formed in a frame shape by being separated from the edge of the fluorescent layer of a scintillator panel. The first dam unit is formed between the fluorescent layer of the scintillator panel and the active region of an image sensor panel. A curable material layer(240) is filled in the first dam unit and uniformly bonds the scintillator panel and the image sensor panel. A second dam unit(250) is formed at the edge of the image sensor panel. A first sealing unit(260) is filled in a space between the second dam unit and the first dam unit.
摘要翻译：目的：提供一种用于检测X射线的方法及其制造方法，以通过三次密封薄膜晶体管板和闪烁体面板的接合部分的外周来形成稳定的密封结构。构成：第一堰单元（230）通过与闪烁体面板的荧光层的边缘分离而形成为框形。第一堰单元形成在闪烁体面板的荧光层和图像传感器面板的有源区域之间。可固化材料层（240）填充在第一堰单元中，并均匀地粘合闪烁体面板和图像传感器面板。第二堰单元（250）形成在图像传感器面板的边缘处。第一密封单元（260）填充在第二坝单元和第一坝单元之间的空间中。

15. 发明授权

KR101025186B1 거친 환경에 사용하기 위한 애벌런치 포토다이오드 失效
标题翻译： AVALANCHE光电在HARH环境中使用
公开(公告)号：KR101025186B1
公开(公告)日：2011-03-31
申请号：KR1020030088841
申请日：2003-12-09
申请人： 제너럴 일렉트릭 캄파니
发明人： 산드빅피터엠 , 브라운데일엠 , 아더스티븐디 , 매토샤케빈에스 , 크레치머제임스더블유
IPC分类号： H01L31/107
CPC分类号： H01L31/02322 , H01L31/02161 , H01L31/03044 , H01L31/0312 , H01L31/035281 , H01L31/107 , H01L31/115
摘要： 본 발명의 제1 실시예는 충격 레벨이 250 중력 가속도(G) 및/또는 150℃에 근접하거나 초과하는 온도 부근에 있는 거친 하향식(harsh down-hole) 환경에서 오일 웰 드릴닝 분야에 사용하기 위한 애벌런치 포토다이오드(APD) 장치에 관한 것이다. 본 발명의 다른 실시예는 탄화규소(SiC) 재료를 사용하여 제조된 APD 장치에 관한 것이다. 본 발명의 또 다른 실시예는 질화갈륨(GaN) 재료를 사용하여 제조된 APD 장치에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시예에 따른 자외선 광자를 검출하기 위한 애벌런치 포토다이오드는, 제1 도펀트를 갖는 기판(110)과; 상기 제1 도펀트를 가지며 상기 기판의 상부에 배치된 제1 층(111)과; 제2 도펀트를 가지며 상기 제1 층의 상부에 배치된 제2 층(112)과; 제2 도펀트를 가지며 상기 제2 층의 상부에 배치된 제3 층(114)과; 상기 애벌런치 포토다이오드의 표면에 전기적 패시베이션을 제공하는 패시베이션층(116, 122)과; 이동 이온 운반을 제한하며 상기 제3 층의 상부에 배치된 PSG(Phosphorus Silicate Glass) 층(124)과; 옴 접촉을 제공하며 상기 기판의 하부에 배치된 제1 전극 및 상기 제3 층의 상부에 배치된 제2 전극을 포함하는 한쌍의 금속 전극(118, 120)을 구비하고, 상기 애벌런치 포토다이오드는 경사진 메사 형태를 형성하는 제1 측벽 및 제2 측벽을 포함하며, 150℃와 대략 등가인 온도를 갖는 환경에서 동작한다.

16. 发明公开

KR20100134273A X-ray detecting apparatus 审中-公开
标题翻译： X射线检测装置
公开(公告)号：KR20100134273A
公开(公告)日：2010-12-23
申请号：KR20090052807
申请日：2009-06-15
申请人： ATLAIM CO LTD
发明人： CHOO DAE HO , LIM SUNG HOON
IPC分类号： G01N23/04 , G02F1/13357
CPC分类号： G01N23/043 , G01N2223/1016 , G01T1/2018 , G01T1/247 , H01L31/115 , H04N5/32
摘要： PURPOSE: An x-ray detector the connectors of the outer case are simplified to one case connector and connectors are simplified. The connector connecting workability can be improved. CONSTITUTION: The X-ray detector the X-ray detector panel(100), the main control unit(210), the voltage divider(220), detector driving substrate(200) and outer case(400) are included. The X-ray detector panel detects the X-ray applied from outside. The main control unit is electrically connected to the X-ray detector panel.
摘要翻译：目的：X射线检测器将外壳的连接器简化为一体式连接器，并简化连接器。可以提高连接器连接的可加工性。构成：包括X射线检测器，X射线检测器面板（100），主控制单元（210），分压器（220），检测器驱动基板（200）和外壳（400）。 X射线检测器面板检测从外部施加的X射线。主控制单元电连接到X射线检测器面板。

17. 发明公开

KR1020100086098A 엑스레이 검출기 및 이의 제조 방법 失效
标题翻译： X射线探测器及其制造方法
公开(公告)号：KR1020100086098A
公开(公告)日：2010-07-30
申请号：KR1020090005288
申请日：2009-01-22
申请人： (주)세현
发明人： 추대호
IPC分类号： H01L31/115 , H01L29/786
CPC分类号： H01L31/115 , G01T1/24 , H01L27/14658 , H01L27/14676
摘要： PURPOSE: An X-ray detector and a manufacturing method thereof are provided to stably attach a scintillator to a photoelectric conversion substrate by forming an adhesive layer with uniform thickness on only necessary region. CONSTITUTION: A photoelectric conversion substrate comprises a photoelectric conversion region and a pad region. A thin film transistor unit and a photoelectric conversion unit are formed on a photoelectric conversion region. A pad region surrounds the photoelectric conversion region. A sealing member(300) is formed between the photoelectric conversion region and the pad region to surround the photoelectric conversion region. The sealing member includes thermosetting resin or photo-curable resin. An adhesive layer(400) is formed on the photoelectric conversion region surrounded with the sealing member. A scintillator(500) is attached to the photoelectric conversion substrate with the adhesive layer.
摘要翻译：目的：提供一种X射线检测器及其制造方法，通过仅在必要区域形成均匀厚度的粘合剂层，将闪烁体稳定地附着于光电转换基板。构成：光电转换基板包括光电转换区域和焊盘区域。在光电转换区域上形成薄膜晶体管单元和光电转换单元。衬垫区域围绕光电转换区域。在光电转换区域和焊盘区域之间形成密封构件（300），以包围光电转换区域。密封构件包括热固性树脂或光固化树脂。在由密封构件包围的光电转换区域上形成粘合剂层（400）。闪烁体（500）用粘合剂层附着到光电转换基板上。

18. 发明公开

KR1020100085517A 엑스레이 디텍터 및 이의 제조방법 失效
标题翻译： X射线探测器及其制造X射线探测器的方法
公开(公告)号：KR1020100085517A
公开(公告)日：2010-07-29
申请号：KR1020090004848
申请日：2009-01-21
申请人： (주)세현
发明人： 추대호
IPC分类号： A61B6/00 , H01L29/786
CPC分类号： H01L27/14658 , G01T1/24 , H01L27/14676 , H01L31/115
摘要： PURPOSE: An X ray detector and a manufacturing method thereof are provided to increase a fill factor by forming a lower electrode unit made of transparent conductive materials on a drain electrode. CONSTITUTION: A PIN diode(DI) includes a lower electrode unit which is electrically connected to a drain electrode of a thin film transistor and is formed on the upper side of the drain electrode to cover the drain electrode of the thin film transistor, a photo conversion semiconductor arranged on the lower electrode unit, and an upper electrode unit formed on the photo conversion semiconductor. A diode protection layer(150) covers the PIN diode and includes a bias contact hole to expose the part of the upper side of the PIN diode. The part of the upper side of the PIN diode is exposed through the bias contact hole. A bias wiring(160) is electrically contacted with the upper side of the PIN diode through the bias contact hole. An optical wavelength transformer(190) transforms the X ray into the wavelength which is absorbed in the PIN diode.
摘要翻译：目的：提供一种X射线检测器及其制造方法，以通过在漏电极上形成由透明导电材料制成的下电极单元来增加填充因子。 PIN二极管（DI）包括电连接到薄膜晶体管的漏极的下电极单元，并形成在漏电极的上侧以覆盖薄膜晶体管的漏电极，照片布置在下电极单元上的转换半导体和形成在光转换半导体上的上电极单元。二极管保护层（150）覆盖PIN二极管并且包括偏置接触孔以暴露PIN二极管的上侧的一部分。 PIN二极管的上侧部分通过偏压接触孔露出。偏置布线（160）通过偏置接触孔与PIN二极管的上侧电接触。光波长变换器（190）将X射线转换成在PIN二极管中吸收的波长。

19. 发明公开

KR1020090090156A 대면적 Ｘ선 검출장치의 제조방법 有权
标题翻译：用于制作大面积X射线探测器的方法
公开(公告)号：KR1020090090156A
公开(公告)日：2009-08-25
申请号：KR1020080015457
申请日：2008-02-20
申请人： 주식회사바텍
发明人： 김일경 , 정헌용 , 송현진
IPC分类号： G03B42/02 , A61B6/14
CPC分类号： G03B42/02 , A61B6/14 , G01T1/20 , H01L31/115
摘要： A manufacturing method of a large area x-rays detector is provided to obtain various images of the various kinds and to increase the performance of the detector by making the thickness of a bonding layer uniform. A manufacturing method of a large area x-rays detector comprises followings. A sensor panel(110) is set up so that the front face of the sensor panel has the fixed angle with a horizontal plane. Adhesive is sprayed on the upper part of the front face of the sensor panel. An adhesive layer(130) of the fixed thickness is made by making the sprayed adhesive stream down to the lower front face from the upper front face of the sensor panel. A scintillator panel(120) converting X-rays into visible ray is adhered to the front face of a bonding layer. The sensor panel outputs an electric signal after receiving the visible ray. The thickness of the bonding layer is 10~40mum.
摘要翻译：提供大面积x射线检测器的制造方法以获得各种各样的图像，并且通过使粘结层的厚度均匀而提高检测器的性能。大面积X射线检测器的制造方法如下。传感器面板（110）被设置成使得传感器面板的前表面与水平面具有固定角度。粘合剂喷在传感器面板正面的上部。通过使喷射的粘合剂流从传感器面板的上前表面下降到下前表面，制成固定厚度的粘合剂层（130）。将X射线转换为可见光的闪烁体面板（120）粘附到粘结层的前表面。传感器面板在接收到可见光线后输出电信号。结合层的厚度为10〜40μm。

20. 发明公开

KR1020070051782A 실리콘 광전자 증배관 및 상기 실리콘 광전자 증배관을위한 셀 有权
标题翻译：硅胶（变种）及其细胞
公开(公告)号：KR1020070051782A
公开(公告)日：2007-05-18
申请号：KR1020067025572
申请日：2005-05-05
申请人： 막스-플랑크-게젤샤프트 츄어 푀르더룽 데어 비쎈샤프텐 에.파우. , 돌고쉐인, 보리스 아나토리에비치
发明人： 돌고쉐인,보리스아나토리에비치 , 포포바,엘레나비크토롭나 , 클레민,세르게이니콜라에비치 , 필라토프,레오니드아마토리에비치 , 테시마,마사히로 , 미르조얀,라즈미크
IPC分类号： H01L27/144 , H01L27/146 , H01L31/06 , H01L31/107
CPC分类号： H01L31/107 , H01L27/144 , H01L27/14643 , H01L31/115
摘要： 본 발명은 반도체 소자 분야에 관한 것이며, 더 세부적으로는 스펙트럼의 가시 부분을 포함하는 광 발산 검출에 있어 높은 효율을 갖는 검출기에 관한 것이고, 본 발명은 원자력 및 레이저 기술에서 사용될 수 있고, 산업 및 의료 단층 촬영 등에서 사용될 수 있다.
실리콘 광전자 증배관에 의한 기술적 효과가 획득된다(실시예 1).
10
18 -10
20 ㎝
-3 의 도핑 에이전트 농도를 갖는 p++ 전도성 타입의 기판을 포함하고, 셀들로 구성된 실리콘 광전자 증배관(photoelectric multiplier)에 있어서, 상기 각각의 셀은, 공간적으로 변화하는 10
18 -10
14 ㎝
-3 의 도핑 에이전트 농도를 갖는 p 전도성 타입의 에피택시 층(상기 기판 위에서 성장하는 상기 에피택시 층)과, 10
15 -10
17 ㎝
-3 의 도핑 에이전트 농도를 갖는 p 전도성 타입 층과, 10
18 -10
20 ㎝
-3 의 도핑 에이전트 농도를 갖는 n+ 전도성 타입 층과, 전압 배분 버스와, 각각의 셀에서, 실리콘 옥사이드 층 위에 위치하는 폴리실리콘 저항(상기 n+ 전도성 타입의 층을 전압 배분 버스와 연결시키는 상기 폴리실리콘 저항)을 포함하며, 이때, 분리 요소가 상기 셀들 사이에 배치된다.
실리콘 광전자 증배관으로 인한 기술적 효과가 얻어진다(실시예 2).
n 전도성 타입의 기판과, 상기 기판 상에 공급되는 10
18 -10
20 ㎝
-3 의 도핑 에이 전트 농도를 갖는 p++ 전도성 타입의 층을 포함하는 실리콘 광전자 증배관(photoelectric multiplier)에 있어서, 상기 증배관은 셀들로 구성되어 있고, 각각의 셀은, 공간적으로 변화하는 10
18 -10
14 ㎝
-3 의 도핑 에이전트 농도를 갖는 p 전도성 타입의 에피택시 층(즉, 상기 p++ 전도성 타입 층 위에서 성장되는 상기 p 전도성 타입의 에피택시 층)과, 10
15 -10
17 ㎝
-3 의 도핑 에이전트 농도를 갖는 p 전도성 타입의 층과, 10
18 -10
20 ㎝
-3 의 도핑 에이전트 농도를 갖는 n+ 전도성 타입의 층과, 전압 배분 버스와, 상기 각각의 셀에서, 실리콘 옥사이드 층 위에 위치하는 폴리실리콘 저항(상기 n+ 전도성 타입의 층을 상기 전압 배분 버스에 연결시키는 상기 폴리실리콘 저항)을 포함하며, 이때, 분리 요소가 상기 셀들 사이에 배치된다.

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