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11. 发明授权

KR100275180B1 반도체 장치 및 그 제조 방법 失效
标题翻译：包含电容器的半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：KR100275180B1
公开(公告)日：2000-12-15
申请号：KR1019980033444
申请日：1998-08-18
申请人： 미쓰비시덴키 가부시키가이샤
发明人： 다나까요시노리 , 시미즈마사히로 , 아리마히데아끼
IPC分类号： H01L27/108
CPC分类号： H01L27/0629 , H01L27/10814 , H01L27/10817 , H01L27/10844 , H01L27/10852 , H01L27/10894 , H01L28/91
摘要： 일정한 캐패시터 용량을 확보하면서, 고집적화가 가능하고, 높은 신뢰성을 갖는 반도체 장치 및 그 제조 방법을 얻을 수 있다.
메모리셀 영역과 주변 회로 영역을 포함하는 반도체 장치에 있어서, 반도체 기판(1)의 주 표면 상에 상기 메모리셀 영역으로부터 주변 회로 영역까지 연장하도록 형성된 상부 표면을 갖는 절연막(59)을 구비한다. 메모리셀 영역 내에서, 반도체 기판(1)의 주 표면 상에 절연막(59)의 상부 표면보다도 상측으로 연장되도록, 캐패시터 하부 전극(170a)을 형성한다. 캐패시터 하부 전극(170a) 상에 유전체막(150)을 개재하여, 절연막(59)의 상부 표면 상에 연장하도록 캐패시터 상부 전극(150)을 형성한다. 캐패시터 하부 전극(170a)은 최상면(301)과 저부면(302)을 갖는 캐패시터 하부 전극 부분을 포함한다. 절연막(59)의 상부 표면은, 캐패시터 하부 전극 부분의 최상면(301)과 저부면(302) 간에 위치한다.

12. 发明授权

KR100554321B1 반도체 장치 有权
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：KR100554321B1
公开(公告)日：2006-02-24
申请号：KR1020030031600
申请日：2003-05-19
申请人： 미쓰비시덴키 가부시키가이샤
发明人： 다나까요시노리
IPC分类号： H01L21/3205
CPC分类号： H01L28/65 , H01L23/544 , H01L27/10852 , H01L27/10894 , H01L28/91 , H01L2223/54426 , H01L2223/54453 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 스토리지 노드에 Ru 등의 금속을 이용하여도, 절연막과 박리가 생기지 않고, 단락 등의 원인이 되는 파손이 생기지 않는 반도체 장치를 얻을 수 있으며, 반도체 기판 상에, 캐패시터 영역 및 주변 영역 양쪽에 걸쳐 위치하는 기초층 절연막(3)과, 기초층 절연막 위에 위치하는 층간 절연막(7)과, 캐패시터 영역 및 주변 영역에서, 각각, 기초 층간 절연막 상에 그 바닥부를 접하고, 개구측을 위로 하여 층간 절연막(7)을 관통하도록 위치하는, 바닥부를 갖는 통형 금속막(11, 13)을 포함하며, 캐패시터 영역 및 주변 영역 양쪽에서, 그 개구측은 층간 절연막의 관통 홀의 측벽을 따르는 부분만으로 형성된다.
통형 금속막, 층간 절연막, 스토리지 노드, 캐패시터
摘要翻译：使用金属例如Ru在存储节点上即使没有绝缘膜和所述发生分离，也能够获得半导体装置被破坏，以使诸如短路不会发生，在半导体衬底上，位于在两个电容器区和外围区在与基础层绝缘膜3，其与层间绝缘膜7，其在基座上形成的绝缘膜，所述电容器区域和外围区域，分别，层间绝缘膜的基础上的底部，以及在开口侧层间绝缘膜7接触（），其被定位成贯通，并且包括具有底部的管状的金属膜（11，13），无论是在电容器区域和周边区域，所述开口侧从仅沿着层间绝缘膜的侧壁的贯通孔的一部分而形成。

13. 发明授权

KR100427922B1 반도체 장치 및 그 제조 방법 失效
标题翻译： 반도체장치및그제조방법
公开(公告)号：KR100427922B1
公开(公告)日：2004-04-30
申请号：KR1020010055269
申请日：2001-09-08
申请人： 미쓰비시덴키 가부시키가이샤
发明人： 데라우찌다까시 , 다나까요시노리
IPC分类号： H01L21/28
CPC分类号： H01L21/76831 , H01L21/76804 , H01L21/76897 , H01L23/485 , H01L2924/0002 , Y10S257/908 , H01L2924/00
摘要： A contact plug 26 formed between adjacent two wirings 14 according to a self-aligning manner is provided. An interlayer oxide film 12 is provided on a substrate layer 10 conductive to the bottom face of the contact plug. A lower insulating film 32 formed of a nitride based insulating film is provided so as to cover the entire surface of the interlayer oxide film 12 except for the contact hole portion. A wiring 12, an upper insulating film 16 formed of a nitride based insulating film, and sidewalls 18 formed of a nitride based insulating film are provided over the lower insulating film 32. The contact hole has a diameter larger than the interval defined between the wirings 14 in the same layer as the interlayer oxide film 12.
摘要翻译：提供了根据自对准方式在相邻的两个布线14之间形成的接触插塞26。在与接触插塞的底面导电的基板层10上设置有层间氧化膜12。设置由氮化物基绝缘膜形成的下绝缘膜32以覆盖除了接触孔部分之外的层间氧化物膜12的整个表面。布线12，由氮化物基绝缘膜形成的上绝缘膜16和由氮化物基绝缘膜形成的侧壁18设置在下绝缘膜32上。接触孔的直径大于布线之间限定的间隔 14与中间层氧化膜12同层。

14. 发明公开

KR1020040025534A 반도체 장치 有权
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：KR1020040025534A
公开(公告)日：2004-03-24
申请号：KR1020030031600
申请日：2003-05-19
申请人： 미쓰비시덴키 가부시키가이샤
发明人： 다나까요시노리
IPC分类号： H01L21/3205
CPC分类号： H01L28/65 , H01L23/544 , H01L27/10852 , H01L27/10894 , H01L28/91 , H01L2223/54426 , H01L2223/54453 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： PURPOSE: To provide a semiconductor device which does not cause damage being a cause for such as a short circuit without producing separation from an insulating film even when a metal such as Ru is used for a storage node. CONSTITUTION: The semiconductor device is provided with a substrate interlayer insulating film positioned over both of a capacitor region and a peripheral region on the semiconductor substrate; an interlayer insulating film positioned on the substrate interlayer insulating film; and a cylindrical metal film coming into contact with the bottom part on the substrate interlayer insulating film in the capacitor region and the peripheral region, positioned so as to penetrate the interlayer insulating film by directing an opening side upward and having the bottom part. The cylindrical metal film constitutes a lower electrode of a capacitor in the capacitor region, and is positioned in the range of an upper face or less of the interlayer insulating film formed of only a part to be along a side wall of a through hole of the interlayer insulating film by the opening side in both of the capacitor region and the peripheral region.
摘要翻译：目的：提供即使在诸如Ru之类的金属用于存储节点的情况下，也不会产生诸如短路而不产生与绝缘膜分离的损害的半导体器件。构成：半导体器件设置有位于半导体衬底上的电容器区域和周边区域两者上的衬底层间绝缘膜; 位于基板层间绝缘膜上的层间绝缘膜; 以及与电容器区域和周边区域中的基板层间绝缘膜上的底部的底部接触的圆筒状金属膜，通过将开口侧向上方引导并具有底部而被定位成贯通层间绝缘膜。圆筒状金属膜构成电容器区域中的电容器的下部电极，位于仅由沿着通孔的通孔侧壁的部分形成的层间绝缘膜的上面或下侧的范围内电容器区域和周边区域中的开口侧的层间绝缘膜。

15. 发明公开

KR1020020054264A 반도체 장치 및 그 제조 방법 失效
标题翻译：半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：KR1020020054264A
公开(公告)日：2002-07-06
申请号：KR1020010055269
申请日：2001-09-08
申请人： 미쓰비시덴키 가부시키가이샤
发明人： 데라우찌다까시 , 다나까요시노리
IPC分类号： H01L21/28
CPC分类号： H01L21/76831 , H01L21/76804 , H01L21/76897 , H01L23/485 , H01L2924/0002 , Y10S257/908 , H01L2924/00
摘要： PURPOSE: To provide a semiconductor device which has a contact hole opened by self alignment and which can suppress a contact resistance while preventing short-circuiting between a wiring and a contact plug. CONSTITUTION: A contact plug 26 is formed by self alignment between adjacent wirings 14. An interlayer oxide film 12 is formed on a substrate layer 10 conducted with a bottom surface of the contact plug. A lower insulating film 32 made of a nitride-based insulating film is provided to cover the entire surface of the interlayer oxide film 12, except for a part corresponding to the contact hole. A wiring 12, an upper insulating film 16 made of a nitride-based insulating film, and a sidewall 18 made of a nitride-based insulating film are provided on the lower insulating film 32. The contact hole has a diameter larger than an interval between the wirings 14 in the same layer as the interlayer oxide film 12.
摘要翻译：目的：提供一种具有通过自对准打开的接触孔的半导体器件，并且能够抑制接触电阻同时防止布线和接触插塞之间的短路。构成：通过相邻布线14之间的自对准形成接触插塞26.在衬底层10上形成层间氧化膜12，该衬底层10与接触插塞的底表面一起导通。除了与接触孔对应的部分之外，还设置有由氮化物系绝缘膜构成的下部绝缘膜32，以覆盖层间氧化膜12的整个表面。布线12，由氮化物系绝缘膜构成的上绝缘膜16和由氮化物系绝缘膜构成的侧壁18设置在下绝缘膜32上。接触孔的直径大于布线14与层间氧化膜12相同。

16. 发明授权

KR100151866B1 반도체 장치 및 그 제조방법 失效
标题翻译：半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：KR100151866B1
公开(公告)日：1998-12-01
申请号：KR1019930025553
申请日：1993-11-27
申请人： 미쓰비시덴키 가부시키가이샤
发明人： 다나까요시노리 , 기노시따미쭈야 , 와따나베신야 , 가사오까다쭈오 , 아까자와모리아끼 , 오가와도시아끼
IPC分类号： H01L21/28
CPC分类号： H01L27/1085 , H01L21/76802 , H01L23/5226 , H01L27/10852 , H01L28/82 , H01L28/86 , H01L28/90 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 포토리토그래픽 기술에 의해 형성될 수 있는 최소치보다 작은 개구 직경을 가진 콘택트 홀이 형성된다.
반도체 기판 상에 형성된 층간 절연막(8)을 에칭 마스크로 사용하여 에칭이 개구(8a)를 형성하도록 거의 수행된다.
에칭 마스크가 제거되며, TEOS 막(10)이 층간 산화막(8) 상에 형성된다.
전 표면이 그 후 콘택트 홀(11)을 형성하도록 이방성으로 에칭된다.

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