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11. 发明公开

KR1020050032112A 백금족 원소의 회수법 및 장치 有权
标题翻译：回收铂族元素及其装置的方法
公开(公告)号：KR1020050032112A
公开(公告)日：2005-04-06
申请号：KR1020057002014
申请日：2003-08-04
申请人： 도와 홀딩스 가부시키가이샤 , 가부시키가이샤닛뽄피지에무 , 고사카세이렌가부시키가이샤 , 다나까 홀딩스 가부시끼가이샤
发明人： 야마다고지 , 오기노마사히코 , 에자와노부야스 , 이노우에히로시
IPC分类号： C22B11/02 , B01J23/96 , B01J38/00 , B09B3/00
CPC分类号： C22B9/16 , C22B11/02 , C22B11/021 , C22B11/026 , C22B15/0054 , Y02P10/214
摘要： A dry method of recovering a platinum group element, comprising charging a substance containing platinum group element to be treated and a copper source material containing copper oxide together with a flux component and a reducing agent into a sealed electric furnace, melting them, depositing a molten metal composed mainly of metallic copper in a lower part of a molten slug layer composed mainly of oxides, and concentrating the platinum group element in the molten metal deposited alow, characterized in that a molten slug having its copper content decreased to 3.0 wt.% or below is discharged from the sealed electric furnace and that a granular copper source material of 0.1 to 10 mm diameter is used as the copper source material.
摘要翻译：回收铂族元素的干法，包括将含有待处理的铂族元素的物质和含有氧化铜的铜源材料与助熔剂组分和还原剂一起加入到密封的电炉中，将其熔化，沉积熔融主要由主要由氧化物构成的熔融层层的下部中的金属铜组成的金属和将铂族元素集中在沉积在熔融金属中的金属元素中，其特征在于，其铜含量降低至3.0重量％下面从密封式电炉中排出，使用直径为0.1〜10mm直径的粒状铜源材料作为铜源材料。

12. 发明公开

KR1020050026840A 금속 자성 분말 및 이의 제조방법 有权
标题翻译：金属磁粉及其制造方法
公开(公告)号：KR1020050026840A
公开(公告)日：2005-03-16
申请号：KR1020030067678
申请日：2003-09-30
申请人： 도와 홀딩스 가부시키가이샤
发明人： 도지가즈유키
IPC分类号： B22F9/24
CPC分类号： B82Y25/00 , B22F9/24 , C22C1/0491 , H01F1/0063 , H01F1/065 , H01F1/068
摘要： To provide a method for preparing metal magnetic powder with fluidity, in which metal magnetic powder already having face-centered tetragonal structure is obtained from particles obtained right after reaction so that heat treatment is skipped or simplified, and the metal magnetic powder with fluidity prepared by the method. The metal magnetic powder is consisted of metal magnetic particles comprising principal components of which composition is represented by the following formula 1, and the balance being inevitable impurities during preparation; the Formula 1 is [TXM1-X]YZ1-Y, wherein T is one or both of Fe and Co, M is one or both of Pt and Pd, Z is one or more elements selected from the group consisting of Ag, Cu, Bi, Sb, Pb and Sn, X is 0.3 to 0.7, and Y is 0.7 to 1.0, wherein the metal magnetic particles have a volume ratio of ferromagnetic structure(face-centered tetragonal ratio) measured by Massbauer spectroscopy is in a range of 10 to 100%, a saturation magnetization(sigmas) at room temperature of 20 emu/g or more and an average primary particle diameter value observed by transmission electron microscope(TEM) of 30 nm or less.
摘要翻译：为了提供一种制备具有流动性的金属磁性粉末的方法，其中由反应后立即获得的颗粒获得已经具有面心四方晶体结构的金属磁性粉末，以便跳过或简化热处理，并且由流动性制备的金属磁性粉末由方法。金属磁性粉末由金属磁性颗粒构成，其中主要成分组成由下式1表示，余量在制备过程中是不可避免的杂质; 式1是[TXM1-X] YZ1-Y，其中T是Fe和Co中的一种或两种，M是Pt和Pd中的一种或两种，Z是一种或多种选自Ag，Cu， Bi，Sb，Pb和Sn，X为0.3〜0.7，Y为0.7〜1.0，其中，通过Massbauer光谱法测定的铁磁性结构体积比（面心四边形比）为10〜至100％，室温下的饱和磁化强度（sigmas）为20emu / g以上，透射电子显微镜（TEM）观察到的平均一次粒径值为30nm以下。

13. 发明授权

KR100444526B1 금속열처리장치 失效
公开(公告)号：KR100444526B1
公开(公告)日：2004-11-26
申请号：KR1019960075270
申请日：1996-12-28
申请人： 도와 홀딩스 가부시키가이샤
发明人： 탄노요시유키 , 시무라히로시 , 야마구치시게미
IPC分类号： C21D1/00
CPC分类号： F27D99/0073 , C21D1/74 , C21D9/0006 , F27B9/045 , F27B9/22 , F27D1/1858 , F27D3/04
摘要： A heat treatment apparatus having a heat treatment furnace into which a hydrocarbon gas and an oxidization gas are introduced, wherein an elevator door (4) for opening and closing the heat treatment furnace has a guide pin (32) projected therefrom, and a jam (35) having an upper hook surface (33) for receiving the guide pin (32) thereon, the jam (35) being pivotally supported so that when the elevator door (4) is lowered, the elevator door (4) is moved by the jam (35) toward a seal surface of the opening of the heat treatment furnace. A guide groove (40) for guiding a pin (39) of an elevator door (4) in the vertical direction is curved at the lower portion thereof toward a seal surface of the opening of the heat treatment furnace. A seal packing (41) is provided on a seal surface of an opening of the heat treatment furnace, and a cooling pipe (42) is provided near the seal packing (41).
摘要翻译：一种热处理装置，具有导入烃类气体和氧化剂气体的热处理炉，其特征在于，用于开闭热处理炉的电梯门（4）具有从其突出的导向销（32）具有用于在其上接收导销（32）的上钩表面（33），所述阻塞（35）被枢转地支撑，使得当所述电梯门（4）下降时，所述电梯门（4）（35）朝向热处理炉的开口的密封表面。用于在竖直方向上引导电梯门（4）的销（39）的引导槽（40）在其下部朝着热处理炉的开口的密封表面弯曲。密封垫（41）设置在热处理炉的开口的密封表面上，并且密封垫（41）附近设置有冷却管（42）。＆lt;图像＆GT;

14. 发明授权

KR100451780B1 오염된 토양의 무해화 방법 有权
标题翻译：空值
公开(公告)号：KR100451780B1
公开(公告)日：2004-10-08
申请号：KR1020017006126
申请日：1999-11-16
申请人： 도와 홀딩스 가부시키가이샤
发明人： 키무라토시무네 , 시라토리토시카즈 , 카와카미사토시 , 이토히로유키 , 토모구치마사루 , 카꾸쇼토모나리
IPC分类号： B09C1/08
CPC分类号： B09C1/08 , B09C1/00 , B09C2101/00 , Y02W10/37
摘要： 지하수 수준 WL 아래의 포화 영역(4)에 존재하는 토양뿐만 아니라, 지하수 수준 이상의 불포화 영역(5)에 존재하는 토양 또는 굴착된 토양내에 환원제로서 철분을, 땅속의 가압된 매질과 함께 주입 및 분사시켜 혼입하여, 철분을 토양과 함께 기계적 교반으로 블랜딩(blending)하고, 표면으로부터 구멍을 뚫어 단독으로 또는 유리된 토양과의 혼합물 등으로 구멍을 통해 도입하는 방법으로 구성되는 유기 염소-함유 화합물에 의해 오염된 토양의 무해화 처리 방법. 상기 철분은 0.1 wt% 이상의 탄소를 함유하고, 철분 입자 중 50 wt% 이상이 150 ㎛ 의 체를 통과하기에 충분한 입자 크기이며, 분말의 비표면적이 500 cm
2 /g 이상이고, 분말이 0.1 내지 10 wt% 의 양으로 토양에 첨가되는 것이 바람직하다. 상기 철분은 구리를 함유할 수 있고, 수중에서 약산성인 수성 환원 물질을 철분과 함께 바람직하게는 첨가할 수 있다. 또한, 기체(a)를 오염된 지역(6)내에 불어넣어, 상기의 오염물의 이동을 강화시킨다.
摘要翻译：一种有机含氯化合物污染土壤的解毒处理方法，其中包括将铁粉作为还原剂，不仅在地下水位WL下存在于饱和区（4）内的土壤中，而且还包括通过在地下注入和分散与加压介质一起分散在地下水中的不饱和区（5）中存在的不饱和区（5）中的土壤，将其与土壤b机械搅拌混合，从地面镗孔; 然后将其自身引入孔或作为与被剥离的土壤等的混合物。优选铁粉含有0.1重量％以上的碳，50重量％以上的铁粉的粒径足以使150μm筛子通过，粉末的比表面积为500cm 3以上， 2 / g以上，粉末以0.1〜10重量％的量添加到土壤中。铁粉可以含有铜，并且在水中每周呈酸性的水性还原剂可以与铁粉一起加入。此外，可以将气体（a）吹入污染区域（6）以增强上述污染物的行进。

15. 发明公开

KR1020030015123A 주석-함유 산화인듐, 이의 제조 방법, 그 산화인듐을사용하는 코팅액, 및 그 산화인듐으로부터 형성된 전기전도성 코팅물 有权
标题翻译：含Sn的氧化物，其生产方法，含有氧化物和电导电涂料的涂料溶液
公开(公告)号：KR1020030015123A
公开(公告)日：2003-02-20
申请号：KR1020020031689
申请日：2002-06-05
申请人： 도와 홀딩스 가부시키가이샤
发明人： 이나무라다쯔미 , 모떼끼요시오 , 호리까와요시찌까 , 에시마고이찌로
IPC分类号： C01G15/00
CPC分类号： C01G19/00 , C01P2004/04 , C01P2004/54 , C01P2006/12 , H01B1/08
摘要： PURPOSE: Provided are Sn-containing indium oxides(ITO) in acicular or tabular form that are optimum for forming highly transparent and conductive coatings by applying liquid particle dispersion. CONSTITUTION: The Sn-containing indium oxide in the form of needles or plates is characterized by having a major axis of 0.2 micrometer or less and a minor axis of 0.1 micrometer or less. The coating solution comprises the particles of the Sn-containing indium oxide dispersed in a solvent or a resin-containing solvent. The Sn-containing indium oxide is produced by the process comprising the steps of preparing an acidic aqueous solution containing Sn and In, adding an alkali to the acidic aqueous solution to perform preliminary neutralization, raising the temperature of the preliminarily neutralized aqueous solution, adding the alkali to the aqueous solution to fully neutralize it, and firing the resulting Sn-containing In hydroxide.
摘要翻译：目的：提供针状或片状形式的含Sn氧化铟（ITO），适用于通过施加液体颗粒分散体形成高度透明和导电的涂层。构成：以针或板形式的含Sn氧化铟的特征在于具有0.2微米或更小的长轴和0.1微米或更小的短轴。涂布溶液包含分散在溶剂或含树脂溶剂中的含Sn氧化铟的颗粒。含Sn的氧化铟的制造方法包括以下步骤：制备含有Sn和In的酸性水溶液，向酸性水溶液中加入碱进行初步中和，提高预先中和的水溶液的温度，碱与水溶液完全中和，并焙烧得到的含Sn的氢氧化物。

16. 发明公开

KR1020010089458A 오염된 토양의 무해화 방법 有权
标题翻译：解毒污染土壤的方法
公开(公告)号：KR1020010089458A
公开(公告)日：2001-10-06
申请号：KR1020017006126
申请日：1999-11-16
申请人： 도와 홀딩스 가부시키가이샤
发明人： 키무라토시무네 , 시라토리토시카즈 , 카와카미사토시 , 이토히로유키 , 토모구치마사루 , 카꾸쇼토모나리
IPC分类号： B09C1/08
摘要： 지하수 수준 WL 아래의 포화 영역(4)에 존재하는 토양뿐만 아니라, 지하수 수준 이상의 불포화 영역(5)에 존재하는 토양 또는 굴착된 토양내에 환원제로서 철분을 혼입하여, 철분을 땅속의 가압된 매질과 함께 주입 및 분사시켜, 철분을 토양과 함께 기계적 교반으로 블랜딩(blending)하고, 표면으로부터 구멍을 뚫어 단독으로 구멍을 통해 도입하거나 유리된 토양과 블랜드하는 등의 방법으로 구성되는 유기 염소-함유 화합물에 의해 오염된 토양의 무해화 처리 방법. 상기 철분은 0.1 wt% 이상의 탄소를 함유하고, 철분 입자 중 50 wt% 이상이 150 ㎛ 의 체를 통과하기에 충분한 입자 크기이며, 분말의 비표면적이 500 cm
2 /g 이상이고, 토양중의 분말이 0.1 내지 10 wt% 의 양으로 토양에 첨가되는 것이 바람직하다. 상기 철분 입자는 구리를 함유하고, 수중에서 약산성인 수성 환원 물질을 철분과 함께 바람직하게는 첨가할 수 있다. 또한, 기체(a)를 오염된 지역(6)내에 불어넣어, 상기의 오염물의 이동을 강화시킨다.

17. 发明公开

KR1019970021163A 방화용 팽창성 수지 조성물 失效
标题翻译：用于防火的可发性树脂组合物
公开(公告)号：KR1019970021163A
公开(公告)日：1997-05-28
申请号：KR1019960048681
申请日：1996-10-25
申请人： 후루까와덴끼고오교 가부시끼가이샤 , 가부시끼가이샤 후루까와 테크노마티리알 , 도와 홀딩스 가부시키가이샤
发明人： 우메야마겐스께 , 오와리마사노리 , 나루세다다시 , 나가이겐 , 호시노다까시 , 쓰찌다히로아끼
IPC分类号： C08L101/00 , C08L9/00
摘要： 성형성, 시공성이 뛰어나고, 시트로서도, 퍼티로서도 사용할 수가 있고, 장기 보존하더라도 연도 저하를 일으키지 않고 화재 발생시에는 크게 팽창하여 팽창층으로 되어서 연소 방지의 배리어로되고, 게다가 그 팽창층은 형붕괴를 일으키지 않는 방화용 팽창성 수지 조성물이 제공되었다.
이 방화용 팽창성 수지 조성물은 베이스 수지에, 무기계 팽창제 및/또는 유기계 팽창제와 형붕괴 방지용 수지가 동시에 배합되어 이루어지고, 이형 붕괴 방지용 수지로서는 폴리카보네이트수지 폴리페닐렌설파이드수지, 폴리페닐렌에테르수지가 적합하게 사용되고, 또 팽창제로서는 팽창성 흑연이 적합하게 사용된다.

18. 发明授权

KR101321654B1 Ⅲ족 질화물 반도체 성장용 기판, Ⅲ족 질화물 반도체 에피택셜 기판, Ⅲ족 질화물 반도체 소자 및 Ⅲ족 질화물 반도체 자립 기판, 및 이들의 제조 방법 有权
标题翻译：用于生长III族氮化物半导体的基板，用于III族氮化物半导体的外延基板，III族氮化物半导体元件，用于III族氮化物半导体的独立基板，以及用于制造预制的方法
公开(公告)号：KR101321654B1
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：KR1020117024798
申请日：2010-03-25
申请人： 도와 홀딩스 가부시키가이샤 , 도와 일렉트로닉스 가부시키가이샤
发明人： 토바,류이치 , 미야시타,마사히토 , 토요타,타츠노리 , 카도와키,요시타카
IPC分类号： H01L21/20 , H01L33/02
CPC分类号： H01L21/02365 , H01L21/0237 , H01L21/02439 , H01L21/02458 , H01L21/02488 , H01L21/02505 , H01L21/0254 , H01L21/02664
摘要： 성장 온도가 1050℃ 이하의 AlGaN나 GaN나 GaInN 뿐만이 아니라, 성장 온도가 높은 고 Al 조성의 Al
x Ga
1
-
x N에 대해도 결정성이 좋은 III족 질화물 반도체 에피택셜 기판, III족 질화물 반도체 소자, III족 질화물 반도체 자립 기판 및 이들을 제조하기 위한 III족 질화물 반도체 성장용 기판, 및 이들을 효율적으로 제조하는 방법을 제공한다. 적어도 표면 부분이 Al을 포함한 III족 질화물 반도체로 이루어진 결정 성장 기판과, 상기 표면 부분 상에 형성된 스칸듐 질화물 막을 구비하는 것을 특징으로 한다.
摘要翻译：本发明的目的是提供具有良好结晶性的III族氮化物半导体外延衬底，III族氮化物半导体元件和III族氮化物半导体独立衬底，不仅AlGaN，GaN和GaInN 其生长温度为1050℃以下，而且还具有Al生长温度高的Al组分的Al x Ga 1-x N; 用于制造它们的III族氮化物半导体生长衬底及其有效生产方法。本发明提供了一种III族氮化物半导体生长衬底，其包括晶体生长衬底，该晶体生长衬底包括由至少含有Al的III族氮化物半导体构成的表面部分和在表面部分上形成的钪氮化物膜。

19. 发明授权

KR101236253B1 구리 분말의 제조방법 및 구리 분말 有权
标题翻译：生产铜粉和铜粉的方法
公开(公告)号：KR101236253B1
公开(公告)日：2013-02-22
申请号：KR1020060024319
申请日：2006-03-16
申请人： 도와 홀딩스 가부시키가이샤
发明人： 야마다도모야 , 히라타고지
IPC分类号： B22F9/24 , B22F9/18
CPC分类号： B22F9/24 , C22B15/0021
摘要： 전해 아산화구리를 출발 원료로 사용하여, 평균 입자 직경이 1㎛ 이하 또는 추가로 O.5㎛ 이하이고, 입자 직경이 일정한 도전 페이스트용 충전제에 적합한 구리 분말을 저비용으로 제조한다. 이산화 구리를, 보호 콜로이드가 존재하고 수용성 구리염을 첨가한 물 속에서 환원제와 혼합하는 구리 분말의 제조방법, 또는 보호 콜로이드가 존재하는 물 속에서 수용성 구리염을 환원시켜 슬러리로 하고, 상기 슬러리의 존재하에서 아산화구리를 환원시키는 구리 분말의 제조방법을 제공한다. 수용성 구리염으로서는, 염화제1구리와 같은 1가 구리염을, 예를 들면, 아산화구리 100mol을 기준으로 하여, 0.1 내지 20mol 사용할 수 있다. 보호 콜로이드로서 아산화구리 100질량부를 기준으로 하여, 수용성 고분자 1 내지 40질량부를 사용할 수 있다.
구리 분말, 아산화구리, 수용성 구리염, 1가 구리염, 염화제1구리, 도전 페이스트, 내후성.

20. 发明公开

KR1020110099040A Ⅲ족질화물 반도체 성장용 기판, Ⅲ족질화물 반도체 에피택셜 기판, Ⅲ족질화물 반도체소자 및 Ⅲ족질화물 반도체 자립 기판, 및, 이들의 제조 방법 有权
标题翻译： III型氮化物半导体生长衬底，III型氮化物半导体外延衬底，III型氮化物半导体元件，III型氮化物半导体激光器衬底及其制造方法
公开(公告)号：KR1020110099040A
公开(公告)日：2011-09-05
申请号：KR1020117016554
申请日：2009-12-25
申请人： 도와 홀딩스 가부시키가이샤 , 도와 일렉트로닉스 가부시키가이샤
发明人： 토바,류이치 , 미야시타,마사히토 , 토요타,타츠노리
IPC分类号： H01L21/20 , C30B29/38 , H01L21/205
CPC分类号： H01L21/02491 , C30B25/18 , C30B29/403 , C30B29/406 , H01L21/0237 , H01L21/02458 , H01L21/02505 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02631
摘要： 본 발명의 목적은, 상술한 문제를 해결하고, 성장 온도가 1050 ℃ 이하의 AlGaN나 GaN나 GaInN 뿐만이 아니라, 성장 온도가 높은 고Al 조성의 Al
x Ga
1
-
x N에서도 결정성이 좋은 Ⅲ족질화물 반도체 에피택셜 기판, Ⅲ족질화물 반도체소자, Ⅲ족질화물 반도체 자립 기판 및 이들을 제조하기 위한 Ⅲ족질화물 반도체 성장용 기판, 및 이들을 효율적으로 제조하는 방법을 제공한다. 적어도 표면 부분이 Al를 포함한 Ⅲ족질화물 반도체로 이루어지는 결정 성장 기판과, 상기 표면 부분 상에 형성된 Zr 또는 Hf로 이루어지는 단일 금속층을 구비하는 것을 특징으로 한다.

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