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11. 发明公开

KR1020140022006A 신규한 에칭 조성물 审中-实审
标题翻译：新型蚀刻组合物
公开(公告)号：KR1020140022006A
公开(公告)日：2014-02-21
申请号：KR1020137023882
申请日：2012-03-08
申请人： 후지필름 일렉트로닉 머티리얼스 유.에스.에이., 아이엔씨. , 후지필름 가부시키가이샤
发明人： 다까하시,도모노리 , 이나바,다다시 , 미즈따니,아츠시 , 두,빙 , 워지책,윌리엄에이. , 다까하시,가즈따가 , 가미무라,데쯔야
IPC分类号： C09K13/00
CPC分类号： H01L21/32134 , C09K13/06 , C23F1/16 , C23F1/28 , C23F1/30 , C23F1/44 , H01L21/28518 , H01L21/76843
摘要： 본 발명은 1종 이상의 술폰산, 클로라이드 또는 브로마이드인 할라이드 음이온을 함유하는 1종 이상의 화합물, 1종 이상의 니트레이트 또는 니트로실 이온 함유 화합물 및 물을 함유하는 에칭 조성물에 관한 것이다. 1종 이상의 술폰산은 조성물의 약 25 중량% 내지 약 95 중량%일 수 있다. 할라이드 음이온은 클로라이드 또는 브로마이드일 수 있으며, 조성물의 약 0.01 중량% 내지 약 0.5 중량%일 수 있다. 니트레이트 또는 니트로실 이온은 조성물의 약 0.1 중량% 내지 약 20 중량%일 수 있다. 물은 조성물의 약 3 중량% 이상일 수 있다.

12. 发明公开

KR1020130079598A 사이클릭 알켄 유도체의 분해를 방지하기 위한 첨가제 有权
标题翻译：添加剂可防止环烷基衍生物的降解
公开(公告)号：KR1020130079598A
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：KR1020137012784
申请日：2006-09-12
申请人： 후지필름 일렉트로닉 머티리얼스 유.에스.에이., 아이엔씨.
发明人： 테프다니엘제이. , 챠골라존엘
IPC分类号： C09K15/04 , C08K5/05 , C08J5/18
CPC分类号： C07C39/06 , C07C7/20 , C07C39/04 , C07C13/64 , C07C13/00
摘要： 본 발명은 하나 이상의 사이클릭 알켄 및 하나 이상의 화학식 I의 항산화 화합물을 포함하고, 상기 항산화 화합물이 1 ppm 내지 200 ppm의 농도로 존재하며 이의 비점이 265 ℃보다 낮은, 안정화된 사이클릭 알켄 조성물에 관한 것이다:
화학식 I

상기 식에서, R
1 내지 R
5 는 각각 독립적으로 H, OH, C
1 -C
8 직쇄, 측쇄 또는 사이클릭 알킬, C
1 -C
8 직쇄, 측쇄 또는 사이클릭 알콕시 또는 치환되거나 비치환된 아릴이다. 또한, 본 발명은 안정화된 알켄 조성물 및 규소 함유 화합물을 사용하여 기판에 탄소-도핑된 산화규소의 층을 형성하는 방법에 관한 것이다.

13. 发明授权

KR101067828B1 신규한 감광성 수지 조성물들 有权
标题翻译：新型光敏树脂组合物
公开(公告)号：KR101067828B1
公开(公告)日：2011-09-27
申请号：KR1020057019037
申请日：2004-06-03
申请人： 후지필름 일렉트로닉 머티리얼스 유.에스.에이., 아이엔씨.
发明人： 러쉬킨,일리야 , 나이니,어매드,에이. , 호플라,리차드 , 워터슨,파멜라,제이. , 웨버,윌리암,디. , 포웰,데이비드,비.
IPC分类号： G03F7/004
CPC分类号： G03F7/038 , G03F7/0382 , G03F7/0751 , Y10S430/106
摘要： 내열성의 네가티브 방식 감광성 조성물로서, (a) 하나 또는 그 이상의 폴리벤족사졸 전구체 폴리머류(I)로서, 상기에서 x는 약 10 내지 약 1000인 정수이고, y는 0 내지 약 900인 정수이고 (x+y)는 약 1000 미만이며; Ar
1 은 4가의 방향족기, 4가의 이종원자 고리기(heterocyclic), 또는 그들의 혼합물들이며; Ar
2 는 실리콘을 포함할 수 있는 2가의 방향족기, 2가의 이종원자 고리기, 2가의 지환족기, 또는 2가의 지방족기이고; Ar
3 은 2가의 방향족기, 2가의 지방족기, 2가의 이종원자 고리기, 또는 그들의 혼합물들이며; Ar
4 는 Ar
1 (OH)
2 또는 Ar
2 일 수 있고; G는 카르보닐기, 카르보닐옥시기 또는 술포닐기를 가지는 1가의 유기기(organic group)인, 하나 또는 그 이상의 폴리벤족사졸 전구체 폴리머류(I); (b)빛이 조사되면 산을 방출하는 하나 또는 그 이상의 광활성 화합물들(photo-active compounds, PAGs); (c)적어도 두 개의 (n= 1 또는 2이고 R은 선형 또는 가지형 C
l - C
8 알킬기인) ~N-(CH
2 0R)
n 단위들을 포함하는 하나 또는 그 이상의 잠재 가교제들; (d) 적어도 하나의 용매; 및 (e) 적어도 하나의 용해속도 변형제(dissolution rate modifier)를 포함하고, 상기 잠재 가교제가 반응성이 클 때, 상기 용해속도 변형제는 카르복시산 기들을 포함하지 않는 조건을 만족하는, 내열성의 네가티브 방식 감광성 조성물이 개시된다.
감광성 수지 조성물, 가교제, 접착 촉진제, 용해 속도 변형제, 폴리벤족사졸 (PBO) 전구체 폴리머

14. 发明公开

KR1020110105002A 반도체 기판 코팅을 위한 비중합체성 결합제 有权
标题翻译：用于半导体衬底涂层的非聚合物粘合剂
公开(公告)号：KR1020110105002A
公开(公告)日：2011-09-23
申请号：KR1020117018999
申请日：2010-01-15
申请人： 후지필름 일렉트로닉 머티리얼스 유.에스.에이., 아이엔씨.
发明人： 말릭산제이 , 디로커스테파니제이 , 레이너스윌리암에이 , 사카무리라지
IPC分类号： G03F7/09 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/091 , G03F7/094 , H01L21/0276 , H01L21/312
摘要： 하기 (1) ~ (3) 을 함유하는, 구멍 충전 조성물 및 바닥 반사방지 코팅으로서 유용한 반도체 코팅 조성물: (1) 하기 화학식 (A
0 ) 으로 나타내지는 비중합체성, 결합제 (NPB):

(식 중, Q 는 다원자가 유기 핵이고, Z
1 및 Z
11 은 2 원자가 연결기이고, W 는 2 원자가 유기 브릿지기이고, 세타는 유기 DUV 발색단-함유 치환기 T 또는 DUV 광에 대한 흡광도가 없거나 거의 없는 유기 치환기 슈바이고, X 는 반응성 작용기이고, Y
11 은 반응성 작용기이고, a 는 약 2 내지 15 의 범위이고, b 는 약 0 내지 10 의 범위이고, c 는 약 0 내지 5 의 범위이고, d 는 독립적으로 0 또는 1 이며, Q, W, 및 세타는 함께, 가교결합 반응에서 반응성인 2 개 이상의 기 또는 부위를 함유하고, 단, (a+b+c) 의 합은 3 을 초과하거나 3 임) (2) 가교결합제; 및 (3) 용매.
摘要翻译：可用作孔填充组合物和底部抗反射涂层的半导体涂料组合物，其包含：（1）由式（Ao）表示的非聚合性粘合剂（NPB），其中Q为多价有机核，Z1和Z11为二价连接基团，W为二价有机桥基，θ是含有DUV发色团的有机取代基T或对DUV光具有很小或不吸光度的有机取代基，W是反应性官能团，Y 11为反应性官能团，其范围为约2至15， b的范围为约0至10，c为约0至5，d为零或1，其中Q，W和θ一起含有至少两个在交联反应中具有反应性的基团或部位，条件是（a + b + c）之和大于或等于3.（2）交联剂; 和（3）溶剂。

15. 发明公开

KR1020080053248A 사이클릭 알켄 유도체의 분해를 방지하기 위한 첨가제 有权
标题翻译：添加剂可防止环烷基衍生物的降解
公开(公告)号：KR1020080053248A
公开(公告)日：2008-06-12
申请号：KR1020077008359
申请日：2006-09-12
申请人： 후지필름 일렉트로닉 머티리얼스 유.에스.에이., 아이엔씨.
发明人： 테프다니엘제이. , 챠골라존엘.
IPC分类号： C09K15/02
CPC分类号： C09K15/08 , C07C7/20 , C07C39/04 , C07C39/06 , C07C13/64
摘要： A stabilized cyclic alkene composition comprising one or more cyclic alkenes, and at least one antioxidant compound having the formula (I), wherein R1 through R5 can each independently be H, OH, C1-C8 linear, branched, or cyclic alkyl, C1-C8 linear, branched, or cyclic alkoxy or substituted or unsubstituted aryl, and wherein the antioxidant compound is present in an amount between 1 ppm and 200 ppm, and wherein said composition is purged with at least one inert gas after said composition is introduced to a container intended for storage or shipping of said composition. A method for forming a layer of carbon-doped silicon oxide on a substrate, which uses the stabilized alkene composition and a silicon containing compound.
摘要翻译：包含一种或多种环状烯烃的稳定的环烯烃组合物和至少一种具有式（I）的抗氧化剂化合物，其中R 1至R 5可各自独立地为H，OH，C 1 -C 8直链，支链或环状烷基，C1- C8直链，支链或环状烷氧基或取代或未取代的芳基，并且其中所述抗氧化剂化合物以1ppm至200ppm的量存在，并且其中所述组合物在所述组合物被引入至所述组合物之后用至少一种惰性气体吹扫用于储存或运输所述组合物的容器。在基板上形成碳掺杂氧化硅层的方法，该方法使用稳定的烯烃组合物和含硅化合物。

16. 发明公开

KR1020070114267A 전처리 조성물 无效
标题翻译：预处理组合物
公开(公告)号：KR1020070114267A
公开(公告)日：2007-11-30
申请号：KR1020077012594
申请日：2006-03-22
申请人： 후지필름 일렉트로닉 머티리얼스 유.에스.에이., 아이엔씨.
发明人： 파웰다비드비. , 나이니아마드에이. , 메티비에르엔.죤 , 페리도날드에프.
IPC分类号： G03F7/004
CPC分类号： G03F7/11 , G03F7/038 , G03F7/039 , G03F7/09 , G03F7/16 , G03F7/004 , G03F7/0045 , G03F7/0047
摘要： A pretreatment composition for treating a substrate to be subjected to forming a relief pattern thereon by exposure to actinic radiation, the pretreatment composition comprising: (a) at least one compound having Structure (VI), wherein, V is selected from CH and N, Y is selected from O and NR3 wherein R3 is selected from H, CH 3 and C2H5, R1 and R2 are each independently selected from H, a C1-C4 alkyl group, a C1-C4 alkoxy group, cyclopentyl and cyclohexyl, or alternatively, R1 and R2 can be fused to produce a substituted or unsubstituted benzene ring, with the proviso that the substituent is not an electron withdrawing group, (b) at least one organic solvent, and optionally, (c) at least one adhesion promoter; wherein the amount of the compound of Structure (VI) present in the composition effective to inhibit residue from forming when the photosensitive composition is coated on a substrate and the coated substrate is subsequently processed to form an image on the substrate. Processes for pretreatment of substrates and processes for forming relief images on pretreated substrates are disclosed.
摘要翻译：一种预处理组合物，其用于通过暴露于光化辐射来处理要在其上形成浮雕图案的基材，所述预处理组合物包含：（a）至少一种具有结构（VI）的化合物，其中V选自CH和N， Y选自O和NR 3，其中R 3选自H，CH 3和C 2 H 5，R 1和R 2各自独立地选自H，C 1 -C 4烷基，C 1 -C 4烷氧基，环戊基和环己基， R 1和R 2可以稠合以产生取代或未取代的苯环，条件是取代基不是吸电子基团，（b）至少一种有机溶剂，和任选地（c）至少一种粘合促进剂; 其中存在于组合物中的结构（Ⅵ）化合物的量有效地抑制了当将光敏组合物涂覆在基材上时形成的残留物和涂覆的基材，随后被处理以在基材上形成图像。公开了用于预处理基板的处理和用于在预处理的基板上形成浮雕图像的工艺。

17. 发明授权

KR102219067B1 폴리이미드 및 폴리아믹 에스테르 폴리머의 개선된 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR102219067B1
公开(公告)日：2021-02-23
申请号：KR1020157033991
申请日：2014-05-19
申请人： 후지필름 일렉트로닉 머티리얼스 유.에스.에이., 아이엔씨.
发明人： 레이너쓰윌리엄에이. , 말릭산자이 , 드비노드비.
IPC分类号： C08G73/10 , C08K5/06 , C08K5/07 , C08K5/101 , C08K5/1535 , C08J5/18 , C09D179/08
摘要： 본발명은폴리머의정제방법에관한것이다. 본방법은 (a) 1종이상의극성의반양성자성중합용매중에폴리이미드또는폴리아믹에스테르를포함하는유기용액을제공하는단계; (b) 1종이상의정제용매를유기용액에첨가하여, 유기용액희석액을제조하는단계; (c) 유기용액희석액을물 또는수용액으로세척하여, 세척된유기용액을수득하는단계; 및 (d) 세척된유기용액에서 1종이상의정제용매를적어도일부제거하여정제된폴리이미드또는폴리아믹에스테르를포함하는용액을수득하는단계를포함하며, 1종이상의정제용매는 1종이상의중합용매보다극성이낮고, 25℃에서 1종이상의중합용매보다수용성이낮다. 본발명은또한, 반도체기판상에필름을형성하는방법, 뿐만아니라관련된정제된폴리머용액, 필름및 물품에관한것이다.

19. 发明公开

KR1020170101271A 반도체 기판으로부터 포토레지스트를 제거하기 위한 스트리핑 조성물 审中-实审
标题翻译：一种用于从半导体衬底去除光刻胶的剥离组合物
公开(公告)号：KR1020170101271A
公开(公告)日：2017-09-05
申请号：KR1020177020631
申请日：2015-12-28
申请人： 후지필름 일렉트로닉 머티리얼스 유.에스.에이., 아이엔씨.
发明人： 두빙 , 도리토마스 , 워지책윌리엄에이.
IPC分类号： G03F7/42 , C11D11/00 , C11D3/30 , C11D3/43 , C11D3/00 , C11D3/20
CPC分类号： C11D11/0047 , C11D3/0026 , C11D3/2006 , C11D3/28 , C11D3/30 , C11D3/43 , C11D7/261 , C11D7/3209 , C11D7/3281 , C11D7/5009 , C11D7/5013 , C11D7/5022 , G03F7/423 , G03F7/425 , G03F7/426 , H01L21/31133
摘要： 본발명은포토레지스트스트리핑(stripping) 조성물에관한것으로서, 본조성물은 1) 하나이상의수용성극성반양성자성(aprotic) 유기용매; 2) 하나이상의알코올용매; 3) 하나이상의 4차암모늄하이드록사이드; 4) 물; 5) 6-치환된-2,4-다이아미노-1,3,5-트리아진으로부터선택되는하나이상의구리부식저해제; 및 6) 선택적으로, 하나이상의소포계면활성제를포함한다.
摘要翻译：本发明涉及光致抗蚀剂剥离组合物，其包含1）至少一种水溶性极性非质子有机溶剂; 2）一种或多种醇溶剂; 3）一种或多种季铵氢氧化物; 4）水; 5）至少一种选自6-取代-2,4-二氨基-1,3,5-三嗪的铜腐蚀抑制剂; 和6）任选地，至少一种发泡剂表面活性剂。

20. 发明公开

KR1020150054708A 에칭 조성물 审中-实审
标题翻译：蚀刻组合物
公开(公告)号：KR1020150054708A
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：KR1020147028194
申请日：2013-07-31
申请人： 후지필름 일렉트로닉 머티리얼스 유.에스.에이., 아이엔씨. , 후지필름 가부시키가이샤
发明人： 다카하시,가즈타카 , 미즈타니,아츠시 , 다카하시,도모노리
IPC分类号： C23F1/16 , C23F1/20 , C23F1/26 , C23F1/30 , H01L21/306 , H01L21/3213 , H01L21/8238
CPC分类号： C23F1/28 , C23F1/20 , C23F1/26 , C23F1/30 , H01L21/30604 , H01L21/32134 , H01L21/823871
摘要： 본개시내용은 1종이상의술폰산약 60% 내지약 95%; 클로라이드음이온약 0.005% 내지약 0.04%; 브로마이드음이온약 0.03% 내지약 0.27%; 니트레이트또는니트로실이온약 0.1% 내지약 20%; 및물 약 3% 내지약 37%를포함하는에칭조성물에관한것이다.

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