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151. 发明公开

KR1019990076418A 배스 失效
标题翻译：浴
公开(公告)号：KR1019990076418A
公开(公告)日：1999-10-15
申请号：KR1019980011353
申请日：1998-03-31
申请人： 주식회사 한국전자홀딩스
发明人： 공경준
IPC分类号： H01L21/00
摘要： 개시된 배스는 배스 본체 내에 작용 액의 데드 영역이 존재하지 않고, 배스 본체로 유입되는 작용 액의 흐름이 원활하게 이루어져 식각율을 향상시키며, 또한 유입되는 작용 액의 흐름이 원활하여 반도체 웨이퍼의 소정 부위를 균일하게 식각하고 세정 효율을 향상시킬 수 있으며, 반도체 웨이퍼를 세정할 경우에 반도체 웨이퍼에서 분리된 이물질을 용이하게 제거할 수 있으며, 반도체 웨이퍼를 식각 및 세정할 경우에 소모되는 세정 액의 양을 줄일 수 있다.
본 발명은 배스 본체의 측면과 바닥면의 사이에 배스 경사면을 구비하여 배스 본체의 체적이 감소되게 하고, 배스 경사면의 중앙부에 작용 액이 유입되는 작용 액 유입구를 형성하고, 바닥면의 중앙부에 작용 액 작용 액 유출구를 형성하여, 작용 액 유입구로 유입되는 작용 액이 작용 액 작용 액 유출구를 통해 드레인으로 회수됨과 아울러 배스 본체에서 오버 플로우되어 드레인으로 회수됨으로써 작용 액의 흐름이 원활하여 식각 효율 및 세정 효율이 향상되며, 배스 본체의 측면에 직경이 작은 보조 유출구를 형성하여 작용 액이 유출되게 함으로써 작용 액 내에서 부유되는 이물질들이 보조 유출구를 통해 유출되게 되어 이물질의 제거 능력이 향상된다.

152. 发明公开

KR1019990076246A 무선 호출 수신기 및 그 제어 방법 无效
标题翻译：寻呼机及其控制方法
公开(公告)号：KR1019990076246A
公开(公告)日：1999-10-15
申请号：KR1019980011028
申请日：1998-03-30
申请人： 주식회사 한국전자홀딩스
发明人： 강도영
IPC分类号： H04B5/04
摘要： 본 발명은 무선 호출 수신기에 관한 것으로서, 특히 입력키로 특정 시간대를 설정하고 그 시간대에 메시지가 수신되면, 메시지를 표시하는 디스플레이에 백 라이트(Back Light)를 자동으로 지원하는 기능을 설정함으로써, 야간 호출시에 사용자가 리드키를 선택하여 메시지의 내용을 재차 확인하지 않아도 수신된 메시지를 정확히 확인할 수 있는 무선 호출 수신기 및 그 제어 방법에 관한 것이다.

153. 发明公开

KR1019990075491A 노광장치 및 이 장치의 노광세기 모니터링 장치 및 방법 失效
标题翻译：曝光装置和曝光强度监视装置及其方法
公开(公告)号：KR1019990075491A
公开(公告)日：1999-10-15
申请号：KR1019980009722
申请日：1998-03-20
申请人： 주식회사 한국전자홀딩스
发明人： 장동근
IPC分类号： H01L21/027
摘要： 본 발명은 노광장치 및 이 장치의 노광세기 모니터링 장치 및 방법을 공개한다. 그 장치는 램프, 제1미러, 제2미러, 제1렌즈, 필터, 렌즈 플레이트들, 제3미러, 제2렌즈, 렌즈 플레이트들과 제3미러사이에 위치하며 복수개의 센서들을 가지고 렌즈 플레이트들을 통과한 빛을 차단하기 위한 셔터로 구성되어 있다. 모니터링 장치는 복수개의 센서들에 의해서 감지된 노광세기 신호들을 입력하여 균일성 값을 구하고 균일성 값이 설정값이상인지를 판단하고, 노광세기 신호들 각각이 소정범위내의 값인지를 판단하는 제어부, 제어부로부터 출력되는 노광세기 신호들의 값 및 균일성 값을 표시하는 표시부, 및 제어부로 설정값 및 소정범위 값을 입력하기 위한 입력부로 구성되어 있다. 그 방법은 복수개의 센서들에 의해서 감지된 신호들을 입력하는 단계, 감지된 신호들의 노광세기 값들을 표시부에 표시하는 단계, 노광세기 값들로부터 균일성 값을 계산하여 상기 표시부에 표시하는 단계, 균일성 값이 설정값이상인지를 판단하는 단계, 균일성 값이 설정값이상이거나, 균일성 값이 설정값이상이 아니면 복수개의 노광세기 값들이 소정범위내의 값인지를 판단하고, 복수개의 노광세기 값들중 적어도 하나이상의 값이 소정범위를 벗어나면 경보신호를 발생하는 단계로 이루어져 있다. 따라서, 노광장치에서 노광세기의 변화를 자동으로 모니터링할 수 있으며, 신속한 조치를 취할 수 있다.

154. 发明授权

KR100216729B1 실리콘 직접 접합 후처리 공정 失效
标题翻译：硅直接粘结技术后续处理
公开(公告)号：KR100216729B1
公开(公告)日：1999-10-01
申请号：KR1019960039578
申请日：1996-09-12
申请人： 주식회사 한국전자홀딩스
发明人： 이정환
IPC分类号： H01L21/20
摘要： 실리콘 직접 접합 기술로 접합된 웨이퍼를 손상시키지 않고 웨이퍼 가장자리 부위를 제거할 수 있는 실리콘 직접 접합 웨이퍼의 가장자리 처리방법이 개시되어 있다.
본 발명은 웨이퍼 직접 접합 기술로 접합된 웨이퍼 표면에 포토레지스트를 도포하고 상기 웨이퍼의 가장자리 부위에 도포된 포토레지스트를 선택적으로 제거하는 단계와 상기 포토레지스트가 도포된 웨이퍼를 실리콘 식각액에서 식각하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
따라서, 본 발명은 실리콘 직접 접합 기술로 접합된 웨이퍼를 손상시키지 않고 웨이퍼의 가장자리 부위를 효과적으로 제거함으로써 원가 절감은 물론 후속 공정으로 제조되는 반도체 장치의 신뢰성을 향상시키는 효과가 있다.

155. 发明授权

KR100166453B1 전조등 자동 제어장치 失效
标题翻译：头灯控制单元
公开(公告)号：KR100166453B1
公开(公告)日：1999-10-01
申请号：KR1019960030854
申请日：1996-07-27
申请人： 주식회사 한국전자홀딩스
发明人： 김찬
IPC分类号： B60Q1/08
摘要： 본 발명은 자동차에 관한 것으로서, 특히 자동차 속도 및 주변의 광량에 따라 자동차 전조등의 밝기 및 점등/소등을 자동으로 제어할 수 있는 전조등 자동 제어장치에 관한 것이다.
본 발명의 전조등 자동 제어장치는 전원 스위치 조작에 의해 램프에 전원을 공급하는 전원 공급원; 감지된 차량의 속도 및 주변의 광량에 따라 램프를 소등 또는 점등하며, 램프의 조도를 조절하기 위한 램프 제어 신호를 발생하는 램프 제어 신호 발생부; 램프 제어 신호에 응답하여 램프의 소등 및 점등을 행하는 램프 점등/소등부; 및 램프 제어 신호에 응답하여 램프의 조도를 조절하는 조도 조절부를 구비한 것을 특징으로 하여 차량의 속도와 주변의 광량에 따라 자동으로 전조등을 제어할 수 있으므로 전조등 제어를 위해 운전자가 계속해서 손조작을 해줄 필요가 없으며, 제어 동작으로 인한 사고의 위험성을 제거할 수 있다.

156. 发明授权

KR100216151B1 차량의 교차코일용 아날로그 지시계기 구동회로 失效
标题翻译：用于车辆的交叉线型模拟仪表的驱动电路
公开(公告)号：KR100216151B1
公开(公告)日：1999-08-16
申请号：KR1019960063054
申请日：1996-12-09
申请人： 콘티넨탈 오토모티브 일렉트로닉스 유한회사 , 주식회사 한국전자홀딩스
发明人： 이동희 , 김찬
IPC分类号： G01R7/00
摘要： 본 발명은 자동차의 바퀴로부터 입력되는 신호를 직류전압으로 변환하고 이 직류전압에 상응하는 소정의 함수를 각각 사인, 코사인 형태의 파형으로 출력하여 출력구동회로를 통하여 교차코일에 입력신호에 상응하는 함수전류를 인가하고 이 인가전류에 의해 교차코일이 구동되도록 하는 차량의 교차 코일용 아날로그 지시계기 구동장치의 1/2분주회로에 관한 것이다.
본 발명은 별도의 분주기를 사용하지 않고 파형정형부(11)의 출력단에 주파수/전압 변환기(12)와 병렬로 분주기(22)를 접속하여 입력신호를 1/2로 분주하여 스텝모터 구동장치(30)를 구동하게 한 것이다.

157. 发明公开

KR1019990048275A 바이폴라 트랜지스터의 제조방법 失效
公开(公告)号：KR1019990048275A
公开(公告)日：1999-07-05
申请号：KR1019970066920
申请日：1997-12-09
申请人： 주식회사 한국전자홀딩스
发明人： 김창균 , 이정환
IPC分类号： H01L21/328
摘要： 본 발명에 따른 바이폴라 트랜지터의 제조공정은 반도체 기판에 매몰층과 에피층을 형성하는 공정과, 상기 결과물 상부에 산화막과 질화막을 순차적으로 형성하는 공정과, 상기 결과물 상의 질화막을 패터닝하여 기판에 이온주입하기 위한 개구부를 형성하는 공정과, 사진공정과 이온주입 공정을 이용하여 상기 결과물의 에피층에 소자분리 영역, 에미터 영역, 베이스 영역 및 소스 영역을 형성하는 공정과, 상기 결과물 상부에 절연막을 형성한 후 하부의 에미터 영역, 베이스 영역, 소스 영역에 콘택되는 전극을 형성하는 공정을 포함하여 이루어지는 것으로, 이 방법에 의하면 질화막의 자기정렬방식을 최종 공정까지 그대로 유지하므로 이후 공정에서의 오정렬을 방지할 수 있게 되고, 또한 공정에서 발생되는 오정렬을 방지할 수 있으므로 소자의 설 계룰을 줄일 수 있으며, 마스크 정렬을 정확하게 하지 않아도 질화막에 의해서 선택적 식각이 되므로 공정 조건이나 설비에 큰 영향을 받지않고 공정을 진행할 수 있다.

158. 发明公开

KR1019990048274A 횡방향 바이폴라 트랜지스터를 적용한 인터그래이티드 인젝션 로직소자 失效
标题翻译：具有横向双极晶体管的集成注入逻辑器件
公开(公告)号：KR1019990048274A
公开(公告)日：1999-07-05
申请号：KR1019970066919
申请日：1997-12-09
申请人： 주식회사 한국전자홀딩스
发明人： 김창균 , 이정환
IPC分类号： H01L27/082
摘要： 본 발명에 의한 인터그래이티드 인젝션 로직(I
2 L : Integrated Injection Logic)을 적용한 횡방향 바이폴라 트랜지스터는, 에미터, 베이스 및 콜렉터를 형성하기 위한 각각의 불순물 확산영역이 횡방향으로 배열됨과 동시에 상기 불순물 확산영역이 폴리실리콘 패턴과 접하도록 형성된 제 1 소자와, 상기 제 1 소자와 다른 전도 특성을 가지며 산화막에 의해 상기 제 1 소자와 절연분리되어 있는 제 2 소자로 구성된 횡방향 바이폴라 트랜지스터에 있어서, 상기 제 1 소자의 베이스에 인젝터를 추가로 형성하고 제 2 소자의 콜랙터를 여러개로 분리 형성한 데에 특징이 있는 것으로, 이에 의하면 기존 수직방향 소자에 I
2 L을 적용한 것에 비해 칩 면적을 감소, 지연시간 감소 및 소자의 속도 향상의 효과가 있음은 물론 분배되는 한 개의 트랜지스터가 일반 트랜지스터 와 거의 같은 전류증폭률을 나타내게 되어 결국, 분배되는 트랜지스터를 기존에 비해 10배 이상 만들 수 있는 장점을 갖는다.

159. 发明公开

KR1019990042477A 플라나형트라이악소자및그제조방법 失效
公开(公告)号：KR1019990042477A
公开(公告)日：1999-06-15
申请号：KR1019970063312
申请日：1997-11-27
申请人： 주식회사 한국전자홀딩스
发明人： 이종홍 , 이병용 , 송종규 , 신진철
IPC分类号： H01L29/06
摘要： 본 발명에서 제공하는 동작모드4의 적용이 가능한 플라나형 트라이악(TRIAC) 소자는, 제 1 도전형의 반도체 기판과, 상기 기판의 양면에 각각 형성된 제 2 도전형의 제 1 및 제 2 베이스 영역과, 상기 제 1 및 제 2 베이스 영역의 표면 근방에 불순물이 더 깊게 도핑되는 일부 영역을 갖도록 형성된 제 1 도전형의 제 1 및 제 2 도전층과, 상기 제 1 베이스 영역의 표면 근방에 상기 제 1 도전층과 일정거리 이격되어 형성된 제 1 도전형의 제 3 도전층과, 상기 제 1 도전층과 제 1 베이스 영역 그리고 제 3 도전층과 제 1 베이스 영역의 표면 일부에 걸쳐 각각 형성된 제 1 주전극 및 게이트 전극과, 그리고 상기 제 2 도전층과 제 2 베이스 영역의 표면 전체에 걸쳐 형성된 제 2 주전극을 포함한다. 이렇게 구성된 트라이악 소자는 게이트의 트리거 특성이 고감도화 되어 동작모드4의 적용이 가능하다.

160. 发明授权

KR100198993B1 반도체 패키지공정 및 패키지장치 失效
标题翻译：包装工艺和半导体封装设备
公开(公告)号：KR100198993B1
公开(公告)日：1999-06-15
申请号：KR1019960053530
申请日：1996-11-12
申请人： 주식회사 한국전자홀딩스 , 한국전기연구원
发明人： 이종홍 , 송종규 , 이병용 , 윤석남 , 정종원 , 김은동
IPC分类号： H01L23/04
摘要： 본 발명은 대용량 전력용 소자에 사용되는 디스크형 반도체 패키지공정에 관한 것으로서, 애노드전극 상부에 반도체칩과 패키지 케이스를 탑재하고 상기 패키지 케이스 상부에 캐소드전극을 탑재하여 형성된 반도체 패키지를 정렬하고 상기 애노드전극과 상기 패키지 케이스 사이의 웰딩면 및 상기 캐소드전극과 상기 패키지 케이스 사이의 웰딩면을 웰딩하여 이루어지는 반도체 패키지공정에 있어서, 절삭날이 형성된 복수개의 지지대 사이에 상기 반도체 패키지의 상기 웰딩면을 위치시키고 상기 반도체 패키지를 회전시키면서 상기 지지대에 소정의 압력을 가하여 상기 반도체 패키지를 정렬시키는 동시에 상기 웰딩면의 형성된 오염물질을 제거하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 한다.
따라서, 본 발명은 반도체 패키지공정에서 반도체 패키지의 정렬 및 웰딩면의 산화막 등의 오염물질 제거가 동시에 수행되기 때문에 패키지공정을 단순화시킬 수 있고 반도체 패키지의 신뢰성을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.

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