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1. 发明授权

KR101530379B1 다공성 글래스 템플릿을 이용한 실리콘 나노 와이어의제조방법 및 이에 의해 형성된 실리콘 나노 와이어를포함하는 소자 有权
标题翻译：使用多孔玻璃模板制造硅纳米线的方法和由其形成的硅纳米线的装置
公开(公告)号：KR101530379B1
公开(公告)日：2015-06-22
申请号：KR20060028474
申请日：2006-03-29
IPC分类号： B82B3/00 , B82Y40/00
CPC分类号： C30B29/06 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , C30B11/12 , C30B25/00 , C30B29/605 , H01L29/0665 , H01L29/0673 , H01L29/0676 , H01L29/16 , H01L31/1804 , H01L33/20 , H01S5/10 , H01S5/3031 , Y02E10/547 , Y02P70/521 , Y10S977/762 , Y10S977/778 , Y10S977/78 , Y10S977/784 , Y10S977/785 , Y10S977/932 , Y10S977/949
摘要： 본발명에의해제조된실리콘나노와이어는 FET(Field Effect Transistor)와같은전자소자, 센서, 광검출소자(photodetector), 발광다이오드(LED: Light Emitting Diode) 및레이저다이오드(LD: Laser Diode) 등다양한분야에효과적으로적용될수 있다.

2. 发明授权

KR101172107B1 양자 점 기반 광전자 소자 및 이를 만드는 방법 有权
标题翻译：基于量子点的光电器件及其制造方法
公开(公告)号：KR101172107B1
公开(公告)日：2012-08-10
申请号：KR1020077030250
申请日：2005-06-28
申请人： 더 리전트 오브 더 유니버시티 오브 캘리포니아
发明人： 시에,야-홍
IPC分类号： H01L29/06
CPC分类号： H01S5/18341 , B82Y10/00 , B82Y20/00 , H01L33/0066 , H01L33/0087 , H01L33/20 , H01S5/0207 , H01S5/021 , H01S5/18308 , H01S5/18369 , H01S5/3224 , H01S5/341 , H01S5/3412 , Y10S977/784 , Y10S977/951
摘要： 실리콘 기판 상에 광학 활성 영역을 형성하는 방법은 실리콘 기판 상에 실리콘 버퍼 층을 에피택셜 성장시키는 단계 및 복수의 양자 점 배열이 배치된 SiGe 클래딩 층을 에피택셜 성장시키는 단계를 포함하고, 양자 점은 실리콘 버퍼 층과 격자 부정합을 갖는 화합물 반도체 재료로 형성된다. 광학 활성 영역은 발광 다이오드, 레이저 다이오드 및 광검출기와 같은 소자에 포함될 수 있다.
광학 활성 영역(optically active region), 에피택셜 성장(epitaxially growing), SiGe 클래딩 층(cladding layer), InGaAs, 양자 점(quantum dots)

3. 发明公开

KR1020080031327A 높은 일 함수의 투명한 도체 有权
标题翻译：高功能透明导体
公开(公告)号：KR1020080031327A
公开(公告)日：2008-04-08
申请号：KR1020087002158
申请日：2006-06-28
申请人： 이 아이 듀폰 디 네모아 앤드 캄파니
发明人： 수,체-슝 , 스컬라슨,히알티
IPC分类号： H01B1/08
CPC分类号： H01L51/0048 , B82Y10/00 , B82Y20/00 , B82Y30/00 , H01L51/5206 , H01L2251/5369 , Y10S977/783 , Y10S977/784 , Y10S977/788
摘要： There is provided a transparent conductor including conductive nanoparticles and at least one of (a) a fluorinated acid polymer and (b) a semiconductive polymer doped with a fluorinated acid polymer. The nanoparticles are carbon nanoparticles, metal nanoparticles, or combinations thereof. The carbon and metal nanoparticles are selected from nanotubes, fullerenes, and nanofibers. The acid polymers are fluorinated or highly fluorinated and have acidic groups including carboxylic acid groups, sulfonic acid groups, sulfonimide groups, phosphoric acid groups, phosphonic acid groups, and combinations thereof. The semiconductive polymers comprise homopolymers and copolymers derived from monomers selected from substituted and unsubstituted thiophenes, pyrroles, anilines, and cyclic heteroaromatics, and combinations of those. The compositions may be used in organic electronic devices (OLEDs).
摘要翻译：提供了包括导电纳米颗粒和（a）氟化酸聚合物和（b）掺杂有氟化酸聚合物的半导体聚合物中的至少一种的透明导体。纳米颗粒是碳纳米颗粒，金属纳米颗粒或其组合。碳和金属纳米颗粒选自纳米管，富勒烯和纳米纤维。酸性聚合物是氟化的或高度氟化的并且具有酸性基团，包括羧酸基团，磺酸基团，磺酰亚胺基团，磷酸基团，膦酸基团及其组合。半导体聚合物包含衍生自选自取代和未取代的噻吩，吡咯，苯胺和环状杂芳族化合物的单体的均聚物和共聚物，以及它们的组合。组合物可用于有机电子器件（OLED）中。

4. 发明公开

KR20070097775A METHOD FOR PRODUCING SILICON NANOWIRE USING POROUS GLASS TEMPLATE AND DEVICE COMPRISING SILICON NANOWIRE FORMED BY THE SAME 有权
标题翻译：使用多孔玻璃模板生产硅纳米管的方法和由其形成的纳米硅纳米管的装置
公开(公告)号：KR20070097775A
公开(公告)日：2007-10-05
申请号：KR20060028474
申请日：2006-03-29
申请人： SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD
发明人： LEE EUN KYUNG , CHOI BYOUNG LYONG , KWON SOON JAE , CHO KYUNG SANG , LEE JAE HO
IPC分类号： B82B3/00
CPC分类号： C30B29/06 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , C30B11/12 , C30B25/00 , C30B29/605 , H01L29/0665 , H01L29/0673 , H01L29/0676 , H01L29/16 , H01L31/1804 , H01L33/20 , H01S5/10 , H01S5/3031 , Y02E10/547 , Y02P70/521 , Y10S977/762 , Y10S977/778 , Y10S977/78 , Y10S977/784 , Y10S977/785 , Y10S977/932 , Y10S977/949
摘要： A method for preparing silicon nanowires is provided to control the diameter and length of silicon nanowire freely by a simple and economical process and produce silicon nanowire which facilitates device embodiment and allows efficiency improvement according to a structure. A method for preparing silicon nanowire includes the steps of: (a) doping a porous glass template having many long wire-shaped pores with an erbium or erbium precursor; (b) disposing the erbium or erbium precursor-doped glass template on a substrate having a metal catalyst layer; and (c) forming and growing silicon nanowires along the pores within the glass template. The porous glass template has a diameter of 1nm-1mm and a height of 100nm-1mm.
摘要翻译：提供一种制备硅纳米线的方法，通过简单经济的工艺自由地控制硅纳米线的直径和长度，并产生有利于器件实施例的硅纳米线，并根据结构提高效率。一种制备硅纳米线的方法包括以下步骤：（a）用铒或铒前体掺杂具有许多长线状孔的多孔玻璃模板; （b）将掺铒或掺铒前驱体的玻璃模板设置在具有金属催化剂层的基板上; 和（c）沿着玻璃模板内的孔形成和生长硅纳米线。多孔玻璃模板的直径为1nm-1mm，高度为100nm-1mm。

5. 发明授权

KR101533455B1 나노와이어 복합체 및 그의 제조방법 有权
标题翻译：纳米复合材料及其制备方法
公开(公告)号：KR101533455B1
公开(公告)日：2015-07-03
申请号：KR20060031390
申请日：2006-04-06
IPC分类号： B82B3/00 , B82Y40/00
CPC分类号： C30B29/62 , C23C16/045 , C30B25/005 , Y10S977/764 , Y10S977/784 , Y10S977/785 , Y10S977/953 , Y10S977/957
摘要： 본발명은다수의중공채널들을포함하는템플릿, 상기템플릿의각 채널내에형성된나노와이어및 상기템플릿의일부구간이제거되어단일의나노와이어또는다수의나노와이어들이노출되는기능부를포함하는것을특징으로하는나노와이어복합체및 그의제조방법에관한것이다. 본발명의나노와이어복합체는저가의단순공정에의해제조가가능하고소형으로제작이가능하므로공진기또는각종센서로용도전개가가능하다.

6. 发明授权

KR101262460B1 1-차원 어레이의 블록 공중합체 원통 그리고 그 적용 失效
标题翻译：嵌段共聚物气瓶的一维阵列及其应用
公开(公告)号：KR101262460B1
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：KR1020107020026
申请日：2009-01-27
申请人： 마이크론 테크놀로지, 인크.
发明人： 밀워드,단,비. , 스튜언,카를
IPC分类号： B82B3/00 , B81C1/00
CPC分类号： H01L21/0337 , B81C1/00031 , B81C2201/0149 , B82Y30/00 , G03F7/0002 , H01L21/0338 , H01L21/31144 , H01L21/76816 , Y10S977/778 , Y10S977/784 , Y10S977/789 , Y10S977/79 , Y10T428/24058 , Y10T428/24124 , Y10T428/24174 , Y10T428/24182
摘要： 자기-조립블록공중합체를이용하여 1-차원어레이로서브리소그래피의나노-스케일의미세구조물을제조하는방법그리고이들방법으로부터형성되는필름및 장치가제공된다.

7. 发明授权

KR101093301B1 보이지 않는 전극을 지닌 투명 기판 및 상기 투명기판을 포함하는 장치 失效
标题翻译：具有可见电极的透明衬底和并入其的器件
公开(公告)号：KR101093301B1
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：KR1020040096668
申请日：2004-11-24
申请人： 아스라브 쏘시에떼 아노님
发明人： 폴리,지안-카를로 , 그루프,조아침 , 바로니,피에르-베스
IPC分类号： H01B5/14 , H01L31/04
CPC分类号： G06F3/041 , G02F1/13439 , H01L2924/0002 , Y10S977/781 , Y10S977/784 , H01L2924/00
摘要： 투명 지지부(1) 상에 증착되는 투명 전도성 산화물(TCO)의 필름에 전극(7) 및 접촉 구역(15)들이 구성된다. 투명 지지부(1) 상에 중간 필름(3)이 먼저 코팅되는 것도 가능하다. 전극(7) 및 접촉 구역(15)은 유전체 공간(9)에 의해 이격되며, 유전체 공간(9)은, 자외선 복사에 의해 형성되어 TCO 필름을 통과하는 나노-균열(11)에 의해 형성된다.
보호 필름(13)이 전극(7) 및 유전체 공간(9)을 코팅할 수 있다.

8. 发明公开

KR1020090060657A 나노점을 이용한 바이오 센서 및 그 제조 방법 有权
标题翻译：使用NANODOT的生物传感器及其制造方法
公开(公告)号：KR1020090060657A
公开(公告)日：2009-06-15
申请号：KR1020070127565
申请日：2007-12-10
申请人： 한국전자통신연구원
发明人： 김태엽 , 아칠성 , 안창근 , 유한영 , 양종헌 , 장문규
IPC分类号： G01N33/53 , G01N33/48 , G01N27/00
CPC分类号： G01N33/5432 , G01N27/4145 , G01N27/4146 , G01N33/5438 , Y10S977/721 , Y10S977/784 , Y10S977/938
摘要： A bio sensor using nano dot is provided to reduce production cost by using a CMOS process and improve the sensitivity by easily changing electric conductivity of silicon nano line. A bio sensor using nano dot comprises: source(S) and drain(D) which is formed at the upper side of substrate(110); a silicon nano line(150) which is formed between the source and drain; and a probe molecule(P) which is fixed on the silicon nano line. A method for producing the bio sensor using the nano dot comprises: a step of forming the source and drain; a step of forming the silicon nano line; a step of fixing the probe molecule on the silicon nano line; and a step of injecting charged nano dot with the target molecule.
摘要翻译：提供使用纳米点的生物传感器，通过使用CMOS工艺降低生产成本，并通过容易地改变硅纳米线的电导率来提高灵敏度。使用纳米点的生物传感器包括：在衬底（110）的上侧形成的源极（S）和漏极（D）; 形成在源极和漏极之间的硅纳米线（150）; 和固定在硅纳米线上的探针分子（P）。使用纳米点制造生物传感器的方法包括：形成源极和漏极的步骤; 形成硅纳米线的步骤; 将探针分子固定在硅纳米线上的步骤; 以及用靶分子注入带电的纳米点的步骤。

9. 发明公开

KR1020080037624A 양자 점 기반 광전자 소자 및 이를 만드는 방법 有权
标题翻译：基于量子点的光电器件及其制造方法
公开(公告)号：KR1020080037624A
公开(公告)日：2008-04-30
申请号：KR1020077030250
申请日：2005-06-28
申请人： 더 리전트 오브 더 유니버시티 오브 캘리포니아
发明人： 시에,야-홍
IPC分类号： H01L29/06
CPC分类号： H01S5/18341 , B82Y10/00 , B82Y20/00 , H01L33/0066 , H01L33/0087 , H01L33/20 , H01S5/0207 , H01S5/021 , H01S5/18308 , H01S5/18369 , H01S5/3224 , H01S5/341 , H01S5/3412 , Y10S977/784 , Y10S977/951
摘要： A method of forming an optically active region on a silicon substrate includes the steps of epitaxially growing a silicon buffer layer on the silicon substrate and epitaxially growing a SiGe cladding layer having a plurality of arrays of quantum dots disposed therein, the quantum dots being formed from a compound semiconductor material having a lattice mismatch with the silicon buffer layer. The optically active region may be incorporated into devices such as light emitting diodes, laser diodes, and photodetectors.
摘要翻译：在硅衬底上形成光学活性区域的方法包括以下步骤：在硅衬底上外延生长硅缓冲层并外延生长其中设置有多个量子点阵列的SiGe包层，量子点由与硅缓冲层具有晶格失配的化合物半导体材料。光学活性区域可以结合到诸如发光二极管，激光二极管和光电检测器的装置中。

10. 发明授权

KR100661696B1 이종 구조의 반도체 나노 와이어 및 그의 제조방법 有权
标题翻译：异质结构的半导体纳米线及其制造方法
公开(公告)号：KR100661696B1
公开(公告)日：2006-12-26
申请号：KR1020050114068
申请日：2005-11-28
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 장은주 , 전신애
IPC分类号： H01L21/20 , B82Y40/00
CPC分类号： C30B7/00 , C30B29/40 , C30B29/46 , C30B29/48 , C30B29/605 , Y10S977/718 , Y10S977/768 , Y10S977/773 , Y10S977/784 , Y10S977/79 , Y10S977/827
摘要： 본 발명은 반도체 나노결정 씨드(seed)의 표면으로부터 선택적인 방향에 물질 조성이 다른 반도체 나노결정을 와이어 형태로 성장시킨 이종 구조(heterostructure)의 반도체 나노 와이어 및 그의 제조방법에 관한 것이다.
본 발명에 의하면, 나노 와이어의 성장이 나노 결정 씨드에 의해 개시되므로, 나노 결정 씨드의 종류, 형태 및 크기를 조절함으로써 나노 와이어의 직경을 조절할 수 있고, 전기 광학적 특성이 조절된 와이어를 습식 공정으로 제조할 수 있다.
반도체 나노 결정, 씨드, 이종 구조 반도체 나노 와이어, 습식 공정

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